JPH03217049A - リードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はリードフレームの製造方法に関し、更に詳細に
は樹脂封止形の半導体装置に用いられる、ダムバーイτ
Ｉきり−１・フレームの製造方法に関する。

（従来の技術） 樹脂封入形の半導体装置に用いられるダムバ付きリード
フレームＡの正面図を第３図に示す。

第３図に示ずリードフレームＡには、二木のダムパー１
６、１６の内側にインナーリード１２が、ダムパー１６
、１６の外側にアウターリード１０が各々形成されてい
る。

更に、インナーリード１２の先端１８によって囲まれる
中央部には、半導体チップが搭載されるステージ１４が
形成されている。

また、第３図の一点鎖線で囲まれる領域、即ち少なくと
もインナーリード１２の先端ｌ８には銀めっきが施され
ている。

尚、銀めっきが施されるインナーリード１２の先端１８
は、ステージ１４に搭載される半導体チップとワイヤボ
ンディングされる部分である。

かかる第３図に示すリ−ドフレームは、ステジ１４に半
導体チップを搭載しワイヤボディングした後、樹脂封止
される。その際に、ダムパー１６、１６は、樹脂封止の
ための金型に当接して封止樹脂がインリー−リート１２
の領域から流れ出ないようにしている。

この様なリードフレームＡは、従来、ポンチを用いるプ
レス加工法によって製造されている。

ところで、最近の半導体チップの高集積化に伴い、リー
ドフレームの多ピン化も進行し、インナリードも一層微
細化され高密度化されつつある。

しかし、従来のプレス加工法ではポンチの強度等の関係
でインナーリートの微細化にも限界があり、半導体チッ
プの高集積化に伴う多ピン化に適格に対応でき難いため
、インナーリードの微細化が可能なエッチング法が採用
されている。

かかるエッチング法は、第４図に示す工程から成る。

先ず、基板１の両面にレジスト３を塗布し［（ａ）工程
］、所望のパターンにパターニングした後、エッチンク
処理を施す部分５のレジスト３を除去する［（ｂ）工程
］。

次に、全基板をエソチンク処理液中に浸漬し、前記（ｂ
）工程でルジスト３が除去されている部分５をエツヂン
グして貫通せしめ、アウターリト］０及びインナーリ−
ド１２を形成する［（Ｃ）工程］。

その後、ｌ／ジストのパターニングの際に留したレジス
ｌ−３を除去し［（ｄ）工程］、更にインナリードｌ２
の先端１８に銀めっきを施ず［（ｅ）工程］。

（発明が解決しようとする課題） 第４図に示す従来のエツヂング法によれば、プレス加工
等の機械的加工では不可能である微細なインナーリーｌ
く１２を具｛ＩＨｉずるり−ドフレームを得ることがで
きる。

しかしながら、微細なインナーリ−ド１２を具倫ずるリ
−ドフレームにおいては、得られるリトフレームの取汲
い中にインナーリード１２が変形したり、或いはインナ
ーリ−１・１２の間隙７が極めて狭いため、リードフレ
ームをめっき液に浸漬する際に、インナーリード１２同
士が接触し易い欠点がある。

また、銀めっきの際には、めっき領域からめっき液の漏
洩を防止するため、めっき領域の境界近傍をゴム等のマ
スキング部材で押圧するものの、めっき液の洩れによっ
てめっき領域外のインナリー１くにも銀めっきが施され
るため、マイグレションの問題が発生ずることかある。

この様に微細なインナ−リ−１くを具備ずるりドフｌ／
−ムは、その性質上から取扱いに細心の注意が要求され
る。

そこで、本発明の目的は、微３−Ｉ１なインナ−リドを
具備し且つ取扱い容易なリードフレームを得ることかで
きるリードフレームの製造方法を提供するにある。

（課題を解決するための手段） 本発明者は、前記目的を達成すべく検討した結果、エッ
チングを施してりーｌ〜を形成した後、レジストのバタ
−ニングの際に残したレジストの除去前に、樹脂をイン
ナーリー１・の間隙に充填しインナーリー１〜の位置決
めをすることによって、得られるりーＩ・フレームの取
扱いか容易になることを見い出し、木発明に到達した。

