JPS6324635A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6324635A JPS6324635A JP16664486A JP16664486A JPS6324635A JP S6324635 A JPS6324635 A JP S6324635A JP 16664486 A JP16664486 A JP 16664486A JP 16664486 A JP16664486 A JP 16664486A JP S6324635 A JPS6324635 A JP S6324635A
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に隣接素子間
を杷臓分離をする技術に関するものである。
を杷臓分離をする技術に関するものである。
（従来の技術）
現在選択酸化法（ＬＯＣＯ８法）を用いた素子分離技術
が広く用いられているがバーズビーク（鳥の口ばし）と
呼ばれる酸化膜の領域が素子領域に入り込むため、サブ
ミクロンの素子分離領域を形成するにはこの方法は適し
ていない、（第２図ａ〜Ｃ） また第３図（ａ）〜（ｄ）に示すように窒化膜（３２）
側壁に酸化されやすい膜を設け、フィールド酸化の時間
を短かくして、バーズビークの領域を少なくする方法な
どの提案があった。しかしながらこの方法でもバーズビ
ークの減少はあるもいまだ完全な形状とは言えない。
が広く用いられているがバーズビーク（鳥の口ばし）と
呼ばれる酸化膜の領域が素子領域に入り込むため、サブ
ミクロンの素子分離領域を形成するにはこの方法は適し
ていない、（第２図ａ〜Ｃ） また第３図（ａ）〜（ｄ）に示すように窒化膜（３２）
側壁に酸化されやすい膜を設け、フィールド酸化の時間
を短かくして、バーズビークの領域を少なくする方法な
どの提案があった。しかしながらこの方法でもバーズビ
ークの減少はあるもいまだ完全な形状とは言えない。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明はバーズビークを最小限に押え、短時間で素子分
離領域を形成出来る事を有する半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
離領域を形成出来る事を有する半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
（問題を解決するための手段と作用）
本発明は半導体基板表面に絶縁膜を介して耐酸化膜を形
成する工程とその耐酸化膜を写真蝕刻工程によシバター
ニングする工程と、少なくとも前記耐酸化膜をマスクに
少なくとも前記絶縁膜と半導体基板をエツチングする工
程と全面に耐酸化薄膜を介して酸化されやすい膜を形成
する工程と全面を異方性エツチングする事により前記耐
酸化薄膜と酸化されやすい膜を前記半導体基板溝と前記
耐酸化膜側壁に残置させる工程と、ｌ１ｔＩ記耐酸化膜
および耐酸化薄膜をマスクに半導体基板のフィールド酸
化を行う工程を備えた事を特徴とする半導体装置の製造
方法である。
成する工程とその耐酸化膜を写真蝕刻工程によシバター
ニングする工程と、少なくとも前記耐酸化膜をマスクに
少なくとも前記絶縁膜と半導体基板をエツチングする工
程と全面に耐酸化薄膜を介して酸化されやすい膜を形成
する工程と全面を異方性エツチングする事により前記耐
酸化薄膜と酸化されやすい膜を前記半導体基板溝と前記
耐酸化膜側壁に残置させる工程と、ｌ１ｔＩ記耐酸化膜
および耐酸化薄膜をマスクに半導体基板のフィールド酸
化を行う工程を備えた事を特徴とする半導体装置の製造
方法である。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図（ａ）〜（０を用いて説明す
る。ｔず初めに８１基板（１の例えば２世の面方位１０
０の基板を用意し熱酸化膜（１１）を例えば５００Ａ程
度形成した後、窒化膜（１２）を１５００Ａ程度デポす
る０次に写真蝕刻工程によシレジストパターンニングし
選択的にレジストを残置させる０次にレジストをマスク
に窒化膜（１２）をエツチングし。
る。ｔず初めに８１基板（１の例えば２世の面方位１０
０の基板を用意し熱酸化膜（１１）を例えば５００Ａ程
度形成した後、窒化膜（１２）を１５００Ａ程度デポす
る０次に写真蝕刻工程によシレジストパターンニングし
選択的にレジストを残置させる０次にレジストをマスク
に窒化膜（１２）をエツチングし。
さらに酸化膜（１１）も少なくともエツチングする。
次ｌこレジストを除去した後窒化膜（１２）をマスクに
ｓｔ基板（１０）を、列えばＲＩ］３（リアクティブ、
イオンエツチング）法により０．５μｍ程度エツチング
する０次に薄い窒化膜（１４）を例えば５００Ａ程度デ
ボした後さらに酸化されやすい膜１例えばポリシリコン
（１５）を４０００Ａ程度デポし、リン拡散を、例えば
９５０’Ｃ，３０分行う１次に全面を異方性エツチング
、例えば几ＩＥによシ前記ポリシ１」コン（１５）と薄
い窒化膜（１４）をエツチングすればＳｉ溝（１３）側
壁に量化膜（１４）とポリシリコン（１５）が残る（第
１図（Ｃ））次にフィールドインプラを例えばボロン、
１ｏｏ）（ｅｖ、ａｘ１ｏ凰３でイオン注入し、フィー
ルド酸化を１例えば８５０℃、６０分行えば第１図（ｄ
）に示すように酸化膜（１７）が形成される。この後窒
化膜（１２）と酸化膜（１１’） を除去すれば素子分
離が完成される（第１図（ｆ） ）。
ｓｔ基板（１０）を、列えばＲＩ］３（リアクティブ、
イオンエツチング）法により０．５μｍ程度エツチング
する０次に薄い窒化膜（１４）を例えば５００Ａ程度デ
