JPH0196657A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、感光体、特に電子写真感光体に関する。

従来技術およびその問題点 感光体は一般に電荷輸送機能を担う電荷輸送層と電荷発
生機能を担う電荷輸送層の２層からなる積層構成がとら
れている。

電荷輸送層は、電荷輸送物質を適当な結着樹脂に分散さ
せたバインダー型構成をとるもの、有機炭化水素化合物
をプラズマ重合で設けたプラズマ重合膜構成をとるもの
が知られている。

バインダー型構成の電荷輸送層は、電荷輸送物質と結着
樹脂を適当な溶媒に溶解した溶液を塗布乾燥して形成さ
れる。

しかし、結着樹脂は本来結締性で高抵抗のため、電荷が
電荷輸送層内部を移動する際、樹脂成分が障壁となり、
感光体感度の低下の原因となったり、またトナー現像後
の表面電荷のイレースの際、電荷が完全に消去されず、
残留電位の原因となったリする問題がある。

また、バインダー構成の場合、電荷輸送物質が溶剤によ
り変質したり、あるいは電荷輸送物質が溶剤に完全に溶
解後、その結晶が析出する問題もある。

一方、プラズマ重合膜構成としては、例えば特開昭６２
−９３５５号公報が知られている。

特開昭６２−９３５５号公報に記載の技術は、電荷輸送
層が、メタン、アセチレン、その低脂肪族あるいは芳香
族炭化水素等をグロー放電プラズマにより作製した無定
形炭素からなる感光体が開示されている。

感光体は、初期表面電位として、少なくとも約４００ｖ
の帯電電位が必要とされ、そのためには、一般に電荷輸
送層の膜厚として少なくとも約５μ肩が必要とされる。

しかし、上記技術に従い、メタンガスのグロー放電プラ
ズマ重合膜を５μｌ程度以上に形成した！荷輸送層から
構成した感光体は、感度が低く、残留電位が高いもので
ある。その他のアセチレン、脂肪族あるいは芳香族炭化
水素から形成した感光体も、同様の傾向であった。

発明が解決しようとする問題点 本発明者らは、有機重合膜の感光体への応用を検討する
うちに、本来絶縁性であると考えられていた有機重合膜
中に置換基を有する環式化合物または置換基を有する複
素環化合物を含有させることにより、有機重合膜の電気
抵抗が低下し、電荷輸送性を示し、上記した問題点の存
在しない良好な特性を有する感光体が得られることを見
出だした。

すなわち、本発明はこの新たな知見を利用することによ
り、従来のバインダー型構成あるいはプラズマ重合膜構
成の感光体の有する感度の悪さ、残留電位等の発生しな
い、高感度で、良好な画質の得られる感光体を提供する
ことを目的とする。

本発明の別の目的は耐久性、耐湿性、経時変化等の改良
された感光体を提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 即ち、本発明は基体、電荷発生層および電荷輸送層から
なる感光体において、該電荷輸送層が、電荷輸送物質と
炭化水素のプラズマ重合膜であることを特徴とする感光
体に関する。

本発明の感光体は少なくとも電荷輸送層と電荷発生層か
らなる。

電荷輸送層は有機炭化水素がプラズマ重合膜として形成
されている工程中に、電荷輸送物質を蒸着させながら、
あるいはその蒸着物質をプラズマ雰囲気に接触させなが
ら有機プラズマ重合膜中に取り込ませることにより形成
する。

電荷輸送層に使用される電荷輸送物質としては置換基を
有する環式化合物または置換基を有する複素環化合物で
あり、係る物質としてはアントラセン誘導体、アントラ
キノン誘導体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール
誘導体、オキサゾール誘導体、カルバゾール誘導体、ス
チリル誘導体、チアゾール誘導体、トリアリールアミン
誘導体、トリアリールメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体
、ピラゾリン誘導体およびフェロセン誘導体等を挙げる
ことができる。

アントラセン誘導体としては以下のものが挙げられる； アントラキノン誘導体としては以下のものが挙げられる
； υ　　　　　　　　　　　　　　　０ オキサジアゾール化合物としては以下のむのが挙げられ
る； オキサゾール化合物としては以下のものが挙げられる； スチリル化合物としては以下のものが挙げられるヒドラ
ゾン誘導体としては以下のものが挙げられる： Ｃ，Ｈ。

