JPH01263959A - 光磁気記録媒体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録媒体に係わり、さらに詳しくはその
光磁気記録膜の製造法に関する。

〔従来の技術〕

光磁気記録膜をスパッタリング法により作製する際の導
入アルゴンガス圧は、薄膜の堆積速度が速いという点か
ら５ｘｌＯ−３ｔｏｒｒ　　（６，７ｘ１０−’Ｐａ）
付近が適するとか、選択的再スパツタリング効果が少な
くターゲット組成に近い膜になるという点から４〜５ｘ
ｌ　Ｑ−”ｔ　ｏ　ｒ　ｒ　　（５，３〜８Ｐａ）の範
囲が適するといった報告にみられるように、膜組成に依
存する磁気特性や堆積速度等から５Ｘ１０−”ｔｏｒｒ
以上に設定される場合が多かった。

しかし、５Ｘ１０−３ｔｏｒｒ以上のアルゴン圧下で、
作製された光磁気記録膜は、膜質が粗で、又、アルゴン
ガスのとりこみ量も多いため反射率が低く、さらに耐食
性も低いという欠点をもっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、従来光磁気記録膜が持っていた低反射率、低
耐食性という欠点を解決し、信号品質および信頌性の高
い光磁気媒体の製造方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

前述の目的を達成するため、本発明は、例えばＦｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉなどの遷移金属と、例えばＴｂ。

Ｇｄ、Ｉ））ｌ、Ｎｄなどの希土類金属との合金系から
なる非晶質薄膜をスパッタリング法で形成して光磁気記
録膜とする光磁気記録媒体の製造方法において、放電時
のチャンバー内の雰囲気として、高純度のアルゴンガス
を３　Ｘ　１０−’パスカル（Ｐａ）以下としたことを
特徴とするものである。

〔実施例〕

第５図は本発明にかかる記録媒体の膜構成を模式的に示
す断面図であって、１は基板、２は信号パターン、３は
エンハンス膜、４は光磁気記録膜、５は保護膜を示して
いる。

基板１は、例えばガラス、あるいはポリカーボネート（
ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）　、ポ
リメチルペンテン、エポキシ等の透明な樹脂材料によっ
て形成される。該基板１の片面には、それぞれトラッキ
ング信号に対応する案内トラックやアドレス信号に対応
するプリピットなどの信号パターン２が形成される。

信号パターン２の形成手段としては、前記基板１の材質
によって適宜の方法が適用される。例えば、基板１がＰ
ＣやＰＭＭＡ、それにポリメチルペンテンなどの熱可塑
性樹脂にて形成される場合には、射出成形用金型内に溶
融した基板材料を射出して基板１と信号パターン２とを
一体に成形する所謂インジェクション法が適する。また
、この基板材料に関しては、射出成形用金型内に溶融し
た基板材料を射出したのちに圧力を加える、所謂コンプ
レッション法あるいはインジェクション−コンプレッシ
ョン法といった公知に属する形成手段を適用することも
できる。さらに、基板１がガラスや、エポキシなどの熱
硬化性樹脂にて形成される場合には、所望の信号パター
ンの反転パターンが形成されたスタンパ（金型）と基板
１との間で光硬化性樹脂を展伸し、スタンパの反転パタ
ーンを基板１に転写する所謂２Ｐ法（Ｐ　ｈｏｔｏｐｏ
ｌｙｍ−ｅｒｉｓａｔｉｏｎ　　；光硬化性樹脂法）が
適する。また、エポキシなどの熱硬化性樹脂に関しては
、金型内に溶融状態にある基板材料を静注して基板１と
信号パターン２とを一体に成形する所謂注型法を適用す
ることもできる。

エンハンス膜３は、見掛は上のカー回転角を大きくする
ためのものであって、例えばＳｉ、Ｎ４などの誘電体を
もって、前記基板１の信号パターン２形成面に、約８０
０〜９００人の厚さに形成される。このエンハンス膜３
の成膜手段としては、例えば真空蒸着法やスパッタ法な
どの真空成膜方法を適用することができる。

光磁気記録膜４は、希土類金属（Ｔｂ、Ｇｄ。

Ｄｙ、Ｎｄ）−遷移金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ１）−高耐食
性添加元素（Ｐ　ｔ　＋　　Ｃｒ　＋　Ｎ　ｂ　、　Ｔ
　１　。

Ａ７り系からなる非晶質垂直磁化膜である。

真空槽内を、１０−’ｔｏｒｒ以下に排気し、高純度Ａ
ｒガス（９９，９９９％）を、本発明にかかる製造法に
よる１〜３Ｘ１０−’Ｐａの圧力に導入して７〜ｌ　Ｏ
Ｗ／　ｃ　ｍ”の高周波ないし直流電力をターゲットに
投入し、マグネトロンスパッタリングを行なう。なおｌ
Ｘｌ０−’Ｐａは安定放電の下限である。

