JPH04228132A - 情報記憶媒体および該媒体を用いた記録・保持方法 - Google Patents

情報記憶媒体および該媒体を用いた記録・保持方法

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JPH04228132A
JPH04228132A JP3144137A JP14413791A JPH04228132A JP H04228132 A JPH04228132 A JP H04228132A JP 3144137 A JP3144137 A JP 3144137A JP 14413791 A JP14413791 A JP 14413791A JP H04228132 A JPH04228132 A JP H04228132A
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recording
information storage
liquid crystal
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temperature
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Kazuo Yoshinaga
和夫 吉永
Koichi Sato
公一 佐藤
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高分子液晶を用いた情
報記憶媒体に関し、特に高分子液晶の強誘電性カイラル
スメクチック相を利用する情報記憶媒体および該媒体を
用いた記録・保持方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光記憶方式は大容量かつランダム
アクセスに優れたものとして実用化されている。その中
で、現在、書き換え型光デイスクの研究が進められてお
り、光磁気効果を用いたもの、相変化を用いたものの実
用化が図られている。その中にあって高分子液晶も情報
記憶媒体として提案されている（特開昭５９−１０９３
０号公報，特開昭５９−３５９８９号公報，特開昭６２
−１５４３４０号公報）。その中では記録方式としてコ
レステリック性高分子液晶のらせんピッチ長を変えるか
、あるいは無配向状態のピット形成によって光反射率を
多値的に変化せしめる方式も提案されている（特開昭６
２−１０７４４８号公報，特開昭６２−１２９３７号公
報）。
【０００３】しかしながら、前記の高分子液晶を用いた
情報記憶媒体は消去速度が遅いために実用化の上で問題
となっていた。そのような問題点を解決するために、例
えば強誘電性高分子液晶を利用する情報記憶媒体が提案
されている。これらは記録・保持方法としてガラス転移
点を利用するものであった。（特開昭６３−１５３５２
０号公報，特開昭６３−２６６６４７号公報，特開昭６
３−２７１２２８号公報）一方、高速応答性に着目し、
低分子強誘電性液晶の表面安定化効果を利用した情報記
憶媒体も提案されている。［ジャーナル　　オブアプラ
イド　　フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．），
６７，９９６頁，（１９９０年）　］
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来例では、前者の様に記録内容を安定に保持するため
に、強誘電性高分子液晶のガラス転移温度を室温より十
分に高くすると、電界応答速度が低下し、応答の高速化
を十分に行なえない欠点があった。
【０００５】また、後者の低分子強誘電性液晶の表面安
定化効果を用いたものは、セル構成でなければ記録層を
保持できず、かつセルの厚さが１μｍ程度のセルを構成
しなければならないため、製造上の困難な問題があった
。また、記録された内容も高分子液晶を用いたものに比
較して不安定であり、長期の保存には適さない欠点があ
った。
【０００６】本発明は、高速で書き込み・消去ができ、
室温で記録内容を安定に保持することが可能な情報記憶