トリアリールアルカン、トリアリールメタン誘導体とし
ては以下のものが挙げられる。

υＣＩ＋３ イミダゾール誘導体としては以下の化合物を挙げること
ができる。

Ｈｓ ＣＨ。

ＣＦＩ。

■ ｌｌ　ｓ Ｃ■。

ＣＩ１３ Ｈ３ Ｃ＊　ＩＩ　ｓ ｓＨｓ ａＨｓ カルバゾール誘導体としては以下の化合物を挙げること
ができる。

ＣＩ。

ＣＩ。

ｄｌｓ チアゾール誘導体としては以下の化合物を挙げることが
できる。

トリアリールアミン誘導体としては以下の化合物を挙げ
ることができる。

ピラゾリン誘導体としては以下の化合物を挙げることが
できる。

ｌｌ　ｓ ＣＨ＋ フェロセン誘導体としてはフェロセンを挙げることがで
きろ。

好ましい電荷輸送物質としては、アントラセン誘導体、
アントラキノン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジ
アゾール誘導体、トリアリール誘導体、スチリル誘導体
、ヒドラゾン誘導体、ピラゾリン誘導体等が好ましい。

プラズマ重合に使用できる炭化水素としては、該炭化水
素ガスの相状態は常温常圧において必ずしも気相である
必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等
を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用
可能である。該炭化水素としては、例えば、飽和炭化水
素、不飽和炭化水素等が用いられる。また炭化水素、即
ち、炭素と水素からなるもの以外にヘテロ原子を（Ｃと
Ｈ以外の原子）有する炭化水素化合物を該炭化水素源と
して用いても良い。

飽和炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、プロ
パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカ
ン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプ
タデカン、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘ
ンエイコサン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、
ペンタコサン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコ
サン、ノナコサン、トリアコサン、トドリアコサン、ペ
ンタトリアコンタン等のノルマルパラフィン並びに、イ
ソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン
、ネオヘキサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチル
ヘキサン、３−エチルペンクン、２．２−ジメチルペン
タン、２．４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチルベ
ンクン、トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチル
へブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２．２．５−ジ
メチルヘキサン、２，２．３−トリメチルペンタン、２
゜２．４−）ジメチルベンクン８．２，３．３−トリメ
チルペンタン、２．３．４−）ジメチルベンクン、イソ
ナノン等のイソパラフィン等が用いられる。

不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、プロピレ
ン、イソブチレン、ｌ−ブテン、２−ブテン、！−ペン
テン、２−ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メ
チル−！−ブテン、２−メチル−２−ブテン、ｌ−ヘキ
セン、テトラメチルエチレン、ｌ−ヘプテン、ｌ−オク
テン、ｌ−ノネン、ｌ−デセン等のオレフィン並びに、
アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘ
キサジエン、シクロペンタジェン等のジオレフィン並び
に、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエ
ン等のトリオレフイン、並びにアセチレン、メチルアセ
チレン、１−ブチン、２−ブチン、■−ペンチン、ｌ−
ヘキシン、！−ヘプチン、ｌ−オクチン、！−ノニン、
１−デシン等が用いられる。

電荷輸送物質の含有割合は後で述べるように電荷輸送物
質の蒸着条件とプラズマ重合条件等を適当に設定するこ
とに達成される。

電荷輸送層の膜厚としては５ないし５０μ肩、好ましく
は７ないし２０μ肩が適当であり、５μ肩より薄いと表
面電位が低く十分な複写画像濃度を得ることができない
。５０μ胃より厚いと生産性や繰り返しによる残留電位
上昇の点で好ましくない。この電荷輸送層は可視光もし
くは半導体レーザー発光波長付近の光に対して明確なる
電荷発生能は有しないが、比較的高暗抵抗を有するとと
もに電荷輸送性に富み、膜厚を、上記のように５μ肩以
上としても電荷トラップを生じることなくキャリアを輸
送する。さらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染
性等の感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れている
。

