JPH01308487A - コレステリック構造を有する液晶ポリマー組成物 - Google Patents
コレステリック構造を有する液晶ポリマー組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はキラール成分およびネマチック成分を包含する
フレステリックma’r有する液晶ポリマー組成物およ
びその典造方法に関するものである。
フレステリックma’r有する液晶ポリマー組成物およ
びその典造方法に関するものである。
ネマチック、スメクチックまたはコレステリック構造を
有する低分子量の液晶はこれまでに開示されており、そ
の光学的特性の故に種々の用途、なかでもオプトエレク
トロニクスおよび非fii壌材料試験に用途を見出して
いる。波長λ几の円偏光を選択的に反射することから来
る高旋光性および円偏光二色性の故に、低分子量コレス
テリック液晶は産業上特に重要である。ピッチpで特性
づけられる、そのヘリカル超格子構造は反射光の波長λ
几と直接に関係する。
有する低分子量の液晶はこれまでに開示されており、そ
の光学的特性の故に種々の用途、なかでもオプトエレク
トロニクスおよび非fii壌材料試験に用途を見出して
いる。波長λ几の円偏光を選択的に反射することから来
る高旋光性および円偏光二色性の故に、低分子量コレス
テリック液晶は産業上特に重要である。ピッチpで特性
づけられる、そのヘリカル超格子構造は反射光の波長λ
几と直接に関係する。
また、キラール化合物の混和によって、低分子量のネマ
チック液晶中にコレステリッタなヘリックス構造を生ぜ
しめ得ることも開示されており(Z。
チック液晶中にコレステリッタなヘリックス構造を生ぜ
しめ得ることも開示されており(Z。
Naturforschung 、 28A (197
3) # 799 )、ピッチpと波長λRはキラール
化合物の構造および濃度に依存し、従ってバリエージ嘗
ンが可能である。
3) # 799 )、ピッチpと波長λRはキラール
化合物の構造および濃度に依存し、従ってバリエージ嘗
ンが可能である。
その欠点としては、低分子量コレステリック化合物ある
いは誘導されたコレステリック構造を示す低分子量混合
物の光学的挙動は液晶相中でのみ観察され、従って、特
定の温度範囲のみであって、固相中でコレステリック構
造を確立する可能性のないことである。
いは誘導されたコレステリック構造を示す低分子量混合
物の光学的挙動は液晶相中でのみ観察され、従って、特
定の温度範囲のみであって、固相中でコレステリック構
造を確立する可能性のないことである。
固相においてもそのコレステリック構造を維持するコポ
リマーが開示されていることは事実である( Makr
omol、 Chem、 179 (1978) 、
829−832 )。
リマーが開示されていることは事実である( Makr
omol、 Chem、 179 (1978) 、
829−832 )。
しかしながら、そのコレステリック構造はモノマー比が
1=1のときだけ観察されるにすぎず、ピッチpおよび
波長λRの変化は不円能である。
1=1のときだけ観察されるにすぎず、ピッチpおよび
波長λRの変化は不円能である。
本発明の目的はコレステリック構造を有する液晶ポリマ
ー組成物で、その組成物は上記の如き欠点l有せず、そ
のうえ種々の反射光波長λBが可能であり、そのコレス
テリック構造は、実質的な変化を受けることなくガラス
状のポリマー状態に変換できて、自体状態でそのまま維
持されるものを提供するととKある。
ー組成物で、その組成物は上記の如き欠点l有せず、そ
のうえ種々の反射光波長λBが可能であり、そのコレス
テリック構造は、実質的な変化を受けることなくガラス
状のポリマー状態に変換できて、自体状態でそのまま維
持されるものを提供するととKある。
葦、(べきことには、この目的は、他の成分を添加する
ことなぐネマチック構造を有する1つまたはそれ以上の
成分とキラール構造を有する1つまたはそれ以上の更に
池の成分と1に包含する、コレステリック構造を有する
液晶ポリマーによって達成されることを見出した。
ことなぐネマチック構造を有する1つまたはそれ以上の
成分とキラール構造を有する1つまたはそれ以上の更に
池の成分と1に包含する、コレステリック構造を有する
液晶ポリマーによって達成されることを見出した。
ポリマー組成物は次式のネマチック液晶形成単位を有す
るホモポリマーまたはコボリマーヲ含有する。即ち ここでR1は水素またはメチル、nは1から6のR2は
一〇(CH2)mH、−(C)12)mHまたは−co
o−(c顯−1mは1から6の整数、R7は水素または
几、である。
るホモポリマーまたはコボリマーヲ含有する。即ち ここでR1は水素またはメチル、nは1から6のR2は
一〇(CH2)mH、−(C)12)mHまたは−co
o−(c顯−1mは1から6の整数、R7は水素または
几、である。
本発明はまた新規ポリマー組成物の製造方法およびこの
新規生成物の用途を提供する。
新規生成物の用途を提供する。
これらの単位を包含するネマチックなホモポリマーは部
分的にはM51kromo1. Chem、 179
(1978)e273−276に開示されている。t#
に、それ等はnまたはmが小さいとき、従って炭素鎖の
少くとも1つが短いときにネマチック構造を示す。誘導
されたらレステリツク構造を有する本発明によるポリマ
ー組成物においては、ポリマーは1つまたはそれ以上の
低分子量(分子量が3000以下)かまたはポリマー状
のキラール物質と混合される。好ましくは、この化合物
は少くとも1つの上記の式の成分および少(とも1つの
追加の重合性キラール成分を包含するポリマーである。
分的にはM51kromo1. Chem、 179
(1978)e273−276に開示されている。t#
に、それ等はnまたはmが小さいとき、従って炭素鎖の
少くとも1つが短いときにネマチック構造を示す。誘導
されたらレステリツク構造を有する本発明によるポリマ
ー組成物においては、ポリマーは1つまたはそれ以上の
低分子量(分子量が3000以下)かまたはポリマー状
のキラール物質と混合される。好ましくは、この化合物
は少くとも1つの上記の式の成分および少(とも1つの
追加の重合性キラール成分を包含するポリマーである。
低分子量キラール成分は必ずしもメゾモルファスである
必要はないが、例えば活性・オクチルp−メトキシベン
ジリデン−p′−アミノシナメートまたはp−シアノベ
ンジリデン−1−(−)−α−メチルベンジルアミン等
のコレステリック化合物が特に有利である。
必要はないが、例えば活性・オクチルp−メトキシベン
ジリデン−p′−アミノシナメートまたはp−シアノベ
ンジリデン−1−(−)−α−メチルベンジルアミン等
のコレステリック化合物が特に有利である。
これらの低分子量キラール成分の分子構造はネマチック
ポリマーの七ツマ−の分子m造と類似していることが、
同成分の良好な混合性を得るためには好ましい。更に、
これらの低分子量キラール成分の液晶構造およびそれに
伴う比収的高いヘリックス捩り力のために、可視領#c
まで延長された反射波長を有する系を得ることができる
。
ポリマーの七ツマ−の分子m造と類似していることが、
同成分の良好な混合性を得るためには好ましい。更に、
これらの低分子量キラール成分の液晶構造およびそれに
伴う比収的高いヘリックス捩り力のために、可視領#c
まで延長された反射波長を有する系を得ることができる
。
コレステリック構造を誘導するのに適した中ラール成分
はCH2−CR+、 、−COO−(CH2)n−几4
(”I’R4およびnは下記の意味?有する)の−最大
の七ツマ−およびそれらのポリマーである。好ましくは
、キラール成分は、ネマチック成分の式と極めてよく似
た次式の単位を有するホモポリマーまたは特にネマチッ
クモノマーとのコポリマーである。即ち ここで、Roは水素またはメチル、nは1から10−戟
ロト(X〜または!B、であり−2はαカーまたはα刀
−1几、は一0H−N−R6,−0R6゜−COO几、
、 −CH−CH−αカR6または−EL6であり、R
6は炭素原子数4から10のアルキルまたはアルキルア
リールで少くとも1つの不斉炭素原子を有する。
はCH2−CR+、 、−COO−(CH2)n−几4
(”I’R4およびnは下記の意味?有する)の−最大
の七ツマ−およびそれらのポリマーである。好ましくは
、キラール成分は、ネマチック成分の式と極めてよく似
た次式の単位を有するホモポリマーまたは特にネマチッ
クモノマーとのコポリマーである。即ち ここで、Roは水素またはメチル、nは1から10−戟
ロト(X〜または!B、であり−2はαカーまたはα刀
−1几、は一0H−N−R6,−0R6゜−COO几、
、 −CH−CH−αカR6または−EL6であり、R
6は炭素原子数4から10のアルキルまたはアルキルア
リールで少くとも1つの不斉炭素原子を有する。
好1しくは、几、は分枝アルキル例えはアミルまたはオ
クチル、であるかまたは次の構造の1つを有する。
クチル、であるかまたは次の構造の1つを有する。
中ラール成分も、七ツマ−あるいはホモポリマーの如き
ポリマーとして、液晶構造を示すことができるが、これ
は本発明の目的を達成するための絶対要件ではない。
ポリマーとして、液晶構造を示すことができるが、これ
は本発明の目的を達成するための絶対要件ではない。
キラール成分はネマチックホモポリマート混合されたホ
モポリマーであってもよい。しかしながら、本発明によ
るポリマーが式 %式% および式 C)12− c(h、 )−代)O−(C)12)n−
R4を有するそれぞれのモノマーから作られたコポリマ
ーである場合には特に極めて有利である。始めの式はネ
マチック成分の式であり、2番目の式はキラール成分の
式であり、R,、R3,R4およびnは前記の意味を有
する。
モポリマーであってもよい。しかしながら、本発明によ
るポリマーが式 %式% および式 C)12− c(h、 )−代)O−(C)12)n−
R4を有するそれぞれのモノマーから作られたコポリマ
ーである場合には特に極めて有利である。始めの式はネ
マチック成分の式であり、2番目の式はキラール成分の