５ 即ち、木発明は、樹脂封止形の半導体装置に用いられる
、ダムバー付きり−ドフレームをエッチング法によって
製造する際に、該リードフレ−ムを形成する基板にレジ
スＩ・を塗布しパターニングした後にエッチング処理し
てダムバー付きり−ドフレ−ムを得、次いで得られたり
−ドフレ−ムのタムバ−よりも内側のインナ−リードの
各々を所定の位置に位置決めするため、インナーリ−ド
間の各間隙に樹脂を充填し、その後にインナ−リドの両
面に残されたレジストを除去することを特徴とするリー
ドフレームの製造方法にある。

（作用） 本発明によれば、エッチング処理の際のレジス１・が両
面に残されているインナーリードの各間隙を樹脂で充填
し、インナ−リードの各々を所定の位置に位置決めして
からレジストを除去する。

このため、レジストによって補強されているインナーリ
−トは、レジスト除去後のインナーリードに比較して強
度を有するため、容易にインナリードの間隙に樹脂を充
填でき、インナーリード６ の位置決めをすることができる。

この様な木発明によって得られるリードフレムは、イン
ナーリードが樹脂によって位置決めされているため、イ
ンナーリーｌく同士の接触等に因るインナーリ−ドの変
形をｌｉＪｊ止でき、その取扱いが容易である。

また、インナーリートの先端に部分的に銀めっきを施す
に際し、めっき液の漏洩防止用のゴム等のマスキンク部
材と樹脂とを当接させ、インナリ−ドの側面部分等への
めつき液の漏洩を充分に防止できるため、インナーリ−
ド表面のワイヤボンディンク領域のみに銀めっきを施す
ことができ、銀のマイクＩノ−ションの発生を防止でき
る。

（実施例） 木発明を図面を用いて更に詳細に説明する。

第１図は本発明を説明するための工程図であり、先ずり
−１・フレームを形成する基板１の両面にレシス１・３
を塗布［（工）工程］してからパターニングする。

かかるパターニンク゛は、ボジディブタイプ又はネガテ
ィブタイプのどちらであってもよい，次いて、エッチン
グ処理を施す部分５のレジスト３を除去［（■》工程コ
シ，エツヂング処理を施してアウターリ−ド、インナー
リ−ド１２等を形成する［（■）工程コ。

形成されるインナーリード１２は、第１図（Ｉ［［）に
示す様に、両面にレジスト３が残り補強されているため
、ｌ／ジスト３が除去されたインナーリードに比較して
強度が高く、外力に抗することができる。特に、微細な
インナーリードの先端程レジスト３に因る補強効果が大
きい９ この様なｌ／ジス１一３が両面に残されたインナリード
］２の間の間隙７に樹脂１１を充填してインナーリード
の位置決めを行う［（ＩＶ）−＋―程］。

かかる樹脂１１は、最終的に得られる半導体装置に使用
される樹脂封止用の樹脂と同じもの或いは相溶性を有ず
る樹脂を使用することが好ましい９つまり、１Ｍ脂封止
の樹脂とインナーリート１２の位置決め川の樹脂１１と
の馴染み良くすることかでき、樹脂の境界部分の剥離等
に因る水分の侵人を防止できるためてある。

樹脂１１を充填する領域は、第３図に示すダムバー１６
、１６の内側全域、つまりインナーリード１２の全長に
亘ってもよく、銀めっきを施ずワイヤホンデイング領域
たけてあってもよい。

また、インナ−リード１２の間隙７への樹脂の充填程度
は、第１図の（ＩＶ）の如く、間隙７を完全に満たず様
に充填してもよく、間隙７の一部であってもよい。要は
インナーリード１２の位置決めかなされればよい。