本発明による感光体に用いる電荷発生層は特に限定的で
はなく、例えば、非晶質セレン、セレンひ素、セレンテ
ルル、硫化カドミウム、酸化亜鉛、特性を変えるため場
合により異種元素（例えば、水素、硼素、炭素、窒素、
酸素、フッ素、リン、硫黄、塩素、臭素、ゲルマニウム
等）を含有せしめたアモルファスシリコン等の無機物質
、ポリビニルカルバゾール、シアニン系化合物、フタロ
シアニン系化合物、アゾ系化合物、ペリレン系化合物、
トリアリールメタン系化合物、トリフェニルメタン系化
合物、トリフェニルアミン系化合物、ヒドラゾン系化合
物、スチリル系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾ
ール系化合物１．オキサジン系化合物、オキサジアゾー
ル系化合物、チアジン系化合物、キサンチン系化合物、
ピリリウム系化合物、キナクリドン系化合物、インジゴ
系化合物、多環キノン系化合物、ジスベンズイミダゾー
ル系化合物、インダスロン系化合物、スクアリリウム系
化合物等の有機物質を用いることが可能である。

これ以外であっても、光を吸収し極めて高い効率で電荷
担体を発生する材料であれば使用することができる。

本発明においては特にフタロシアニン系電荷発生物質が
好ましく、それ自体公知のフタロシアニンおよびその誘
導体いずれでも使用でき、具体的には、銅、銀、ベリリ
ウム、マグネシウム、カルシウム、ガリウム、亜鉛、カ
ドミウム、バリウム、水銀、アルミニウム、インジウム
、ランタン、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガ
ドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ナトリウム
、リチウム、イッテルビウム、ルテチウム、チタン、チ
タニル、錫、ハフニウム、鉛、トリウム、バナジウム、
アンチモン、クロム、モリブデン、ウラン、マンガン、
鉄、コバルト、ニッケル、ロジウム、パラジウム、オス
ミウムおよび白金等である。

またフタロシアニンの中心核として金属原子ではなく、
３価以上の原子価を有するハンゲン化金属であってもよ
い。さらに、銅−４−アミノフタロシアニン、鉄ホリハ
ロフタロシアニン、コバルトへキサフェニルフタロシア
ニンやテトラアゾフタロシアニン、テトラメチルフタロ
シアニン、ジアルキルアミノフタロシアニン等の無金属
フタロシアニンの誘導体などが使用できる。これらは単
独または混合して使用できる。

フタロシアニン分子中のベンゼン核の水素原子がニトロ
基、シアノ基、ハロゲン原子、スルホン基およびカルボ
キシル基からなる群から選ばれた少なくとも一種の電子
吸引性基で置換されたフタロシアニン誘導体と、フタロ
シアニンおよび前記フタロシアニン化合物から選ばれる
非置換フタロシアニン化合物の少なくとも一種とを、そ
れらと塩を形成しうる無機酸と混合し、水または塩基性
物質によって析出させることによって得られるフタロシ
アニン系電荷発生物質を使用することもできる。この場
合、電子吸引性基置換フタロシアニン誘導体は、−分子
中の置換基の数が１−１６個の任意のものを使用でき、
またその電子吸引性置換フタロシアニン誘導体と他の非
置換フタロシアニン化合物との組成割合は、前者の置換
基の数がその組成物中の単位フタロシアニン１分子当り
０．００１〜２個、好ｔＬ＜（ｉｏ、００２〜を個ｌ、
：なるようにするのが好ましい。前記フタロシアニン系
電荷発生層を一造する際、使用されるフタロシアニン化
合物と塩を形成しうる無機酸としては、硫酸、オルトリ
ン酸、クロロスルホン酸、塩酸、ヨウ化水素酸、フッ化
水素酸、臭化水素酸等が挙げられる。

またこれらのフタロシアニン系顔料の結晶型としては、
α、β、γ、ε、σ、τ・ρ・χ・η等を形成しうるち
のであればいずれでも使用可能である。

上記した電荷発生物質のうち、有機系のものは真空中、
蒸着法や次に述べる結着樹脂中に分散、塗布、乾燥して
形成できる。無機系のものは真空蒸着法、プラズマＣＶ
Ｄ法、イオンブレーティング法等の公知の方法で作製で
きる。

結着樹脂としては、飽和ポリエステル樹脂、ボリアミド
樹脂、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、
イオン架橋オレフィン共重合体（アイオノマー）、スチ
レン−ブタジェンブロック共重合体、ポリカーボネート
、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、セルロースエステ
ル、ポリイミド等の熱可塑性結着剤；エポキシ樹脂、ウ
レタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、メラミ
ン樹脂、キシレン樹脂、アルキッド樹脂、熱硬化性アク
リル樹脂等の熱硬化性結着剤；光硬化性樹脂：ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニル
アントラセン等の光導電性樹脂である。

これらの電気絶縁性樹脂は単独で測定して１×ｔｏ”Ω
・０８以上の体積抵抗を有することが望ましい。

導電性支持体としては、銅、アルミニウム、銀、鉄、ニ
ッケル等の箔ないしは板をシート状又はドラム状にした
ものが使用され、あるいはこれらの金属を、プラスチッ
クフィルム等に真空蒸着、無電解メツキしたものが使用
される。

電荷発生層は後述するごとく、感光体のどの位置に設け
てもよく、例えば最上層、最下層、中間層いずれに設け
てもよい。層厚は、素材の種類、特にその分光吸収特性
、露光光源、目的等にもよるが、一般に５５５ｎｍの光
に対し９０％以上の吸収となるように設定される。例え
ばａ−９ｉ：Ｈの場合で０．１〜１μＩ１１程度である
。

本発明の電荷輸送層へは種々の添加材、例えば酸化防止
材等の添加も可能である。添加方法は、本件ＣＴＬ作製
装置の蒸発源を別に設け、気中でＣＴ材とブレンドする
手順でプラズマ堆積させれば良い。

酸化防止剤としては、特に限定的ではないが、ヒンダー
ドフェノール系酸化防止剤が好ましい。

具体的にはイルガノックス１２２２．５６５．１０３５
、ｔｏｔｏ、１０７６．１０９８（チバガイギー社製）
、シーノックスＭ−２００，２２０（白石カルシウム（
株）製）、アンチオキシダントＮＫＦ（バイエル社製）
等がある。

酸化防止剤を電荷輸送層に含有させると、電荷輸送層製
造時の耐オゾン性や、結晶化過大、析出等による電荷輸
送層の劣化防止に効果的であり、また感光体特性として
表面電位低下防止に効果的である。

第１図から第１２図は本発明感光体の一態様を示す模式
的断面図である。図中（りは基板、（２）は電荷輸送層
、（３）は電荷発生層、（４）はオーバーコート層、（
５）はアンダーコート層を示している。

コロナ帯電器等により感光体表面を正帯電し続いて画像
露光とすると、第１図に示す態様の感光体においては、
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層の優れた
電荷輸送性に保証されて電荷輸送層（２）中を導電性基
板（１）に向は走行し、第２図に示す態様の感光体にお
いては、電荷発生層（３）で発生した電子が電荷輸送層
（２）中を感光体表面に向は走行し、第３図に示す態様
の感光体においては、電荷発生層（３）で発生した正孔
が下層の電荷輸送層（２）中を導電性基板（１）に向は
走行すると共に、電荷発生層（３）で発生した電子が上
層の電荷輸送層（２）中を感光体表面に向は走行し、感
光体表面の電荷あるいは基板の電荷を中和し、静電潜像
の形成が行なわれる。感光体表面を負帯電し、続いて画
像露光して使用する場合においては、電子と正孔の挙動
を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すればよい。第
２図に示す態様の感光体および第３図に示す態様の感光
体では、画像露光用の照射光が電荷輸送層（２）中を通
過することになるが、電荷輸送層（２）の優れた透光性
により好適な潜像形成を行うことが可能である。

第４図ないし第６図に示す態様の感光体は、第１図ない
し第３図に示した感光体において、さらにオーバーコー
ト層（４）として厚さ０．０１ないし５μ屑の表面保護
層を設けた例で、感光体が使用されるシステムおよび環
境に応じて電荷発生層（３）あるいは電荷輸送層（２）
の保護と初期表面電位の向上を図ったものである。

オーバーコート層は公知の物質を用いれば、本発明にお
いては、有機プラズマ重合膜によって設けることが製造
工程の面等から望ましい。

第７図ないし第９図に示す態様の感光体は、第１図ない
し第３図に示した感光体において、さらにアンダーコー
ト層（５）として厚さ０．０１ないし５μ肩の接着層あ
るいは障壁層を設けた例で、用いる導電性基板（１）ま
たはその処理方法に応じて接着性または注入防止効果を
図ったものである。

