JPS62283434A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS62283434A JPS62283434A JP12680286A JP12680286A JPS62283434A JP S62283434 A JPS62283434 A JP S62283434A JP 12680286 A JP12680286 A JP 12680286A JP 12680286 A JP12680286 A JP 12680286A JP S62283434 A JPS62283434 A JP S62283434A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
この発明は光磁気記録媒体の製造方法に関する。
（従来の技術）
近年、高密度大容量記録方式として、レーザー光による
熱磁気記録を行う光磁気記録方式が注目されつつある。
熱磁気記録を行う光磁気記録方式が注目されつつある。
この記録方式に使用する記録媒体としては、希土類−遷
移金属よりなる非晶質磁性′５！Ｉ膜が有望視されてい
る。これは大面積の作製が容易であるとともに、読み出
しノイズが少ないことに基づく。そしてこの種の代表的
な材料としては、 丁ｂＦｅ、 ＧｄＣｏなどの合金薄
膜が挙げられる。
移金属よりなる非晶質磁性′５！Ｉ膜が有望視されてい
る。これは大面積の作製が容易であるとともに、読み出
しノイズが少ないことに基づく。そしてこの種の代表的
な材料としては、 丁ｂＦｅ、 ＧｄＣｏなどの合金薄
膜が挙げられる。
ところでこの種磁性薄膜の作製のだめの一つの方法に、
高周波スパッタリング法がある。これは１０−〜１Ｇ−
”Ｔｏｒｒ程度のアルゴンガス雰囲気中で。
高周波スパッタリング法がある。これは１０−〜１Ｇ−
”Ｔｏｒｒ程度のアルゴンガス雰囲気中で。
材料となる金属ターゲットに負の高周波電圧を加えて、
膜の作製を行う方法である。
膜の作製を行う方法である。
ところがこの方法によるとスパッタ時の動作ガス圧が高
いので、磁性膜中にアルゴンガス、残留不純物ガス（窒
素、酸素等）が多量に混入してしまうことがある。また
基板近傍の電界の不均一性によって、基板の径方向に沿
う組成に差が生じ、磁気特性の一様性が問題視されてい
る。
いので、磁性膜中にアルゴンガス、残留不純物ガス（窒
素、酸素等）が多量に混入してしまうことがある。また
基板近傍の電界の不均一性によって、基板の径方向に沿
う組成に差が生じ、磁気特性の一様性が問題視されてい
る。
前記薄膜の作製のための他の方法にバイアススパッタリ
ング法がある。この方法は基板に負（場合により正）の
直流電圧または高周波電圧のバイアスを印加しつつ、高
周波スパッタリングを行うものである。
ング法がある。この方法は基板に負（場合により正）の
直流電圧または高周波電圧のバイアスを印加しつつ、高
周波スパッタリングを行うものである。
この方法では成膜中に基板の磁性膜のスパッタクリーニ
ングを行い、これによって膜組成の均一性および残留不
純物ガスの低減を図っている。しかしこの方法はアルゴ
ンガスの混入量においてなんら改善されるものではなく
、また基板（通常はガラス、プラスチックなどの透明材
料）に導電性を付与する前処理が必要である。
ングを行い、これによって膜組成の均一性および残留不
純物ガスの低減を図っている。しかしこの方法はアルゴ
ンガスの混入量においてなんら改善されるものではなく
、また基板（通常はガラス、プラスチックなどの透明材
料）に導電性を付与する前処理が必要である。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は磁性薄膜の特性にすぐれ、かつ膜の均一性、
再現性の良好な光磁気記録媒体を得ることを目的とする
。
再現性の良好な光磁気記録媒体を得ることを目的とする
。
（問題点を解決するための手段）
この発明はＴｂＦｅＣｏ系の金属をターゲットとし、こ
れをアルゴンガス圧ｌ０−５〜１０−５〜１０−４Ｔｏ
ｒｒの雰囲気中でイオンビームスパッタして、基板上に
膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有するＴｂＦｅＣｏ三
元系非晶質合金薄膜を形成することを特徴とする。
れをアルゴンガス圧ｌ０−５〜１０−５〜１０−４Ｔｏ
ｒｒの雰囲気中でイオンビームスパッタして、基板上に
膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有するＴｂＦｅＣｏ三
元系非晶質合金薄膜を形成することを特徴とする。
イオンビームスパッタリング法は、通常イオン源よりＡ
ｒ”イオンをターゲツト面上に照射し、スパッタされた
粒子を基板に堆積させて薄膜を作成する手法で、ｌｏ−
５〜１０−５〜１０−４Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中で
行われる。この手法を用いれば前記のようなスパッタ法
による場合よりも、１桁以上の低ガス圧の下で膜形成を
行うので、膜内へのアルゴンガス。
ｒ”イオンをターゲツト面上に照射し、スパッタされた
粒子を基板に堆積させて薄膜を作成する手法で、ｌｏ−
５〜１０−５〜１０−４Ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中で
行われる。この手法を用いれば前記のようなスパッタ法
による場合よりも、１桁以上の低ガス圧の下で膜形成を
行うので、膜内へのアルゴンガス。
