JPH02120224A - 超電導セラミックス被膜または薄板の製造方法 - Google Patents
超電導セラミックス被膜または薄板の製造方法Info
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- JPH02120224A JPH02120224A JP63272465A JP27246588A JPH02120224A JP H02120224 A JPH02120224 A JP H02120224A JP 63272465 A JP63272465 A JP 63272465A JP 27246588 A JP27246588 A JP 27246588A JP H02120224 A JPH02120224 A JP H02120224A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、効率のよい超電導セラミックス被膜または
薄板の製造方法に関するものであり、さらに詳しくは、
超電導セラミックス被膜または薄板の製造工程における
被膜または薄板状の焼結体を効率よく冷却制御する方法
に関するものである。
薄板の製造方法に関するものであり、さらに詳しくは、
超電導セラミックス被膜または薄板の製造工程における
被膜または薄板状の焼結体を効率よく冷却制御する方法
に関するものである。
Yf:含む希土類元素、アルカリ土類金属、 CUおよ
び酸素からなるペロブスカイト構造を有する化合物は、
液体窒素による冷却温度:フッ0に以上において超電導
現象を示すことはよく知られており。
び酸素からなるペロブスカイト構造を有する化合物は、
液体窒素による冷却温度:フッ0に以上において超電導
現象を示すことはよく知られており。
その中でもYBa2Cu307−J (ただしδ−0〜
l)の組成をもち、ペロブスカイト構造を有する超電導
セラミックスが最も安定した超電導特性を示す超電導セ
ラミックスであることも知られている。
l)の組成をもち、ペロブスカイト構造を有する超電導
セラミックスが最も安定した超電導特性を示す超電導セ
ラミックスであることも知られている。
上記超電導セラミックス被膜または薄板を作るには、′
!ず、原料粉末として、いずれも平均粒径:10μ観以
下のY2Os粉末、 BaCO3粉末およびCuO粉
末を用意し、これら原料粉末をモル比で。
!ず、原料粉末として、いずれも平均粒径:10μ観以
下のY2Os粉末、 BaCO3粉末およびCuO粉
末を用意し、これら原料粉末をモル比で。
Y2O3: BILCO3: CuO−1/2 : 2
: 3となるように配合し、混合し、大気中または酸
素雰囲気中、温度:930〜950℃、5時間保持の条
件で仮焼し、この仮焼した粉末を粉砕して、平均粒径:
0.4〜3.0pmのYBa2Cu307−J (δ−
0〜1)の組成からなりペロブスカイト構造を有する化
合物粉末を作製し、この化合物粉末を有機ビヒクルまた
は有機バインダーと混合し、スクリーン印刷法またはド
クターブレード法によりそれぞれ被膜または薄板状に成
形し、この成形体を乾燥したのち。
: 3となるように配合し、混合し、大気中または酸
素雰囲気中、温度:930〜950℃、5時間保持の条
件で仮焼し、この仮焼した粉末を粉砕して、平均粒径:
0.4〜3.0pmのYBa2Cu307−J (δ−
0〜1)の組成からなりペロブスカイト構造を有する化
合物粉末を作製し、この化合物粉末を有機ビヒクルまた
は有機バインダーと混合し、スクリーン印刷法またはド
クターブレード法によりそれぞれ被膜または薄板状に成
形し、この成形体を乾燥したのち。
大気中、温度二880〜950℃、12時間保持の条件
で焼結し、炉冷することにより被膜または薄板状の焼結
体を作製していた。
で焼結し、炉冷することにより被膜または薄板状の焼結
体を作製していた。
上記大気中で焼結された焼結体は、高温で正方晶、低温
で斜方晶の結晶構造をとることが安定であシ、超電導特
性に優れるためには、上記正方晶から斜方晶への完全な
変態が必要であること、および上記焼結後の変態を完全
に行うためには極めて遅い冷却速度を必要とすることも
知られている。
で斜方晶の結晶構造をとることが安定であシ、超電導特
性に優れるためには、上記正方晶から斜方晶への完全な
変態が必要であること、および上記焼結後の変態を完全