アンダーコート層は公知の物質を用いればよく、本発明
においては、有機プラズマ重合膜によって設けることが
製造工程の面等から望ましい。さらに、第７図ないし第
９図の感光体に第４図ないし第６図で示したオーバーコ
ート層（４）を設けてもよい（第１Ｏ図ないし第１２図
）。

第１３図に示す態様の感光体は、公知の光導電層（２３
）にアンダーコート層（５）を設けた例で、導電性基板
（１）と光導電層（２３）の間で、接着性または注入防
止効果を図ったものである。

第１４図に示す態様の感光体は、公知の光導電層（２３
）にオーバーコート層（４）を設けた例で、感光体が使
用されるシステムおよび環境に応じて光導電層（２３）
の保護と初期表面電位の向上を図ったものである。

本発明感光体の一形態としては電荷発生層と電荷輸送層
とを有する。従って、これを製造するには少なくとも二
工程を必要とする。例えば、電荷発生層として、グロー
放電分解装置を用いて形成したＳｉ層を用いるときは、
同一の真空装置を用いてプラズマ重合を行うことが可能
であり、従って、電荷輸送層や表面保護層、バリアー層
等はプラズマ重合法により行うのが特に好ましい。また
、電荷発生層として、例えば真空蒸着の常法を用いて形
成したセレン系（セレン砒素、セレンテルル等）層やフ
タロシアニン系（アルミクロロフタロシアニンクロライ
ド、チタニルフタロシアニン、銅フタロシアニン等）層
を用いるときは、二つの真空装置を例えばゲートバルブ
で連結して蒸着とプラズマ重合を行うことが可能であり
、あるいは、同一の真空槽内に蒸着用とプラズマ重合用
の治具を配置することにより蒸着とプラズマ重合を行う
ことが可能であり、従って、電荷輸送層や表面保護層、
バリアー層等はプラズマ重合法により行うのが好ましい
。

第１３図には同一真空槽内に蒸着用とプラズマ重合用の
治具を配置した装置を例示した。

第１３図中、（１０）は真空槽で、真空槽（１０）内は
排気ポンプ（１５）、ゲートバルブ（２０）を通じて分
子ターボポンプ（図示せ′りにより高真空に排気可能で
ある。減圧度の確認は高真空ゲージ（２７）により行う
◎ （１３）は電荷輸送層、電荷発生層、オーツく−コート
層、アンダ−コート層が形成される導電性円筒基板であ
り、基板ホルタ゛−（１２）に固定されている。基板ホ
ルタ゛−（１２）は基板回転駆動装置（１９）により回
転可能とされ、直流電圧源（２８）によりバイアス電圧
が印加可能である。

（１４）は抵抗加熱の手段を有するボートで電極（１６
）に接続固定されている。（１８）はシャッターで回転
治具（１７）により開閉可能である。

（２４）は炭化水素、キャリアガスが真空槽（ｌＯ）に
導入されるガス導入管であり、開閉バルブ（２５）によ
りガス流量の粗調整が可能である。

ガス導入管を流れる炭化水素ガス、キャリアガス等は、
図示しない流量制御器ζ二よりそれぞれ流量調整され、
途中混合器を介してガス導入管に導入されている。

（２６）は電力印加用コイル電極であり、コイル（２６
）は接地され、マツチングボックス（２２）を介して高
周波電源（２１）に接続されている。

さらに、常温常圧において液相あるいは固相状態にある
炭化水素等を使用する場合は加熱により蒸発あるいは昇
華して、ガス導入管に導入すればよく、その場合、気体
状態のガスが途中の配管中で凝結しないように、適宜配
管を加熱保温する手段が設けられる。この場合、真空槽
（１０）も適当な加熱保温手段を設け、真空槽内で一旦
気化した蒸気が凝結しないようにするのが好ましい。

