JPH02173653A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子写真感光体に関し、特に有機光導電材料
を用いた感光体に係わるものである。

［従来の技術］ 電子写真感光体の光導電材料には一般にセレン（Ｓｅ）
、硫化カドミウム（Ｃｄｓ）、酸化亜鉛（Ｚｎｏ）、ア
モルファスシリコン（ａ−５ｉ）等の無機材料が使用さ
れているが、断る無機材料を用いた感光体は暗所で例え
ば帯電ブラシによりｔｉＦ電し、次いで像露光を行なっ
て露光部のみの電荷を選択的に消失せしめて静電潜像を
形成し、次いで現像剤で現像可視化して画像を形成する
如く利用されている。斯る電子写真感光体に要求される
バ本的特性として、■暗所で適当な電位にｆｆＦ電でき
ること、■光照射で表面電荷を消失せしめる機能を備え
ていること等があるが、上記無機材料は夫々長所及び短
所を仔している。例えばセレン（Ｓｅ）は前述の■■の
特性は充分満足するが、可撓性がなくフィルム状に加工
することが難しい。

又、熱や機械的衝撃に鋭敏なために取扱に注意を要する
等の欠点がある。又、アモルファスシリコン（ａ−５ｉ
）は製造条件が難しく製造コストが高（なる欠点がある
。ところで近年上記の欠点を排除したイｒ機材料例えば
ヒドラゾン化合物やブタジェン化合物等を利用した感光
体が種々提案され、部実用にも供されている。ヒドラゾ
ン化合物とブタジェン化合物の混合を電荷移動剤として
使用した感光体は優れた電子写真特性を有する。しかし
ヒドラゾン化合物とブタジェン化合物をバインダーに溶
かして成膜し乾燥した膜においては、膜の内部応力が非
常に太き（、油、指紋等の何首という刺激により、膜に
クラックが生じるという問題がある。

［発明が解決しようとする問題点コ 本発明は、上記の諸欠点に鑑み感光体を使用する場合、
まれではあるがオイル滴が付むしたり、指紋が付いた時
でも感光膜にクラックを生じ、感光体が破壊されること
のない電子写真感光体を提供しようとするものである。

［問題点を解決するための手段］ しかして、下記−数式ＣＩ］で表されるブタジェン化合
物と、下記−数式［■］で表されるヒドラゾン化合物と
、更にモノフェノール系酸化防止剤を含有する感光膜を
備えたことを特徴とする。

［式中Ａ１〜Ａ４はアルキル基で相互に同じであつでも
異なっていてもよい。コ ［式中Ｂｌと８２はアルキル基、フェニル乱、ベンジル
基、メトキシフェニル基で相互に同じであっても異なっ
ていてもよく、Ｒ１は水素用、アルキル基、０−Ｒ（Ｒ
は炭素原子５〜１０個をａする直鎖状又は分岐状のアル
キル基、アルケニル基、アルカジェニル甚、炭素数７〜
１０個を有するアルキル基）、Ｒ２はアルキル基、フェ
ニル基、メトキシ基、エトキシ基、ベンジル川、メトキ
シフニル基、トリル基、ナフチル基を示す。］一般数式
Ｉコ、−数式［１１］で表される化合物にモノフェノー
ル系酸化防止剤を加え、バインダー中に溶解し成膜した
膜について内部応力が減少し、油、指紋等の付合による
刺激に対してもクラックを生じないことが確認できた。