に行うためには極めて遅い冷却速度を必要とすることも
知られている。
このようKして得られた被膜または薄板状の焼結体は、
さらに1気圧の酸素気流中で温度:500〜600℃、
2〜5時間保持の条件で熱処理され、超電導セラミック
ス被膜または薄板を作製していた。
さらに1気圧の酸素気流中で温度:500〜600℃、
2〜5時間保持の条件で熱処理され、超電導セラミック
ス被膜または薄板を作製していた。
上記乾燥した成形体を焼結して被膜または薄板状の焼結
体を作製し、この焼結体を炉冷する際には、一般に、冷
却速度を十分に遅くシ、正方晶から斜方晶への変態を完
全に行なわせしめていた。
体を作製し、この焼結体を炉冷する際には、一般に、冷
却速度を十分に遅くシ、正方晶から斜方晶への変態を完
全に行なわせしめていた。
しかしながら、かかる従来の冷却速度では、超電導セラ
ミックス被膜または薄板の製造に時間がかかりすぎ、生
産性および経済性の点で極めて効率の悪いものであった
。
ミックス被膜または薄板の製造に時間がかかりすぎ、生
産性および経済性の点で極めて効率の悪いものであった
。
そこで1本発明者等は、上記超電導セラミックス被膜ま
たは薄板の生産性を向上させるために。
たは薄板の生産性を向上させるために。
上記焼結体の冷却速度について研究を行った結果。
300℃以上の高温では。
冷却速度:ΔT/Δt <T −5・−−−−−−−−
(1)但し、T:温度(℃) po2 :酸素分圧(atm) t:冷却時間(hr) の条件式をみたすような冷却速度で高温の焼結体を冷却
することKより、すぐれた超電導特性を有する超電導セ
ラミックス被膜または薄板を製造することができるとい
う知見を得たのである。
(1)但し、T:温度(℃) po2 :酸素分圧(atm) t:冷却時間(hr) の条件式をみたすような冷却速度で高温の焼結体を冷却
することKより、すぐれた超電導特性を有する超電導セ
ラミックス被膜または薄板を製造することができるとい
う知見を得たのである。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って、 Yを含む希土類金属、アルカリ土類金属、銅および酸素
からなるペロプスカイト構造を有する化合物粉末をスク
リーン印刷法またはドクターブレード法によりそれぞれ
被膜または薄板状に成形して成形体を作製し。
って、 Yを含む希土類金属、アルカリ土類金属、銅および酸素
からなるペロプスカイト構造を有する化合物粉末をスク
リーン印刷法またはドクターブレード法によりそれぞれ
被膜または薄板状に成形して成形体を作製し。
この成形体を酸素を含む雰囲気中で焼結して焼結体とし
たのち冷却し。
たのち冷却し。
ついで酸素雰囲気中で熱処理することにより超電導セラ
ミックス被膜または薄板を製造する方法において。
ミックス被膜または薄板を製造する方法において。
上記焼結後の300t:以上の高温領域では下記の条件
をみたすような冷却速度をもって冷却するlJ[導セラ
ミックス被膜または薄板の製造方法。
をみたすような冷却速度をもって冷却するlJ[導セラ
ミックス被膜または薄板の製造方法。
冷却速度:△T/△t< T −倶・−・−(1)ただ
し、T:温度(℃) t:冷却時間(hr ) PO2:酸素分圧(atm) に特徴を有するものである。
し、T:温度(℃) t:冷却時間(hr ) PO2:酸素分圧(atm) に特徴を有するものである。
上記条件式において、温度Tは950℃より高くすると
焼結体に融液が発生するから950℃より高くすること
はできない。
焼結体に融液が発生するから950℃より高くすること
はできない。
したがって、冷却速度を大きくするためには。
上記△で/△t−T−6丁
なる条件式を満足し、酸素分圧を高めることにより達成
されるのである。
されるのである。
かかる条件を満足する限り、生産性を向上せしめるため
に焼結体を冷却する速度を大きくしても正方晶から斜方
晶に完全に変態させることができたのである。
に焼結体を冷却する速度を大きくしても正方晶から斜方
晶に完全に変態させることができたのである。
なお、上記高温の条件を300℃以上とした理由は、3
00℃以下の温度から冷却する時に、(1)式で示され
る冷却速度以上で急冷しても十分な特性が得られること
がわかったからである。即ち。
