JPH0212381B2 - - Google Patents
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- JPH0212381B2 JPH0212381B2 JP59219407A JP21940784A JPH0212381B2 JP H0212381 B2 JPH0212381 B2 JP H0212381B2 JP 59219407 A JP59219407 A JP 59219407A JP 21940784 A JP21940784 A JP 21940784A JP H0212381 B2 JPH0212381 B2 JP H0212381B2
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- JP
- Japan
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- bimorphs
- bimorph
- frame
- piezoelectric
- positioner
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q1/00—Members which are comprised in the general build-up of a form of machine, particularly relatively large fixed members
- B23Q1/25—Movable or adjustable work or tool supports
- B23Q1/26—Movable or adjustable work or tool supports characterised by constructional features relating to the co-operation of relatively movable members; Means for preventing relative movement of such members
- B23Q1/34—Relative movement obtained by use of deformable elements, e.g. piezoelectric, magnetostrictive, elastic or thermally-dilatable elements
- B23Q1/36—Springs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/0004—Microscopes specially adapted for specific applications
- G02B21/002—Scanning microscopes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/24—Base structure
- G02B21/26—Stages; Adjusting means therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G12—INSTRUMENT DETAILS
- G12B—CONSTRUCTIONAL DETAILS OF INSTRUMENTS, OR COMPARABLE DETAILS OF OTHER APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G12B1/00—Sensitive elements capable of producing movement or displacement for purposes not limited to measurement; Associated transmission mechanisms therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N2/00—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction
- H02N2/02—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing linear motion, e.g. actuators; Linear positioners ; Linear motors
- H02N2/028—Electric machines in general using piezoelectric effect, electrostriction or magnetostriction producing linear motion, e.g. actuators; Linear positioners ; Linear motors along multiple or arbitrary translation directions, e.g. XYZ stages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