不純物ガスなどの混入量は大幅に減少するようになる。
更にＡｒゝイオンの生成はイオン源によって行うため、
ターゲットと基板との間でプラズマが生じたり、電位差
が生じたりすることはなく、ターゲツト面はほぼ均一に
スパッタされるので、膜組成の均一性は良好となる。こ
のため基板バイアスは不用であり、基板に導電性を付与
する前処理を省略することができる。
ターゲットと基板との間でプラズマが生じたり、電位差
が生じたりすることはなく、ターゲツト面はほぼ均一に
スパッタされるので、膜組成の均一性は良好となる。こ
のため基板バイアスは不用であり、基板に導電性を付与
する前処理を省略することができる。
なおここに使用する金属にＣＯがあるが、これは薄膜の
カー回転角の向上とキューリ一点の上昇。
カー回転角の向上とキューリ一点の上昇。
耐食性の向上を図るために、Ｆｅの代りに若干添加した
ものである。
ものである。
（実施例）
この発明の実施例方法を図によって説明する。
第１図に示す装置において１は真空チャンバー。
２はＡｒ’イオンを発生するイオン源、３はターゲット
、４は基板ホルダー、５はこの基板ホルダー４に支持さ
れであるガラスな°どからなる基板である。ターゲット
３はその表面がイオン源２からのビームに対し、４５°
に傾斜して配置されてあり。
、４は基板ホルダー、５はこの基板ホルダー４に支持さ
れであるガラスな°どからなる基板である。ターゲット
３はその表面がイオン源２からのビームに対し、４５°
に傾斜して配置されてあり。
前記イオンによってスパッタされたターゲットの微粒子
を基板Ｓ上に堆積させて、薄膜を作成するものである。
を基板Ｓ上に堆積させて、薄膜を作成するものである。
ターゲット３の構成の一例を示したのが第２図。
第３図で、これはＦｅ：Ｃｏ＝９５：５ （ａｔｏｍ％
）の組成からなるターゲツト面６に、−辺を８ｍｍとす
る凹部７を複数（図の例では２５個）設け、これにＴｂ
小片８として、−辺をそれぞれ７ＩＩＩ１１．５ｎｍ、
３ｍのものを適当な数だけはめこんで、Ｆｅ 、 Ｃｏ
とＴｂとを所望の面積比として構成した。
）の組成からなるターゲツト面６に、−辺を８ｍｍとす
る凹部７を複数（図の例では２５個）設け、これにＴｂ
小片８として、−辺をそれぞれ７ＩＩＩ１１．５ｎｍ、
３ｍのものを適当な数だけはめこんで、Ｆｅ 、 Ｃｏ
とＴｂとを所望の面積比として構成した。
上記の装置およびターゲット３を用い、真空チャンバー
１内のＡｒガスの圧力を、６．ＯＸ １０−５〜１０−
４Ｔｏｒｒ、Ａｒ”イオンビーム量（ターゲツト面上）
を、５０〜７０ｍＡ、ビームエネルギーを、２００−１
０００Ｖ、プＩＪ スパッタ時間を２時間１本スパッタ
時間を２０〜６０分とする条件によって薄膜作成を実施
した。作成した試料１７種の各特性を示したのが次表で
ある。またＴｂｉ積比（％）に対する保磁力をグラフに
して示したのが第４図である。
１内のＡｒガスの圧力を、６．ＯＸ １０−５〜１０−
４Ｔｏｒｒ、Ａｒ”イオンビーム量（ターゲツト面上）
を、５０〜７０ｍＡ、ビームエネルギーを、２００−１
０００Ｖ、プＩＪ スパッタ時間を２時間１本スパッタ
時間を２０〜６０分とする条件によって薄膜作成を実施
した。作成した試料１７種の各特性を示したのが次表で
ある。またＴｂｉ積比（％）に対する保磁力をグラフに
して示したのが第４図である。
上記の各試料において、極カー効果側定器により、膜の
垂直方向の磁気特性を調査した結果、試料番号４及び１
２を除く１５種の試料について、垂直磁化膜であること
が確認できた。
垂直方向の磁気特性を調査した結果、試料番号４及び１
２を除く１５種の試料について、垂直磁化膜であること
が確認できた。
なお垂直磁気異方性を示す磁性膜のうちでも、実用的な
光磁気記録媒体とするには、保磁力はＩＫＯｅ以上であ
ることが望ましいときがある。このような場合は前記し
た実験結果より、ｒｂ小片の面積比は、ビームエネルギ
ーが４００ｅＶ以上の場合は、ターゲツト面の３４％以
上、２００ｅＶ、３００ｅＶの場合は。
光磁気記録媒体とするには、保磁力はＩＫＯｅ以上であ
ることが望ましいときがある。このような場合は前記し
た実験結果より、ｒｂ小片の面積比は、ビームエネルギ
ーが４００ｅＶ以上の場合は、ターゲツト面の３４％以
上、２００ｅＶ、３００ｅＶの場合は。
それぞれ２４％、３２％以上を必要とする。
また前記した実験では複合ターゲットを用いて行ったが
、これが合金ターゲットの場合でも同様に考えられるこ
とから、希土類としてＴｂを用いた非晶質磁性薄膜をイ
オンビームスパッタ法で作成する場合、ビームエネルギ
ーが４００ｅＶ以上のときは、ターゲット表面Ｔｂ占有
面積あるいは組成比を３４％以上に、２００ｅＶ、３０
０ｅＶの場合はそれぞれ２４％。
、これが合金ターゲットの場合でも同様に考えられるこ
とから、希土類としてＴｂを用いた非晶質磁性薄膜をイ
オンビームスパッタ法で作成する場合、ビームエネルギ
ーが４００ｅＶ以上のときは、ターゲット表面Ｔｂ占有
面積あるいは組成比を３４％以上に、２００ｅＶ、３０
０ｅＶの場合はそれぞれ２４％。
３２％以上とするのが良い。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明によれば、薄膜内に混入す
るアルゴンガス、その他の不純物ガスは大幅に減少する
し、ターゲット、基板間にフラズマが生じたり、電位差
が生じたりすることはないし、ターゲツト面はほぼ均一
にスパッタされるので、膜組成の均一性は良好となり、