以上の構成により本発明の電荷輸送層を形成するには、
まず真空槽（ｌＯ）を排気ポンプ（１５）により排気し
、ある程度の減圧度になると、分子ターボポンプを作動
させ、ゲートバルブ（２０）を開き、真空槽（１０）の
内圧を１０−’〜ｌ　Ｏ−’Ｔｏｒｒ程度まで減圧する
。一方、開閉バルブ（２５）を開き、流量制御器により
流量制御され、途中混合器を介して混合された炭化水素
およびキャリアガスを真空槽（１０）内に導入し、真空
層（１０）内の圧力を２　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒ程度に
安定させる。

一方、円筒型基板（Ｈ３）はドラムヒーター（２３）に
より所定の温度に加熱され、電ＷＡ（１Ｂ）から電流を
供給し、ボート（４）内に装入された電荷輸送物質を加
熱蒸発させる。

電力印加用コイル電［１（２６）には、高周波電源（２
１０周波数１３．５６ＭＨｚ）により電力を印加する。

導電性円筒電極（１３）およびコイル電極（２６）間に
は放電が開始され、気相状態のキャリアガスおよび炭化
水素ガス分子が放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中
に含まれる活性中性種あるいは荷電種を円筒型基板（１
３）上に拡散、電気力、あるいは磁気力等により誘導し
、円筒基板（１３）上に再結合反応により同相として堆
積させると同時に、シャッター（１８）を開き、蒸発し
た電荷輸送物質を発生したプラズマ雰囲気に接触させな
がら、円筒型基板（Ｈ３）上に堆積さける。

２種類以上の電荷輸送物質を蒸着させたい場合、あるい
は酸化防止剤等の他の添加剤を電荷輸送物質に含有させ
たい場合は、さらに真空槽（Ｉ　Ｏ＞内に電極（１６）
に取り付けたボート０４）を設ければよい。

電荷発生層、オーバーコート層、アンダーコート層等を
同様にプラズマ重合で設ける場合は、上記の装置を用い
て形成することが可能で、その場合はボートから電荷輸
送物質を蒸発させない以外は上記した方法と同様に形成
することが可能である。　本発明の装置は、電荷発生層
、電荷輸送層、あるいはオーバーコート層、アンダーコ
ート層をプラズマ重合により形成する場合は、円筒型基
板を真空装置内から取り出す必要がないので、製造工程
の面から非常に有利である。

また、炭化水素が固相あるいは液体の場合は第１４図に
示したように、真空槽（１０）の内部にシャッター（１
８）側が解放された差圧室（２９）を設け、真空槽内部
とは独立して減圧度を達成可能とされる構成とすること
も可能である。その内部は図示しない減圧ポンプに接続
され、その減圧度はシュルツ真空ゲージ（３０）により
確認可能である。差圧室の内部には電荷輸送物質を装入
するボート（１４）およびマツチングボックス（２２）
を介して高周波電源（２１）に接続されているコイル電
極が設置されている。その他の構成は第１３図に示した
ものと同様である。操作手順等も第１３図における説明
から容易に類推適用して行うことができる。

以下実施例を挙げて本発明を説明する。

寒鼻鯉 感光体の構成 導電性円筒型アルミニウム基板（直径６０ＩＩＩＩＩ×
長さ２８０ｍ＋ｓ）上に電荷発生層、電荷輸送層を順次
積層した感光体（第２図に示した構成）を作製した。

電荷発生層の形成 電荷発生層としては、下記のごと（作製する電荷発生層
を適宜選定して設けた。

（チタニルフタロシアニン電荷発生層）チタニルフタロ
シアニン電荷発生層（以下、ＴｉｏＰｃ層）は第１３図
に示した抵抗加熱装置部分のみ使用し、Ｉ　Ｘ　１０−
’Ｔｏｒｒ以下にまで排気した真空層内でチタニルフタ
ロシアニンをボート温度４５０℃〜５００℃に加熱し、
基板温度（室温）の円筒型アルミニウム基板上に蒸着し
、厚さｏ４μ度となるなるように作製した。

（セレン−テルル電荷発生層） セレン−テルル電荷発生層（以下、５ｅ−Ｔｅ層）は第
１３図に示した抵抗加熱装置部分のみ使用し、１０−？
Ｔｏｒｒ以下にまで排気した真空層内でセレンとテルル
を別々のボートに入れ、それぞれ２５０℃、３７０℃に
加熱し、セレンとテルルが約Ｉ：ｌで含有された５ｅ−
Ｔｅ蒸着膜を作製した。他の条件としては、基板温度８
０℃の円筒型アルミニウム基板上に蒸着し、厚さ０．５
μｌとなるように作製した。