- H10N30/2043—Cantilevers, i.e. having one fixed end connected at their free ends, e.g. parallelogram type
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、20nm程度の分解能で、物体を再現
可能に変位させることを可能とする走査位置付け
装置に関する。一般にポジシヨナと称されるかか
る装置は、顕微鏡検査や製造の分野、特に集積回
路の製造の分野に応用される。
可能に変位させることを可能とする走査位置付け
装置に関する。一般にポジシヨナと称されるかか
る装置は、顕微鏡検査や製造の分野、特に集積回
路の製造の分野に応用される。
[従来技術]
顕微鏡の分解能が改善されるに従い(光学近視
野顕微鏡:0.5/5nm垂直方向/横方向分解能;
走査トンネリング顕微鏡:0.03/0.3nm)、顕微
鏡とプローブの間の相互変位をナノメートルの範
囲で可能とする位置調整機器に対する要求が増大
してきている。同じことが、数平方ミリメートル
の単一のチツプに数千個の回路素子を有する電子
回路においても、要求されているが、以降のマス
キング、拡散及びエツチングの各工程を行なえる
のはチツプの精確な整合を再現できるように行な
つた場合のみである。
野顕微鏡:0.5/5nm垂直方向/横方向分解能;
走査トンネリング顕微鏡:0.03/0.3nm)、顕微
鏡とプローブの間の相互変位をナノメートルの範
囲で可能とする位置調整機器に対する要求が増大
してきている。同じことが、数平方ミリメートル
の単一のチツプに数千個の回路素子を有する電子
回路においても、要求されているが、以降のマス
キング、拡散及びエツチングの各工程を行なえる
のはチツプの精確な整合を再現できるように行な
つた場合のみである。
[従来技術の問題点]
従来、顕微鏡には粗調整及び微調整のための設
備を備えていることがしばしばある。ラツクまた
は親ねじ装置によつてx−方向及びy−方向に変
位可能な段が設けられている。これらの構成は理
論的には、段の微小な変位が可能なものではある
が、希望する変位が小さくなればなるほど、操作
することが困難となるのである。これはメカニズ
ムにある程度のバツクラツシユが存在することが
避けられないからであり、また静止台に固有摩擦
が存在し、この摩擦に打ち勝つことができるのは
急激で、しかもほとんでの場合大幅な運動しかな
いからである。最近の顕微鏡の発展によつて分解
能が、また電子回路の製造上の要件が数段階にわ
たつて増大したことに鑑み、従来技術の欠点を回
避する新規な位置調整装置を設計することが必要
となつた。
備を備えていることがしばしばある。ラツクまた
は親ねじ装置によつてx−方向及びy−方向に変
位可能な段が設けられている。これらの構成は理
論的には、段の微小な変位が可能なものではある
が、希望する変位が小さくなればなるほど、操作
することが困難となるのである。これはメカニズ
ムにある程度のバツクラツシユが存在することが
避けられないからであり、また静止台に固有摩擦
が存在し、この摩擦に打ち勝つことができるのは
急激で、しかもほとんでの場合大幅な運動しかな
いからである。最近の顕微鏡の発展によつて分解
能が、また電子回路の製造上の要件が数段階にわ
たつて増大したことに鑑み、従来技術の欠点を回
避する新規な位置調整装置を設計することが必要
となつた。
従つて、本発明の目的は、検査されるプロー
ブ、重ね合わされる回路チツプ、または顕微鏡の
部品の再現性のある変位を1ミリメートル程度の
間隔で、しかも10ナノメートル程度の分解能で行
なえる位置調整装置を提案することにある。
ブ、重ね合わされる回路チツプ、または顕微鏡の
部品の再現性のある変位を1ミリメートル程度の
間隔で、しかも10ナノメートル程度の分解能で行
なえる位置調整装置を提案することにある。
本発明は、固定部材及び該固定部材に対して運
動可能であり且つ変位される物体を支持するよう
になされた支持部材を有する圧電式ポジシヨナに
関するものでいる。本ポジシヨナの特徴は、少な
くとも1個の中間部材が第1方向に平行に延びる
第1の圧電屈曲部材によつて前記固定部材に結合
されており、該中間部材が前記第1方向に直交す
る第2方向に延びる第2の圧電屈曲部材によつて
前記支持部材に結合されているところである。
動可能であり且つ変位される物体を支持するよう
になされた支持部材を有する圧電式ポジシヨナに
関するものでいる。本ポジシヨナの特徴は、少な
くとも1個の中間部材が第1方向に平行に延びる
第1の圧電屈曲部材によつて前記固定部材に結合
されており、該中間部材が前記第1方向に直交す
る第2方向に延びる第2の圧電屈曲部材によつて
前記支持部材に結合されているところである。
[作用]
上記第1の圧電屈曲部材に電圧を印加すると、
中間部材は固定部材に対して上記第2の方向に変
位し、また上記第2の圧電屈曲部材に電圧を印加
すると、支持部材は中間部材に対して上記第1の
方向に変位する。従つて第1及び第2の圧電屈曲
部材に所定の電圧を印加することによつて、支持
部材を固定部材に対して任意のX−Y位置に変位
させることができる。
中間部材は固定部材に対して上記第2の方向に変
位し、また上記第2の圧電屈曲部材に電圧を印加
すると、支持部材は中間部材に対して上記第1の
方向に変位する。従つて第1及び第2の圧電屈曲
部材に所定の電圧を印加することによつて、支持
部材を固定部材に対して任意のX−Y位置に変位
させることができる。
[実施例]
第1図は、2個の平行四辺形並進装置の平面構
成を示すものである。固定枠1は第1対の平行圧
電屈曲材2及び3を担持しており、これらの一端
は枠1に堅固に接続されており、他端はその間に
中間枠4を担持している。圧電屈曲材2及び3が
一致して屈曲した場合、中間枠4が矢印5の方向
への並進運動を行なうことは明らかである。
成を示すものである。固定枠1は第1対の平行圧
電屈曲材2及び3を担持しており、これらの一端
は枠1に堅固に接続されており、他端はその間に
中間枠4を担持している。圧電屈曲材2及び3が
一致して屈曲した場合、中間枠4が矢印5の方向
への並進運動を行なうことは明らかである。
本発明のポジシヨナとしての用途に好ましい型
式の圧電屈曲材は、当技術分野で一般に「バイモ
ルフ」と呼ばれており、市販されているものであ
る。バイモルフは非圧電基板7に接着された圧電
素子(第2a図)、または2個の圧電素子8及び
9(第3a図)のいずれかからなつており、後者
は両素子に電位を印加すると一方が膨張し、他方
が収縮して前者の構成で生じるものの2倍の屈曲
効果をもたらすようにして接着されている(第2
b図及び第3b図)。
式の圧電屈曲材は、当技術分野で一般に「バイモ
ルフ」と呼ばれており、市販されているものであ
る。バイモルフは非圧電基板7に接着された圧電
素子(第2a図)、または2個の圧電素子8及び
9(第3a図)のいずれかからなつており、後者
は両素子に電位を印加すると一方が膨張し、他方
が収縮して前者の構成で生じるものの2倍の屈曲
効果をもたらすようにして接着されている(第2
b図及び第3b図)。
第1図において、バイモルフ2及び3は共通電
位を印加した場合に同一方向に屈曲され、中間枠
4が並進するようになされている。枠4はL字状
をなしており、脚10が脚11から延びており、
脚11によつて枠4はバイモルフ2及び3に取り
付けられている。脚10には、バイモルフ2及び
3の方向に対して直角に延びている、第2対のバ
イモルフ12及び13が固着されている。バイモ
ルフ12及び13の自由端の間には、支持枠14
が担持されており、これにプローブまたは顕微鏡
の部分(図示せず)を取り付けることができる。
位を印加した場合に同一方向に屈曲され、中間枠
4が並進するようになされている。枠4はL字状
をなしており、脚10が脚11から延びており、
脚11によつて枠4はバイモルフ2及び3に取り
付けられている。脚10には、バイモルフ2及び
3の方向に対して直角に延びている、第2対のバ
イモルフ12及び13が固着されている。バイモ
ルフ12及び13の自由端の間には、支持枠14
が担持されており、これにプローブまたは顕微鏡
の部分(図示せず)を取り付けることができる。
枠1が固定位置に保持されているとすると、バ
イモルフ2及び3に電位を同時に印加することに
より、中間枠4は印加電位の極性に応じて、矢印
5に沿つて左右に変位する。交流を印加した場
合、枠4が使用されているバイモルフの特性及び
関連する質量によつて定まる周波数及び振幅限度
内で、振動することは明らかである。枠4によつ
てもたらされる並進運動が、x−方向に割当てら
れる。この運動は困難を生じることなく、バイモ
ルフ12及び13に、次いで支持枠14に伝えら
れる。バイモルフ12及び13には何ら電位がか
けられていないため、枠14が矢印15の方向に
運動することはない。
イモルフ2及び3に電位を同時に印加することに
より、中間枠4は印加電位の極性に応じて、矢印
5に沿つて左右に変位する。交流を印加した場
合、枠4が使用されているバイモルフの特性及び
関連する質量によつて定まる周波数及び振幅限度
内で、振動することは明らかである。枠4によつ
てもたらされる並進運動が、x−方向に割当てら
れる。この運動は困難を生じることなく、バイモ
ルフ12及び13に、次いで支持枠14に伝えら
れる。バイモルフ12及び13には何ら電位がか
けられていないため、枠14が矢印15の方向に
運動することはない。
逆に、バイモルフ12及び13に電位を印加し
た(バイモルフ2及び3には印加しない)場合、
枠14は枠1に対して矢印25に沿つた変位をも
たらす。この変位をy−方向に割当てる。
た(バイモルフ2及び3には印加しない)場合、
枠14は枠1に対して矢印25に沿つた変位をも
たらす。この変位をy−方向に割当てる。
電位を第1及び第2対のバイモルフに印加した
場合、支持枠14をこれに担持させている物体と
共に、バイモルフの曲げ特性によつて(及び関連
する部品の間に設けられる空間によつて)画定さ
れる範囲内で、x及びy座標に沿つて自由に配置