式であり、R,、R3,R4およびnは前記の意味を有
する。
#fX、のモノマー混合物を用いてネマチック液晶形成
上ツマ−を中ラールモノマーとt共重合させると、両七
ツマー成分の共重合パラメーターが同じ1ffl[の大
きさであるならば、共重合された単位の比率がモノマー
#に度x1に対応するコポリマーが得られる。このこと
はある組成のコレステリックフボリマーtトラブルなし
に、例えは反応速度論を考gK入れないで作る場合に特
に重要である。従りて、同じ程度の共重合パラメータを
有する七ツマー成分を用いることが好ましい。即ち、元
来アルキル鎖のω位における置換基孔、およびR4に関
して異なるアルキルアクリレートまたはアルキルメメア
クリレートである。
上ツマ−を中ラールモノマーとt共重合させると、両七
ツマー成分の共重合パラメーターが同じ1ffl[の大
きさであるならば、共重合された単位の比率がモノマー
#に度x1に対応するコポリマーが得られる。このこと
はある組成のコレステリックフボリマーtトラブルなし
に、例えは反応速度論を考gK入れないで作る場合に特
に重要である。従りて、同じ程度の共重合パラメータを
有する七ツマー成分を用いることが好ましい。即ち、元
来アルキル鎖のω位における置換基孔、およびR4に関
して異なるアルキルアクリレートまたはアルキルメメア
クリレートである。
それ自体はメゾモルファスではないキラー〃成分とのネ
マチック液晶形成成分のフボリマーにおいては、キラー
〃成分はある隈られた濃f+までしかネマチック液晶形
成成分に添加し得ない。そうでないと誘導されたフレス
テリック性を示す相が破壊されるからである。限界濃度
はキラー〃成分の分子構造によって本質的に定められる
。高′riI度の後者成分(約10モル5以上)を達成
するためには、キラー〃成分の分子構造が実質的にネマ
チック成分のそれに対応することが有利である。
マチック液晶形成成分のフボリマーにおいては、キラー
〃成分はある隈られた濃f+までしかネマチック液晶形
成成分に添加し得ない。そうでないと誘導されたフレス
テリック性を示す相が破壊されるからである。限界濃度
はキラー〃成分の分子構造によって本質的に定められる
。高′riI度の後者成分(約10モル5以上)を達成
するためには、キラー〃成分の分子構造が実質的にネマ
チック成分のそれに対応することが有利である。
この理由から、好ましいフポリマーは特に上記の式のネ
マチック成分およびキラー〃成分を包含するもので、式
中のR3およびR4が好ましくは拠質的に同じ様なm造
で特にR,グループおよび(−CH−N−86) 、
(−0凡、)、(−cootも。)、(−C1−1−C
H−Cα凧。)または(−R6)のグループに関して実
るだけのものである。
マチック成分およびキラー〃成分を包含するもので、式
中のR3およびR4が好ましくは拠質的に同じ様なm造
で特にR,グループおよび(−CH−N−86) 、
(−0凡、)、(−cootも。)、(−C1−1−C
H−Cα凧。)または(−R6)のグループに関して実
るだけのものである。
#NAjコレステリックコポリマーの製造のために好ま
しいキラールモノマーは、従りて、本質的にはキラール
栴造要素に関してネマチック液晶形成上ツマ−と異なる
だけである。他の1111造要素例えば重合性グループ
は面じであるのか好ましい。その結果、同!!11度の
共重合パラメーターとなるからである。シラール41¥
造*索V選択することによりヘリックス捩り力がきまり
、従ってキラー〃成分の濃度の函数としての反射波長の
大きさがきまる。
しいキラールモノマーは、従りて、本質的にはキラール
栴造要素に関してネマチック液晶形成上ツマ−と異なる
だけである。他の1111造要素例えば重合性グループ
は面じであるのか好ましい。その結果、同!!11度の
共重合パラメーターとなるからである。シラール41¥
造*索V選択することによりヘリックス捩り力がきまり
、従ってキラー〃成分の濃度の函数としての反射波長の
大きさがきまる。
低分子量分子がネマチック構造を有する低分子量化合物
中にヘリックス超格子構造即ちフレステリック構造を誘
導する能力の尺度はヘリックス捩り力であるとされてい
る( J、 、Chem、 Physics 52(1
970) 、 631 )。
中にヘリックス超格子構造即ちフレステリック構造を誘
導する能力の尺度はヘリックス捩り力であるとされてい
る( J、 、Chem、 Physics 52(1
970) 、 631 )。
篇<へきことに、世分子貴キラール・ネマチック混合系
に@似して、本発明によるポリマー相の反射波長逆数l
/λRはキラー〃成分の比率が増加するにつれて増加す
ることが見出された。同じ比率で存在するキラール化合
物が異ると、本発明によるポリマー組成物の17λBは
異った値となり、これは明らかに中ラール成分の特定構
造によるものであり、かつ、この現象はキラー〃成分の
へリックス捩り刀に帰せられる。従って、この新規なポ
リマー組成物l用いて、キラー〃成分の性質および磯度
な変化させることにより、広い範囲にわたってλHA’
変えることが可能である。
に@似して、本発明によるポリマー相の反射波長逆数l
/λRはキラー〃成分の比率が増加するにつれて増加す
ることが見出された。同じ比率で存在するキラール化合
物が異ると、本発明によるポリマー組成物の17λBは
異った値となり、これは明らかに中ラール成分の特定構
造によるものであり、かつ、この現象はキラー〃成分の
へリックス捩り刀に帰せられる。従って、この新規なポ
リマー組成物l用いて、キラー〃成分の性質および磯度
な変化させることにより、広い範囲にわたってλHA’
変えることが可能である。
従って、−視波長域で反射する島導コレステリククコポ
リマーは高いヘリックス捩り力を有するキラー〃成分を
含有すべきである。このようなコホリマーの一?ラール
成分は好ましくは(−CM−N−C)l(CH3) C
6H,)基である。他方、赤外領域での反射が要求され
る場合は、キラー〃成分のへリックス捩り力は比較的低
くてよい。好ましいキ2−ル構造要素は、この場合には
、少くとも1つの不斉炭素原子を有するアルコキシ基例
えば2−メチルブトキシ基である。次の構造のキラール
モ/マーは憶いヘリックス捩り刀を示す。
リマーは高いヘリックス捩り力を有するキラー〃成分を
含有すべきである。このようなコホリマーの一?ラール
成分は好ましくは(−CM−N−C)l(CH3) C
6H,)基である。他方、赤外領域での反射が要求され
る場合は、キラー〃成分のへリックス捩り力は比較的低
くてよい。好ましいキ2−ル構造要素は、この場合には
、少くとも1つの不斉炭素原子を有するアルコキシ基例
えば2−メチルブトキシ基である。次の構造のキラール
モ/マーは憶いヘリックス捩り刀を示す。
この成分を含有する、誘導コレステリック特性を有する
コボ137−は赤外ざ長領域で反射する。
コボ137−は赤外ざ長領域で反射する。
驚(べきことに1円偏光光線を反射する均質集合絵画(
GrandjeHn texture )が本発明のポ
リマー相により、何等外ha因子例えば電場あるいは磁
場なしに、カラス転移温度TG以上で自然に発生するこ
とが見出された。
GrandjeHn texture )が本発明のポ
リマー相により、何等外ha因子例えば電場あるいは磁
場なしに、カラス転移温度TG以上で自然に発生するこ
とが見出された。
誘4コレステリック特性な有する化合物の最長波長吸収
4−大(longest−wavelength ab
sorptionmaximum )はおそら< 35
0 nmより小さいから、司視放長域におけるi&収は
起らない。反射光の波長ABが63視波長域外にある場
合には、本発明の化合物は、等方性相(1sotrop
ic phase %即ち透明化温度Tc+以上)にお
いて、液晶において、またa、E!A化温度以下の温度
で相の均一配位が生ずる場合には、ガラス状態において
、完全に6明、無色でかつ溌んでいる。
4−大(longest−wavelength ab
sorptionmaximum )はおそら< 35
0 nmより小さいから、司視放長域におけるi&収は
起らない。反射光の波長ABが63視波長域外にある場
合には、本発明の化合物は、等方性相(1sotrop
ic phase %即ち透明化温度Tc+以上)にお
いて、液晶において、またa、E!A化温度以下の温度
で相の均一配位が生ずる場合には、ガラス状態において
、完全に6明、無色でかつ溌んでいる。
誘導コレステリック特性を示す新規ポリマー組成物の特
別の利点は、円偏光光IIY選択的に反射するコレステ
リック組織(Grandjean texture )
が温度をガラス転移温度TG以下に下げることにより固
定化され得ること、即ち、一体相中に固定され得ること
である。これらの性質のために、不発明によるポリマー
組成物は、低分子量コレステリック系が用いられている
殆んどすべての技術分野で有用であるのに加えて、単に
ガラス転移温度以下に温度を下げることKよりて、ある
配位、従りてそれに対応した情報tガラス状態に導入し
、その内部に貯蔵することができる。例えば、記憶素子
として用いた場合、ポリマー組成物はガラス転移温度以
上で粘性液体として処理され、その先軸の位置は電場ま
たはfIi湯で画定される。情報の性質となり得る配位
の形と構造は、次いでガラス転移温度TG以下に冷却す
ることによって(2)定化される。
別の利点は、円偏光光IIY選択的に反射するコレステ
リック組織(Grandjean texture )
が温度をガラス転移温度TG以下に下げることにより固
定化され得ること、即ち、一体相中に固定され得ること
である。これらの性質のために、不発明によるポリマー
組成物は、低分子量コレステリック系が用いられている
殆んどすべての技術分野で有用であるのに加えて、単に
ガラス転移温度以下に温度を下げることKよりて、ある
配位、従りてそれに対応した情報tガラス状態に導入し
、その内部に貯蔵することができる。例えば、記憶素子
として用いた場合、ポリマー組成物はガラス転移温度以
上で粘性液体として処理され、その先軸の位置は電場ま
たはfIi湯で画定される。情報の性質となり得る配位