00℃以下の温度から冷却する時に、(1)式で示され
る冷却速度以上で急冷しても十分な特性が得られること
がわかったからである。即ち。
例えばPO□−1気圧の時、250℃での冷却速度は、
250℃/hr以下に除冷することか(1)式から得ら
れる冷却速度であるが、実際は600℃/hrの冷却速
度でも十分な特性が得られる。この理由は300℃未満
であると、酸素と化合物の反応速度あるいは化合物内の
酸素の拡散速度が十分遅くなるため、平衡状態を保った
まま実質的に冷却することが不可能であることによる。
250℃/hr以下に除冷することか(1)式から得ら
れる冷却速度であるが、実際は600℃/hrの冷却速
度でも十分な特性が得られる。この理由は300℃未満
であると、酸素と化合物の反応速度あるいは化合物内の
酸素の拡散速度が十分遅くなるため、平衡状態を保った
まま実質的に冷却することが不可能であることによる。
また、300℃での酸素と平衡状態に化合物中の酸素含
有量が保たれていれば、十分な特性が得られることによ
る。
有量が保たれていれば、十分な特性が得られることによ
る。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明す
る。
る。
実施例1〜9および比較例1〜9
原料粉末として、いづれも平均粒径6μ以下を有するY
2O3粉末、BaC0,粉末およびCuO粉末を用意し
、これら原料粉末をモル比で1/2 Y2O,: Ba
CO3:CuO−1:2:3の割合で配合し、良く混合
し。
2O3粉末、BaC0,粉末およびCuO粉末を用意し
、これら原料粉末をモル比で1/2 Y2O,: Ba
CO3:CuO−1:2:3の割合で配合し、良く混合
し。
大気中、温度:91O℃、20時間の保持の条件で仮焼
し、この仮焼した粉末を325メツシユ以下に粉砕し、
YBa2Cu2O7−δの組成からなる化合物粉末を
作製した。この粉末をもとに、超電導体配線用ペースト
とするために、上記化合物粉末と有機ビヒクルを配合し
混練した。上記化合物粉末と有機ビヒクルの配合割合は
、化合物粉末:90重量%、有機ビヒクル:10重量%
である。
し、この仮焼した粉末を325メツシユ以下に粉砕し、
YBa2Cu2O7−δの組成からなる化合物粉末を
作製した。この粉末をもとに、超電導体配線用ペースト
とするために、上記化合物粉末と有機ビヒクルを配合し
混練した。上記化合物粉末と有機ビヒクルの配合割合は
、化合物粉末:90重量%、有機ビヒクル:10重量%
である。
なお、上記有機ビヒクルは、エチルセルロース:20重
量%とブチルカルピトールアセテート280重iチとの
混合体である。
量%とブチルカルピトールアセテート280重iチとの
混合体である。
スクリーン印刷体の作製にあたっては、ステンレス製の
250メツシユのスクリーンを使用し。
250メツシユのスクリーンを使用し。
上記化合物粉末と有機ビヒクルからなる超電導体配線用
ば一ストを、たて:20iuaX横:20mX厚さ=1
鴎の寸法を有するMgO基板基板上線幅二5K11゜ 長さ=15顛。
ば一ストを、たて:20iuaX横:20mX厚さ=1
鴎の寸法を有するMgO基板基板上線幅二5K11゜ 長さ=15顛。
厚さ:18μffl。
の寸法のパターンを描いた。
上記MgO基板上にスクリーン印刷したパターンを室温
乾燥したのち温度:125℃で乾燥し、これを第1表の
実施例1〜9および比較例1〜9に示される条件で焼結
し、ついで第1表の実施例1〜9および比較例1〜9に
示される冷却速度で冷却し、被膜焼結体を作製した。こ
れら被膜焼結体は、さらに1気圧の酸素雰囲気中で温度
:500℃、3時間保持の条件で熱処理して超電導セラ
ミックス被膜とし、この超電導セラミックス被膜の超電
導特性を測定して、それらの結果を第1表に示した。
乾燥したのち温度:125℃で乾燥し、これを第1表の
実施例1〜9および比較例1〜9に示される条件で焼結
し、ついで第1表の実施例1〜9および比較例1〜9に
示される冷却速度で冷却し、被膜焼結体を作製した。こ
れら被膜焼結体は、さらに1気圧の酸素雰囲気中で温度
:500℃、3時間保持の条件で熱処理して超電導セラ
ミックス被膜とし、この超電導セラミックス被膜の超電
導特性を測定して、それらの結果を第1表に示した。
実施例10〜18および比較例10〜18原料粉末とし