できることは、明らかである。
場合、支持枠14をこれに担持させている物体と
共に、バイモルフの曲げ特性によつて(及び関連
する部品の間に設けられる空間によつて)画定さ
れる範囲内で、x及びy座標に沿つて自由に配置
できることは、明らかである。
バイモルフ対2,3;12,13を枠1,4及
び14に取り付けている剛性により、またバイモ
ルフの曲げ特性により、支持枠14に正確な直線
状の変位を行なわせることができないことが、当
分野の技術者に理解できよう。本発明の好ましい
実施例は、それ故、2個の圧電素子を貼り合わ
せ、外部の電極を横方向に分離したバイモルフを
使用する。第4図は、2個の外部電極17及び1
8を有するバイモルフの上面図であり、これら外
部電極は完全に分離されている。第5図は、外部
電極17〜20及び中心電極21の電圧源への接
続例を示すものである。第6図は、第5図にした
がつて電位を印加した場合に、バイモルフ16が
取る形状を示すものである。もちろん、外部電極
17〜20の極性を逆にした場合、バイモルフ1
6は反対側へ屈曲する。バイモルフ16の端面2
2a及び22bが常に、平行状態を保つことに留
意されたい。この型式のバイモルフを第1図の構
成に使用した場合、支持枠4の変位はx−及びy
−方向において、正確に直線状のものとなる。
び14に取り付けている剛性により、またバイモ
ルフの曲げ特性により、支持枠14に正確な直線
状の変位を行なわせることができないことが、当
分野の技術者に理解できよう。本発明の好ましい
実施例は、それ故、2個の圧電素子を貼り合わ
せ、外部の電極を横方向に分離したバイモルフを
使用する。第4図は、2個の外部電極17及び1
8を有するバイモルフの上面図であり、これら外
部電極は完全に分離されている。第5図は、外部
電極17〜20及び中心電極21の電圧源への接
続例を示すものである。第6図は、第5図にした
がつて電位を印加した場合に、バイモルフ16が
取る形状を示すものである。もちろん、外部電極
17〜20の極性を逆にした場合、バイモルフ1
6は反対側へ屈曲する。バイモルフ16の端面2
2a及び22bが常に、平行状態を保つことに留
意されたい。この型式のバイモルフを第1図の構
成に使用した場合、支持枠4の変位はx−及びy
−方向において、正確に直線状のものとなる。
支持枠14の少なくともほぼ直線状の変位を得
るための他の可能性を、第7図ないし第10図に
示す。第7図のバイモルフ16は、半分が上方へ
の極性を、他の半分が下方への極性を有する圧電
素子を組み合わせたものからなつている。
るための他の可能性を、第7図ないし第10図に
示す。第7図のバイモルフ16は、半分が上方へ
の極性を、他の半分が下方への極性を有する圧電
素子を組み合わせたものからなつている。
第8図は2個のバイモルフ23及び24の直列
構成を示すものであり、第9図は1個のバイモル
フ25を弾性金属条片26と組み合わせたもので
あり、第10図はバイモルフ27を弾性ゴム・ブ
ロツク28と組み合わせたものである。電圧源
を、第7図ないし第10図のバイモルフの構成に
適切に接続することは、当技術分野の技術者には
容易なことであろう。
構成を示すものであり、第9図は1個のバイモル
フ25を弾性金属条片26と組み合わせたもので
あり、第10図はバイモルフ27を弾性ゴム・ブ
ロツク28と組み合わせたものである。電圧源
を、第7図ないし第10図のバイモルフの構成に
適切に接続することは、当技術分野の技術者には
容易なことであろう。
第11図は、走査範囲を増大させた、本発明の
第2の実施例を示すものである。固定枠29に
は、第1対のバイモルフ30及び31が取り付け
られており、これらのバイモルフはそれぞれブロ
ツク32及び33に接続されており、次いでこれ
らのブロツクには第2対のバイモルフ34及び3
5が固定されている。バイモルフ34及び35
は、第1図の枠4と同様なL字状の構成をした中
間枠36に取り付けられている。枠36は第3対
のバイモルフ37及び38を担持しており、これ
らのバイモルフはそれぞれブロツク39及び40
に固定されており、これらのブロツクからは支持
枠43を担持する第4対のバイモルフ41及び4
4が延びている。電圧源を各種のバイモルフに適
宜接続することにより、第1図の構成の倍の大き
さの走査範囲を、達成することができる。
第2の実施例を示すものである。固定枠29に
は、第1対のバイモルフ30及び31が取り付け
られており、これらのバイモルフはそれぞれブロ
ツク32及び33に接続されており、次いでこれ
らのブロツクには第2対のバイモルフ34及び3
5が固定されている。バイモルフ34及び35
は、第1図の枠4と同様なL字状の構成をした中
間枠36に取り付けられている。枠36は第3対
のバイモルフ37及び38を担持しており、これ
らのバイモルフはそれぞれブロツク39及び40
に固定されており、これらのブロツクからは支持
枠43を担持する第4対のバイモルフ41及び4
4が延びている。電圧源を各種のバイモルフに適
宜接続することにより、第1図の構成の倍の大き
さの走査範囲を、達成することができる。