の形と構造は、次いでガラス転移温度TG以下に冷却す
ることによって(2)定化される。
最後に、本発明によるポリマー組成物はフレステリック
な性質が典型的なポリマーの性質、例えば被膜、フィル
ム、繊維に形成し得ること、成形容易性その他の典型的
なポリマーの性質と結合しているのでインテグレーテッ
ド・オプティクス、オフト・エレクトロニクスおよび情
報記憶の分野に故多くの応用可能性がある。これらの性
質は共重合、他成分との混合、分子量の変化、多種多様
の無機または有機の添加物および金属の添加、および当
業者によ(知られている数多くの処理法によって通常の
やり方で改質することができる。
な性質が典型的なポリマーの性質、例えば被膜、フィル
ム、繊維に形成し得ること、成形容易性その他の典型的
なポリマーの性質と結合しているのでインテグレーテッ
ド・オプティクス、オフト・エレクトロニクスおよび情
報記憶の分野に故多くの応用可能性がある。これらの性
質は共重合、他成分との混合、分子量の変化、多種多様
の無機または有機の添加物および金属の添加、および当
業者によ(知られている数多くの処理法によって通常の
やり方で改質することができる。
例えば、上記のポリマー組成物は円偏光フィルターある
いは選択的反射体を作るのく用いることができる。同じ
波長λBt’反射するがコレステリック相のへリックス
構造が反対である2つのフィルターまたは反射体tシリ
ーズに使用すると、選択的反射体が得られる。反対のへ
リックスm造は、例えば、キラール成分の光学対掌体を
用いることによって得られる。選択反射体の反射波長は
赤外線に適した値KM整することもでき、その材料は基
礎吸収(1ntrinsic absorption
) y!−除いた他の波長域を伝達する。他方、ポリマ
ー組成物が1w/4性を有する光伝達体に応用されるな
らば、選択直線偏光フィルターおよび反射体を作ること
ができる。この種のフィルターはデイスプレィ技術(5
cheffer cell )に採用される0モノマー
CH2,C(R,)−α)O(CH2)n−R3および
CH2−C(R,) −Coo −(CH2)n−R4
は通常の化合物から通常の方法で作ることができる。考
えられる方法のいくつかの例を以下に示す。ラジカルへ
。
いは選択的反射体を作るのく用いることができる。同じ
波長λBt’反射するがコレステリック相のへリックス
構造が反対である2つのフィルターまたは反射体tシリ
ーズに使用すると、選択的反射体が得られる。反対のへ
リックスm造は、例えば、キラール成分の光学対掌体を
用いることによって得られる。選択反射体の反射波長は
赤外線に適した値KM整することもでき、その材料は基
礎吸収(1ntrinsic absorption
) y!−除いた他の波長域を伝達する。他方、ポリマ
ー組成物が1w/4性を有する光伝達体に応用されるな
らば、選択直線偏光フィルターおよび反射体を作ること
ができる。この種のフィルターはデイスプレィ技術(5
cheffer cell )に採用される0モノマー
CH2,C(R,)−α)O(CH2)n−R3および
CH2−C(R,) −Coo −(CH2)n−R4
は通常の化合物から通常の方法で作ることができる。考
えられる方法のいくつかの例を以下に示す。ラジカルへ
。
R2,K、 、 R+4およびR6、およびパラメータ
ーmおよびnは前に述べた意味を有する。即ち、ラジカ
ルR3−&含有する七ツマ−はネマチック化合物であり
、ラジカルR4を含有する七ツマ−は午う−ル化合物で
ある。
ーmおよびnは前に述べた意味を有する。即ち、ラジカ
ルR3−&含有する七ツマ−はネマチック化合物であり
、ラジカルR4を含有する七ツマ−は午う−ル化合物で
ある。
一般式 2
%式%
のモノマーを作るには、次式
Ht) (Cf42)n−0−C)−COOHのヤれ自
体知られた化合物が出発物質として用いられる。重合性
のアクリル基またはメタクリル基が好ましくは通常の方
法を用いる共洲エステル化によりて導入され、次式 のモノマーが得られる。このモノマーは例えば、4−(
ω−プロペノイルオ寄クシ−エトキシ−安息香酸、4−
(ω−プロペノイルオキシ−プロポキシ)−安息香酸、
4−(ω−プロペノイルオキシ−ブトキシ)−安息香酸
、4−(ω−プロペノイルオキシ−ペントキシ)−安息
香酸、4−(ω−プロペノイルオキシ−ヘキソキシ)−
安息香酸、4−〔ω−(2−メチルプロペノイルオキシ
)−エトキシツー安息香酸、4−Cω−(2−メチルプ
ロペノイルオキシ)−プロポキシツー安息香酸、4−〔
ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)−ブトキシツー
安息香酸、4−〔ω−(2−メチルプロペノイルオキシ
)−ペントキシ〕−安息香酸および4−〔ω−(2−メ
チルプロペノイルオキシ)−へ中ソキシ〕−安息香酸で
ある。
体知られた化合物が出発物質として用いられる。重合性
のアクリル基またはメタクリル基が好ましくは通常の方
法を用いる共洲エステル化によりて導入され、次式 のモノマーが得られる。このモノマーは例えば、4−(
ω−プロペノイルオ寄クシ−エトキシ−安息香酸、4−
(ω−プロペノイルオキシ−プロポキシ)−安息香酸、
4−(ω−プロペノイルオキシ−ブトキシ)−安息香酸
、4−(ω−プロペノイルオキシ−ペントキシ)−安息
香酸、4−(ω−プロペノイルオキシ−ヘキソキシ)−
安息香酸、4−〔ω−(2−メチルプロペノイルオキシ
)−エトキシツー安息香酸、4−Cω−(2−メチルプ
ロペノイルオキシ)−プロポキシツー安息香酸、4−〔
ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)−ブトキシツー
安息香酸、4−〔ω−(2−メチルプロペノイルオキシ
)−ペントキシ〕−安息香酸および4−〔ω−(2−メ
チルプロペノイルオキシ)−へ中ソキシ〕−安息香酸で
ある。
p−置換された重合性安息香酸は、それ自体公知の
Hoべ)42
または
)10+R。
のフェノール誘導体と通常の方法でエステル化される。
この後の工程で用いられるフェノール誘導体はハイドロ
中ノンモノアル中ルエステル、p−アルキルフェノール
、アルキルp−ヒドロキシベンゾエート、4−ヒドロキ
シ−4′−アルコ中シジフェニレン、4−ヒドロキシ−
イーアルキルジフェニレン、アルキルp−ヒドロキシシ
ナメートあるいはアゾメチンでいずれもそれ自体公知で
ある。
中ノンモノアル中ルエステル、p−アルキルフェノール
、アルキルp−ヒドロキシベンゾエート、4−ヒドロキ
シ−4′−アルコ中シジフェニレン、4−ヒドロキシ−
イーアルキルジフェニレン、アルキルp−ヒドロキシシ
ナメートあるいはアゾメチンでいずれもそれ自体公知で
ある。
前記のモノマー(ここで2はC00)が得られる。
−最大
%式%
のモノマー、を作るには、次式
Ho−(C)1.)n−〇ぺFOR
のそれ自体公知の化合物が出発物質として用いられる。
1合性のアクリル基またはメタクリル基が好ましくは通
常の方法乞用いる共沸エステル化によりて導入され、−
最大 %式% のモノマーが得られる。これらの化合物は例えば、4−
(ω−プロペノイルオΦシーエトキシ)−フェノール、
4−(ω−プロペノイルオキシーブロボキシ)−フェノ
ール、4−(ω−グロペノ中レジ−ブトキシ−フェノー
ル、4−(ω−プロペノイルオキシ−ペントキシ)−フ
ェノール、4−(ω−プロペノイルオ千クシ−中ソキシ
)−7エノール、4−(ω−(2−メチルプロペノイル
オキシ)−エトキシツーフェノール、4−〔ω−(2−
メチルプロペノイルオキシ)−プロポ牛シ〕−フェノー
ル、4−Cω−(2−メチルプロペノイルオキシ)−ブ
ト牟シ〕−フェノール、4−〔ω−(2−メチルプロペ
ノイルオキシ)−ヘントキシ〕−フェノール、4−(ω
−(2−メチルプロピオノイルオキシ)−ペントキシ〕
−フェノールおよび4−〔ω−メチルグロペノイルオ牟
シ)−へ中ソキシ〕−フェノールである。
常の方法乞用いる共沸エステル化によりて導入され、−
最大 %式% のモノマーが得られる。これらの化合物は例えば、4−
(ω−プロペノイルオΦシーエトキシ)−フェノール、
4−(ω−プロペノイルオキシーブロボキシ)−フェノ
ール、4−(ω−グロペノ中レジ−ブトキシ−フェノー
ル、4−(ω−プロペノイルオキシ−ペントキシ)−フ
ェノール、4−(ω−プロペノイルオ千クシ−中ソキシ
)−7エノール、4−(ω−(2−メチルプロペノイル
オキシ)−エトキシツーフェノール、4−〔ω−(2−
メチルプロペノイルオキシ)−プロポ牛シ〕−フェノー
ル、4−Cω−(2−メチルプロペノイルオキシ)−ブ
ト牟シ〕−フェノール、4−〔ω−(2−メチルプロペ
ノイルオキシ)−ヘントキシ〕−フェノール、4−(ω
−(2−メチルプロピオノイルオキシ)−ペントキシ〕
−フェノールおよび4−〔ω−メチルグロペノイルオ牟
シ)−へ中ソキシ〕−フェノールである。
これらの重合性化合物は、それ自体公知の、−最大
%式%)
のp−置換された賢息誓酸で、通常の方法を用いてエス
テル化される。好ましくはこれらの化合物はp−アルコ
キシ賛息香rRまたはp−アルー?ル安息香酸である。
テル化される。好ましくはこれらの化合物はp−アルコ
キシ賛息香rRまたはp−アルー?ル安息香酸である。
上記のモノマー(ここで2はα℃である)が得られる。
一般式
のモノマーを作るには、次式
の、それ自体公知の化合物が出発物質として用いられる
。重合性のアクリルf!またはメタクリル基が好鵞しく
は通常の方法を用いて共沸エステル化によりて導入され
、次式 のモノマーが得られる。p−置換された、重合性安息香
酸は次式 %式% の、それ自体公知のフェノール誘導体と通常の方法によ
りてエステル化され、上記のモノマー(ここで2は(3
)である)が得られる。
。重合性のアクリルf!またはメタクリル基が好鵞しく
は通常の方法を用いて共沸エステル化によりて導入され
、次式 のモノマーが得られる。p−置換された、重合性安息香
酸は次式 %式% の、それ自体公知のフェノール誘導体と通常の方法によ
りてエステル化され、上記のモノマー(ここで2は(3
)である)が得られる。
−最大
のモノマーを作るには、次式