まず、−数式ＣＩ］のブタジェン化合物及び−数式［■
］のヒドラゾン化合物の好ましい具体例を示すと次のと
うりである。

一般式［Ｉ］のブタジェン化合物としては、Ａｌ−Ａ４
のいずれもがメチル基かエチル基のもの、即ち Ｃ！］３ ［１，１−ビス（ｐ−ジメチルアミノフェノール）−４
，４−ジフェニル−１，３−ブタジェン］［ｐ−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）
］ ２Ｈ５ ［１，１−ビス（ｐ−ジフェニルアミノフェノール）−
４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエンコが、また−
数式［■］で表されるヒドラゾン化合物としては、Ｂ１
．Ｂ２がともにメチル基、エチル基、ベンジル川、フェ
ニル基のいずれか一つか、又はＢ１がベンジル基でＢ２
がメトキシフェニル基であり、Ｒ１がＨ，エチル基、メ
トキシ基又はベンジルオキシ基で、Ｒ２がメチル基、フ
ェニル基又はベンジル井のもの、即ち ［ｐ−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−フェニルヒ
ドラゾン）コ （ジ ［ｐ−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−フェニルヒ
ドラゾン）］ （ジ ［ｐ−（ベンジル−メトキシフェニル）アミノベンズア
ルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）］［］ｐ−ジメチ
ルアミノベンズアルデヒド（ジフェニルヒドラゾン）］ ［ｏ−メチル−ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
（ジフェニルヒドラゾン） ［０−メチル−ｐ−ジベンジルアミノベンズアルデヒド
ー（ジフェニルヒドラゾン） ［Ｑ−メトキシ−ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
−（ジフェニルヒドラゾン） ［０−ベンジルオキシ−ｐ−ジエチルアミノベンズアル
デヒド−（ジフェニルヒドラゾン）［ｐ−ジエチルアミ
ノベンズアルデヒド−（メチル−フェニルヒドラゾン） ［０−メチル−ｐ−ジベンジルアミノベンズアルデヒド
−（メチル−フェニルヒドラゾン）［０−メチル−ｐ−
ジベンジルアミノベンズアルデヒド−（ベンジル−フェ
ニルヒドラゾン）これらのブタジェン化合物及びヒドラ
ゾン化合物は本出願前公知のものであり、それぞれ常法
により製造される。

モノフェノール系酸化防止剤としては、２−ｔｅｒｔ−
ブチル−４−メトキシフェノール、２．６−シーｔｅｒ
ｔ−ブチルフェノール、２．６−シーｔｅｒｔ−ブチル
−４−メチルフェノール、２．６−シーｔｅｒｔ−ブチ
ル−４−エチルフェノール、２．６−シーｔｅｒｔ−ブ
チル−４−メトキシフェノールが上げられる。尚、モノ
フェノール系酸化防止剤以外にも、プラスチック等に添
加されているビスフェノール系酸化防止剤、アミン系酸
化防止剤、サリチル酸系光安定剤、ベンゾフェノン系光
安定剤等の使用を試みたが、ポリフェノール系酸化防止
剤を添加した場合は油、指紋の何首によりクラックが発
生する。ビスフェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防
止剤、サリチル酸系光安定剤、ベンゾフェノン系光安定
剤については、それらを添加することにより、クラック
の発生はなくなるが残留電位が高くなり、感光体として
の機能が低下してしまう。しかしモノフェノール系酸化
防止剤については、感光体としての機能を損なうことな
く油、指紋等の何首によるクラックの発生を抑えること
ができる。

