JPH0449675B2 - - Google Patents

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JPH0449675B2
JPH0449675B2 JP58178939A JP17893983A JPH0449675B2 JP H0449675 B2 JPH0449675 B2 JP H0449675B2 JP 58178939 A JP58178939 A JP 58178939A JP 17893983 A JP17893983 A JP 17893983A JP H0449675 B2 JPH0449675 B2 JP H0449675B2
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JP
Japan
Prior art keywords
stage
piezoelectric element
fine movement
axis
wafer
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58178939A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6069593A (ja
Inventor
Sadao Sugyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Filing date
Publication date
Application filed by Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Tateisi Electronics Co
Priority to JP17893983A priority Critical patent/JPS6069593A/ja
Publication of JPS6069593A publication Critical patent/JPS6069593A/ja
Publication of JPH0449675B2 publication Critical patent/JPH0449675B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉 本発明は半導体製造装置、精密測定機、精密加
工機などに適用される微動ステージ機構に関す
る。 〈発明の背景〉 最近、大規模集積回路においては、素子性能の
向上のためサブミクロンのウエハ加工技術が要求
されており、これには、良質なマスクパターンを
用い、近紫外線またはX線によりウエハに露光転
写する方式がとられている。この場合、サブミク
ロンオーダの露光精度を得るためには、さらに一
桁上の精度をもつ位置決め機構が必要となる。 一般に、マスクとウエハの位置検出には、両者
に目印を複数個設け、これを光ビームと受光器を
使つて計測制御し、目印マークの一致を検出する
方法が行なわれており、従つて、ウエハとマスク
を水平方向に微動する機構が必要となる。さら
に、ピンボケを防止するため、ウエハとマスクと
のギヤツプと相互の傾斜角を微動する機構も必要
となる。上記の要求に鑑み、従来は第11図ない
し第14図に示すステージ機構が提案されてい
る。 第11図および第12図に示すステージ機構
は、ステージ1の下面へX軸およびY軸方向にそ
れぞれ平行な支持壁7a,7b,7c,7dを備
え、各支持壁7a,7b,7c,7dをそれぞれ
圧電素子8a,8b,8c,8dを介して対応す
る固定壁4a,4b,4c,4dに支持し、X軸
方向またはY軸方向に対向する一対の圧電素子の
印加電圧を制御することによつて伸縮させ、ステ
ージ1をX軸方向、Y軸方向に微動するものであ
る。しかし、かかるステージ機構は、かりに、ス
テージ1がY軸方向に微動するとき、X軸線上の
圧電素子8b,8dと固定壁4b,4dとの間は
摺動し、このため各圧電素子8a,8b,8c,
8dとステージ1の支持壁7a,7b,7c,7
dとは摺動可能な結合構造となしており、このた
め、ステージ1と圧電素子との間にすき間が生
じ、バツクラツシユ、ヒステリシスなどにより精
密微動が困難かつ微動のために微動整定時間も長
びくなどの問題がある。 第13図および第14図に示すステージ機構
は、前記従来例と同様にステージ1の下面へX軸
およびY軸方向に互いに平行な支持壁7a,7
b,7c,7dを備え、各支持壁7a,7b,7
c,7dを対応する固定壁4a,4b,4c,4
dにバネ9を介して支持すると共に、固定壁4
a,4b,4c,4dにそれぞれ電磁石9a,9
b,9c,9dを配備してその電極を支持壁7
a,7b,7c,7dに対し一定間隙を設けて対
向配備しており、X軸またはY軸線上の電磁石9
a,9b,9c,9dの吸引力を制御し、バネ力
との釣り合いを利用してX軸、Y軸方向に水平微
動するものである。ところがかかる機構の場合、
磁気干渉により各軸の制御は複雑であり、かつ磁
気漏洩を防ぐために装置が大型化されるなどの不
都合がある。さらに、上記各従来の機構は、微動
方向が水平面上におけるX,Y軸の2方向のみで
あり、上下方向および前後または左右傾斜の微動
は不可能であり、このため、別途の微動機構を付
加する必要が生じ、機構が複雑かつ大型化するな
どの幾多の問題がある。 〈発明の目的〉 本発明は、構成簡易にして傾き、上下、水平方
向の微動を実現し、装置の小型化、計量化に優れ
た効果を有する微動ステージ機構を提供すること
を目的とする。 〈実施例の説明〉 本発明の微動ステージ機構は、第1図および第
2図に示すように、ワーク支持台をなす移動ステ
ージ1に対し、X軸およびY軸線上に互いに対向
して4本の棒状弾性部材2a,2b,2c,2d
の上端を取付けると共に、各弾性部材2a,2
b,2c,2dの下部には、それぞれ電圧印加に
より伸長、収縮するピエゾなどの圧電素子3a,
3b,3c,3dを対向して取付け固定し、各圧
電素子3a,3b,3c,3dの対向側面を、取
付基板5上に突設された平面方形をなす固定部材
4の各側面に固定支持している。前記各弾性部材
2a,2b,2c,2dの上下両端部には、それ
ぞれ薄肉部21,22を形成して、棒状弾性部材
に一定の可撓性を付与している。 しかして、移動ステージ1の水平微動に際し、
第3図および第4図に示すように、対をなす一方
の圧電素子3bを−pだけ収縮させ、他方の圧電
素子3dを+pだけ伸長させ、かつ直交方向に位
置した圧電素子3a,3cをそれぞれ−qだけ収
縮させるべく印加電圧を制御することにより、移
動ステージ1は右方向へδx(δy)微動する。また
第5図において、各圧電素子3a,3b,3c,
3dをそれぞれγだけ収縮すべく印加電圧を制御
するとき、各弾性部材2a,2b,2c,2dは
たわみ作用によつて移動ステージ1を上方にδzだ
け微動させ、逆に各圧電素子3a,3b,3c,
3dを膨張することにより移動ステージ1は下方
へ微動する。さらに、第6図において、圧電素子
3aをsだけ伸長させ、圧電素子3b,3dを
s/2だけ伸長させることにより移動ステージ1
はβ方向にδβだけ傾斜し、逆に、第7図に示す
ごとく、圧電素子3bをsだけ伸長させ、圧電素
子3a,3cをs/2だけ伸長させることによ
り、移動ステージ1はα方向にδαだけ傾斜する。
これら5つの方向への微動動作と圧電素子の制御
状態をまとめると次表のごとくなる。なおα,β
方向については、これ以外の組合せが可能であ
る。
【表】 上記本発明の微動ステージ機構により、マスク
とウエハの位置合せを行う場合、第8図および第
9図に示すごとく、移動ステージ1の上面にウエ
ハ10を配備して真空チヤツクなどにて固定し、
かつウエハ10上方に一定ギヤツプを存してマス
ク11を配備している。前記ギヤツプは、マスク
11の周辺部に配備されたたとえば静電容量式ギ
ヤツプセンサ6a,6b,6cにより計測する。
いま、マスク11とウエハ10が所定位置にセツ
トされると、各ギヤツプセンサ6a,6b,6c
が作動して、マスク11とウエハ10との間のギ
ヤツプが検出され、かかるデータに基づき、第1
0図に示すようなCPUを制御主体とする制御回
路にて、マスク11とウエハ10とが平行かつ所
定のすきまにて位置決めされるべく各圧電素子3
a,3b,3c,3dの印加電圧を算出し、駆動
回路a,b,c,dにより各圧電素子に所定の電
圧が印加される。この電圧印加により、移動ステ
ージ1はZ方向微動とα,β方向傾斜微動を行
い、正確な位置が決定される。ついで、レーザー
ビームなどの光を投光器12a,12bによりマ
スク11とウエハ10の合せマーク11t,10
tに当て、その透過光量をステージ1の下方に配
備した受光器13a,13bにより検出し、この
光量が最大となるよう各圧電素子3a,3b,3
c,3dを伸縮させて移動ステージ1をX軸、Y
軸方向に水平微動することによつて、マスク11
とウエハ10とは正確に位置合せされ、かつ正確
な露光を行い得るのである。 〈発明の効果〉 本発明は上記の如く、端部に可撓性を付与する
ための薄肉部が形成された複数の弾性部材を移動
ステージの適所に一端を固定し、各弾性部材の他
端部をそれぞれ圧電素子を介して固定部材に支持
し、前記圧電素子に印加する電圧を制御して移動
ステージを前後、左右、上下、前後傾斜、左右傾
斜の5種類の微動を行うようにしたから、従来装
置に比較して構成、制御が簡易かつ小型化し、高
速微動と安定かつ高精度の位置決めとを実現でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す正面図、第2
図は第1図の平面図、第3図は第1図の右側面
図、第4図および第5図は作動状況を示す正面
図、第6図は作動状況を示す右側面図、第7図は
作動状況を示す正面図、第8図は微動ステージ機
構の使用例を示す概略図、第9図は第8図の平面
図、第10図は装置の回路構成例を示すブロツク
図、第11図は従来例の側面図、第12図は第1
1図の平面図、第13図は他の従来例の側面図、
第14図はその平面図である。 1……移動ステージ、2a,2b,2c,2d
……弾性部材、3a,3b,3c,3d……圧電
素子、4……固定部材。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 移動ステージを前後、左右、上下、前後傾
    斜、左右傾斜の各方向に微動させる微動ステージ
    機構であつて、 前記移動ステージの適所に一端が固定され、端
    部に可撓性を付与するための薄肉部が形成された
    複数の弾性部材と、 各弾性部材の他端に一端が固定された伸縮動作
    可能な複数の圧電素子と、 各圧電素子の他端を支持する固定部材と、 各圧電素子への印加電圧を制御することにより
    圧電素子の伸縮量を設定して移動ステージを位置
    調整する制御回路とを備えて成る微動ステージ機
    構。
JP17893983A 1983-09-26 1983-09-26 微動ステ−ジ機構 Granted JPS6069593A (ja)

Priority Applications (1)

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JP17893983A JPS6069593A (ja) 1983-09-26 1983-09-26 微動ステ−ジ機構

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JP17893983A JPS6069593A (ja) 1983-09-26 1983-09-26 微動ステ−ジ機構

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JPS6069593A JPS6069593A (ja) 1985-04-20
JPH0449675B2 true JPH0449675B2 (ja) 1992-08-12

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ID=16057281

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JP17893983A Granted JPS6069593A (ja) 1983-09-26 1983-09-26 微動ステ−ジ機構

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3610540A1 (de) * 1986-03-27 1987-10-01 Kernforschungsanlage Juelich Bewegungseinrichtung zur mikrobewegung von objekten
JPS6382389A (ja) * 1986-09-26 1988-04-13 新技術事業団 試料微動機構
JPH0769443B2 (ja) * 1987-02-06 1995-07-31 株式会社日立製作所 6自由度微動装置
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JPS5817616A (ja) * 1981-07-24 1983-02-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 移動ステ−ジ
JPS5831404U (ja) * 1981-08-26 1983-03-01 東芝機械株式会社 N段式空圧シリンダ

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