JPH01255258A - リードフレームのメッキ方法 - Google Patents
リードフレームのメッキ方法Info
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- JPH01255258A JPH01255258A JP8233488A JP8233488A JPH01255258A JP H01255258 A JPH01255258 A JP H01255258A JP 8233488 A JP8233488 A JP 8233488A JP 8233488 A JP8233488 A JP 8233488A JP H01255258 A JPH01255258 A JP H01255258A
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- plating
- hole
- lead frame
- plating solution
- pressure
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はIC用リードフレームの部分メッキ方法の改善
に関するものである。
に関するものである。
半導体集積回路(IC)素子のパッケージ材料として、
第2図に示すようなリードフレーム1が用いられている
。このリードフレーム1は樹脂モールド型D I P
(Dual In1ine Packageの略)用の
もので、多数のり−ド2の群とIC素子搭載部(以下、
「アイランド」という)3が多数組形成されている。こ
のリードフレーム1はリード2の内側先端部のみ、又は
第4図に示すようにリード2とアイランド3の両方に金
、銀等の貴金属メッキが施されてIC素子のパッケージ
に供される。
第2図に示すようなリードフレーム1が用いられている
。このリードフレーム1は樹脂モールド型D I P
(Dual In1ine Packageの略)用の
もので、多数のり−ド2の群とIC素子搭載部(以下、
「アイランド」という)3が多数組形成されている。こ
のリードフレーム1はリード2の内側先端部のみ、又は
第4図に示すようにリード2とアイランド3の両方に金
、銀等の貴金属メッキが施されてIC素子のパッケージ
に供される。
このようなリードフレーム1は、金属板又は金属条をフ
ォトエツチング又はプレス打抜きによりリード2及びア
ンランド3を形成した後、所要の部分に貴金属をメッキ
するのが一般的である。この部分メッキは、第3図に示
すような装置を用い、メッキすべき部分を透孔としたマ
スク板4と、下面にゴム板5を備えた押圧板6とでリー
ドフレーム1を密閉系に挟持し、この透孔にメッキ液タ
ンク7から供給されるメッキ液をノズル8から噴射し、
同時にリードフレーム1を陰極とし、ノズル8内又はノ
ズル8とリードフレーム1との中間に設けられた図示し
ない陽極との間に通電することにより行うようになって
いる。
ォトエツチング又はプレス打抜きによりリード2及びア
ンランド3を形成した後、所要の部分に貴金属をメッキ
するのが一般的である。この部分メッキは、第3図に示
すような装置を用い、メッキすべき部分を透孔としたマ
スク板4と、下面にゴム板5を備えた押圧板6とでリー
ドフレーム1を密閉系に挟持し、この透孔にメッキ液タ
ンク7から供給されるメッキ液をノズル8から噴射し、
同時にリードフレーム1を陰極とし、ノズル8内又はノ
ズル8とリードフレーム1との中間に設けられた図示し
ない陽極との間に通電することにより行うようになって
いる。
ところがリードフレームは通常0.15〜0.25m1
程度の厚さがあるため押圧板6とマスク板4で挟持され
たり−ド2の側面付近に若干の間隙を生じることが避け
られず、メッキ部が密閉系のためメッキ液圧が上昇して
この間隙にメッキ液が侵入する結果、第5図に示すよう
にリード2の両側面に正常のメッキ境界線9からはみ出
したメッキ洩れ10が生じてしまう。
程度の厚さがあるため押圧板6とマスク板4で挟持され
たり−ド2の側面付近に若干の間隙を生じることが避け
られず、メッキ部が密閉系のためメッキ液圧が上昇して
この間隙にメッキ液が侵入する結果、第5図に示すよう
にリード2の両側面に正常のメッキ境界線9からはみ出
したメッキ洩れ10が生じてしまう。
このメッキ洩れ10を有するリードフレームに第4図に
示す破線11を外形とする樹脂モールドを施すと、上記
メッキ洩れ11は樹脂と外界との境界付近に達すること
になり、外界の湿度の影響でリード間にエレクトロマイ
グレーションが起きて短絡するに至る。このマイグレー
ションは銀の場合特に顕著である。メッキ境界線9と樹
脂モールド外形線11との距離が光分離れていれば多少
のメッキ洩れの存在はあまり問題にならないが、IC素
子の集積度向上に伴って素子が大型化し、その結果アイ
ランド3が大きくなり、樹脂モールド外形を一定限度に
抑えようとすればこの距離は小さくなり、メッキ洩れ1
1の存在は許されなくなる。
示す破線11を外形とする樹脂モールドを施すと、上記
メッキ洩れ11は樹脂と外界との境界付近に達すること
になり、外界の湿度の影響でリード間にエレクトロマイ
グレーションが起きて短絡するに至る。このマイグレー
ションは銀の場合特に顕著である。メッキ境界線9と樹
脂モールド外形線11との距離が光分離れていれば多少
のメッキ洩れの存在はあまり問題にならないが、IC素
子の集積度向上に伴って素子が大型化し、その結果アイ
ランド3が大きくなり、樹脂モールド外形を一定限度に
抑えようとすればこの距離は小さくなり、メッキ洩れ1
1の存在は許されなくなる。
本発明は上記事情に鑑みて為されたものであり、メッキ
洩れを小さくできる部分メッキ方法を提供するものであ
る。
洩れを小さくできる部分メッキ方法を提供するものであ
る。
上記目的を達成するため本発明の方法は、メッキすべき
部分を透孔としたマスク板と押圧板とでリードフレーム
を密閉系に挟持し、該透孔にメッキ液を噴射すると共に
リードフレームを陰極として通電するリードフレームの
メッキ方法において、メッキ液噴射状態で前記透孔付近
を減圧する点に特徴がある。
部分を透孔としたマスク板と押圧板とでリードフレーム
を密閉系に挟持し、該透孔にメッキ液を噴射すると共に
リードフレームを陰極として通電するリードフレームの
メッキ方法において、メッキ液噴射状態で前記透孔付近
を減圧する点に特徴がある。
第1図は本発明の方法を実施するための装置の1例を示