て、いづれも平均粒径6μ以下を有するY2O5粉末、
BaCO3粉末およびCuO粉末を用意し、これら原
料粉末をモル比でl/2 Y2O5: BaC0゜:
CuO−1: 2 : 3の割合で配合し、良く混合し
。
て、いづれも平均粒径6μ以下を有するY2O5粉末、
BaCO3粉末およびCuO粉末を用意し、これら原
料粉末をモル比でl/2 Y2O5: BaC0゜:
CuO−1: 2 : 3の割合で配合し、良く混合し
。
火炉中、温度:910℃、20時間の保持の条件で仮焼
し、この仮焼した粉末を平均粒径3μ以下に粉砕し、
YBa2Cu30アーδ の組成からなる化合物粉末を
作製した。この粉末と有機バインダーとを十分混合し、
ドクターブレード法により幅:200鵡×長さ:lO1
00O厚さ:0.8mの寸法を有する薄板状ドクターブ
レード成形体を作製したう上記化合物粉末と有機バイン
ダーの混合物は、化合物粉末=65重量1に対して有機
バインダー35重量−を配合したものであり、さらに上
記有機バインダーは。
し、この仮焼した粉末を平均粒径3μ以下に粉砕し、
YBa2Cu30アーδ の組成からなる化合物粉末を
作製した。この粉末と有機バインダーとを十分混合し、
ドクターブレード法により幅:200鵡×長さ:lO1
00O厚さ:0.8mの寸法を有する薄板状ドクターブ
レード成形体を作製したう上記化合物粉末と有機バイン
ダーの混合物は、化合物粉末=65重量1に対して有機
バインダー35重量−を配合したものであり、さらに上
記有機バインダーは。
エタノール=42重量%。
トルエン:22重量%。
PVB樹脂:28重量%。
ポリエチレングリコール:4重tes。
ジオクチル酸7タル:4重量%。
からなるものを使用した。
上記ドクターブレード成形体は、24時間自然乾燥した
ところ、厚さ:約0.4Hの乾燥体が成形され、この乾
燥体を幅:8B×長さ二401jlに切断し、以後の脱
脂焼成試料とした。上記脱脂焼成は、大気中で実施され
、温度:180℃までは昇温速度=20℃/hrで加熱
し、ついで温度=180℃から350℃までは昇温速度
=5℃/hrで加熱し、温度=350℃で3時間保持し
たのち炉中冷却することにより行なわれた。
ところ、厚さ:約0.4Hの乾燥体が成形され、この乾
燥体を幅:8B×長さ二401jlに切断し、以後の脱
脂焼成試料とした。上記脱脂焼成は、大気中で実施され
、温度:180℃までは昇温速度=20℃/hrで加熱
し、ついで温度=180℃から350℃までは昇温速度
=5℃/hrで加熱し、温度=350℃で3時間保持し
たのち炉中冷却することにより行なわれた。
上記脱脂焼成されたドクターブレード成形体は、第2表
の実施例1O〜1日および比較例10〜18に示される
条件で焼結し、ついで第2表の実施例10〜1日および
比較例10〜18に示される冷却速度で冷却したのち、
1気圧の酸素雰囲気中。
の実施例1O〜1日および比較例10〜18に示される
条件で焼結し、ついで第2表の実施例10〜1日および
比較例10〜18に示される冷却速度で冷却したのち、
1気圧の酸素雰囲気中。
温度二500℃、3時間保持の条件で熱処理して超電導
セラミックス薄板とし、この超電導セラミックス薄板の
超電導特性を測定して、それらの結果を第2表に示した
。
セラミックス薄板とし、この超電導セラミックス薄板の
超電導特性を測定して、それらの結果を第2表に示した
。
第1表および9JIJ2表の測定結果から明らかなよう
に、焼結条件が同一であっても焼結後の冷却を。
に、焼結条件が同一であっても焼結後の冷却を。
この発明の条件式(1)を満足する冷却速度(実施例1
〜18)で行うと、優れた超電導特性が得られるが、こ
の発明の条件式(1)を満足しない冷却速度。
〜18)で行うと、優れた超電導特性が得られるが、こ
の発明の条件式(1)を満足しない冷却速度。
例えば、冷却速度:△T/△t)T−6可なる冷却速度
(比較例1〜18)で行うと、超電導特性が低下する。
(比較例1〜18)で行うと、超電導特性が低下する。
したがって、この発明の条件式(1)を用いて、可能な
限り速い冷却速度で冷却コントロールすることが容易と
なり、超電導セラミックス被膜または薄板の生産性を大
幅に向上させることができるというすぐれた効果を奏す
るものである。
限り速い冷却速度で冷却コントロールすることが容易と