（τ−型能無金属ＵＳ）フタロシアニン分散塗布電荷発
生層）　τ−型能無金属Ｈ８）フタロシアニン分散塗布
電荷発生層（以下、Ｈ＊Ｐｈ塗布層）は、τ−型無金属
（Ｈｌ）フタロシアニン顔料５０重量部、ポリエステル
樹脂５０重量部、（キシレン７重量部とブタノール３重
量部の混合物）の有機溶剤５０００重量部の混合溶液を
円筒型アルミニウム基板上に塗布し、自然乾燥した後、
さらに乾燥炉で１００℃で約４０分乾燥させて、厚さ約
０．４μ麓に形成した。

（アモルファスシリコン電荷発生層） アモルファスシリコン電荷発生層（以下ａ−８ｔ層）は
第１３図に示したプラズマ重合装置部分のみ使用し、流
＠　２１０　ｓｅｃｍの水素、流量６０ｓｃｃｍのＳｉ
Ｈ４ガス、流量１００ｓｅｃｍの水素で希釈されたＢ　
ｔ　Ｈ＊ガス（Ｂ＊Ｈｓ／ＳｉＨ＋＝２００ｐｐｍ）を
途中混合器で混合して、ガス導入管（２４）から真空槽
（ｌＯ）に導入し、真空槽の内圧が１．０Ｔｏｒｒと安
定した後に、高周波電源（２１）（周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ）を投入し、ＩＯＷの電力を印加し、４０分グロー
放電し、アルミニウム基板上に厚さ０．４μ次に形成し
た。

第１３図に示した装置を使用し、表１に示した電荷輸送
物質をボート（１４）に装入し、一定減圧下に、ボート
を所定の温度に加熱し、所定の温度に加熱された導電性
アルミニウム円筒基板（１３）上に堆積させた。同時に
、常温常圧で液体であるアクリル酸メチルを気化させ、
流量を１０１０５ｅに制御し、そのガスを図示しない温
調器で１５℃に保温しながら、流量の制御されたキャリ
アガスと共にガス導入管（２４）より、真空槽（１０）
に流入させた。所定の電力を発生する高周波電源（２１
）を投入し、プラズマを発生させ、一定時間導電性円筒
基板（１３）上に電荷輸送物質を含有する炭化水素膜を
堆積させた。

表１中に電荷発生物質の種類、ボート加熱温度、キャリ
アガスの１ＩｉｌＩと流量、アルミニウム円筒基板の温
度、プラズマ発生時の真空槽（ｌＯ）の内圧、電力、周
波数、成膜時間、形成した電荷輸送層の膜厚を示した。

なお、表１中、電荷輸送物質として； Ａはオキサジアゾール誘導体；２．５−ビス（４−ジエ
チルアミノフェニル）オキサジアゾール、Ｂはカルバゾ
ール誘導体；Ｎ−ビニルカルバゾール化合物、 Ｃはスチルベン誘導体；α−フェニル−４−Ｎ。

Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン、 Ｄはチアゾール誘導体；チアゾール、 Ｅはトリアリールアミン誘導体、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ、Ｎ’−ビス（２−メチルフェニル）−［＋。

１°ビフェニル］−４，４°−ジアミン、Ｆはトリフェ
ニルメタン誘導体：ビス（４，４°−ジエチルアミノ−
２，２°−メチルフェニル）−フェニルメタン、 Ｇはヒドラゾン誘導体；Ｎ−（Ｒ’）−３−ホルミルカ
ルバゾール（Ｒ）フェニルヒドラゾント夏はヒドラゾン
誘導体；４−ジエチルアミノベンズアルデヒドフェニル
ナフチルヒドラゾン、夏はピラゾリン誘導体；ｌ−フェ
ニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４
−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、 Ｊはアントラセン誘導体：アントラセン、を表す。