の、それ自体公知の化合物が出発物質として用いられる
。重合性のアクリル基またはメタクリル基が好1しくは
通常の方法火用いて、共沸エステル化により導入され、
次式 のモノマーが得られる。この重合性化合物は一般式 の、それ自体公知のp−に換安息香故により通常の方法
でエステル化され、上記七ツマ−(ここでZはOCOで
ある)が得られる。
。重合性のアクリル基またはメタクリル基が好1しくは
通常の方法火用いて、共沸エステル化により導入され、
次式 のモノマーが得られる。この重合性化合物は一般式 の、それ自体公知のp−に換安息香故により通常の方法
でエステル化され、上記七ツマ−(ここでZはOCOで
ある)が得られる。
一般式
を有するモノマーを作るには、次式
または
の、それ自体公知の化合物が出発物質として用いラレ、
それ自体公知のω−ヒドロキシアルキルハライド即ち )10−(CH2)n−CI と反応させる。ここでnは4または5であり、反応は好
ま゛しくはω−ヒドロキシアルキルハライドの代りに、
ω−ハロカルボン酸即ち CI −(C)12)n−COOH を用いて行われ、カルボキシル基はダ1続きヒドロΦシ
ル基に還元される。
それ自体公知のω−ヒドロキシアルキルハライド即ち )10−(CH2)n−CI と反応させる。ここでnは4または5であり、反応は好
ま゛しくはω−ヒドロキシアルキルハライドの代りに、
ω−ハロカルボン酸即ち CI −(C)12)n−COOH を用いて行われ、カルボキシル基はダ1続きヒドロΦシ
ル基に還元される。
得られた次式
の化合物中に重合性アル中ル基またはメタクリル基が好
憶しくは通常の方法を用いて共沸エステル化により導入
される。上記のモノマーが得られ、これらはWE次記の
キラールモノマー:4−(ω−プロペノイルオキシ)−
エトキシ−4’−(2−メチルブトキシ)−ビフェニル
、4−(ω−プロペノイルオキシ)−プロポキシ−4′
−(2−/?ルブトキシ)−ビフェニル、4−(ω−1
0ベノイルオキシ)−へ争ソ牟シー4’−(2−メチル
ブトキシ)−ビフェニル、4−(ω−プロペノイルオキ
シ)−エトキシ−4′−(1−メチルヘプトキシ)゛−
ピフェニル、4−(ω−10ペノイルオ命シ)−プロポ
キシ−4″−(1−メチルへブト苧シ)−ビフェニル、
4−(ω−プロペノイルオキシ)−へ中ソ中シー1−(
1−メチルヘプトキシ)−ビフェニル、4−(ω−プロ
ペノイルオキシ)−エトキシ−4’−(1−メチルプロ
ポキシ)−ビフェニル、4−(ω−プロペノイルオキシ
)−フロホキシー4’−(1−メチルプロポキシ)−ビ
フェニル、4−(ω−プロペノイルオキシ)−へ中ソ中
シーX−(1−メチルプロポキシ)−ビフェニル、4−
(ω−(2−メチルプロペノイルオΦシ)〕−二トキシ
−4’−(2−メチルブトキシ)−ビフェニル、4−(
ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−〕プロポキ
シー4’−2−メチルブトキシ)−ビフェニル、4−C
ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−へキソ中シ
ー4’−(2−メチルブトキシ)−ビフェニル、4−(
ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−エト中シー
4′−(1−メチルへブトキシ)−ピフ℃ニル、4−(
ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−プロポ中シ
ー4’−(1−メチルへブトキシ)−ビフェニル、4−
(ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−へ中ツギ
シー4’−(1−メチルへブトキシ)−ビフェニル、4
−(ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−〕エト
キシー4’−1−メチルプロポキシ)−ビフェニル、4
−[ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)]−プロポ
午シー4′−(t−メチルプロポキシ)−ビフェニルお
よび4−〔ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−
ヘヘキソクシ−4′−1−メチルプロポキシ)−ビフェ
ニルである。
憶しくは通常の方法を用いて共沸エステル化により導入
される。上記のモノマーが得られ、これらはWE次記の
キラールモノマー:4−(ω−プロペノイルオキシ)−
エトキシ−4’−(2−メチルブトキシ)−ビフェニル
、4−(ω−プロペノイルオキシ)−プロポキシ−4′
−(2−/?ルブトキシ)−ビフェニル、4−(ω−1
0ベノイルオキシ)−へ争ソ牟シー4’−(2−メチル
ブトキシ)−ビフェニル、4−(ω−プロペノイルオキ
シ)−エトキシ−4′−(1−メチルヘプトキシ)゛−
ピフェニル、4−(ω−10ペノイルオ命シ)−プロポ
キシ−4″−(1−メチルへブト苧シ)−ビフェニル、
4−(ω−プロペノイルオキシ)−へ中ソ中シー1−(
1−メチルヘプトキシ)−ビフェニル、4−(ω−プロ
ペノイルオキシ)−エトキシ−4’−(1−メチルプロ
ポキシ)−ビフェニル、4−(ω−プロペノイルオキシ
)−フロホキシー4’−(1−メチルプロポキシ)−ビ
フェニル、4−(ω−プロペノイルオキシ)−へ中ソ中
シーX−(1−メチルプロポキシ)−ビフェニル、4−
(ω−(2−メチルプロペノイルオΦシ)〕−二トキシ
−4’−(2−メチルブトキシ)−ビフェニル、4−(
ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−〕プロポキ
シー4’−2−メチルブトキシ)−ビフェニル、4−C
ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−へキソ中シ
ー4’−(2−メチルブトキシ)−ビフェニル、4−(
ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−エト中シー
4′−(1−メチルへブトキシ)−ピフ℃ニル、4−(
ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−プロポ中シ
ー4’−(1−メチルへブトキシ)−ビフェニル、4−
(ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−へ中ツギ
シー4’−(1−メチルへブトキシ)−ビフェニル、4
−(ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−〕エト
キシー4’−1−メチルプロポキシ)−ビフェニル、4
−[ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)]−プロポ
午シー4′−(t−メチルプロポキシ)−ビフェニルお
よび4−〔ω−(2−メチルプロペノイルオキシ)〕−
ヘヘキソクシ−4′−1−メチルプロポキシ)−ビフェ
ニルである。
モノマー
CH2−C(R,)−COO−(C)12)n−R3お
よび CH2−C(R,) −COO−((:R2)n−)t
4のホモポリマーまたはコポリマーは好ましくはフリー
ラジカル重合で作られる。反応は例えば紫外線により、
あるいはフリーラジカル開始剤ヲ用いて開始される。重
合は溶液中でまたは塊状重合として行われ、鉋められる
ほどのポリマー・モノマー相分離は生じない。
よび CH2−C(R,) −COO−((:R2)n−)t
4のホモポリマーまたはコポリマーは好ましくはフリー
ラジカル重合で作られる。反応は例えば紫外線により、
あるいはフリーラジカル開始剤ヲ用いて開始される。重
合は溶液中でまたは塊状重合として行われ、鉋められる
ほどのポリマー・モノマー相分離は生じない。
ポリマーとモノマーは任意の割合で混合可能であり、従
って得られる生成物の性質を変えることができる。キラ
ールモノマー自体はメゾモルファス、即ち液晶であって
もよいが、この特性は絶対必須ではない。しかしながら
、キラールコモノマーがそれ自体メゾモルファスでない
ときは、ある限界濃度を超してはならない。そうでない
とメゾモルファス相が破壊されるからである。どの位の
濃度までコレステリック相が保存されたままであるかの
限界濃度はキラール成分の構造による。
って得られる生成物の性質を変えることができる。キラ
ールモノマー自体はメゾモルファス、即ち液晶であって
もよいが、この特性は絶対必須ではない。しかしながら
、キラールコモノマーがそれ自体メゾモルファスでない
ときは、ある限界濃度を超してはならない。そうでない
とメゾモルファス相が破壊されるからである。どの位の
濃度までコレステリック相が保存されたままであるかの
限界濃度はキラール成分の構造による。
混合物を作るには、七ツマ−から作られたネマチック液
晶形成ホモポリマーと中ラールホモポリマーとが例えば
有機溶媒中に同時1c溶解され、浴液は冷凍乾燥される
。溶媒ン除失された2つのホモポリマーの混合物は液晶
相において誘導コレステリック構造を示す。ネマチック
ホモポリマ−ト低分子量キラール化合物との混合物は同
じ様にして作られるが、2つの成分が混合af能である
よ5−前例1および2は好ましいネマチック液晶形成モ
ノマーを、参考例3および4は好ましい牛う−ルモノマ
ーについて述べる。 −実施例翫は 誘導コレステリック特性を宵する混合物について述べる
。
晶形成ホモポリマーと中ラールホモポリマーとが例えば
有機溶媒中に同時1c溶解され、浴液は冷凍乾燥される
。溶媒ン除失された2つのホモポリマーの混合物は液晶
相において誘導コレステリック構造を示す。ネマチック
ホモポリマ−ト低分子量キラール化合物との混合物は同
じ様にして作られるが、2つの成分が混合af能である
よ5−前例1および2は好ましいネマチック液晶形成モ
ノマーを、参考例3および4は好ましい牛う−ルモノマ
ーについて述べる。 −実施例翫は 誘導コレステリック特性を宵する混合物について述べる
。
参考例1
本番前例では一般式
である各種のモノマーの製法を述べる。ここで凡。
