JPH0194635A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0194635A JPH0194635A JP25274787A JP25274787A JPH0194635A JP H0194635 A JPH0194635 A JP H0194635A JP 25274787 A JP25274787 A JP 25274787A JP 25274787 A JP25274787 A JP 25274787A JP H0194635 A JPH0194635 A JP H0194635A
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- silicon nitride
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に素子分離用
絶縁膜の形成方法に関する。
絶縁膜の形成方法に関する。
化膜をシリコン基板内に深く埋設するように形成する素
子分離用絶縁膜またはフィールド酸化膜の形成技術は、
特公昭56−31893号公報明細書記載の発明「半導
体装置の製造方法」によって既に公知である。
子分離用絶縁膜またはフィールド酸化膜の形成技術は、
特公昭56−31893号公報明細書記載の発明「半導
体装置の製造方法」によって既に公知である。
しかしながら、この従来の厚膜シリコン酸化膜の形成方
法では、耐酸化マスクの窒化シリコン膜の下地にストレ
ス緩和用としてシリコンの熱酸化膜を堆積するので、フ
ィールド酸化膜を形成する際、酸素(0□)が窒化シリ
コン膜直下を横方向にも拡散し、所謂バーズ・ピーク(
birds beak)と呼ばれる形状のシリコン酸化
膜を形成する欠点があシ、開口部の出来上が)寸法とマ
スク寸法との間に大きな差が生じ易い。
法では、耐酸化マスクの窒化シリコン膜の下地にストレ
ス緩和用としてシリコンの熱酸化膜を堆積するので、フ
ィールド酸化膜を形成する際、酸素(0□)が窒化シリ
コン膜直下を横方向にも拡散し、所謂バーズ・ピーク(
birds beak)と呼ばれる形状のシリコン酸化
膜を形成する欠点があシ、開口部の出来上が)寸法とマ
スク寸法との間に大きな差が生じ易い。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、素子分離用厚膜酸
化膜におけるバーズ・ピークの形成を著しく抑止するこ
とのできる半導体装置の製造方法を提供することである
。
化膜におけるバーズ・ピークの形成を著しく抑止するこ
とのできる半導体装置の製造方法を提供することである
。
本発明によれば、半導体装置の製造方法は、シリコン基
板上に熱酸化シリコン膜、多結晶シリコン膜および第1
の窒化シリコン膜を順次成長せしめる工程と、前記多結
晶シリコン膜上に第1の窒化シリコン膜のパ、ターンを
残す前記第1の窒化シリコン膜のパターニング工程と、
前記第1の窒化シリコン膜のパターンを含む基板全面に
第2の窒化シリコン膜を成長せしめる工程と、前記第1
の窒化シリコン膜のパターンの側壁にのみ第2の窒化シ
リコン膜を残す前記第2の窒化シリコン膜の異方性エツ
チング工程と、前記第1の窒化シリコン膜のパターンお
よび側壁に付着する第2の窒化シリコン膜をマスクとし
て前記多結晶シリコン膜を絶縁膜に変換する選択酸化工
程とを含む。
板上に熱酸化シリコン膜、多結晶シリコン膜および第1
の窒化シリコン膜を順次成長せしめる工程と、前記多結
晶シリコン膜上に第1の窒化シリコン膜のパ、ターンを
残す前記第1の窒化シリコン膜のパターニング工程と、
前記第1の窒化シリコン膜のパターンを含む基板全面に
第2の窒化シリコン膜を成長せしめる工程と、前記第1
の窒化シリコン膜のパターンの側壁にのみ第2の窒化シ
リコン膜を残す前記第2の窒化シリコン膜の異方性エツ
チング工程と、前記第1の窒化シリコン膜のパターンお
よび側壁に付着する第2の窒化シリコン膜をマスクとし
て前記多結晶シリコン膜を絶縁膜に変換する選択酸化工
程とを含む。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図(a)〜(g)は本発明の一実施例を示す素子分
離用厚膜酸化膜の形成工程図である。本実施例によれば
、P型シリコン基板lがまず準備され、この−主面上に
シリコン熱酸化膜2の形成と共にCVD多結多結晶シリ
コン膜上びCVD窒化窒化シリコンボ4次堆積される〔
第1図(a)参照〕。つぎに7オトレジスト膜5をマス
クとして窒化シリコン膜4はパターン4aにパターニン
グされ、更にこれをマスクとして選択的にチャネル・ス
トッパー形成のためのホウ素イオン(B+)がイオン注
入される。ここで、6は注入されたホウ素イオン(B+
)を示す〔第1図(b)参照〕。ついで、この全面には
窒化シリコン膜7が再度堆積され〔第1図(C)参照〕
つづいて反応性イオンエツチング法によシ全面エツチン
グされる。このエツチング工程によって、CVD窒化シ
リコン膜パターン4aの側壁に窒化シリコン膜7aが残
る〔第1図(d)参照〕、ここで。
離用厚膜酸化膜の形成工程図である。本実施例によれば
、P型シリコン基板lがまず準備され、この−主面上に
シリコン熱酸化膜2の形成と共にCVD多結多結晶シリ
コン膜上びCVD窒化窒化シリコンボ4次堆積される〔
第1図(a)参照〕。つぎに7オトレジスト膜5をマス
クとして窒化シリコン膜4はパターン4aにパターニン
グされ、更にこれをマスクとして選択的にチャネル・ス
トッパー形成のためのホウ素イオン(B+)がイオン注
入される。ここで、6は注入されたホウ素イオン(B+
)を示す〔第1図(b)参照〕。ついで、この全面には
窒化シリコン膜7が再度堆積され〔第1図(C)参照〕
つづいて反応性イオンエツチング法によシ全面エツチン
グされる。このエツチング工程によって、CVD窒化シ
リコン膜パターン4aの側壁に窒化シリコン膜7aが残
る〔第1図(d)参照〕、ここで。
(?
CVD窒化シリコン およびCVD窒化シリコン膜
7aをマスクとして、例えば、水素(H2)−酸素(0
2)雰囲気内で温度1000℃のフィールド酸化が行わ
れ多結晶シリコン膜3が熱酸化されて厚膜のフィールド
酸化膜8に変換される〔第1図(e)参照〕。ついで、
マスクとして用いた窒化シリコン膜4aおよび7 a、
はホット・リン酸でエツチング除去され、更に下部の多
結晶シリコン膜3が反応性イオンエツチングでエツチン
グ除去され開口部9が形成される。この際、開口部9に
おけるシリコン基板1とフィールド酸化膜8との境目に
は多結晶シリコン膜3が膜厚500A程度残る〔第1図
(f)参照〕。ここで、例えば水素(H2)−酸素(0
2)雰囲気内で温度950“Cの熱酸化工程を行い残っ
た多結晶シリコン膜3を完全に酸化し、ついで弗酸を用
いシリコン熱酸化膜2をエツチング除去し素子形成領域
10を形成すれば素子分離は完了する〔第1図(ml参
照〕。
7aをマスクとして、例えば、水素(H2)−酸素(0
2)雰囲気内で温度1000℃のフィールド酸化が行わ
れ多結晶シリコン膜3が熱酸化されて厚膜のフィールド
酸化膜8に変換される〔第1図(e)参照〕。ついで、
マスクとして用いた窒化シリコン膜4aおよび7 a、
はホット・リン酸でエツチング除去され、更に下部の多
結晶シリコン膜3が反応性イオンエツチングでエツチン
グ除去され開口部9が形成される。この際、開口部9に
おけるシリコン基板1とフィールド酸化膜8との境目に
は多結晶シリコン膜3が膜厚500A程度残る〔第1図
(f)参照〕。ここで、例えば水素(H2)−酸素(0
2)雰囲気内で温度950“Cの熱酸化工程を行い残っ
た多結晶シリコン膜3を完全に酸化し、ついで弗酸を用
いシリコン熱酸化膜2をエツチング除去し素子形成領域
10を形成すれば素子分離は完了する〔第1図(ml参
照〕。
第2図は本発明の他の実施例を示す素子分離用厚膜酸化
膜形成の部分工程図である。本実施例の尊窒化シリコン
膜7を堆積させるに先立ち、薄いCVDシリコン酸化膜
11が下地としてまず堆積される。とのCVDシリコン
酸化膜11は窒化シリコン膜7が反応性イオンエツチン
グされる際エツチング・ストッパーとして働き、窒化シ
リコン膜パターン4aまでもエツチングされないよう作
用する。
膜形成の部分工程図である。本実施例の尊窒化シリコン
膜7を堆積させるに先立ち、薄いCVDシリコン酸化膜
11が下地としてまず堆積される。とのCVDシリコン
酸化膜11は窒化シリコン膜7が反応性イオンエツチン
グされる際エツチング・ストッパーとして働き、窒化シ
リコン膜パターン4aまでもエツチングされないよう作
用する。
なお本実施例におけるその他の工程は前実施例と全く同
じである。
じである。
以上詳細に説明したように、本発明によれく窒化シリコ
ン・マスク下に堆積された多結晶シリコン膜およびマス
クの側壁に形成された同質の窒化シリコン膜によシ酸素
の横方向の拡散を押さえることができるので、マスク寸
法と出来上がシ寸法の差を従来プロセスの変換差0.3
〜0.4μ慣から0〜0.1μ仇の変換差にまで改善す
ることができる。
ン・マスク下に堆積された多結晶シリコン膜およびマス
クの側壁に形成された同質の窒化シリコン膜によシ酸素
の横方向の拡散を押さえることができるので、マスク寸
法と出来上がシ寸法の差を従来プロセスの変換差0.3
〜0.4μ慣から0〜0.1μ仇の変換差にまで改善す
ることができる。
第1図(a)〜(g)は本発明の一実施例を示す素子分
離用厚膜酸化膜の形成工程図、第2図は本発明の他の実
施例を示す素子分離用厚膜酸化膜形成の部分工程図であ
る。 1・・・P型シリコン基板、2・・・シリコン熱酸化膜
、3・・・CVD多結晶シリコン膜、4・・・CVD窒
化シリコンL4a・・・CVD窒化シリコン膜パターン
、5・・・フォトレジスト膜、6・・・ホウ素イオン(
B+)、7.7a・・・CVD窒化シリコン膜、8・・
・フィールド酸化膜、9・・・開口部、10・・・素子
形成領域、11・・・CVDシリコン酸化膜。 代理人 弁理士 内 原 音 y5t 図 月 1 図 第 1(21 万2図
離用厚膜酸化膜の形成工程図、第2図は本発明の他の実
施例を示す素子分離用厚膜酸化膜形成の部分工程図であ
る。 1・・・P型シリコン基板、2・・・シリコン熱酸化膜
、3・・・CVD多結晶シリコン膜、4・・・CVD窒
化シリコンL4a・・・CVD窒化シリコン膜パターン
、5・・・フォトレジスト膜、6・・・ホウ素イオン(
B+)、7.7a・・・CVD窒化シリコン膜、8・・
・フィールド酸化膜、9・・・開口部、10・・・素子
形成領域、11・・・CVDシリコン酸化膜。 代理人 弁理士 内 原 音 y5t 図 月 1 図 第 1(21 万2図
Claims (1)
- シリコン基板上に熱酸化シリコン膜、多結晶シリコン
膜および第1の窒化シリコン膜を順次成長せしめる工程
と、前記多結晶シリコン膜上に第1の窒化シリコン膜の
パターンを残す前記第1の窒化シリコン膜のパターンニ
ング工程と、前記第1の窒化シリコン膜のパターンを含
む基板全面に第2の窒化シリコン膜を成長せしめる工程
と、前記第1の窒化シリコン膜のパターンの側壁にのみ
第2の窒化シリコン膜を残す前記第2の窒化シリコン膜
の異方性エッチング工程と、前記第1の窒化シリコン膜
のパターンおよび側壁に付着する第2の窒化シリコン膜
をマスクとして前記多結晶シリコン膜を絶縁膜に変換す
る選択酸化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25274787A JPH0194635A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25274787A JPH0194635A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0194635A true JPH0194635A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17241717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25274787A Pending JPH0194635A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0194635A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03155151A (ja) * | 1989-11-03 | 1991-07-03 | Motorola Inc | 半導体構造の製法 |
JPH0412528A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP25274787A patent/JPH0194635A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03155151A (ja) * | 1989-11-03 | 1991-07-03 | Motorola Inc | 半導体構造の製法 |
JPH0412528A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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