しており、第3図との相違はエジェクター12を備えた
点にあり、このエジェクター12によりメッキ部からメ
ッキ液が吸引されてマスク板の透孔付近が減圧されるよ
うになっている。
しており、第3図との相違はエジェクター12を備えた
点にあり、このエジェクター12によりメッキ部からメ
ッキ液が吸引されてマスク板の透孔付近が減圧されるよ
うになっている。
この減圧の目的は、マスク板と押圧板とによるリードフ
レームの挟持力を、メッキ液圧が上回ることを回避する
ことにあり、この減圧が適切であればメッキ洩れが効果
的に縮小される。望ましい吸引側の真空度は水銀柱で1
0cm(以下10a++Hgのように表記する)以上で
ある。
レームの挟持力を、メッキ液圧が上回ることを回避する
ことにあり、この減圧が適切であればメッキ洩れが効果
的に縮小される。望ましい吸引側の真空度は水銀柱で1
0cm(以下10a++Hgのように表記する)以上で
ある。
この減圧をあまり強化すると噴射メッキ液がリードフレ
ームに到達しにくくなり、メッキ厚にバラツキを生じる
ので、エジェクター12の吸引側真空度は30c+++
t1g程度に留めるのが望ましい。
ームに到達しにくくなり、メッキ厚にバラツキを生じる
ので、エジェクター12の吸引側真空度は30c+++
t1g程度に留めるのが望ましい。
部分メッキにおける他の条件は全〈従来と同様で良いが
、第1図に示すようにメッキ液供給ラインにバイパス1
3を設ければ、上記メッキ部減圧によってメッキ液を吸
い上げる結果となり、ノズル8からのメッキ液噴射量を
増すことができ、メッキ厚のバラツキ減少に好都合であ
る。
、第1図に示すようにメッキ液供給ラインにバイパス1
3を設ければ、上記メッキ部減圧によってメッキ液を吸
い上げる結果となり、ノズル8からのメッキ液噴射量を
増すことができ、メッキ厚のバラツキ減少に好都合であ
る。
第2図に示すようなパターンの8連型リードフレームを
同時に20枚(リードフレーム1k160)メッキでき
るようにした第1図に示す型の部分メッキ装置を用い、
総メッキ液噴射量201/分、極間路tlfl 10
++n、陰極電流密度30 A/dffl” 、とし、
エジェクターにより吸引側真空度をOc+nHg、5c
a+Hg、lOcmHgと20cmHgと変えて部分銀
メッキを施した。部分メッキ後の各リードフレームにつ
いて、特定箇所のリードにおけるメッキ洩れを調べ、A
、B、C,D、にランク付けした。Dは不良と判定され
る大きさで、C,B、Aの順にメッキ洩れは小となる。
同時に20枚(リードフレーム1k160)メッキでき
るようにした第1図に示す型の部分メッキ装置を用い、
総メッキ液噴射量201/分、極間路tlfl 10
++n、陰極電流密度30 A/dffl” 、とし、
エジェクターにより吸引側真空度をOc+nHg、5c
a+Hg、lOcmHgと20cmHgと変えて部分銀
メッキを施した。部分メッキ後の各リードフレームにつ
いて、特定箇所のリードにおけるメッキ洩れを調べ、A
、B、C,D、にランク付けした。Dは不良と判定され
る大きさで、C,B、Aの順にメッキ洩れは小となる。
結果を第1表に示す。
第1表より真空度を上げる程メッキ洩れが縮小している
、真空度10關HgT:Cランクのメッキ洩れが皆無と
なることが分る。
、真空度10關HgT:Cランクのメッキ洩れが皆無と
なることが分る。
本発明法によりメッキ洩れの問題がほぼ解消され、歩留
りが向上する結果、メッキコストの低減に大きく貢献す
ることができた。
りが向上する結果、メッキコストの低減に大きく貢献す
ることができた。
第1図は本発明を実施するための装置の1例を示し、第
2図はリードフレームの1例、第3図は従来の部分メッ
キ装置の1例、第4図は部分メッキリードフレームの1
例を示し、第5図はメッキ洩れの状態を示す図である。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第3図
2図はリードフレームの1例、第3図は従来の部分メッ
キ装置の1例、第4図は部分メッキリードフレームの1
例を示し、第5図はメッキ洩れの状態を示す図である。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第3図
Claims (1)
- (1)メッキすべき部分を透孔としたマスク板と押圧板
とでリードフレームを密閉系に挟持し、該透孔にメッキ
液を噴射すると共にリードフレームを陰極として通電す
るリードフレームのメッキ方法において、メッキ液噴射
状態で前記透孔付近を減圧することを特徴とするリード
フレームのメッキ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8233488A JPH01255258A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | リードフレームのメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8233488A JPH01255258A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | リードフレームのメッキ方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01255258A true JPH01255258A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13771664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8233488A Pending JPH01255258A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | リードフレームのメッキ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01255258A (ja) |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP8233488A patent/JPH01255258A/ja active Pending
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