本発明のさらに他の実施例を、第12図に示
す。固定台44はスタツド45及び46を支持し
ており、これらにはそれぞれバイモルフ47及び
48がその中央部分で取り付けられている。バイ
モルフ47及び48の自由端は、コネクタ49〜
52を担持しており、これらコネクタにはバイモ
ルフ53及び54が接続されている。ブリツジ5
5がバイモルフ53及び54のそれぞれに取り付
けられている。ブリツジは支持部材56を担持し
ている。
す。固定台44はスタツド45及び46を支持し
ており、これらにはそれぞれバイモルフ47及び
48がその中央部分で取り付けられている。バイ
モルフ47及び48の自由端は、コネクタ49〜
52を担持しており、これらコネクタにはバイモ
ルフ53及び54が接続されている。ブリツジ5
5がバイモルフ53及び54のそれぞれに取り付
けられている。ブリツジは支持部材56を担持し
ている。
本実施例において、バイモルフ47,48及び
53,54の各々は、圧電部材65からなつてお
り、これは第13図に示すように両側に4個の独
立した電極57〜60;61〜64を担持してい
る。図示のように電位を印加した場合、バイモル
フは屈曲し、第14図に示す形状を取る。
53,54の各々は、圧電部材65からなつてお
り、これは第13図に示すように両側に4個の独
立した電極57〜60;61〜64を担持してい
る。図示のように電位を印加した場合、バイモル
フは屈曲し、第14図に示す形状を取る。
バイモルフ47及び48、ならびにバイモルフ
53及び54を、電圧を印加した場合に、同一方
向へ屈曲するように構成しなければならないこと
は、当技術分野の技術者には明確であろう。バイ
モルフ53及び54によつて生じる荷重56の変
位は、x−方向に割当てられ、一方バイモルフ4
7及び48の屈曲によつて生じる変化はy−方向
に割当てられる。
53及び54を、電圧を印加した場合に、同一方
向へ屈曲するように構成しなければならないこと
は、当技術分野の技術者には明確であろう。バイ
モルフ53及び54によつて生じる荷重56の変
位は、x−方向に割当てられ、一方バイモルフ4
7及び48の屈曲によつて生じる変化はy−方向
に割当てられる。
第12図の実施例は特に剛性が高く、急速な加
速減速が可能なものである。走査範は、しかしな
がら、第1図及び第11図の実施例に比較して若
干減少している。
速減速が可能なものである。走査範は、しかしな
がら、第1図及び第11図の実施例に比較して若
干減少している。
市販のバイモルフを用いて、本発明にしたがつ
て組立てられたX−Yポジシヨナによつて行なわ
れた測定値は、クランピング長さにより0.4ない
し1μm/Vの変換係数をもたらす。それ故、±
50Vで、0.2×0.44mm2の面積にアクセスすることが
できる。
て組立てられたX−Yポジシヨナによつて行なわ
れた測定値は、クランピング長さにより0.4ない
し1μm/Vの変換係数をもたらす。それ故、±
50Vで、0.2×0.44mm2の面積にアクセスすることが
できる。
第1図の実施例の支持部材14に取り付けたセ
ンサによつて、位置精度をテストした。第15図
は、63μmまでの再現性のある変位を生じる最大
100Vの印加電圧によつて行なつた走査のテスト
結果を示すものである。第16図は、10Vまでの
電圧による走査に対するそれぞれの特性を示すも
のであり、第17図は1V未満の電圧による走査
に対する特性を示すものである。測定されたヒス
テレシスは圧電材料に特有にものであり、たとえ
ば走査制御回路のプロセツサを適宜プログラミン
グすることによつて、容易に補償できるものであ
る。ポジシヨナを以前にあつた場所へ、約20nm
の精度で戻せることが判明した。この精度は、
1Vの走査に対する第17図の線図から最もよく
理解できるように、位置センサの分解能に対応す
るものである。
ンサによつて、位置精度をテストした。第15図
は、63μmまでの再現性のある変位を生じる最大
100Vの印加電圧によつて行なつた走査のテスト
結果を示すものである。第16図は、10Vまでの
電圧による走査に対するそれぞれの特性を示すも
のであり、第17図は1V未満の電圧による走査
に対する特性を示すものである。測定されたヒス
テレシスは圧電材料に特有にものであり、たとえ
ば走査制御回路のプロセツサを適宜プログラミン
グすることによつて、容易に補償できるものであ
る。ポジシヨナを以前にあつた場所へ、約20nm
の精度で戻せることが判明した。この精度は、
1Vの走査に対する第17図の線図から最もよく
理解できるように、位置センサの分解能に対応す
るものである。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明の装置を用いれば、
高い分解能を有する位置付けが可能である。
高い分解能を有する位置付けが可能である。
第1図は、本発明によるポジシヨナの略図であ
る。第2a図、第2b図、第3a図及び第3b図
は、非屈曲及び屈曲状態にあるバイモルフの2つ
の構成の図面である。第4図及び第5図は、それ
ぞれ分割電極を有するバイモルフの上面図及び側
面図である。第6図は、付勢されたときに、第5