媒体および該媒体を用いた記録・保持方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、強誘電
性カイラルスメクチック相を有する高分子液晶を含有す
る記録層を有する情報記憶媒体であって、前記高分子液
晶がガラス転移温度より高温側にある強誘電性カイラル
スメクチック相の温度範囲内に、電界応答時間が２００
倍以上変化する温度域を有する高分子液晶からなること
を特徴とする情報記憶媒体、並びに該情報記憶媒体に対
し、強誘電性カイラルスメクチック相において加熱及び
電圧印加により情報を記録する工程と、該情報を保持す
る工程とを有することを特徴とする記録・保持方法を提
供するものである。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
情報記憶媒体は、記録層に強誘電性カイラルスメクチッ
ク相を有する高分子液晶が用いられる。該高分子液晶の
ガラス転移温度は情報を保持している温度（以下、記憶
保持温度という）以下であることが望ましい。また、強
誘電性を消失する高温側の転移温度（キューリー温度）
は、５０℃〜２５０℃であることが望ましい。５０℃未
満では、室温との温度差が小さすぎるために記録の安定
性と応答速度を両立させることが出来ず、２５０℃を越
えると高分子液晶の劣化が生じやすく、くり返し記録・
消去を行うことが困難であり、また記録感度も低下する
ため好ましくない。更に好ましくは、８０℃〜２００℃
の範囲である。
【０００９】また、本発明に用いられる強誘電性カイラ
ルスメクチック相を有する高分子液晶において、高速応
答性を得るためにはガラス転移温度は記憶保持温度以下
であるが、好ましくは−１０℃以下である。ここで、記
憶保持する温度は室温（２５℃〜３５℃）であるとよい
。
【００１０】本発明において、高分子液晶が記憶保持温
度以上に結晶相転移点を有していると、電界印加によっ
て記録もしくは消去された状態が破壊もしくは劣化を受
けるために好ましくない。より好ましくはガラス転移温
度以上に結晶相転移点を有していないことが望ましい。
【００１１】本発明の強誘電性カイラルスメクチック相
を有する高分子液晶を含有する記録層を有する情報記憶
媒体においては、加熱状態で電圧を印加し、記録状態を
選択し、その後冷却することにより記録状態が保持され
る。この時、前記高分子液晶がガラス転移温度より高温
側にある強誘電性カイラルスメクチック相の温度範囲内
に、電界応答時間が２００倍以上変化する温度域を有す
る高分子液晶を用いることで、従来にない記録保持状態
の優れた情報記憶媒体が得られる。なお、本発明の情報
記憶媒体を用いることで、ガラス転移点を利用せずとも
記録保持状態の優れた記録・保持方法が適用できる。
【００１２】本発明は強誘電性を利用した記録（もしく
は消去）を行なうため、強誘電性を示すカイラルスメク
チック相（特に、カイラルスメクチックＣ相）内に書き
込み（もしくは消去）温度を設定する必要があるが、記
憶保持温度は、例えばカイラルスメクチックＣ相外であ
ってもカイラルスメクチック相の温度範囲内であればよ
い。なお、情報の記録・消去を行う温度がキューリー点
付近で行なうと高速に記録・消去が行なえるので、特に
具体的にはキューリー点（情報を書き込む（もしくは消
去する）温度）での応答時間と比較して応答時間が２０
０倍以上増加する温度域を有する記録層を選択するとよ
い。
【００１３】このような情報記憶媒体とすることにより
、高分子液晶内部に生じる反転電界の影響を受けること
なく、安定に記録状態を保持することが可能となる情報
記憶媒体が得られる。また、より望ましくは３００倍以
上増加することにより、高速応答性と安定な記録状態保
持がさらに可能となる。
【００１４】さらに、このとき電界応答時間の温度変化
が１０ｄｅｇあたり２倍以上であることにより、電界印
加時間を短縮することが可能であり、高速で変調出来る
。より望ましくは１０ｄｅｇあたり３倍以上である。
【００１５】本発明で用いられる強誘電性カイラルスメ
クチック相を有する高分子液晶は、前述の特性を満足す
るものであれば単独重合体であっても共重合体であって
もよい。
【００１６】しかし、このような特性を有するところの
高分子液晶化合物は従来得ることが困難であった。その
理由は、ガラス転移温度を−１０℃以下とするためには
、フレキシブルスペーサー長を長くし、主鎖ポリマーの
柔軟なものを使用する必要があるが、このようなもので
は、結晶相が生じやすく、かつ応答時間を２００倍以上
に変化させることは困難であった。また、広いカイラル
スメクチック相の温度範囲を得ようとすると、３環系メ
ソーゲンを用いることになるが、やはり結晶相が生じや
すく、応答時間を２００倍以上に変化させることは困難
であった。
【００１７】本発明においては、このような問題点を解
決するために、特に好ましくは共重合体が用いられる。 このときに、例えばフレキシブルスペーサー長を長いも
のと短いものと組み合わせたり、メソーゲン基を２環系
のものと３環系のものを組み合わせたりして適宜組み合
わせ方を選択することにより、前記特性を満足するもの
が得られる。
【００１８】ここでフレキシブルスペーサー鎖とは、メ
ソーゲン間を結合する基であり、好ましくはフレキシブ
ルスペーサー鎖の炭素数としては４〜１６のものが用い
られる。
【００１９】共重合体として用いることのできる構造と
しては、次のようなものが挙げられる。（下記式中　　
ｐ＝５〜１０００，ｑ＝１〜１８である）
【００２０】
【化１】
【００２１】
【化２】
【００２２】
【化３】
【００２３】
【化４】
【００２４】
【化５】
【００２５】
【化６】
【００２６】
【化７】
【００２７】
【化８】
【００２８】
【化９】
【００２９】
【化１０】
【００３０】さらに、レーザー光等にて書き込み、消去
を行なう場合には、レーザー光吸収層を設けるか、もし
くは高分子液晶化合物を含有する記録層へレーザー光吸
収化合物を添加することによって感度を向上させること
ができる。高分子液晶化合物を含有する記録層へ添加す
るレーザー光吸収化合物の例としては、アゾ系化合物、
ビスアゾ系化合物、トリスアゾ系化合物、アンスラキノ
ン系化合物、ナフトキノン系化合物、フタロシアニン系
化合物、ナフタロシアニン系化合物、テトラベンゾポル
フィリン系化合物、アミニウム塩系化合物、ジイモニウ
ム塩系化合物、金属キレート系化合物等がある。
【００３１】前記のレーザー光吸収化合物のうち半導体
レーザー用化合物は近赤外域に吸収をもち、安定な光吸
収色素として有用であり、かつ高分子液晶化合物に対し
て相溶性もしくは分散性がよい。又中には二色性を有す
るものもあり、これら二色性を有する化合物を高分子液
晶中に混合すれば、熱的に安定なホスト−ゲスト型のメ
モリー及び表示媒体を得ることもできる。また高分子液
晶化合物中には上記の化合物が二種類以上含有されてい
てもよい。
【００３２】また、上記化合物と他の近赤外吸収色素や
２色性色素を組み合せてもよい。好適に組み合せられる
近赤外吸収色素の代表的な例としては、シアニン、メロ
シアニン、フタロシアニン、テトラヒドロコリン、ジオ
キサジン、アントラキノン、トリフェノジチアジン、キ
サンテン、トリフェニルメタン、ピリリウム、クロコニ
ウム、アズレンおよびトリフェニルアミン等の色素が挙
げられる。
【００３３】なお、高分子液晶に対する上記化合物の添
加量は重量％で、０．１〜２０％程度、好ましくは、０
．５〜１０％がよい。本発明で用いる高分子液晶化合物
は高分子サーモトロピック液晶であり、中間相であるネ
マチックやスメクチックやカイラルスメクチックやコレ
ステリックの相を利用する。
【００３４】図１は本発明の情報記憶媒体の一例を示す
断面図である。同図に示すように、本発明の情報記憶媒
体は、ディスク状，カード状，テープ状のガラス板又は
プラスチック板などからなる基板１に透明電極２が平面
もしくは所定のパターンで形成されている。
【００３５】この様な透明電極２を設けた基板１には、
配向制御膜として、例えば一酸化珪素，二酸化珪素，酸
化アルミニウム，ジルコニア，フッ化マグネシウム，酸
化セリウム，フッ化セリウム，シリコン窒化物，シリコ
ン炭化物，ホウ素窒化物などの無機絶縁物質やポリビニ
ルアルコール，ポリイミド，ポリアミドイミド，ポリエ
ステルイミド，ポリパラキシレリン，ポリエステル，ポ
リカーボネート，ポリビニルアセタール，ポリ塩化ビニ
ル，ポリアミド，ポリスチレン，セルロース樹脂，メラ
ミン樹脂，ユリア樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物
質を用いて被膜形成した配向制御膜５を設けることがで
きる。
【００３６】この配向制御膜５は、前述の如き無機絶縁
物質又は有機絶縁物質を被膜形成した後に、その表面を
ビロード、布や紙で一方向に摺擦（ラビング）すること
によって得られる。
【００３７】本発明の別の好ましい具体例では、ＳｉＯ
やＳｉＯ２　などの無機絶縁物質を基板１の上に斜め蒸
着法によって被膜形成することによって配向制御膜５を
得ることができる。
【００３８】また、別の具体例ではガラス又はプラスチ
ックからなる基板１の表面あるいは基板１の上に前述し
た無機絶縁物質や有機絶縁物質を被膜形成した後に、該
被膜の表面を斜方エッチング法によりエッチングするこ
とにより、その表面に配向制御効果を付与することがで
きる。
【００３９】前述の配向制御膜５は、同時に絶縁膜とし
ても機能させることが好ましく、このために、この配向
制御膜５の膜厚は一般に１００Å〜１μｍ、好ましくは
５００Å〜５０００Åの範囲に設定することができる。 この絶縁層は記録層３に微量に含有される不純物等のた
めに生ずる電流の発生を防止できる利点をも有しており
、従って動作を繰り返し行っても高分子液晶化合物を劣
化させることがない。
【００４０】また、本発明においては、記録層の高分子
液晶化合物の分子配列を確実に行うものとしては、一軸
延伸、二軸延伸、インフレーション延伸等の延伸法やシ
エアリングによる再配列が好ましい。スタンパー等によ
るエンボス時にシエアリングを行うことは製造上有効で
ある。単独ではフィルム性がなく延伸が困難なものはフ
ィルムにサンドイッチすることで共延伸し、望ましい配
向を得ることができる。
【００４１】その他の配向方法としては、電場や磁場に
よる配向やシェアリングによる配向等を用いることがで
きる。
【００４２】以上のような情報記憶媒体において、記録
・消去する過程としては、図１に示す様に、前記配向し
た記録層を加熱し、電圧印加装置７によって一定方向へ
分極を配列させ、冷却することによって初期化を行うこ
とが出来る。次に、電圧印加装置７により初期化時とは
逆の電圧を印加しつつ加熱用レーザー光１５により記録
部分１６を選択する。その後、加熱用レーザー光１５を
除去し、冷却することにより記録部分１６は初期化部と
逆の分極が配列され固定化される。この状態は室温では
非常に安定であり、電圧印加装置７によって変化しない
。
【００４３】基板上に設けた高分子液晶を含有する記録
層の溝形状の一例を図２（ａ）〜（ｄ）に示す。又、実
験の結果から、図３および図４に例示する溝の大きさ、
すなわち溝の深さａ，溝の幅ｂ，溝のランド部幅ｃは、
溝の深さａは０．０５μｍ〜０．２μｍ、溝の幅ｂは０
．５μｍ〜２．０μｍ、溝のランド部の幅ｃは０．５〜
２．０μｍ、　特に溝の深さａは０．１μｍ〜０．２μ
ｍ，溝の幅ｂは０．５μｍ〜１．０μｍ，　溝のランド
部の幅ｃは１．０μｍ〜２．０μｍが好ましいことが確
認できた。ただし、上記条件の３つとも全てを満たさず
とも、上記条件の中で溝の深さを少なくとも上記範囲内
に設定しておけばそれでも効果は得られる。又、溝の形
はさほど影響しないことも確認できた。
【００４４】上述の特定のデイスク基板を用いて情報記
憶媒体を得ると、この基板にはさまれた高分子液晶層を
等方性液体温度以上に昇温し、徐冷して配向させるとス
パイラル状又はコンセントリック状の溝方向に均一配向
する情報記憶媒体を得ることができる。デイスクの構成
として、図５で示される断面図のように、記録層３が片
方だけ溝付き基板１ａで他方は平板の基板１で挟まれる
構造（図５参照）でもよい。少なくとも一方が本発明に
おける溝形状を有していれば、いずれも良好に配向した
液晶層が得られる。また、溝はスタンンパーを用いての
転写方法や射出成形により形成させることができる。
【００４５】また、図６で示すように電界を印加するこ
とを可能にしたデイスク構成も用いられる。１つの例と
して、図６では、基板１の上にＩＴＯ蒸着膜のような導
電性膜１１を設け、その上に溝構造をもつ膜１３を形成
した基板と、導電性膜（反射層４）を設けたもう一方の
基板１との間に高分子液晶化合物を含有する記録層３を
配置した断面構造より成っている。
【００４６】又、図７に本発明の情報記憶媒体を用いて
、記録再生する装置の概略図を示す。記録の際は半導体
レーザ９を光学系を通して情報記憶媒体１４に照射し、
又再生する際は半導体レーザ９をいったん情報記憶媒体
１４にあて、もどってきた光をビームスプリッター８を
通じて光検出器１０で読みとる。
【００４７】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。 実施例１ 下記構造式（Ｉ）および（ＩＩ）で示す単量体をそれぞ
れ０．６３ｇと０．６７ｇを乾燥トルエン中に溶解し、
３ｍｏｌ％のＡＩＢＮ（アゾビスイソブチロニトリル）
を加え凍結脱気後、６０℃で２４時間反応させた。メタ
ノール中で再沈澱をくり返し共重合ポリマー０．６８ｇ
を得た。（収率　　５２％）
【００４８】
【化１１】
【００４９】
【化１２】
【００５０】ＧＰＣによる分子量数平均分子量９４００
，　　重量平均分子量１２７００相転移温度（℃）
【０
０５１】
【数１】 　　　　　　　　　　−２１　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　３６　　　　　　　　─
───→　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　───→ガラス相　　　　　　　　　　カイラルスメ
クチック相　　　　　　　　カイラルスメクチックＣ相
　　　　　　　　←────　　　　　　（未同定）　
　　　　　←───　　　　　　　　　　−２６　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３４
　　　　９１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　１０９　　───→　　　　　　　　　　　　　
　　　　　────→　　　　　　　　　　スメクチッ
クＡ相　　　　　　　　　　　　等方相　　←───　
　　　　　　　　　　　　　　　　　←────　　　
　８９　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１０７
【００５２】
【数２】 比旋光度　　　　［α］Ｄ２５　＝＋８．９°（ＣＨＣ
ｌ３　）
【００５３】図８に得られた高分子液晶共重合
体の電界応答時間の温度依存性を示す。図８から、この
高分子液晶共重合体は、電圧±４０Ｖ，膜厚１μｍの条
件下において、３５℃（応答時間：１２０ｍｓｅｃ）か
らカイラルスメクチック相の８５℃（応答時間：４８０
μｓｅｃ）の温度範囲で、電界応答時間は約２５０倍変
化していることが認められる。
【００５４】次に、得られた高分子液晶共重合体をクロ
ロホルムへ溶解し２０ｗｔ％とし、さらに近赤外吸収色
素（山本化成（株）製、ＮＩＲ−１３）を高分子液晶共
重合体に対して１．５ｗｔ％添加した。
【００５５】次に、Ａｌを３０００Åの厚さに蒸着した
カード状ガラス基板へポリイミド配向膜（日産化学工業
（株）、高純度ポリイミド　　ワニス　　サンエバー１
００）を５００Åの厚さに形成し、ラビング法により一
軸配向性を与えた。また、もう一方のＩＴＯを１０００
Åの厚さに蒸着したガラス基板へも同様の処理をした。 該ＩＴＯ付ガラス基板へ上記の高分子液晶溶液をスピナ
ー塗布し、乾燥後１μｍの膜厚を形成たものへ、前記Ａ
ｌ付ガラス基板を圧着して加熱冷却し、シェアリング法
により配向を行い、情報記憶媒体を得た。
【００５６】得られた情報記憶媒体の上下基板へ＋４０
Ｖの電圧を印加し、９０℃（キューリー点近傍）から冷
却することで初期化を行った。次に、室温で上下基板へ
−４０Ｖの電圧を印加し、出力５ｍＷ，波長８３０ｎｍ
の半導体レーザーを１０ｍｓｅｃのパルスとして集光照
射したところ、照射部分の分極が反転し、分子配向軸が
４０°回転した。これにより記録を行うことができた。
【００５７】クロスニコルで出力０．５ｍＷ，波長８３
０ｎｍの半導体レーザーで再生したところ、反射率は初
期化部分で６０％、記録部分で１０％であり、情報記憶
媒体として好適に使用しうることを確認した。次に、記
録部分は室温（２５℃）で１ヵ月保存した後も変化しな
かった。
【００５８】実施例２，３ 記録層の膜厚を代えた以外は実施例１と同様の方法によ
り情報記憶媒体を得た。得られた情報記憶媒体を実施例
１と同様の方法で記録状態の安定性の試験を行った。そ
の結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
【００６０】実施例４ ジエチル−４，４′−ビフェニルジカルボキシレート３
．０ｇ、下記式（ＩＩＩ）で表されるジオール１．３ｇ
、下記式（ＩＶ）で表されるジオール１．０ｇにテトラ
−イソプロピルチタネート０．００１５ｇを加え、Ｎ２
　気流下、１５０℃で１時間加熱撹拌下で反応させた。 次に、減圧しつつ２３０℃まで昇温し、５時間反応させ
て最終減圧度０．５ｍｍＨｇで反応を終了した。
【００６１】反応生成物をクロロホルムへ溶解し、メタ
ノールへ投入することにより再沈をくり返した後、減圧
乾燥して白色ポリマー２．５ｇを得た。
【００６２】
【化１３】
【００６３】
【化１４】
【００６４】得られた高分子液晶共重合体の物性は次の
とうりである。
【００６５】
【００６６】
【数３】 　　　　　　　　　　１５ 　　　　　　　　────→ ガラス相　　　　　　　　　　カイラルスメクチックＣ
相　　　　　　　　←──── 　　　　　　　　　　１０ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　１０５　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　１８０　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　────→　　　　　　　　　　　　　　　
　────→　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　スメクチックＡ相
　　　　　　　　　　等方相　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　←────　　　　　　
　　　　　　　　　　←────　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　１０１　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　１７６
【００６７】
【数４】比旋光度　　　　［α］Ｄ２５　＝＋４．５°
（Ｃ＝１．０５、クロロホルム）
【００６８】図９に得られた高分子液晶共重合体の電界
応答時間の温度依存性を示す。図９から、この高分子液
晶共重合体は、電圧±４０Ｖ，膜厚１μｍの条件下にお
いて、４５℃（応答時間：３ｓｅｃ）からカイラルスメ
クチック相の１００℃（応答時間：７ｍｓｅｃ）の温度
範囲で、電界応答時間は約４００倍変化していることが
認められる。
【００６９】高分子液晶共重合体をクロロホルムへ溶解
し２０ｗｔ％とし、さらに近赤外吸収色素（山本化成（
株）製、ＮＩＲ−１３）を高分子液晶に対して１．５ｗ
ｔ％添加した。
【００７０】実施例１と同様の基板に挟持して配向処理
を行った。次に、上下基板へ＋４０Ｖを印加し１２０℃
から冷却することで初期化を行った。次に、室温で上下
基板へ−４０Ｖを印加し、出力５ｍＷ，波長８３０ｎｍ
の半導体レーザーを５０ｍｓｅｃのパルスとして集光照
射したところ、照射部分の分極が反転し、分子配向軸が
３０°回転した。これにより記録を行うことができた。
【００７１】クロスニコル状態で出力０．５ｍＷの波長
８３０ｎｍ半導体レーザーで再生したところ、反射率は
初期化部分で６５％、記録部分で２０％であった。記録
部分は３０℃で１ヵ月後も変化しなかった。
【００７２】実施例５ 実施例１で用いた情報記憶媒体について、同様の条件で
記録し、各温度での偏光顕微鏡にて観測される記録保持
時間（Ｔｍｉｎ）の対数値と、その温度での電界応答時
間比を図１０に示す。電界応答時間比は、実施例１で求
めた図８に示すとろこの各温度での応答時間（τ）を９
０℃における応答時間（τＣｌ）で割った値である。
【００７３】図１０に示す結果から、電界応答時間比が
２００倍以上では１ヵ月以上にわたって極めて安定に記
録状態を保持していることが認められる。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガラス転移温度より高温側にある強誘電性カイラルスメ
クチック相を有する高分子液晶を含有する記録層を有す
る情報記憶媒体であって、前記高分子液晶の電界応答時
間が強誘電性カイラルスメクチック相温度範囲で２００
倍以上変化することにより、高速記録・消去が出来、か
つ室温で安定に記録状態を保持することが可能な効果を
有する情報記憶媒体を得ることができる。
【００７５】また、該情報記憶媒体を用いた記録・保持
方法は、ガラス転移温度（Ｔｇ）を利用しない保持方法
であり、安定に記録状態を保持する新規な方法を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の情報記憶媒体の一例を示す断面図であ
る。
【図２】記録層の溝形状の断面模式図である。
【図３】記録層の溝形状の大きさの一例を示す説明図で
ある。
【図４】記録層の溝形状の大きさの他の例を示す説明図
である。
【図５】本発明の情報記憶媒体の他の例を示す部分模式
図である。
【図６】本発明の情報記憶媒体の他の例を示す部分模式
図である。
【図７】本発明の情報記憶媒体を用いた記録再生装置の
概略図である。
【図８】実施例１の高分子液晶の電界応答時間の温度依
存性を示すグラフである。
【図９】実施例４の高分子液晶の電界応答時間の温度依
存性を示すグラフである。
【図１０】実施例５の記録保持時間と電界応答時間比の
結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１，１ａ　　基板 ２　　透明電極 ３　　記録層 ４　　反射層 ５　　配向制御膜 ６　　溝 ７　　電圧印加装置 ８　　ビームスプリッター ９　　半導体レーザ １０　　光検出器 １１　　導電性膜 １２　　溝構造をもつ膜 １４　　情報記憶媒体 １５　　加熱用レーザー光 １６　　記録部分

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　強誘電性カイラルスメクチック相を有
    する高分子液晶を含有する記録層を有する情報記憶媒体
    であって、前記高分子液晶がガラス転移温度より高温側
    にある強誘電性カイラルスメクチック相の温度範囲内に
    、電界応答時間が２００倍以上変化する温度域を有する
    高分子液晶からなることを特徴とする情報記憶媒体。
  2. 【請求項２】　　前記電界応答時間の温度変化が１０ｄ
    ｅｇあたり２倍以上である請求項１記載の情報記憶媒体
    。
  3. 【請求項３】　　前記請求項１で示される情報記憶媒体
    に対し、強誘電性カイラルスメクチック相において加熱
    及び電圧印加により情報を記録する工程と、該情報を保
    持する工程とを有することを特徴とする記録・保持方法
    。
  4. 【請求項４】　　該記録工程が高分子液晶のキューリー
    温度付近で行なわれる請求項３記載の記録・保持方法。
  5. 【請求項５】　　該保存工程が該高分子液晶のガラス転
    移温度より高温にある記憶保持温度で行なわれる請求項
    ３記載の記録・保持方法。
  6. 【請求項６】　　該記憶保持温度がカイラルスメクチッ
    ク相内にある請求項５記載の記録・保持方法。
  7. 【請求項７】　　該記憶保持温度が２５℃〜３５℃であ
    る請求項６記載の記録・保持方法。
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