は水垢またはメチル、nは2.3または6で、へは−〇
−(CH2)mH(ここでmは1または2である)、で
mは1または2である)である。
−(CH2)mH(ここでmは1または2である)、で
mは1または2である)である。
1.11式
の、・すれ自体公知の化合物から出発して、重合性アク
リル基またはメタクリル基が常法14’iいて共沸エス
テル化により導入される。
リル基またはメタクリル基が常法14’iいて共沸エス
テル化により導入される。
1.1.1. 4−(2−プロペノイルオキシ)−エト
キシ−安息香酸の製造 p−(2−ヒドロキシエトキシ)−安息香tx5゜?、
アクリル#R12(H’、I)−)ルエンスルホン酸5
?および重合禁止剤としてハイドロキノン5?!クロロ
ホルム200−にとかし、水分離器と還流冷却姦乞取付
けな500−フラスコ甲で5時間還流させる。反応溶液
を冷却してからエーテル約1j中に注ぎ、毎回200−
の水を用いて5回洗滌する。
キシ−安息香酸の製造 p−(2−ヒドロキシエトキシ)−安息香tx5゜?、
アクリル#R12(H’、I)−)ルエンスルホン酸5
?および重合禁止剤としてハイドロキノン5?!クロロ
ホルム200−にとかし、水分離器と還流冷却姦乞取付
けな500−フラスコ甲で5時間還流させる。反応溶液
を冷却してからエーテル約1j中に注ぎ、毎回200−
の水を用いて5回洗滌する。
Na 2 SOaでエーテル相を乾燥した後、!&Yス
トリップし、生成物を少量のエタノールに溶かし、石油
エーテルを溶液がやつと透明を保つまで加える。−15
℃に冷却すると生成物が沈降する。薄I―クロマト(シ
リカゲル、S動用は4:1の酢酸エチル/ヘギサン混合
液)で純粋と認められるまで再結晶乞繰返す。
トリップし、生成物を少量のエタノールに溶かし、石油
エーテルを溶液がやつと透明を保つまで加える。−15
℃に冷却すると生成物が沈降する。薄I―クロマト(シ
リカゲル、S動用は4:1の酢酸エチル/ヘギサン混合
液)で純粋と認められるまで再結晶乞繰返す。
4−(3−10ペノイルオキシ)−プロポキシ−安息香
酸および4−(6−10ペノイルオキシ)−ヘギソキシ
ー安息香酸も同様の方法で作られる。
酸および4−(6−10ペノイルオキシ)−ヘギソキシ
ー安息香酸も同様の方法で作られる。
1.1.1 4−(2−(2−メチルプロペノイルオキ
シ)−エトキシツー安息香酸の夷造 p−(2−ヒドロキシエトキシ)−安息香!!50?、
メタクリルi1130 P、p−トルエンスルホン1!
5P、および重合禁止剤としてハイドロキノン5 P?
:CHCl、 200−中に溶かし、溶液を水分隆器お
よび還流冷却器を取付けた500 mフラスコ中で約6
−の水が分所されるまで還流させる(約20時間)C冷
却した溶液を約1ノのエーテル中に導入し、毎200−
の水で5回洗滌する。Na2804で#!液を乾燥した
後、溶媒をストリップし、粗生成物は1.1.1.で述
べたようKして再結晶する。
シ)−エトキシツー安息香酸の夷造 p−(2−ヒドロキシエトキシ)−安息香!!50?、
メタクリルi1130 P、p−トルエンスルホン1!
5P、および重合禁止剤としてハイドロキノン5 P?
:CHCl、 200−中に溶かし、溶液を水分隆器お
よび還流冷却器を取付けた500 mフラスコ中で約6
−の水が分所されるまで還流させる(約20時間)C冷
却した溶液を約1ノのエーテル中に導入し、毎200−
の水で5回洗滌する。Na2804で#!液を乾燥した
後、溶媒をストリップし、粗生成物は1.1.1.で述
べたようKして再結晶する。
4−(3−(2−メチルプロペノイルオキシ)−プロポ
牛シ〕−安息香酸およヒ4−(6−(2−メチルプロペ
ノイルオキシ)−ヘキソキシツー安息香酸が同様の方法
で作られた。
牛シ〕−安息香酸およヒ4−(6−(2−メチルプロペ
ノイルオキシ)−ヘキソキシツー安息香酸が同様の方法
で作られた。
1、2.1.上記1.1.1.および1.1.2で作ら
れた重合性p−置換安息香酸を一般式 %式%) の、それ自体公知のハイドロキノンモノアルキルエーテ
ルで常法によりエステル化シ、 C)l、−、C(R,)−一α)O−(CH2)。判÷
COO%0−(CH2)mI((ここでnは2.3また
は6)の構造式の化合物を得る。m+nが8より大きい
場合忙はこの化合物はスメクチックポリマーとなる。
れた重合性p−置換安息香酸を一般式 %式%) の、それ自体公知のハイドロキノンモノアルキルエーテ
ルで常法によりエステル化シ、 C)l、−、C(R,)−一α)O−(CH2)。判÷
COO%0−(CH2)mI((ここでnは2.3また
は6)の構造式の化合物を得る。m+nが8より大きい
場合忙はこの化合物はスメクチックポリマーとなる。
具体例A 4−(2−(2−メチルプロペノイルオキ
シ)−エトキシツー安息香酸(4′−メトキシ)−フェ
ニルエステル(n −2;m−1) ナトリウム4.6P?100−フラスコ中で絶対アルツ
ー/l150−中にm解し、次いでハイドロキノンモノ
メチルエーテルを加えた。溶液を一15℃まで冷却し、
4−(2−(2−メチルプロペノイルオキシ)−二)=
?シ〕−安息香# 227 Fと塩化チオニル40−と
から作られた酸クロライドン撹拌下にゆりくり満願する
。次いで溶液を一15℃で4時間撹拌し、その後室温に
1晩置(。全体をエーテル5註0 し、水100−での洗滌を3回行なう。Na2804で
乾燥した後、浴媒乞ストリップする。
シ)−エトキシツー安息香酸(4′−メトキシ)−フェ
ニルエステル(n −2;m−1) ナトリウム4.6P?100−フラスコ中で絶対アルツ
ー/l150−中にm解し、次いでハイドロキノンモノ
メチルエーテルを加えた。溶液を一15℃まで冷却し、
4−(2−(2−メチルプロペノイルオキシ)−二)=
?シ〕−安息香# 227 Fと塩化チオニル40−と
から作られた酸クロライドン撹拌下にゆりくり満願する
。次いで溶液を一15℃で4時間撹拌し、その後室温に
1晩置(。全体をエーテル5註0 し、水100−での洗滌を3回行なう。Na2804で
乾燥した後、浴媒乞ストリップする。
具体例B 4−(2−プロペノイルオキシ)−エトキ
シ−安息香fR ( 4’−メトキシ)−フェニルエー
テル 4−(2−プロペノイルオキシ)−二ト牛シー安息香酸
6. 2 P 、ハイドロキノンモノメチルエーテル6
、21および重合禁止剤として1,3−ジニトロベンゼ
ン数ダを滴下ロートおよび乾腑管(CaC1,’)を備
えた250−フラスコ内で純テトラヒドロフラン(無水
)50−およびC)12C122 5−中に溶解し、溶
液を氷で冷却する。CH2Cl22 0−中に溶解した
11.3Pのジシクロへキシルカルボジイミドを前記溶
液に撹拌下にゆっくり満願する。混合液は0℃で約3時
間撹拌しながら放置し、その後室温で1晩置く。次いで
、沈降したジシクロへキシルウレアを1別し、溶液1に
濃縮する。残渣をアセトニトリル中忙とり、沈諌して来
た尿素を再び種別する。その後アセトニトリルをストリ
ップする。
シ−安息香fR ( 4’−メトキシ)−フェニルエー
テル 4−(2−プロペノイルオキシ)−二ト牛シー安息香酸
6. 2 P 、ハイドロキノンモノメチルエーテル6
、21および重合禁止剤として1,3−ジニトロベンゼ
ン数ダを滴下ロートおよび乾腑管(CaC1,’)を備
えた250−フラスコ内で純テトラヒドロフラン(無水
)50−およびC)12C122 5−中に溶解し、溶
液を氷で冷却する。CH2Cl22 0−中に溶解した
11.3Pのジシクロへキシルカルボジイミドを前記溶
液に撹拌下にゆっくり満願する。混合液は0℃で約3時
間撹拌しながら放置し、その後室温で1晩置く。次いで
、沈降したジシクロへキシルウレアを1別し、溶液1に
濃縮する。残渣をアセトニトリル中忙とり、沈諌して来
た尿素を再び種別する。その後アセトニトリルをストリ
ップする。
具体例人およびBの精製
粗生成物を酢酸エチル中にとり(約20%濃度)、−1
5℃に冷却して結晶ン生ぜしめる。沈降した生成物を吸
引α過する。低融点化合物、特にアクリル化合物の場合
には冷却吸引ロートが用いられる。
5℃に冷却して結晶ン生ぜしめる。沈降した生成物を吸
引α過する。低融点化合物、特にアクリル化合物の場合
には冷却吸引ロートが用いられる。
再結晶を繰返して、薄層クロマトグラフィー(シリカゲ
ル、移動相として1:4のヘキサン/酢酸エチル混合液
を用いる)で不純物が検出されなくなるまで精製する。
ル、移動相として1:4のヘキサン/酢酸エチル混合液
を用いる)で不純物が検出されなくなるまで精製する。
ネマチックポリマーを形成することのできる次式の七ツ
マ− C)1.− C(CH3)−αカー(C)12)6−0
−()七〇〇+CH3はnが6でmが1の化合物を用い
て同様の方法で製造される。
マ− C)1.− C(CH3)−αカー(C)12)6−0
−()七〇〇+CH3はnが6でmが1の化合物を用い
て同様の方法で製造される。
1、z2上記1.1.2.で作られたp−置換された、
重合性の4−(6−(2−メチルプロペノイルオキシ)
−へ中ソキシ〕−安息香11!Vそれ自体公知の化合物
4−メチルフェノールで常法によりてエステル化し、構
造式 の化合物ン得る。
重合性の4−(6−(2−メチルプロペノイルオキシ)
−へ中ソキシ〕−安息香11!Vそれ自体公知の化合物
4−メチルフェノールで常法によりてエステル化し、構
造式 の化合物ン得る。
エステル化およびM製は1.2.1.で述べた方法によ
って行われる。
って行われる。
1、1 a、前記1.1.1で述べたようにして作られ
たp−置換された重合性の4−(2−(2−メチルプロ
ペノイルオキシ)−エトキシ〕−安息香酸ヲ構造式 である、それ自体公知の化合物、4−ヒドロキシ−4′
−エトキシ−ビフェニルで常法によりてエステル化し、
構造式 の化合物を得る。
たp−置換された重合性の4−(2−(2−メチルプロ
ペノイルオキシ)−エトキシ〕−安息香酸ヲ構造式 である、それ自体公知の化合物、4−ヒドロキシ−4′
−エトキシ−ビフェニルで常法によりてエステル化し、
構造式 の化合物を得る。
エステル化は1. Z 1. K記載された具体例Aま
たは具体例Bに従って行ってもよい。生成物は1.2.
1゜に記載されたところに従りて精製される。
たは具体例Bに従って行ってもよい。生成物は1.2.
1゜に記載されたところに従りて精製される。
4−ヒドロキシ−4′−メトキシビフェニルで同様の方
法を用いて が得られる。
法を用いて が得られる。
1、1.1で裏道された4−[6−(2−メチルプロペ
ノイルオキシ)−ヘキソキシツー安息香*’v4−ヒド
ロキシ−4′−メトキシ−ビフェニルで同様にエステル
化して、改のモノマー が得られる◎ 1、 Z 4.前記1.1.1.およびi、 1.1で
実音された、p−置換された、重合性の安息香酸、即ち
、4−(3−(2−メチルプロペノイルオキシ)−プロ
ペノイルオ牛シ)−プロポ牟シ〕−安息香酸、4−(6
−(2−メチルプロペノイルオキシ)−へ牟ソキシ〕−
安息香鍍および4−(6−プロペノイルオキシ−へ中ソ
中シ)−安息香酸なそれ自体公知の化合物であるp−ヒ
ドロキシ−ビフェニルで常法によりエステル化し、次式
の化合物を得る。
ノイルオキシ)−ヘキソキシツー安息香*’v4−ヒド
ロキシ−4′−メトキシ−ビフェニルで同様にエステル
化して、改のモノマー が得られる◎ 1、 Z 4.前記1.1.1.およびi、 1.1で
実音された、p−置換された、重合性の安息香酸、即ち
、4−(3−(2−メチルプロペノイルオキシ)−プロ
ペノイルオ牛シ)−プロポ牟シ〕−安息香酸、4−(6
−(2−メチルプロペノイルオキシ)−へ牟ソキシ〕−
安息香鍍および4−(6−プロペノイルオキシ−へ中ソ
中シ)−安息香酸なそれ自体公知の化合物であるp−ヒ
ドロキシ−ビフェニルで常法によりエステル化し、次式
の化合物を得る。
ここで几、はHでありnが6であるか、または几。
がCH3でnが3または6である。
エステル化は1. Z 1.に記載された具体例Aまた
は具体例Bに従りて行りてもよい。生成物は1.2.1
゜K記載され℃いるようにしてM裂される。
は具体例Bに従りて行りてもよい。生成物は1.2.1
゜K記載され℃いるようにしてM裂される。
R1がHでnが6、あるいは凡、がCH3でnが6であ
る最後にあげたモノマーの場合、後者の化合物の重合性
メタクリル基のメチル基は前者の化合物では水素で置き
かえられており、メンジェニックグループの構造はその
他の点では同じである。
る最後にあげたモノマーの場合、後者の化合物の重合性
メタクリル基のメチル基は前者の化合物では水素で置き
かえられており、メンジェニックグループの構造はその
他の点では同じである。
この2つのモノマーから作られたポリマー相は同じ液晶
特性を示し、相転移がシフトしている。この挙動は本発
明による同様な化合物に一般的に見出される。
特性を示し、相転移がシフトしている。この挙動は本発
明による同様な化合物に一般的に見出される。
参考例2
21、 本参考例では、一般式
を有する、本発明によるいくつかの七ツマ−の製造方法
を述べる。ここで凡、は水素またはメチルで、R2は前
記の意味を及する。
を述べる。ここで凡、は水素またはメチルで、R2は前
記の意味を及する。
式
の、それ自体公知の化合物から出発し、重合性のアクリ
ル基またはメタクリル基が常法を用いて共沸エステル化
により導入される。
ル基またはメタクリル基が常法を用いて共沸エステル化
により導入される。
!1.1. 4−(2−:l’ロペノイルオ中クシ−エ
トキシ−フェノールの製造 p−(ヒドロキシエトキシ)−フェノール50?、アク
リル@hoPSp−)ルエンスル7オン#Rsy−およ
び重合禁止剤としてハイドロキノン5PYクロロホルム
20〇−中で、水分層器および還流冷却器を取付けた5
00−フラスコ中で5時間還流させる。次いで冷却され
た反応溶液を約IIlのエーテル中に導入し、200−
の水による洗滌を5回行なう。エーテル相1: Na2
SO4で乾燥した後、溶媒をストリップし、生成物をエ
タノール中に溶解し、石油エーテルVs液がやっと透明
を保つまで加える。−150に冷却すると生成物が沈澱
する。
トキシ−フェノールの製造 p−(ヒドロキシエトキシ)−フェノール50?、アク
リル@hoPSp−)ルエンスル7オン#Rsy−およ
び重合禁止剤としてハイドロキノン5PYクロロホルム
20〇−中で、水分層器および還流冷却器を取付けた5
00−フラスコ中で5時間還流させる。次いで冷却され
た反応溶液を約IIlのエーテル中に導入し、200−
の水による洗滌を5回行なう。エーテル相1: Na2
SO4で乾燥した後、溶媒をストリップし、生成物をエ
タノール中に溶解し、石油エーテルVs液がやっと透明
を保つまで加える。−150に冷却すると生成物が沈澱
する。
[itクロマト(シリカゲル、移動相として4Ctの酢
ジエチル/へ牟サン混合液を用いる)で純粋と見られる
萱で再結晶を繰返す。
ジエチル/へ牟サン混合液を用いる)で純粋と見られる
萱で再結晶を繰返す。
Zl、Z 4−(2−(2−メチルプロペノイルオキ
シ)−エト牟シ〕−7エノールの製造 p−(ヒドロキシエトキシ)−フェノール50?、メタ
クリル酸120fPSp−)ルエンスルホン1145P
、および重合禁止剤としてハイドロキノン5Pを200
−の〇〇C13中に溶解し、水分原器および還流冷却器
′Ik備えた500−フラスコ中で約5−の水が分朧除
去されるまで還流させる(約20時間)。冷却された溶
液を約1/のエーテル中に導入し、それぞれ200−の
水で5回洗滌する。溶液はNa25o4で乾燥し、溶媒
tストリップ除去し、粗生成物vi、i、t、に記載の
如く再結晶する。
シ)−エト牟シ〕−7エノールの製造 p−(ヒドロキシエトキシ)−フェノール50?、メタ
クリル酸120fPSp−)ルエンスルホン1145P
、および重合禁止剤としてハイドロキノン5Pを200
−の〇〇C13中に溶解し、水分原器および還流冷却器
′Ik備えた500−フラスコ中で約5−の水が分朧除
去されるまで還流させる(約20時間)。冷却された溶
液を約1/のエーテル中に導入し、それぞれ200−の
水で5回洗滌する。溶液はNa25o4で乾燥し、溶媒
tストリップ除去し、粗生成物vi、i、t、に記載の
如く再結晶する。
Z 1.3.上記Z1.1.オヨびZl、lt”製造サ
レタp −1i換重合性フェニルを一般式 の、それ自体公知のp−置換安息香酸で常法によりエス
テル化し、構造式 の化合物ン得る。
レタp −1i換重合性フェニルを一般式 の、それ自体公知のp−置換安息香酸で常法によりエス
テル化し、構造式 の化合物ン得る。
22式
の本発明による七ツマ−を後記参考例4に記載された反
応条件下に次の反応式に従りて製造する。
応条件下に次の反応式に従りて製造する。
参考例3
杢糸前例においては式
%式%)
のテラールモノマ−(d−および!一対掌体)の製造方
法ン述べる。これらの七ツマ−は重合性基、ネマチック
液晶形成共重合成分と類似した構造の構造要素、および
好ましいキラール構造要素よりなる。
法ン述べる。これらの七ツマ−は重合性基、ネマチック
液晶形成共重合成分と類似した構造の構造要素、および
好ましいキラール構造要素よりなる。
1、1.1.および1.1.2.に記載された安息香酸
、および C112−C(C)13)−COO−(CH2)2%C
00k−1が出発物質として用いられ、キラールフェノ
ール(d−または!一対掌体) または で常法によりエステル化して上記モノマーに変換される
。例えば下式のとおりである。
、および C112−C(C)13)−COO−(CH2)2%C
00k−1が出発物質として用いられ、キラールフェノ
ール(d−または!一対掌体) または で常法によりエステル化して上記モノマーに変換される
。例えば下式のとおりである。
ee2−C(1(、)−Coo−(CH2)2−0−C
)−C■(yCH3、1,1,4−ヒドロキシベンジリ
デン−1−フェニルエチルイミンの製造 d −7−フエニルエチラミン(またはl一体)16m
−%−)ルエン150−中p−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド15Fの熱溶漱中に滴加する。この場合シック塩基
を与える反応が直ちに起る。生成する水は共沸的に溜失
する(水分漸器使用)。等モル量の水が分漸除去された
ら、溶液を冷却し、反応生成物ヲ躍別し、エタノールか
ら再結晶する(′III!点は分解を伴って170℃で
ある)。
)−C■(yCH3、1,1,4−ヒドロキシベンジリ
デン−1−フェニルエチルイミンの製造 d −7−フエニルエチラミン(またはl一体)16m
−%−)ルエン150−中p−ヒドロキシベンズアルデ
ヒド15Fの熱溶漱中に滴加する。この場合シック塩基
を与える反応が直ちに起る。生成する水は共沸的に溜失
する(水分漸器使用)。等モル量の水が分漸除去された
ら、溶液を冷却し、反応生成物ヲ躍別し、エタノールか
ら再結晶する(′III!点は分解を伴って170℃で
ある)。
3.1.1 4−(2−7’ロペノイルオキシエトキシ
)−ベンジリデン−1−7エニルエチルイミンの鯛造 a、フェルレート溶液の製造 ナトリウム42ミリモルを湿気を排除しなから40−の
絶対アルコールに加える。ナトリウムが完全に反応した
後、3.1.1.で作られたシッフ塩基42ミリモ/I
/奮加える。
)−ベンジリデン−1−7エニルエチルイミンの鯛造 a、フェルレート溶液の製造 ナトリウム42ミリモルを湿気を排除しなから40−の
絶対アルコールに加える。ナトリウムが完全に反応した
後、3.1.1.で作られたシッフ塩基42ミリモ/I
/奮加える。
b、塩化チオニル25−およびジメチルホルムアミド2
滴を室温で4−(ω−グロベノイルオ中クジエトキシ−
女息香酸42ミリモ)vK加え、約5時間放置する(そ
の間HC!およびS02が発゛生する)。
滴を室温で4−(ω−グロベノイルオ中クジエトキシ−
女息香酸42ミリモ)vK加え、約5時間放置する(そ
の間HC!およびS02が発゛生する)。
次いで過剰の塩化チオニルを減圧下で完金に除去する。
残った酸クロライドは20−の無水エーテル中にとり、
フェルレート溶aK室温で撹拌下にゆっくりと滴加する
。酸クロライドを金部加えたら、混合物を2時間撹拌す
る。次いで250−のエーテルケバッチに加え、エーテ
ル溶gを水で3回洗い、Na25o4で乾燥した後溶媒
をス) +7ツグ除去する。粗生成物はエタノールから
再結晶される。
フェルレート溶aK室温で撹拌下にゆっくりと滴加する
。酸クロライドを金部加えたら、混合物を2時間撹拌す
る。次いで250−のエーテルケバッチに加え、エーテ
ル溶gを水で3回洗い、Na25o4で乾燥した後溶媒
をス) +7ツグ除去する。粗生成物はエタノールから
再結晶される。
4−(2−(2−メチルプロペノイルオキシ)−エトΦ
シ〕−ベンジリデンー1−フェニルエチルイミン(d−
またはj一対掌体)は4−(2−(2−メチルプロペノ
イルオキシ)−エト午シ〕−安息香酸と上記キラールフ
ー/ −/l、−(d−’Jたは!一対掌体)とから同
様の方法で製造される03、Z 化合物 Cki2=C(CH3)−COO−(CH2)2−0−
−べζ=二=〉→COO+は1.2.1.に記載された
エステル化法および精製法により製造される。
シ〕−ベンジリデンー1−フェニルエチルイミン(d−
またはj一対掌体)は4−(2−(2−メチルプロペノ
イルオキシ)−エト午シ〕−安息香酸と上記キラールフ
ー/ −/l、−(d−’Jたは!一対掌体)とから同
様の方法で製造される03、Z 化合物 Cki2=C(CH3)−COO−(CH2)2−0−
−べζ=二=〉→COO+は1.2.1.に記載された
エステル化法および精製法により製造される。
参考例4
本参考例は式
%式%
(ここで几、はHまたはCH3である)λ
のデラールモノマー(d−または)一対掌体)の製造を
述べる。このモノマーは重合性基、ネマチック液晶形成
共重合成分と類似した構造要Rおよび好ましいキラール
構造要素を包含する。
述べる。このモノマーは重合性基、ネマチック液晶形成
共重合成分と類似した構造要Rおよび好ましいキラール
構造要素を包含する。
合成は次式に従って行われる。
4.1. 4−(2−メチルブトキシ)−4′−ヒドロ
キシピフェニルのH造 ナトリウム0.5モル(11,5!9’ ) ’k 3
00−の絶対アルコール中に、湿気を排除しながら注意
深(添加する。ナトリウムがG解したなら、4 、4’
−ジヒドロキシビフェニル0.5モル(93F)’&加
、する。反応液を昇温して還流させ、光芋活性l−プロ
モー2−メチルブタン0.5モル(75,5P)を激し
く撹拌しながらゆっくりと滴加する。添加が完了した後
、還流を5時間硯ける。反応溶成が冷えたら沈降したN
aBr ’r:傾斜して除去し、エタノールをストリッ
プ除去し、粗生成物YIO%の水酸化ナトリウム水溶液
中に導入し、この混合液を昇温して沸騰させる。副生成
物として生じたジエーテルは沸騰下で不溶であり、1過
して除去する。
キシピフェニルのH造 ナトリウム0.5モル(11,5!9’ ) ’k 3
00−の絶対アルコール中に、湿気を排除しながら注意
深(添加する。ナトリウムがG解したなら、4 、4’
−ジヒドロキシビフェニル0.5モル(93F)’&加
、する。反応液を昇温して還流させ、光芋活性l−プロ
モー2−メチルブタン0.5モル(75,5P)を激し
く撹拌しながらゆっくりと滴加する。添加が完了した後
、還流を5時間硯ける。反応溶成が冷えたら沈降したN
aBr ’r:傾斜して除去し、エタノールをストリッ
プ除去し、粗生成物YIO%の水酸化ナトリウム水溶液
中に導入し、この混合液を昇温して沸騰させる。副生成
物として生じたジエーテルは沸騰下で不溶であり、1過
して除去する。
濾液ン冷却すると、モノエーテルのナトリウム塩が沈澱
する。これを濾別して、10%NaOHからもう一度再
結晶させる。次いでNa塩を水に溶解ピ、溶液をHCI
で酸性にしてフェノールを沈澱させる。フェノールを間
開し、水で洗滌し、乾燥する(融点135℃)。
する。これを濾別して、10%NaOHからもう一度再
結晶させる。次いでNa塩を水に溶解ピ、溶液をHCI
で酸性にしてフェノールを沈澱させる。フェノールを間
開し、水で洗滌し、乾燥する(融点135℃)。
4、Z 4−(6−ヒドロキシヘキソキシ)−4’−
(2−メチルブトキシ)−ピフェニルの製造 KOH4,5Pおよび4−ヒドロキシ−4’−(2−メ
チルブトキシ)−ピフェニル15P’kl:1の水/エ
タノール混合液15〇−中に溶解し、溶液を沸騰するま
で昇温し、6−クロロ−1−ヘキサノール9Pを撹拌下
にゆっくりと滴加し、その後ヱ体を約10時間還流させ
る。反応溶液が冷却したら、HCIで酸性にし、生成物
を分液ロート中で(JIC13で抽出する。次いでこの
CHCl3y<ストリップ除去し、粗生成物をエタノー
ルから再結晶させる(融点118℃)。
(2−メチルブトキシ)−ピフェニルの製造 KOH4,5Pおよび4−ヒドロキシ−4’−(2−メ
チルブトキシ)−ピフェニル15P’kl:1の水/エ
タノール混合液15〇−中に溶解し、溶液を沸騰するま
で昇温し、6−クロロ−1−ヘキサノール9Pを撹拌下
にゆっくりと滴加し、その後ヱ体を約10時間還流させ
る。反応溶液が冷却したら、HCIで酸性にし、生成物
を分液ロート中で(JIC13で抽出する。次いでこの
CHCl3y<ストリップ除去し、粗生成物をエタノー
ルから再結晶させる(融点118℃)。
4.3. 4−(6−(2−メチルプロペノイルオキシ
)−ヘキソキシ)−4′−(2−メチルブトキシ)−ビ
フェニル 4.2で製造されたビフェニA/訪導体6.8 i%
、メタクリル酸10.5?、p−)ルエンスルホンIi
& 0.51および重合禁止剤としてハイドロキノン0
.51′1tCHCI3100−に溶解し、溶gを水分
能器を用いて20時間遠濃させる。次いでこれtエーテ
ル100−中にとり、Na2CO3飽和溶液で数回洗滌
しく水相が着色を示さなくなるまで)、Na2SO4で
乾燥し、溶媒tストリップ除去する。粗生成物はエタノ
ールから再結晶させる。相転移に415B491゜4−
(6−(、’ロペノイルオ千シ)−ヘキソキシ〕−4′
−(2−メチルブトキシ)−ビフェニルは同様の方法で
製造される。
)−ヘキソキシ)−4′−(2−メチルブトキシ)−ビ
フェニル 4.2で製造されたビフェニA/訪導体6.8 i%
、メタクリル酸10.5?、p−)ルエンスルホンIi
& 0.51および重合禁止剤としてハイドロキノン0
.51′1tCHCI3100−に溶解し、溶gを水分
能器を用いて20時間遠濃させる。次いでこれtエーテ
ル100−中にとり、Na2CO3飽和溶液で数回洗滌
しく水相が着色を示さなくなるまで)、Na2SO4で
乾燥し、溶媒tストリップ除去する。粗生成物はエタノ
ールから再結晶させる。相転移に415B491゜4−
(6−(、’ロペノイルオ千シ)−ヘキソキシ〕−4′
−(2−メチルブトキシ)−ビフェニルは同様の方法で
製造される。
参考例1乃至4で製造されたモノマーは元素分析および
II(、とN11vlIt Icより同定された。
II(、とN11vlIt Icより同定された。
笑施り15
次式の構造の繰返し単位のネマチックホモポリおよび次
式の構造のキラールホモポリマーの、誘導コレステリッ
ク特性χ有する混合体娶製造する。
式の構造のキラールホモポリマーの、誘導コレステリッ
ク特性χ有する混合体娶製造する。
2つのホモポリマーはフリーラジカル塊状重合または溶
i重合によりてモノマーから製造される。
i重合によりてモノマーから製造される。
5.1. ネマチック液晶形成上ツマ−は以下のよう
にフリーラジカル塊状重合に付される。
にフリーラジカル塊状重合に付される。
モノマーはボールミル中で1モル%のアゾピスイソブチ
ロニトリルと混合され、!3!累の不存在下に2枚の小
ガ、ラス板の間に導入され、その融点以上(但しいかな
る場合も60℃以上)に原熱される。偏光顕微鏡の下で
調べると、反応混合物が光学的異方性の液晶特性を示す
ことが約3分後に見出される。重合が進行するKつれて
、透明な異方性物質は約10分後K(正確な時間はモノ
マーの型による)硬化し、2枚のガラス板をしりかつと
結合する。この状態でもし温度tホモポリマーのガラス
転移温度以上に昇温すると、ホモポリマーのメソ相域に
達する。この物質は液晶であり、その集合組織および分
子の配列は外的因子(電場および磁場あるいは圧力)K
よって変化させることができる。生成された配列は冷却
によってカラス状態に一定することができる。
ロニトリルと混合され、!3!累の不存在下に2枚の小
ガ、ラス板の間に導入され、その融点以上(但しいかな
る場合も60℃以上)に原熱される。偏光顕微鏡の下で
調べると、反応混合物が光学的異方性の液晶特性を示す
ことが約3分後に見出される。重合が進行するKつれて
、透明な異方性物質は約10分後K(正確な時間はモノ
マーの型による)硬化し、2枚のガラス板をしりかつと
結合する。この状態でもし温度tホモポリマーのガラス
転移温度以上に昇温すると、ホモポリマーのメソ相域に
達する。この物質は液晶であり、その集合組織および分