本発明の電子写真感光体の構造は、第１図及び第２図に
示したとうりであるが、そのうち第１図は基板１側に電
荷発生層２、その上層に電荷移動層３を形成する負ノ；
Ｆ電型の機能分離型二層構造を示し、又、第２図は基板
１側に電荷移動層４、その上層に電荷発生層５を形成し
た正（ｔＦ電型の二層４：４　ｍを示す。尚、本発明は
夫々上層に更に所要の電荷移動層等を積属しても実施で
きる。本発明の感光体は前期−数式ＣＩ］のブタジェン
化合物［１゜１、　４．　４−テトラフェニル−１，３
−ブタジェン化合物］と前期−数式［■コのヒドラゾン
化合物及びモノフェノール系酸化防止剤をバインダー（
結芒剤）と共に適当な溶媒中に溶解し、必要に応じて光
を吸収して電荷を発生する光導電物質、増感染料、電子
吸収性材料或は可塑剤等を添加して得られる塗布液を導
電性基板上に塗布、乾燥し通常５〜３０μｍの膜厚の感
光店を形成することにより製作できる。電荷発生層２と
電荷移動層３から成る第１図構造の場合は光導電材料を
バインダーに分散させてなる電荷発生層２の上に前記の
塗布液を塗布する。又、第２図の場合は前記塗布液を塗
布して得られる電荷移動層４上に電荷発生層５を形成す
ればよい。−数式［Ｉ］のブタジェン化合物と一般式［
１１］のヒドラゾン化合物（以下ヒドラゾン）の混合物
の添加量はバインダー１００ｆｆｌ量部に対し、２０〜
２０Ｏｆｆｌｆｆｉ部、好ましくは３０〜１５０ｔｌｉ
ｆｉ１部が好適範囲である。更にブタジェン化合物とヒ
ドラゾン化合物との割合（混合比）はブタジェン化合物
１００重量部に対し、ヒドラゾン化合物１０〜４０００
ｍｍ部、好ましくは５０〜３０００重量部である。更に
モノフェノール系酸化防止剤の添加量は、ヒドラゾン化
合物とブタジェン化合物を合わせたちの１００１ｉ塁部
に対して５〜２０重量部である。尚、本発明に適用され
る電荷発生層としては公知の光導電性材料（Ｓｅｓ　　
５ｅ−Ｔｅ合金、５ｅ−Ａｓ合金、Ｃｄｓ、ＺｎＯ等の
無機材料或はＣｕ、ＡＩ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｖ等の金
属を含有するフタロシアニン類、更には無金属フタロシ
アニン、クロロジアン、ア／系ａ料、ブルー顔料、ビス
アゾ系顔料、或はシアニン系顔料等の打機材料を単独或
は混合して使用できる。又、電気的絶縁性のバインダー
としてはポリエステル、ポリカーボネート、アクリル、
ポリアミド等の熱可塑性樹脂、エポキシ、ウレタン、シ
リコーン等の熱硬化性樹脂、或はポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール等の光硬化性樹脂を単独或は混合して使用でき
る。又、塗布液調整用の溶剤としてはテトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル類、メチルエチルケトン、
シクロヘキサン等のケトン類、トルエン、キシレン笠の
芳香族炭水化水素、ジクロルエタン、クロロホルム等の
塩素系炭化水素が利用でき、更に導電性基板にはアルミ
ニウム、ニッケル等の板状又はドラム状に加工したもの
、或はプラスチックフィルム表面にアルミニウム、銅、
ニッケル等の金属を真空原告又はメツキしたもの、更に
はプラスチック材料にカーボン等の導電性粉末を混入し
、これをシート状、ドラム状に加工したものが利用でき
る。

次に本発明の実施例について説明する。

［実施例１］ チタニルフタロシアニンを真空度１０−’＊ｍ）１ｇ中
で加熱し、アルミドラム上に０．２μ閣の厚さに蒸若し
た７ｕ荷発生層を形成し、次いでポリカーボネートＺ（
三菱瓦斯化学（株））　１００重量部、前記−数式ＣＩ
］のブタジェン化合物（２）の１．１−ビス（ｐ−ジエ
チルアミノフェノール）−４，４−ジフェニル−１，３
ブタジ工ンｌＯ重量部、−数式［■］のヒドラゾン化合
物（９）の０−メチル−ｐ−ジエチルアミノベンズアル
デヒド−（ジフェニルヒドラゾン）９０重量部、２，６
．ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−メチルフェノール１０１
［ｉｉ１部、クロロホルム５００重皿部から成る溶液を
スプレー法或はデイツプ法で塗布し、厚さ２０μ−の電
荷移動層を形成し、更に空気中８０°Ｃ１時間乾燥させ
た感光体を製作した。

［実施例２］ 実施例１で使用したヒドラゾン化合物（９）に代えてヒ
ドラゾン化合物（３）ｐ−メチルアミノベンズアルデヒ
ド−（ジフェニルヒドラゾン）を使用し、２．６−シー
ｔｅｒｔ−４−メチルフェノールに代え、２．６−シー
ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェノールを用いた他
は実施例１と同様な方法で感光体を製作した。

