JPH01268065A - 縦型電界効果トランジスタ - Google Patents

縦型電界効果トランジスタ

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JPH01268065A
JPH01268065A JP63097202A JP9720288A JPH01268065A JP H01268065 A JPH01268065 A JP H01268065A JP 63097202 A JP63097202 A JP 63097202A JP 9720288 A JP9720288 A JP 9720288A JP H01268065 A JPH01268065 A JP H01268065A
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美朝 高橋
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電流検出用機能を備えた縦型電界効果トランジ
スタの特性改善に関し、特に電流検出の精度向上と電流
検出機能を備えた事による耐圧の低下の防止に関するも
のである。
〔従来の技術〕
従来電流検出機能を備えた縦型電界効果トラン。
ジスタでは能動セルの一部（能動セルの１／１０００程
度）を利用し、能動セルと電流検出セルのソース電極を
分離して電流検出を行なっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来技術の縦型電界効果トランジスタは第２図
に示すように同−Ｎ−ドレイン２内に、ベース３内に形
成された能動セル２ｏとベース３′内に形成された電流
検出セル３ｏとを有しており、電流検出セル３０のソー
ス電極（電流検出取り出し電極）８つ電位が能動セル２
ｏのソース電極７の電位と異なる場合には電流検出セル
３゜のチャネルを形成するベース領域３は電流検出セル
３０のソース電極８と接続されているため能動セル２０
のゲート・ソース間バイアスと電流検出セル３０のゲー
ト・ソース間バイアスとでは異するため検出電流が電流
検出セル３０のソース電極の電位の影響を受け、このた
め検出電流の精度が悪くなり特にゲート電圧が低い場合
には著しいという欠点がある。
また電流検出セル３０は電流検出電極８の電位が固定さ
れない場合（例えば電流検出端子を使わない様な場合）
、電流検出セル３０のベース領域３′は浮遊電位となる
ため空乏層の延びが能動セル部２０に比べ抑えられ耐圧
の低下を起こすという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の縦型電界効果トランジスタでは、この様な不都
合をなくすために能動セルのチャネルを形成するベース
領域と電気的に接続された電流検出セルのベース領域及
び電流検出電極が電流検出セルのソース領域のみと接続
された電流検出セルを有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図であり、ここではｎ
チャネルを例にしている。図中１はＮ＋ドレイン、２は
Ｎ−ドレイン、３はベース、４はソース、５はゲート電
極、６は絶縁膜、７はソース電極、８は電流検出電極、
９はベース電極、１０はドレイン電極である。電流検出
セル３０のベース領域３′はベース電極９を通して能動
セル２０のソース電極７に電気的に接続されている。
また電流検出電極８は電流検出セル３０のソース４′と
のみ接続されている。
以上にｎチャンネル型の例を示したが、本発明はｐチャ
ンネル型にも適用可能なことは明らかである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は電流検出セルのと チャネルを形成するベース領域を能動セルのチャネルを
形成するベース領域とを電気的に接続し、さらに電流検
出電極を電流検出セルのソース領域とのみ接続させるこ
とによ恢、電流検出セルのゲート・ベース領域間電圧と
能動セルのゲート・ベース領域間電圧を等しくできるた
め電流検出電極から取り出される電流は電流検出電極の
電位の影響を受けにくく電流検出の精度を向上させるこ
とができる。
また電流検出セルのベース領域が能動セル（７）ベース
領域と電気的に接続されているため電流検出電極が使わ
れない場合に於てもベース領域の電位が固定されるため
耐圧低下は起きない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明をＮチャネル縦型電界効果トランジスタ
に応用した実施例の断面図、第２図は従来の縦型電界効
果トランジスタの断面図である。 １・・・・・・Ｎ＋ドレイン、２・・・・・・Ｎ−ドレ
イン、３・・・・・・ベース、４・・・・・・ソース、
５・・・・・・ゲート電極、６・・・・・・絶縁膜、７
・・・・・・ソース電極、８・・・・・・電流検出電極
、９・・・・・・ベース電極、１０・・・・・・ドレイ
ン電極、２０・・・・・・能動セル、３０・・・・・・
電流検出セル。 代理人　弁理士　　内　原　　　音 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　表面にソース及びゲートを有し、裏面にドレインを有
    し、さらに電流検出用ＭＯＳＦＥＴ素子を備えた縦型電
    界効果トランジスタに於て、前記電流検出用ＭＯＳＦＥ
    Ｔ素子のチャネルを形成するベース領域が、縦型電界効
    果トランジスタ本体のチャネルを形成するベース領域と
    電気的に接続され、前記電流検出用ＭＯＳＦＥＴ素子の
    電流取り出し電極が前記電流検出用ＭＯＳＦＥＴ素子の
    ソース領域とのみ接続されていることを特徴とする縦型
    電界効果トランジスタ。
JP63097202A 1988-04-19 1988-04-19 縦型電界効果トランジスタ Expired - Lifetime JPH0777262B2 (ja)

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