なり、超電導セラミックス被膜または薄板の生産性を大
幅に向上させることができるというすぐれた効果を奏す
るものである。
Claims (2)
- (1) Yを含む希土類元素、アルカリ土類金属、銅お
よび酸素からなるペロブスカイト構造を有する化合物粉
末をスクリーン印刷法により被膜成形体を作製し、この
被膜成形体を酸素を含む雰囲気中で焼結して被膜焼結体
としたのち冷却し、ついで酸素雰囲気中で熱処理するこ
とにより超電導セラミックス被膜を製造する方法におい
て、 上記焼結後の300℃以上の高温領域では、下記の条件
をみたすような冷却速度をもつて冷却することを特徴と
する超電導セラミックス被膜の製造方法。 冷却速度:ΔT/Δt≦T・▲数式、化学式、表等があ
ります▼ ただし、T:温度(℃)、 t:冷却時間(hr)、 PO_2:酸素分圧(atm)、 - (2) Yを含む希土類元素、アルカリ土類金属、鋼お
よび酸素からなるペロブスカイト構造を有する化合物粉
末をドクターブレード法により薄板成形体を作製し、 この薄板成形体を酸素を含む雰囲気中で焼結して薄板焼
結体としたのち冷却し、ついで酸素雰囲気中で熱処理す
ることにより超電導セラミックス薄板を製造する方法に
おいて、 上記焼結後の300℃以上の高温領域では、下記の条件
をみたすような冷却速度をもつて冷却することを特徴と
する超電導セラミックス薄板の製造方法。 冷却速度:ΔT/Δt≦T・▲数式、化学式、表等があ
ります▼ ただし、T:温度(℃) t:冷却時間(hr) PO_2:酸素分圧(atm)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63272465A JPH02120224A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 超電導セラミックス被膜または薄板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63272465A JPH02120224A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 超電導セラミックス被膜または薄板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02120224A true JPH02120224A (ja) | 1990-05-08 |
Family
ID=17514295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63272465A Pending JPH02120224A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 超電導セラミックス被膜または薄板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02120224A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63230565A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 超伝導物質及びその製造方法 |
JPS6474705A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-20 | Toshiba Corp | Plane inductor |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63272465A patent/JPH02120224A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63230565A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 超伝導物質及びその製造方法 |
JPS6474705A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-20 | Toshiba Corp | Plane inductor |
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