したがって基板のバイアススパッタは不用となり、基板
に導電性を付与する前処理も省略できるといった効果を
奏する。
るアルゴンガス、その他の不純物ガスは大幅に減少する
し、ターゲット、基板間にフラズマが生じたり、電位差
が生じたりすることはないし、ターゲツト面はほぼ均一
にスパッタされるので、膜組成の均一性は良好となり、
したがって基板のバイアススパッタは不用となり、基板
に導電性を付与する前処理も省略できるといった効果を
奏する。
第１図はこの発明の実施例方法を実施するのに使用する
装置の断面図、第２図はターゲットの正面図、第３図は
同一部の拡大斜視図、第４図は保磁力を示す特性図であ
る。 １・・真空チャンバー、２・・・イオン源、３・・・タ
ーゲット、５・・・基板。 １−一、″二１−１ ８ ｄ 糖Ｂ１ １０ ２０ ３０ １ＪＯ→Ｔｂ面季トヒ
（〆）
装置の断面図、第２図はターゲットの正面図、第３図は
同一部の拡大斜視図、第４図は保磁力を示す特性図であ
る。 １・・真空チャンバー、２・・・イオン源、３・・・タ
ーゲット、５・・・基板。 １−一、″二１−１ ８ ｄ 糖Ｂ１ １０ ２０ ３０ １ＪＯ→Ｔｂ面季トヒ
（〆）
Claims (1)
- ＴｂＦｅＣｏ系の金属をターゲットとし、これをアル
ゴンガス圧１０＾−＾５〜１０＾−＾４Ｔｏｒｒの雰囲
気中でイオンビームスパッタして、基板上に、膜面と垂
直な方向に磁化容易軸を有するＴｂＦｅＣｏ三元系非晶
質合金薄膜を形成することを特徴とする光磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126802A JPH07111791B2 (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126802A JPH07111791B2 (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62283434A true JPS62283434A (ja) | 1987-12-09 |
| JPH07111791B2 JPH07111791B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=14944320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61126802A Expired - Fee Related JPH07111791B2 (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111791B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01263959A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-20 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体の製造法 |
| WO1994003892A1 (en) * | 1992-07-29 | 1994-02-17 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optic recording medium and method of its manufacture method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6181616A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 磁性体薄膜の形成方法 |
-
1986
- 1986-05-31 JP JP61126802A patent/JPH07111791B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6181616A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 磁性体薄膜の形成方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01263959A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-20 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体の製造法 |
| WO1994003892A1 (en) * | 1992-07-29 | 1994-02-17 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optic recording medium and method of its manufacture method |
| US5772856A (en) * | 1992-07-29 | 1998-06-30 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
| US5976688A (en) * | 1992-07-29 | 1999-11-02 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07111791B2 (ja) | 1995-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |