JPH01305544A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01305544A
JPH01305544A JP13542588A JP13542588A JPH01305544A JP H01305544 A JPH01305544 A JP H01305544A JP 13542588 A JP13542588 A JP 13542588A JP 13542588 A JP13542588 A JP 13542588A JP H01305544 A JPH01305544 A JP H01305544A
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JP
Japan
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printed wiring
board
resin
semiconductor chip
semiconductor device
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JP13542588A
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Shinichiro Asai
新一郎 浅井
Kazuo Kato
和男 加藤
Akira Kobayashi
晃 小林
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Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
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Publication date
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体装置に関し、特に高速性を要求される
高放熱かつ多ぎン用の半導体装置に関する。
(従来の技術) 従来、高速、高放熱、多ピン用パッケージとしては、第
6図に示すようにアルミナを材料としたセラミック基板
2上にプリント配線フィルム材8を接着し、半導体チッ
プ3とプリント配線9とをワイヤー10で結合した構造
のPGAなどが知られている( Kazuhiro 5
akashita、andHiroshiSh i b
ata工MCl 986Proceedings、 K
obe+ Ma y 28〜30.1986)。
このようなパッケージの特徴としては、プリント配線パ
ターンのシート抵抗が低く、またプリント配線フィルム
材8の誘電率が低いだめ高速性能にすぐれ、まだ熱放散
は、セラミック基板2を介してなされるため優れておp
、ECLなどの高速・高発熱■Cにも満足して利用され
るものであった。またプリント配線フィルム材8の採用
にょシ全セラミックタイプと異なシセラミック基板2に
対する配線パターンがプリント配線フィルム材8の上で
行なわれるだめ比較的安価で、容易に複雑なパターンの
パッケージを得られる利点があった。
しかしながら、プリント配線回路の利用はなされたもの
の、ピン4は、セラミック基板2の加工性の問題から最
初に取シ付けられるため、1 半導体チップ3の搭載は
、ピン4を取り付けだセラミック基板2にプリント配線
フィルム材8を接着した後でないとできない。
2、 ポツティング、ワイヤーボンディングなどの複雑
な作業は、最後となシ作業能率が低下する。
6、 セラミック基板2は、その他全般に加工の複雑さ
があり最終収率が低℃・。
等の問題点を抱えている。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、かかる問題点を解決するものであり、ピンが
接続される部分に加工性に優れたプリント配線樹脂基板
を用い、該プリント配線樹脂基板に開口部を設け、ここ
にセラミック基板を接合し、ワイヤーでセラミック基板
上にある半導体チップとプリント配線とを接続すること
により、半導体装置を作ることができることを見出し本
発明を完成するに至った。
(課題を解決するための手段) すなわち本発明は、プリント配線を備えたブリント配線
樹脂板開口部に、半導体搭載用のセラミック基板を接合
し、ワイヤーを介して前記プリント配線と搭載した半導
体チップとを接続してなることを特徴とする半導体装置
である。
(実施例) 以下図面により本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の半導体装置を示す断面図であり、プ
リント配線樹脂基板1の開口部には、半導体チップ3が
位置するように半導体チップ3を搭載したセラミック基
板2が接着されている。そして半導体チップ3は、ワイ
ヤー10によりプリント配線9と接続し、そしてこれら
半導体チップ3、シリンド配線9は、封止材11により
封止されている。
まだ第2図は、本発明の半導体装置の別の実施例であシ
、第1図のセラミック基板2に相当する基板に金属板5
が取り付けられているものである。
次に第6〜4図は、半導体装置の放熱の高めるだめに放
熱フィン6をセラミック基板2側に設けたものである。
本発明の半導体装置に用いるプリント配線樹脂基板1と
しては、紙フエノール樹脂基板、紙エポキシ樹脂基板、
ガラスエポキシ樹脂基板、ガラスビスマレイド樹脂基板
、ポリイミド樹脂基板、アラミドエポキシ樹脂基板、ア
ラミドポリイミド樹脂基板及びこれらの樹脂板と金属板
とを組合せだ基板などがある。またプリント配線9は、
銅パターンに金メツキしたもの及びノ・ンダレジスト印
刷を加えられたもの、また銅とアルミニウムとのクラン
ド基を選択エツチングしたものなどを使用することかで
きる。さらにプリント配線9は、−層もしくは多層のい
ずれであってもよい。
次にセラミックス基板2としては、アルミナ、■ シリカ、ベリリヤなどの酸化物基板、BN、 A%Nな
どの窒化物基板及びSiC%ダイヤモンドなどの炭化物
基板などが用いられ、特にAiN基板がコストパフォー
マンス、誘電率、熱伝導率の点からバランスが取れて好
ましい。これらのセラミック基板2は、前記の基材のま
までもよいが、表面をメタライズ加工して使用してもよ
く、メタライズとしては、銀ペースト、金波−スト、銀
・パラジウムペースト、銀ロウ、ニッケルメッキ、タン
グステンメツキ、などがあり、また銅板を張合せて使用
することもできる。
さらに本発明の半導体装置に使用する放熱フィン6の材
質としては、アルミニウム、銅々どの熱伝導の良いもの
が用いられる。
前記の基板やフィンは、接着剤を用いて接着するもので
あり、プリント配線樹脂基板1とセラミック基板2との
接着には、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ゴム系な
どの接着剤が使用される。
また第2図に示すセラミック基板2に代わって金属板5
とプリント配線樹脂基板1とを接着するときには、主に
エポキシ系樹脂が好ましい。セラミック基板2と半導体
チップ3との接着には、エポキシ系接着剤を用いるが、
セラミック基板2がメタライズされているときは、ハン
ダ、金・シリコンアロイを用いて接着する。
さらにプリント配線樹脂基板1と放熱フィン6との接着
には、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、コゝム系など
の接着剤を利用することができるが、フィン6の材質が
銅の場合はハンダ付けも可能である。
シリンド配線樹脂基板1に挿入されるピン4は、リン青
銅、青銅、コパール鉄などの各種ピンがもちいられるが
、これらは、必要に応じてハンダ、ニッケル、銀、金、
などのメツキをしたものを使用することもできる。2ン
4とプリント配線樹脂基板1との接着は、基板1のスル
ホールへの274挿入によるハンダ付けが好ましいが、
片面基板へのハンダ付け、その低銀エポキシ樹脂でもよ
い。
まだピン4は、第5図に示すように、あらかじめポリエ
ステル、r’po、pps、pgs、などの熱可塑性樹
脂又はフェノール樹脂、エポキシ樹脂、などの熱硬化樹
脂によって、インザート成形し規則的配列されているピ
ン埋込み樹脂板7を用いてもよい。プリント配線樹脂基
板1へのピン4の固定方法は、セラミック基板2に搭載
された半導体チップ3とプリント配線9とが、ワイヤー
10でボンディングされた後、あるいはセラミック基板
2がピリント配線樹脂基板1と接着する以前のいずれで
あってもよいが、作業性を考慮すると製造工程の最後に
行うほうが効率よい。
発明の半導体装置の製造方法は、第1図を例に説明する
と、まずプリント配線樹脂基板1としてガラスエポキシ
樹脂基板と使用し、該基板1に銅とアルミニウムとのク
ラツド箔のプリント配線9で基板1に接着する。つづい
て半導体チップ3を搭載してプリント配線9とをワイヤ
ー10によってボンディングを行う。そして最後の工程
としてピン4ば、基板1にあらかじめ設けられたスルホ
ールを利用してプリント配線9とハンダで接着する。
(発明の効果) 以上のとおり本発明は、従来と同様な高速性、高放熱性
および多ピンを備えた半導体装置であって、しかもピン
を設けるプリント基板部分に樹脂系を使用することによ
シ、加工性が容易となる特徴を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1〜5図は、本発明のそれぞれの実施例を表す断面図
であり、第6図は、従来例を表す断面図である。 符号 1・・・プリント配線樹脂基板 2・・・セラミック基板  3・・・半導体チップ4・
・・ピン       5・・・金属板6・・・放熱フ
ィン    7・・・ピン埋込み樹脂板8・・・プリン
ト配線フィルム材 9・・・プリント配線   10・・・ワイヤー11・
・・封止材 特許出願人 電気化学工業株式会社 第5図 第6図 ):イペー 、打頭乙

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、プリント配線を備えたプリント配線樹脂板開口部に
    、半導体搭載用のセラミック基板を接合し、ワイヤーを
    介して前記プリント配線と搭載した半導体チップとを接
    続してなることを特徴とする半導体装置。 2、半導体搭載用のセラミック基板が放熱フィンに接合
    されてなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の半導体装置。 3、プリント配線板が多数のピンを接続してなることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
JP13542588A 1988-06-03 1988-06-03 半導体装置 Pending JPH01305544A (ja)

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JP13542588A JPH01305544A (ja) 1988-06-03 1988-06-03 半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011014917A (ja) * 2010-08-20 2011-01-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 金属積層構造体
US8993121B2 (en) 2010-02-19 2015-03-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Metal laminated structure and method for producing the same
US9199433B2 (en) 2009-06-30 2015-12-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Metal laminated structure and method for producing the metal laminated structure

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS60250655A (ja) * 1984-05-25 1985-12-11 Nec Corp 集積回路パツケ−ジ

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