JPS61240458A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録媒体の真空成膜法による製造方法に
関する。

〔発明の概要〕

本発明は記録・再生・消去が可能な光磁気記録媒体の製
造方法において、真空槽内を大気にさらさず、少なくと
も１回以上、不活性ガスを用いて大気圧になるまで置換
し再度排気する、という行程を繰り返した後に成膜する
ことにより媒体製造のためのコストを大幅にダウンでき
るようにしたものである。

〔従来の技術〕

従来、光磁気記録媒体に用いられている材料は、主にＴ
ｂ−Ｆｅ　、　Ｑｄ　−Ｔｂ−Ｆｅ　、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
。

等の希土類−遷移金属が主流である。それ以外にＭｈ−
Ｂｉ等のファラデー効果を利用した光磁気記録媒体もあ
ったが、膜が多結晶でノイズが多い、キューリ一温度が
高く書き込みにくい等の欠点が多く、前述の希土類−遷
移金属が主流となってきた。これは、非晶質であシ粒界
ノイズが無く、キューリ一温度も１２０℃〜２００℃ま
でと半導体レーザーでも十分書き込めるという長所があ
る。

そして、これら非晶質希土類−遷移金属膜の製造方法は
、蒸着法・スパッタ法等の真空成膜法が主流となってい
る。

〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の主流となっている希土類−遷移金属膜は非常に酸化
され易いため、蒸着法スパッタ法によシ作成する時は、
初期到達真空度が１×１　ｏ−”Ｉ’ｏｒｒ以Ｆ港真空
度を要していた。（ここで言う初期到達真空度とは、ス
パッタを始めるためのＡｒガスを導入する直前の真空度
のことである。）そのため、排気時間が長時間になシ、
量産時には装置償却コストが極端に高くなるという重大
な問題点を有していた。

そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、排気時間が短時間で、つまシ初
期到達真空度が悪い状態でスパッタしても光磁気記録媒
体としての良好な特性を維持し、量産時の装置償却コス
トが極端に安くなる光磁気記録媒体を提供するところに
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、真空槽内を大気
にさらさず、少なくとも１回以上、不活性ガスを用いて
大気圧になるまで置換し再度排気する、という行程を繰
り返した後に成膜することを特徴とする。

磁化の向きが膜面に垂直で上向きか下向きかの２値をと
る非晶質光磁気記録層に１光を照射し記録・再生を行う
光磁気記録媒体のスパッタ法による製造において、前記
非晶質光磁気記録層を作成するプラスチック基板上に前
記非晶質光磁気記録層を作成する前に透明導電膜を成膜
し、前記非晶質光磁気記録層の作成中にＤＣバイアス電
圧を前記透明導電膜に印加することを特徴とする光磁気
記録媒体の製造方法。

〔作用〕

従来、初期真空度の悪い状態、つｔ、ｂ残留ガス（Ｏｘ
、ＨｚＯ等）の多い状態で光磁気記録材料を成膜すれば
酸化され易い希土類は、基板へ飛来してくる間に残留ガ
ス（Ｏｘ、ＨｇＯ等）に衝突し、酸化物となってしまい
、光磁気特性の悪化になってしまう。つ−！！シ、垂直
磁化膜とならず面内磁化槽になってしまったり、カー回
転角の減少につながっていた。

しかしながら本発明によれば、真空槽内を少なくとも１
回以上不活性ガスを用いて大気圧になるまで置換し、再
度排気することにより、真空槽内の残留ガス（Ｏｚ、Ｈ
ｚＯ等）分圧を下げることによシ成膜中の酸化を防ぐも
のである。

〔実施例〕

非晶質光磁気記録媒体の材料としての希土類−遷移金属
合金は、Ｔｂ−Ｆｅを用い、スパッタ法にてポリカーボ
ネート基板上に成膜した。Ｔｂ−Ｆｅ膜の組成はＴｂ２
７Ｆｅ７３ａｔ％である。