［比較例１］ 実施例１において、２，６−シーｔｅｒｔ−ブチル−４
−メチルフェノールを含まない溶液により感光体を製作
した。

［比較例２］ 実施例１において、２．２’−メチレン−ビス（４−メ
チル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）を加えた溶液
により感光体を製作した。

［比較例３］ 比較例１において、ペンタエリスチリル−テトラキス［
３−（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロキシ
フェニール）プロピオネート］を加えた溶液より感光体
を製作した。

［比較例４コ 比較例１において、Ｎ−フェノール−１−ナフチルアミ
ンを加えた溶液より感光体を製作した。

［比較例５］ 比較例１において、サリチル酸−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノールを加えた溶液より感光体を製作した。

［比較例６］ 比較例１において、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−ベ
ンゾフェノンを加えた溶液より感光体を製作した。

〔発明の効果〕

表１から明らかなように、比較例１の添加剤を加えない
ものは浦、指紋の何首により発生することが確認できた
。又、添加剤を加えたものでも比較例３の場合はクラン
クが発生する。更に実施例１、実施例２、比較例２、比
較例４、比較例５、比較例６においては油、指紋等の何
首によるクラックの発生は無い。電子写真特性について
みると、実施例１、実施例２ではなんら問題のない特性
を示す。比較例２から比較例６についてはいずれも残留
電位が高く、又繰り返しにより残留電位の上昇もみられ
た。

この傾向は比較例５、比較例６については特に大きかっ
た。

（表１） 感光体を使用する場合、まれではあるが浦がついたり指
紋等を付けてしまうこともあり、クラックが発生すると
使用できなくなる。本発明においてはこのようなトラブ
ルの発生を防ぎ、尚且つ感光体としての本来の特性を損
なうことがない感光体を提供する優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の実施例に適用される感光体の
断面図で、図中１は導電性パ板、２と５は電荷発生層、
３と４は電荷移動層である。 （但し） ｖｏ：　　表面電位（−５ＫＶ） Ｅｆｏ　：　　半減露光ｆｆ１（ａｔ、６５０Ｖ、７Ｂ
０ｎｍ）ＤＤＲＩ　：　　暗減衰率（初期：１０秒間）
ＤＤＲ２：　　　　　　ノｔ　　　　　（２００ｆイク
ル後＝　１０秒間）Ｖｏｌ　：　　初期（１シ電電位 ｖｏ２　　：　　　　２００号イクイクル後電１１位Ｖ
ＲＩ　：　　初期残留電位 ＶＨ２：２０叶イウｂ後の残留電位 クラックの発生：　油、指紋等を感光体表面に付むさせ
４８時間後目視にて観察

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中Ａ１〜Ａ４はアルキル基で相互に同じであっても
   異なっていてもよい。］で表わされるブタジエン化合物
   と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中Ｂ１とＢ２はアルキル基、フェニル基、ベンジル
   基、メトキシフェニル基で相互に同じであっても異なっ
   ていてもよく、Ｒ１は水素基、アルキル基、Ｏ−Ｒ（Ｒ
   は炭素原子５〜１０個を有する直鎖状又は分岐状のアル
   キル基、アルケニル基、アルカジエニル基、炭素数７〜
   １０個を有するアルキル基）、Ｒ２はアルキル基、フェ
   ニル基、メトキシ基、エトキシ基、ベンジル基、メトシ
   キフェニル基、トリル基、ナフチル基を示す。］で表さ
   れるヒドラゾン化合物及びモノフェノール系酸化防止剤
   を上記電荷移動剤に対して５〜２０重量％とを含有する
   感光層を備えた電子写真感光体。
2. （２）ブタジエン化合物が、１、１−ビス（ｐ−ジエチ
   ルアミノフェニル）−４、４ジフェニル−１、３−ブタ
   ジエンである特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光
   体。
3. （３）ヒドラゾン化合物が、ｐ−ジメチルアミノベンズ
   アルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−メチル−
   ｐ−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニル
   ヒドラゾン）及びｏ−ベンジルオキシ−ｐ−ジエチルア
   ミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）から
   なる群より選ばれるヒドラゾン化合物である特許請求の
   範囲第１項記載の電子写真感光体。