JPH01255258A - リードフレームのメッキ方法 - Google Patents
リードフレームのメッキ方法Info
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- JPH01255258A JPH01255258A JP8233488A JP8233488A JPH01255258A JP H01255258 A JPH01255258 A JP H01255258A JP 8233488 A JP8233488 A JP 8233488A JP 8233488 A JP8233488 A JP 8233488A JP H01255258 A JPH01255258 A JP H01255258A
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- Japan
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- plating
- hole
- lead frame
- plating solution
- pressure
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＩＣ用リードフレームの部分メッキ方法の改善
に関するものである。
に関するものである。
半導体集積回路（ＩＣ）素子のパッケージ材料として、
第２図に示すようなリードフレーム１が用いられている
。このリードフレーム１は樹脂モールド型Ｄ Ｉ Ｐ
（Ｄｕａｌ Ｉｎ１ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅの略）用の
もので、多数のり−ド２の群とＩＣ素子搭載部（以下、
「アイランド」という）３が多数組形成されている。こ
のリードフレーム１はリード２の内側先端部のみ、又は
第４図に示すようにリード２とアイランド３の両方に金
、銀等の貴金属メッキが施されてＩＣ素子のパッケージ
に供される。
第２図に示すようなリードフレーム１が用いられている
。このリードフレーム１は樹脂モールド型Ｄ Ｉ Ｐ
（Ｄｕａｌ Ｉｎ１ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅの略）用の
もので、多数のり−ド２の群とＩＣ素子搭載部（以下、
「アイランド」という）３が多数組形成されている。こ
のリードフレーム１はリード２の内側先端部のみ、又は
第４図に示すようにリード２とアイランド３の両方に金
、銀等の貴金属メッキが施されてＩＣ素子のパッケージ
に供される。
このようなリードフレーム１は、金属板又は金属条をフ
ォトエツチング又はプレス打抜きによりリード２及びア
ンランド３を形成した後、所要の部分に貴金属をメッキ
するのが一般的である。この部分メッキは、第３図に示
すような装置を用い、メッキすべき部分を透孔としたマ
スク板４と、下面にゴム板５を備えた押圧板６とでリー
ドフレーム１を密閉系に挟持し、この透孔にメッキ液タ
ンク７から供給されるメッキ液をノズル８から噴射し、
同時にリードフレーム１を陰極とし、ノズル８内又はノ
ズル８とリードフレーム１との中間に設けられた図示し
ない陽極との間に通電することにより行うようになって
いる。
ォトエツチング又はプレス打抜きによりリード２及びア
ンランド３を形成した後、所要の部分に貴金属をメッキ
するのが一般的である。この部分メッキは、第３図に示
すような装置を用い、メッキすべき部分を透孔としたマ
スク板４と、下面にゴム板５を備えた押圧板６とでリー
ドフレーム１を密閉系に挟持し、この透孔にメッキ液タ
ンク７から供給されるメッキ液をノズル８から噴射し、
同時にリードフレーム１を陰極とし、ノズル８内又はノ
ズル８とリードフレーム１との中間に設けられた図示し
ない陽極との間に通電することにより行うようになって
いる。
ところがリードフレームは通常０．１５〜０．２５ｍ１
程度の厚さがあるため押圧板６とマスク板４で挟持され
たり−ド２の側面付近に若干の間隙を生じることが避け
られず、メッキ部が密閉系のためメッキ液圧が上昇して
この間隙にメッキ液が侵入する結果、第５図に示すよう
にリード２の両側面に正常のメッキ境界線９からはみ出
したメッキ洩れ１０が生じてしまう。
程度の厚さがあるため押圧板６とマスク板４で挟持され
たり−ド２の側面付近に若干の間隙を生じることが避け
られず、メッキ部が密閉系のためメッキ液圧が上昇して
この間隙にメッキ液が侵入する結果、第５図に示すよう
にリード２の両側面に正常のメッキ境界線９からはみ出
したメッキ洩れ１０が生じてしまう。
このメッキ洩れ１０を有するリードフレームに第４図に
示す破線１１を外形とする樹脂モールドを施すと、上記
メッキ洩れ１１は樹脂と外界との境界付近に達すること
になり、外界の湿度の影響でリード間にエレクトロマイ
グレーションが起きて短絡するに至る。このマイグレー
ションは銀の場合特に顕著である。メッキ境界線９と樹
脂モールド外形線１１との距離が光分離れていれば多少
のメッキ洩れの存在はあまり問題にならないが、ＩＣ素
子の集積度向上に伴って素子が大型化し、その結果アイ
ランド３が大きくなり、樹脂モールド外形を一定限度に
抑えようとすればこの距離は小さくなり、メッキ洩れ１
１の存在は許されなくなる。
示す破線１１を外形とする樹脂モールドを施すと、上記
メッキ洩れ１１は樹脂と外界との境界付近に達すること
になり、外界の湿度の影響でリード間にエレクトロマイ
グレーションが起きて短絡するに至る。このマイグレー
ションは銀の場合特に顕著である。メッキ境界線９と樹
脂モールド外形線１１との距離が光分離れていれば多少
のメッキ洩れの存在はあまり問題にならないが、ＩＣ素
子の集積度向上に伴って素子が大型化し、その結果アイ
ランド３が大きくなり、樹脂モールド外形を一定限度に
抑えようとすればこの距離は小さくなり、メッキ洩れ１
１の存在は許されなくなる。
本発明は上記事情に鑑みて為されたものであり、メッキ
洩れを小さくできる部分メッキ方法を提供するものであ
る。
洩れを小さくできる部分メッキ方法を提供するものであ
る。
上記目的を達成するため本発明の方法は、メッキすべき
部分を透孔としたマスク板と押圧板とでリードフレーム
を密閉系に挟持し、該透孔にメッキ液を噴射すると共に
リードフレームを陰極として通電するリードフレームの
メッキ方法において、メッキ液噴射状態で前記透孔付近
を減圧する点に特徴がある。
部分を透孔としたマスク板と押圧板とでリードフレーム
を密閉系に挟持し、該透孔にメッキ液を噴射すると共に
リードフレームを陰極として通電するリードフレームの
メッキ方法において、メッキ液噴射状態で前記透孔付近
を減圧する点に特徴がある。
第１図は本発明の方法を実施するための装置の１例を示
しており、第３図との相違はエジェクター１２を備えた
点にあり、このエジェクター１２によりメッキ部からメ
ッキ液が吸引されてマスク板の透孔付近が減圧されるよ
うになっている。
しており、第３図との相違はエジェクター１２を備えた
点にあり、このエジェクター１２によりメッキ部からメ
ッキ液が吸引されてマスク板の透孔付近が減圧されるよ
うになっている。
この減圧の目的は、マスク板と押圧板とによるリードフ
レームの挟持力を、メッキ液圧が上回ることを回避する
ことにあり、この減圧が適切であればメッキ洩れが効果
的に縮小される。望ましい吸引側の真空度は水銀柱で１
０ｃｍ（以下１０ａ＋＋Ｈｇのように表記する）以上で
ある。
レームの挟持力を、メッキ液圧が上回ることを回避する
ことにあり、この減圧が適切であればメッキ洩れが効果
的に縮小される。望ましい吸引側の真空度は水銀柱で１
０ｃｍ（以下１０ａ＋＋Ｈｇのように表記する）以上で
ある。
この減圧をあまり強化すると噴射メッキ液がリードフレ
ームに到達しにくくなり、メッキ厚にバラツキを生じる
ので、エジェクター１２の吸引側真空度は３０ｃ＋＋＋
ｔ１ｇ程度に留めるのが望ましい。
ームに到達しにくくなり、メッキ厚にバラツキを生じる
ので、エジェクター１２の吸引側真空度は３０ｃ＋＋＋
ｔ１ｇ程度に留めるのが望ましい。
部分メッキにおける他の条件は全〈従来と同様で良いが
、第１図に示すようにメッキ液供給ラインにバイパス１
３を設ければ、上記メッキ部減圧によってメッキ液を吸
い上げる結果となり、ノズル８からのメッキ液噴射量を
増すことができ、メッキ厚のバラツキ減少に好都合であ
る。
、第１図に示すようにメッキ液供給ラインにバイパス１
３を設ければ、上記メッキ部減圧によってメッキ液を吸
い上げる結果となり、ノズル８からのメッキ液噴射量を
増すことができ、メッキ厚のバラツキ減少に好都合であ
る。
第２図に示すようなパターンの８連型リードフレームを
同時に２０枚（リードフレーム１ｋ１６０）メッキでき
るようにした第１図に示す型の部分メッキ装置を用い、
総メッキ液噴射量２０１／分、極間路ｔｌｆｌ １０
＋＋ｎ、陰極電流密度３０ Ａ／ｄｆｆｌ” 、とし、
エジェクターにより吸引側真空度をＯｃ＋ｎＨｇ、５ｃ
ａ＋Ｈｇ、ｌＯｃｍＨｇと２０ｃｍＨｇと変えて部分銀
メッキを施した。部分メッキ後の各リードフレームにつ
いて、特定箇所のリードにおけるメッキ洩れを調べ、Ａ
、Ｂ、Ｃ，Ｄ、にランク付けした。Ｄは不良と判定され
る大きさで、Ｃ，Ｂ、Ａの順にメッキ洩れは小となる。
同時に２０枚（リードフレーム１ｋ１６０）メッキでき
るようにした第１図に示す型の部分メッキ装置を用い、
総メッキ液噴射量２０１／分、極間路ｔｌｆｌ １０
＋＋ｎ、陰極電流密度３０ Ａ／ｄｆｆｌ” 、とし、
エジェクターにより吸引側真空度をＯｃ＋ｎＨｇ、５ｃ
ａ＋Ｈｇ、ｌＯｃｍＨｇと２０ｃｍＨｇと変えて部分銀
メッキを施した。部分メッキ後の各リードフレームにつ
いて、特定箇所のリードにおけるメッキ洩れを調べ、Ａ
、Ｂ、Ｃ，Ｄ、にランク付けした。Ｄは不良と判定され
る大きさで、Ｃ，Ｂ、Ａの順にメッキ洩れは小となる。
結果を第１表に示す。
第１表より真空度を上げる程メッキ洩れが縮小している
、真空度１０關ＨｇＴ：Ｃランクのメッキ洩れが皆無と
なることが分る。
、真空度１０關ＨｇＴ：Ｃランクのメッキ洩れが皆無と
なることが分る。
本発明法によりメッキ洩れの問題がほぼ解消され、歩留
りが向上する結果、メッキコストの低減に大きく貢献す
ることができた。
りが向上する結果、メッキコストの低減に大きく貢献す
ることができた。
第１図は本発明を実施するための装置の１例を示し、第
２図はリードフレームの１例、第３図は従来の部分メッ
キ装置の１例、第４図は部分メッキリードフレームの１
例を示し、第５図はメッキ洩れの状態を示す図である。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第３図
２図はリードフレームの１例、第３図は従来の部分メッ
キ装置の１例、第４図は部分メッキリードフレームの１
例を示し、第５図はメッキ洩れの状態を示す図である。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第３図
Claims (1)
- （１）メッキすべき部分を透孔としたマスク板と押圧板
とでリードフレームを密閉系に挟持し、該透孔にメッキ
液を噴射すると共にリードフレームを陰極として通電す
るリードフレームのメッキ方法において、メッキ液噴射
状態で前記透孔付近を減圧することを特徴とするリード
フレームのメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8233488A JPH01255258A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | リードフレームのメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8233488A JPH01255258A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | リードフレームのメッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255258A true JPH01255258A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13771664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8233488A Pending JPH01255258A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | リードフレームのメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01255258A (ja) |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP8233488A patent/JPH01255258A/ja active Pending
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