感光体の評価 上記した電荷発生層および電荷輸送層を適宜組み合わせ
た感光体の電子写真特性として以下のものを評価した。

結果は表２に示した。

ｖｏ：±６ＫＶのチャージ電圧を印加したときの初期表
面電位； Ｄ　Ｄ　Ｒｓ　：暗中に５秒間放置後の初期表面電位（
Ｖ。）の減衰率（％）。

Ｅｌ／２：初期表面電位（ｖｏ）を１／２にするために
要した露光！（ｉ２ｕｘ−ｓｅａ）または（ｅｒｇ−ｃ
Ｉｌｌつ（波長７８０ｎａ＋の半導体レーザーを使用）
；Ｖｒは５０１ｕｘ−ｓｅａのイレース光を照射したと
きの残留電位； 経時変化二室内保管半年後の特性で、表中の記号は以下
のことを意味する。

Ｏは変化なし △は実用上問題無し ×は不可 耐湿性＝５０℃、８５％の相対湿度の環境下で暗中１週
間放置後の特性を表し、表中の記号は以下のことを意味
する。

Ｏは変化なし Δは実用上問題無し ×は不可 繰り返し特性：得られた感光体を実際の複写機（感光体
かの帯電の場合はＢＰ−５５０２（ミノルタカメラ（株
）製）、θ帯電の場合はＥＰ−４７０２（ミノルタカメ
ラ（株）製）に実装して画像を出し評価する。ただし、
半導体レーザーによる評価を行う場合は、上記複写機の
光学系を半導体レーザー用にポリゴンミラースキャン方
式に改造したものを用いた。１０万枚複写した後の画像
の評価で、表中の記号は以下のことを意味する。

０は変化なし Δは実用上問題無し ×は不可 現蛛舛 表３に示したように電荷輸送層を電荷輸送物質のみの蒸
着層とする以外は、実施例と同様に感光体を作製した。

感光体の評価も実施例と同様に行い、結果を表４に示し
た。

表　３　（比較例） 発明の効果 炭化水素のプラズマ重合膜に電荷輸送物質を含有させた
電荷輸送層から構成した感光体は高感度で、良好な画像
を提供する。

本発明の電荷輸送層を最表面に設けた感光体は、耐湿性
に優れ、経時変化を受けにくい。

【図面の簡単な説明】

第１図から第１２図は本発明感光体の１態様を示す図で
ある。 第１３図および第１４図は本発明の感光体を形成するた
めの装置の概略構成例を示す図である。 図中の記号は以下の通りである。 ｌ・・・基板　　　　　　２・・・電荷輸送層３・・・
電荷発生層　　　４・・・オーバーコート層５・・・ア
ンダーコート層 １０・・・真空槽　　　　・・・ １２・・・基板ホルダー　１３・・・導電性円筒型基板
Ｉ４・・・ボート　　　　１５・・・排気ポンプ１６・
・・電極　　　　　１７・・・シャッター回転治具１８
・・・シャッター　　１９・・・基板回転駆動装置２０
・・・開閉パルプ　　２１・・・高層、波電源２２・・
・マツチングボックス ２３・・・ヒーター　　　２４・・・ガス導入管２５・
・・開閉バルブ　　２６・・・コイル電極２７・・・高
真空ゲージ　２８・・・直流バイアス電源２９・・・差
圧室　　　　３０・・・シュルツ真空ゲージ特許出願人
　ミノルタカメラ株式会社 代　理　人　弁理士青白　葆　ほか２名第１図　　　　
第２図　　　　第３図 第４図　　　　第５図　　　　第６図 第７図　　　　第８図　　　　第９図 第１０図　　　　　第１１図　　　　　第１２図１１３
図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体、電荷発生層および電荷輸送層からなる感光体
   において、該電荷輸送層が、電荷輸送物質と炭化水素の
   プラズマ重合膜であることを特徴とする感光体。 ２、電荷輸送物質が置換基を有する環式化合物または置
   換基を有する複素環化合物である第１項に記載の感光体
   。 ３、置換基を有する環式化合物または置換基を有する複
   素環化合物が、アントラセン誘導体、アントラキノン誘
   導体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
   オキサゾール誘導体、カルバゾール誘導体、スチリル誘
   導体、チアゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、
   トリアリールメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ピラゾ
   リン誘導体およびフェロセン誘導体からなる群から選ば
   れる第２項記載の感光体。