子の配列は外的因子(電場および磁場あるいは圧力)K
よって変化させることができる。生成された配列は冷却
によってカラス状態に一定することができる。
5.2 ネマチック液晶形成上ツマ−をフリーラジカ
ル溶液重合釦付す。それには、1%、2%あるいは4%
のアゾビスイソブチロニトリルヲ純ベンゼン中10%の
七ツマー溶液に加え、それぞれの混合液′9fe!R累
の不存在下に60℃で20時間加熱する。次いでホモポ
リマーlベンゼン溶[1容当り10容のメタノールで沈
澱させ、遠心分騙し、乾燥する。
ル溶液重合釦付す。それには、1%、2%あるいは4%
のアゾビスイソブチロニトリルヲ純ベンゼン中10%の
七ツマー溶液に加え、それぞれの混合液′9fe!R累
の不存在下に60℃で20時間加熱する。次いでホモポ
リマーlベンゼン溶[1容当り10容のメタノールで沈
澱させ、遠心分騙し、乾燥する。
若しモノマー
Cf12−C(C)13)−C00−(t:H2)2−
%CI)O−f)−0CH3tこの方法で重合すると、
ポリマーのメソ相域は1合開始剤の旗IfK実質上不閃
保であり、これは成製からも認められる。
%CI)O−f)−0CH3tこの方法で重合すると、
ポリマーのメソ相域は1合開始剤の旗IfK実質上不閃
保であり、これは成製からも認められる。
1% 123 101
2% 1215 98
4% 120 96
次に示す表は構造式
%式%
のモノマーからなるいくつかのホモポリマーの相転移を
あげたものである。
あげたものである。
几ln R2相転移
CM、 2 −001ち P 10
0 ri121jC1i、 6
−(JCH,P 95
n105iCHs b −CH:s
P 75 n 84iCM、 2 +0C
H1P L20 n177iC)i36 +0
CH3fi’ 60 $133 n271iQl、
3−()?約90 5176 n1873C)i36−
C)?約70 5164 n184jH6−()!?約
70 5176 n191iC)i、 2 +oc2)
1. li’−5212n300i次式 %式% のモノマーから得られたホモポリマーの相転移は次のと
おりである: t 120 n 150 i液晶から異
方性への相転移のエンタルピーはTLC測定により求め
た。
0 ri121jC1i、 6
−(JCH,P 95
n105iCHs b −CH:s
P 75 n 84iCM、 2 +0C
H1P L20 n177iC)i36 +0
CH3fi’ 60 $133 n271iQl、
3−()?約90 5176 n1873C)i36−
C)?約70 5164 n184jH6−()!?約
70 5176 n191iC)i、 2 +oc2)
1. li’−5212n300i次式 %式% のモノマーから得られたホモポリマーの相転移は次のと
おりである: t 120 n 150 i液晶から異
方性への相転移のエンタルピーはTLC測定により求め
た。
下記IC顧返し単位として構造式で示す前記と同様にし
て作られたキラールホモポリマーは次のような性質を示
す。
て作られたキラールホモポリマーは次のような性質を示
す。
Tel 140℃Tg約95℃ΔH(cal/g )
2.6 (スメスチック) \− Tel −−Tg約約95ムΔH(cal/g) (
’Ii方性)5、a 次のホモポリマーの20モル%
(モノマー単位に基き) および次式のネマチックホモポリマー80モル%をジオ
キサン:C溶解し、溶液ケ凍結乾燥する0浴媒除去され
た2つのホモポリマーの混合体は(U光顕微境の下で履
晶相においてコレステリックなGrandjeln @
織を示す。
2.6 (スメスチック) \− Tel −−Tg約約95ムΔH(cal/g) (
’Ii方性)5、a 次のホモポリマーの20モル%
(モノマー単位に基き) および次式のネマチックホモポリマー80モル%をジオ
キサン:C溶解し、溶液ケ凍結乾燥する0浴媒除去され
た2つのホモポリマーの混合体は(U光顕微境の下で履
晶相においてコレステリックなGrandjeln @
織を示す。
同様の方法を用いて、鼠分子量のキラール化合物火従来
のネマチックポリマー相と混合すると、フレステリック
ポリマー相が得られる。好1しくに、特定のネマチック
ポリマーのネマチック液晶形成上ツマ−の分子構造と類
似した構造を有するキラール化合物が採用される。
のネマチックポリマー相と混合すると、フレステリック
ポリマー相が得られる。好1しくに、特定のネマチック
ポリマーのネマチック液晶形成上ツマ−の分子構造と類
似した構造を有するキラール化合物が採用される。
代理人 弁理士 1)代 熱 治
Claims (5)
- (1) 式(a) ▲数式、化学式、表等があります▼ 「式中R_1は水素またはメチル、nは1から6までの
整数、R_3は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼ であり、更にZはCOO−またはOCO−、R_2は−
O(CH_2)_mH−(CH_2)_mHまたは−C
OO−(CH_2)_mH、mは1から6までの整数、
R_7は水素またはR_2である。」の構造のネマチッ
ク液晶形成ホモポリマーと、式(b) ▲数式、化学式、表等があります▼ 「式中R_1は水素またはメチル、nは1から10まで
の整数、R_4は ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼ であり、更にZはCOO−またはOCO−、R_3は−
CH=N−R_6、−OR_6、−COOR_6または
−R_6であり、R_6は炭素原子4から10のアルキ
ルまたは炭素原子7から10のアルキルアリールであっ
て少なくとも1つの不斉炭素原子を有する。」 の構造を有するキラールホモポリマーとを混合すること
よりなる液晶ポリマー組成物。 - (2)R_3が ▲数式、化学式、表等があります▼ ここでR_2は特許請求の範囲(1)におけると同じ意
味を有する。 である、特許請求の範囲(1)に記載の液晶ポリマー組
成物。 - (3)R_3が ▲数式、化学式、表等があります▼ ここでR_7は特許請求の範囲(1)におけると同じ意
味を有する。 である、特許請求の範囲(1)に記載の液晶ポリマー組
成物。 - (4)R_4が ▲数式、化学式、表等があります▼ である、特許請求の範囲(1)に記載の液晶ポリマー組
成物。 - (5)R_4が ▲数式、化学式、表等があります▼ である、特許請求の範囲(1)に記載の液晶ポリマー組
成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782831909 DE2831909A1 (de) | 1978-07-20 | 1978-07-20 | Fluessig-kristalline polymerphase mit cholesterischer struktur, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
DE2831909.7 | 1978-07-20 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9175979A Division JPS5521479A (en) | 1978-07-20 | 1979-07-20 | Liquid crystal polymer phase having cholesteric structure and its manufacture |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01308487A true JPH01308487A (ja) | 1989-12-13 |
JPH0474393B2 JPH0474393B2 (ja) | 1992-11-26 |
Family
ID=6044901
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9175979A Granted JPS5521479A (en) | 1978-07-20 | 1979-07-20 | Liquid crystal polymer phase having cholesteric structure and its manufacture |
JP1001401A Granted JPH01308487A (ja) | 1978-07-20 | 1989-01-09 | コレステリック構造を有する液晶ポリマー組成物 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9175979A Granted JPS5521479A (en) | 1978-07-20 | 1979-07-20 | Liquid crystal polymer phase having cholesteric structure and its manufacture |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0007574B1 (ja) |
JP (2) | JPS5521479A (ja) |
AT (1) | ATE3557T1 (ja) |
CA (1) | CA1116841A (ja) |
DE (2) | DE2831909A1 (ja) |
ZA (1) | ZA793668B (ja) |
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