まず槽内にポリカーボネート基板をセットし、１　Ｘ　
１　ｏ−”ｌ’ｏｒｒまで排気する。その後槽内を大気
にさらさず、純度９９．９９９５％のＡｒガスを用いて
大気圧まで置換する。そして再度、初期真空度がＩ　Ｘ
　１　ｏ−”ｐｏｒｒになるまで排気した後Ａｒ圧を２
．５　ｍ’ｐｏｒｒにしスパッタにて成膜した。第１図
はこの本発明によるＡｒ置換法によシ製造した’ｌ’ｂ
ｐｅ膜のカーヒステリシスである。比較のために従来か
らの製造方法、つまシ排気途中で一度もＡｒ置換するこ
となく初期到達真空度を７．５×１０””ｌ’ｏｒｒの
良い真空度まで排気した後成膜した’ｌ’ｂＦｅ膜のカ
ーヒステリシスを第２図に示す。これら第１図、第２図
かられかるように、本発明による製造方法で成膜した光
磁気記録用’ｌ’ｂＦｅ　　膜は、初期到達真空度が従
来のものと比較して２桁悪いＫもかかわらず、従来の製
造による膜と何ら遜色のない特性を示している。尚、こ
のカーヒステリシスの縦軸はカー回転角θｋを示し、横
軸は外部印加磁場を示す。

第３図は、本発明による製造方法の初期真空度を変えた
もののカーヒステリシスであり５ｈｒｔｔ換は１回しか
行っていない。第３図（ａ）は初期到達真空度５　Ｘ　
１０−”ｌ’ｏｒｒの場合のカーヒステリシスがあシ、
第１図と比較して、ＴｂＦｅＪＩ＊の保磁力が大きくな
っている。これはＴｂが２７ａｔ％の組成で、補償組成
よりも’ｐｂｒｉｃｈ側になっているため、膜が少し酸
化され保磁力が大きくなっている。

又、カー回転角θにも少し小さくなっている。これらは
、初期到達真空度が３　ｘ　１０−’Ｔｏｒｒと第１図
に比較して悪く、一度Ａｒ置換をして排気したものの、
真空槽内のＯｘ、ＨｚＯ等の不純物ガスが十分除去され
ていないためである。さらに初期到達真空度が７　Ｘ　
１０−”ｌ’ｏｒｒの場合のカーヒステリシスが第３図
山）であシ、第３図（ａ）の膜よりさらに酸化が進んで
いることがわかる。次に第３図（ｃ）の初期到達真空度
が１　ｘ　１０”ｌ’ｏｒｒの場合のカーヒステリシス
を見ると垂直磁化膜にならないまで酸化が進んでいる。

第４図は、初期到達真空度を横軸に、縦軸はＴｂＦｅ膜
のカー回転角を示しである。

ここでいう初期到達真空度の意味は、次に示す内容であ
る。

最初に排気した後をＰｉｎｌとし、Ａｒ置換した後さら
に排気した時の圧をｐｉｎ２．又Ａｒ置換し排気した時
をｐｉｎ３・・・・・・・・・Ｐｉｎ　ｎとした場合、
Ｐｉｎ１ｓｍｐｉｎ２−ｐｉｎ３−・−・・−−ｐｉｎ
　　ｎとなる場合を言う。１はＡｒ置換回数が０回の場
合、２はＡｒ置換回数が１回の場合、３はＡｒ置換が２
回の場合、４はＡｒ置換が５回の場合、５はＡｒ置換が
４回の場合である。この図かられかるように、初期到達
真空度は悪くてもＡｒ置換回数を多くすればｓ　ＴｂＦ
ｅ　　膜本来の持つ磁気特性（カー回転角）を確保する
ことが出来る。っまシ良い真空度７．５ｘ１０−”］［
’ｏｒｒ以下で成膜したものと同じものが出来る。

尚、ここに示すカー回転角は、波長６５５ｎｍのレーザ
光によシボリカーボネート基板側から測定したものであ
る。

上述した様に、真空槽内を少なくとも１回以上不活性ガ
ス（Ａｒガス）を用いて大気圧になるまで置換した後、
再度排気し成膜することにより、真空槽内の残留ガス（
Ｏｘ、）ｉｚｏ等）分圧を下げることができ、成膜中の
酸化を防ぐことが出来る。