尚、インナーリート間の各間隙に樹脂を充填する際には
、インナ−リード先端とステ−ジとの間にも充填しても
よい３ この様なインナーリ−ド１２の間隙７への樹脂の充填は
、樹脂がイマ１着されている１コーラによって容易に行
うことができる。

尚、インナーリー１へ１２の両面には、レジスト３か残
されているため、ｌ／ジスｌへ３１に樹脂１１がイ玉１
着しても容易に除去することができる。

この様にインナ−リーＩ・］２の間隙７に樹脂を９ 充填しインナーリ−１〜１２を位置決めした後、インナ
ーリ−ド１２の両面に残されたレジスｌ一３を溶解又は
剥離して除去する［（Ｖ）工程］。

この際に、木実施例では、充填した樹脂］１の一部もレ
ジス１〜３と共に除去し、インナーリード１２の両面を
実質的に平坦にする。

更に、実質的に平坦となったインナーリード１２の先端
１８（第３図）に部分的に銀めっきを施す［（Ｖｌ）工
程］。この銀めっきは、例えは特開昭６１−１８３４７
２号公報等に開示されている装置を用いて行うことがで
きる。

かかる銀めっきの際に、めっき液の漏洩防止用ゴム等の
マスキング部材とインナーリード１２の間隙７に充填し
た樹脂ｌ１とが当接し、めっき液の漏洩を防止すること
ができ、第３図の一点鎖線で囲まれている領域外への銀
めっきを防止することができる。

また、得られるリードフレームは、微細なインナーリー
ｌ〜が樹脂で位置決めされているため、取扱い中の変形
、或いはめっき液に浸漬したときの１０ インナーリード同士の接触を防止でき、取扱いが容易で
ある。

以上、述べてきた実施例においては、レジスト３及ひイ
ンナーリード１２の間隙７に充填した樹脂１１の一部を
共に除去しーインナーリートｌ２の両面を平坦にしてい
るが、樹脂１ｌの種類によっては第２図の様に、インナ
ーリート１２の両面に樹脂］１の一部か突出する場合も
ある。

この場合には、ボンディングの際に不都合がな（フれは
、第２図に示す状態でインナーリー１・１２の先端部１
８に銀めっきを施してもよい。

また、ボンディングに不都合が生じる場合には、樹脂１
１を溶解ずる溶液にリードフレームを浸漬し樹脂ｌ１の
突出部分をエツチンクしてインナリード］２の両面を平
坦にしてもよい。

（発明の効果） 本発明の製造方法によって得られるリ−ドフレムは、イ
ンナーリードが微細化されているものの、その取扱いが
容易であり、インナーリードの変形や銀のマイクレーシ
ョンを防止できるなめ、半導体チップの高集積化に伴う
多ピン化に容易に対応ずることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の工程を説明する工稈レ１、第２図は他
の実施例を示す断面図、第３図はり−１〜フレームの平
面図、第／１レ１は従来のエッチング法の工程を説明す
る工程図を各々示す。 図において、 １　　・基板、３・・・レシス１・、５・エッチンク処
理部分、７・・・１８１隙、９・・　めっき、１０・・
・アウターリ−ド、１２・　・インナーリー１・、１４
・　−ステジ、１６・・・ダムバ−、１８・・・インナ
ーリードの先端、Ａ・・　リードフ１／−ム。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、樹脂封止形の半導体装置に用いられる、ダムバー付
   きリードフレームをエッチング法によって製造する際に
   、該リードフレームを形成する基板にレジストを塗布し
   パターニングした後にエッチング処理してダムバー付き
   リードフレームを得、次いで得られたリードフレームの
   ダムバーよりも内側のインナーリードの各々を所定の位
   置に位置決めするため、インナーリード間の各間隙に樹
   脂を充填し、その後にインナーリードの両面に残された
   レジストを除去することを特徴とするリードフレームの
   製造方法。