ターゲットは複合型、合金型、焼結型いずれにも、又、
多元同時スパッタにおいても、適用することができる。

光磁気記録膜４積層後に酸化防止のために保護膜５を積
層する。これは、例えばＳ　ｉ３Ｎ４．　Ｓ　ｉ　Ｏｚ
。

５ｉＡｊ！ＯＮなどの誘電体質をもって、１０００人〜
２０００人程度の厚さに製膜する。

光磁気記録膜の具体的に製造実施例として・到達真空度
？　１．５　Ｘ　１０−’　ｔ　Ｏ，ｒ　ｒ　（２Ｘｌ
０−５Ｐａ） ・ターゲット１ＴｂｚｚＦｅａｚ、ｓＣＯ＋ｚ、５Ｎｌ
）ｚ焼結体 ・投入電力　；高周波８ｗ／ｃｍ” ・スパッタガス；Ａｒ１．５ＸＩＱ−３ｔｏｒｒ２　Ｘ
　１０”’Ｐ　ａ） ・スパッタ時間；１００ｓｅｃ（膜厚１０００人）スパ
ッタ時のガス（Ａｒ）圧のみを種々変えて、他の条件は
前記実施例と同様にして光磁気記録媒体を作り、そのと
きの各特性を第１図ないし第４図に示す。

第１図はスパッタＡｒ圧と反射率との関係を示す特性図
、第２図はスパッタＡｒ圧と反射率の環境試験（８０℃
、９５％ＲＨ）による劣化との関係を示す特性図である
。この第１図ならびに第２図の結果から明らかなように
、スパッタＡｒ圧が３Ｘ１０−’Ｐａ以下では高い反射
率を有し、また反射率の劣化が少ない。これはスパッタ
Ａｒ圧を３Ｘ１０−’Ｐａ以下にすることにより、膜質
が非常に緻密で、Ａｒの混入の少ない光磁気記録膜が得
られるためであると考えられる。

第３図は得られる記録膜の組成とターゲットのずれがス
パッタＡｒ圧によってどのように変化するかを調べた特
性図、第４図はスパッタＡｒ圧と堆積速度との関係を示
す特性図である。これらの図からも明らかなように、ス
パッタＡｒ圧が３×１０−’Ｐａ以下の方がよいことが
分かる。

上記実施例のスパッタ条件にて作製した薄膜は、従来法
の代表的条件として、５Ｘ１０−３ｔｏｒｒ（６，７Ｘ
　１０−’Ｐ　ａ）のアルゴン圧下で作製した薄膜と比
較して、下記のような特性の相違がある。

１６０℃９０％ＲＨ１０００時間 〔発明の効果〕 以上の如く本発明には、光磁気゛記録膜のスパッタリン
グによる製造において、そのスパッタＡｒガス圧を３Ｘ
１０−’Ｐａ以下とすることにより、膜が緻密となるた
め、高反射率、高耐食性、高カー回転角を得ることがで
き、光磁気ディスクに用いて信号品質、信顛性の高いも
のとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図はスパッタＡｒ圧と反射率との関係を示す特性図
、第２図はスパッタＡｒ圧と反射率の劣化との関係を示
す特性図、第３図はスパッタＡｒ圧を変化した場合のタ
ーゲットと膜組成とのずれの関係を示す特性図、第４図
はスパッタＡｒ圧と堆積速度との関係を示す特性図、第
５図は本発明の実施例に係る光磁気記録媒体の拡大断面
図である。 １・・・・・・・・・基板、２・・・・・・・・・信号
パターン、３・・・・・・・・・エンハンス膜、４・・
・・・・・・・光磁気記録膜、５・・・・・・。 ・・・保護膜。 第１図 又ノずツタ％　ｊＪ”ス、圧　　（Ｐａ）第２図 ｌＸ１０８１×１０１×１０２１×１０３１４間（ｈｒ
」、） 第３図 スパーツタＡトカ゛又耳、　　　（Ｐａ）第４図 ヌＪでツヲＡとガヌノ五　（Ｐａ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）遷移金属−希土類金属系非晶質からなる光磁気記
   録膜をスパッタリング法によつて形成する光磁気記録媒
   体の製造法において、放電時のチャンバー内雰囲気とし
   て、アルゴンガスを３×１０＾−＾１パスカル（Ｐａ）
   以下の圧力に導入して成膜することを特徴とする光磁気
   記録媒体の製造法。