ボした後さらに酸化されやすい膜１例えばポリシリコン
（１５）を４０００Ａ程度デポし、リン拡散を、例えば
９５０’Ｃ，３０分行う１次に全面を異方性エツチング
、例えば几ＩＥによシ前記ポリシ１」コン（１５）と薄
い窒化膜（１４）をエツチングすればＳｉ溝（１３）側
壁に量化膜（１４）とポリシリコン（１５）が残る（第
１図（Ｃ））次にフィールドインプラを例えばボロン、
１ｏｏ）（ｅｖ、ａｘ１ｏ凰３でイオン注入し、フィー
ルド酸化を１例えば８５０℃、６０分行えば第１図（ｄ
）に示すように酸化膜（１７）が形成される。この後窒
化膜（１２）と酸化膜（１１’） を除去すれば素子分
離が完成される（第１図（ｆ） ）。
この方法によれば薄い窒化膜（１２）がＳｔ溝（１３）
側壁に形成されているため素子領域にいわゆるバーズビ
ークが浸入することがない、さらにポリシリコンの酸化
レートがシングルシリコンに比べて２〜３倍速いため、
フィールド酸化の時間が短縮され、また低温で醸化でき
るためストレスも小さくな９．結晶欠陥も押える事が出
来る。
側壁に形成されているため素子領域にいわゆるバーズビ
ークが浸入することがない、さらにポリシリコンの酸化
レートがシングルシリコンに比べて２〜３倍速いため、
フィールド酸化の時間が短縮され、また低温で醸化でき
るためストレスも小さくな９．結晶欠陥も押える事が出
来る。
本発明において分離領域に付加されたフレーム状の耐酸
化薄膜によって、バーズビークが素子領域に入シ込む事
は無く、酸化されやすい膜が素子領域ｔＩＯ壁にあるた
め短時間のフィールド酸化で十分なフィールド膜厚を得
る事が出来る。
化薄膜によって、バーズビークが素子領域に入シ込む事
は無く、酸化されやすい膜が素子領域ｔＩＯ壁にあるた
め短時間のフィールド酸化で十分なフィールド膜厚を得
る事が出来る。
第１図は本発明を説明する工程断面図、第２図および第
３図は従来例を示す工程断面図である。 ｘｏｔ２０ｔ３０・−８ｉ基板、１１１２１，３１・・
・熱酸化膜％ １２．２２，３２・・・窒化膜、１６．
２３３４・・・インプラ層、１４・・・薄い窒化膜、１
５．３３・・・ポリシリコン、ｔ７，３５ｔ２４・・・
フィールド酸化膜、２５・・・バーズビーク。 １１：ａ 第 ２ 図
３図は従来例を示す工程断面図である。 ｘｏｔ２０ｔ３０・−８ｉ基板、１１１２１，３１・・
・熱酸化膜％ １２．２２，３２・・・窒化膜、１６．
２３３４・・・インプラ層、１４・・・薄い窒化膜、１
５．３３・・・ポリシリコン、ｔ７，３５ｔ２４・・・
フィールド酸化膜、２５・・・バーズビーク。 １１：ａ 第 ２ 図
Claims (1)
- 半導体基板表面に絶縁膜を介して耐酸化膜を形成する
工程とその耐酸化膜を写真蝕刻工程によりパターニング
する工程と、少なくとも前記耐酸化膜をマスクに少なく
とも前記絶縁膜と半導体基板をエッチングする工程と全
面に耐酸化薄膜を介して酸化されやすい膜を形成する工
程と全面を異方性エッチングする事により前記耐酸化薄
膜と酸化されやすい膜を前記半導体基板溝と前記耐酸化
膜側壁に残置させる工程と前記耐酸化膜および耐酸化薄
膜をマスクに半導体基板のフィールド酸化を行う工程を
備えた事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16664486A JPS6324635A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16664486A JPS6324635A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324635A true JPS6324635A (ja) | 1988-02-02 |
Family
ID=15835091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16664486A Pending JPS6324635A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6324635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07139199A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-05-30 | Natl House Ind Co Ltd | トイレ用の着替え台装置 |
| JPH07321194A (ja) * | 1993-11-23 | 1995-12-08 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体装置の素子分離層の形成方法 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP16664486A patent/JPS6324635A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07139199A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-05-30 | Natl House Ind Co Ltd | トイレ用の着替え台装置 |
| JPH07321194A (ja) * | 1993-11-23 | 1995-12-08 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体装置の素子分離層の形成方法 |
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