図のバイモルフが取る形状を示す図面である。第
7図ないし第10図は、第1図のポジシヨナに使
用できるバイモルフの他の構造を表わす図面であ
る。第11図は、第1図のポジシヨナよりも走査
範囲が増大した、本発明による第2実施例の略図
である。第12図は、正方形構成のポジシヨナの
第3実施例の上面図及び側面図である。第13図
は、第12図の実施例に使用される、三分割され
た電極を有する特殊形状のバイモルフの図面であ
る。第14図は、付勢されたときに、第13図の
バイモルフが取る形状を示す図面である。第15
図ないし第17図は、3つの異なる範囲の印加電
圧に対して第1図のポジシヨナによつて達成可能
な位置調整精度を示すグラフである。
る。第2a図、第2b図、第3a図及び第3b図
は、非屈曲及び屈曲状態にあるバイモルフの2つ
の構成の図面である。第4図及び第5図は、それ
ぞれ分割電極を有するバイモルフの上面図及び側
面図である。第6図は、付勢されたときに、第5
図のバイモルフが取る形状を示す図面である。第
7図ないし第10図は、第1図のポジシヨナに使
用できるバイモルフの他の構造を表わす図面であ
る。第11図は、第1図のポジシヨナよりも走査
範囲が増大した、本発明による第2実施例の略図
である。第12図は、正方形構成のポジシヨナの
第3実施例の上面図及び側面図である。第13図
は、第12図の実施例に使用される、三分割され
た電極を有する特殊形状のバイモルフの図面であ
る。第14図は、付勢されたときに、第13図の
バイモルフが取る形状を示す図面である。第15
図ないし第17図は、3つの異なる範囲の印加電
圧に対して第1図のポジシヨナによつて達成可能
な位置調整精度を示すグラフである。
Claims (1)
- 1 固定部材と、上記固定部材に対して移動可能
で且つ位置付けるべき装置を支持しうる支持部材
と、第1の方向に平行に伸びる少なくとも1対の
第1の圧電屈曲部材によつて上記固定部材に結合
され且つ上記第1の方向と直交する第2の方向に
平行に伸びる少なくとも1対の第2の圧電屈曲部
材によつて上記支持部材に結合された中間部材を
有する圧電式X−Yポジシヨナ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US567306 | 1983-12-30 | ||
US06/567,306 US4520570A (en) | 1983-12-30 | 1983-12-30 | Piezoelectric x-y-positioner |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60148040A JPS60148040A (ja) | 1985-08-05 |
JPH0212381B2 true JPH0212381B2 (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=24266633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59219407A Granted JPS60148040A (ja) | 1983-12-30 | 1984-10-20 | 圧電式x−yポジシヨナ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4520570A (ja) |
EP (1) | EP0149017B1 (ja) |
JP (1) | JPS60148040A (ja) |
DE (1) | DE3477848D1 (ja) |
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-
1983
- 1983-12-30 US US06/567,306 patent/US4520570A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-10-11 DE DE8484112186T patent/DE3477848D1/de not_active Expired
- 1984-10-11 EP EP84112186A patent/EP0149017B1/en not_active Expired
- 1984-10-20 JP JP59219407A patent/JPS60148040A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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EP0149017A3 (en) | 1987-08-26 |
JPS60148040A (ja) | 1985-08-05 |
EP0149017B1 (en) | 1989-04-19 |
US4520570A (en) | 1985-06-04 |
DE3477848D1 (de) | 1989-05-24 |
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