つまシ悪い初期到達真空度で成膜してもＴｂＦｅ光磁気
記録媒体の本来の特性が確保できることがわかった。そ
こで、次にこの本発明がどの程度のコストダウンになる
かを見たものが第５図である。

このコスト計算は、スパッタ装置が１億円、２０日／月
、２４ｈｒ／日稼動の時であシ、一度に１２０寵φのデ
ィスクを３枚スパッタできるものである。この図から明
らかなように、　　１０　’ｌ’ｏｒｒ台で成膜するの
と、１０”’Ｔｏｒｒ台で成膜出来るのとでは、そのコ
ストに２桁もの差があり、本発明の非常な有効性が理解
出来るものである。ここに示した場合の、製造枚数、単
価等を以下に表１にまとめる。

表　　１ 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、真空槽内を少なくと
も１回以上不活性ガスを用いて大気圧になるまで置換し
た後、再度排気し成膜するととＫよシ、製造枚数能力の
大幅な向上、それにともなう装置償却コストの大幅なダ
ウンが可能となる。

尚、本実施例では、プラスチック基板にＰＣを用いたが
、これら以外にＰＭＭＡ％　エポキシ樹脂、塩化ビニル
樹脂、ポリメチルペンテン等、さらにはガラス基板にお
いても本発明は有効であシ、磁性膜もＴｂ−Ｆｅ以外の
もの、つま、９Ｇｄ−Ｆｅ。

Ｇｄ　−Ｃｏ　、　Ｔｂ−Ｆｅ　−Ｃｏ　、　Ｇｄ−Ｔ
ｂ−Ｆｅ　、　Ｇｄ　−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の非晶質希
土類−遷移金属であっても有効であることは明白である
。また、真空成膜法にスパッタ法を用いたが、蒸着法等
の全ての真空成膜法に本発明が有効なのは言うまでもな
いことである。

又、本実施例に用いた不活性ガスはＡｒガスを用いたが
、他の不活性ガス、つまりＨｅ　、　Ｎ’ｅ　。

Ｋｒ、Ｘｓ、Ｒｈ等を用いても何らさしつかえない。

さらに純度も９９％以上であれば問題ない。

【図面の簡単な説明】

第１図はＡｒ置換法によシ製造したＴｂＦｅ　　膜のカ
ーヒステリシス。 第２図は従来からの製造方法によるＴｂＦｅ　膜のカー
ヒステリシス。 第３図（ａ）は初期到達真空度が５　ｘ　１０−’Ｔｏ
ｒｒのカーヒステリシス。 第３図（ｂ）は初期到達真空度が７Ｘ１０−”ｌ’ｏｒ
ｒのカーヒステリシス。 第５図（ｃ）は初期到達真空度が１　ｘ　１０−”ｌ’
ｏｒｒのカーヒステリシス。 第４図はカー回転角の初期真空度及びＡｒ置換回数依存
性図。 第５図は初期真空度に対する、基板１枚当シの装置償却
図。 １・・・・・・Ａｒ置換回数が０回の場合２・・・・・
・Ａｒ置換回数が１回の場合３・・・・・・Ａｒ置換回
数が２回の場合４・・・・・・Ａｒ置換回数が３回の場
合５・・・・・・Ａｒ置換回数が４回の場合以上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気の向きが膜面に垂直で上向きか下向きかの２
   値をとる非晶質光磁気記録層に、光を照射し記録・再生
   ・消去を行う光磁気記録媒体の製造において、真空槽内
   を大気にさらさず、少なくとも１回以上、不活性ガスを
   用いて大気圧になるまで置換し再度排気する、という行
   程を繰り返した後に成膜することを特徴とする光磁気記
   録媒体の製造方法。
2. （２）不活性ガスがＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒ
   ｎのうち少なくとも１種以上からなることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体の製造方法
   。