JPH01246835A - ウエハ処理装置 - Google Patents
ウエハ処理装置Info
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- JPH01246835A JPH01246835A JP7534288A JP7534288A JPH01246835A JP H01246835 A JPH01246835 A JP H01246835A JP 7534288 A JP7534288 A JP 7534288A JP 7534288 A JP7534288 A JP 7534288A JP H01246835 A JPH01246835 A JP H01246835A
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- JP
- Japan
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- wafer
- processing
- sealed
- edge parts
- processing solution
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 55
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は半導体ウェハの表面処理を行なうウェハ処理装
置に関する。
置に関する。
（従来の技術）
従来、ウェハの表面処理は、ウェハをキャリアに入れて
、直接処理液の中に投入することにより行なりていた。
、直接処理液の中に投入することにより行なりていた。
第８図はこの様子を示すもので。
図中１０はウェハ、１１はキャリア、１２は処理液供給
部、１３は処理液、１４′は処理槽、１５は排液口であ
る。
部、１３は処理液、１４′は処理槽、１５は排液口であ
る。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上記従来の方法では、ウェハ１１の裏面や
エツジ部も同時に処理液１３で処理してしまうので、ｆ
ロセス上不都合が生じてしまう場合があった。
エツジ部も同時に処理液１３で処理してしまうので、ｆ
ロセス上不都合が生じてしまう場合があった。
本発明は上述した従来技術の欠点を解消するためになさ
れたもので、ウェハの裏面やエツジ部に処理液を接液さ
せずに、ウェハ表面だけを処理することのできるウェハ
処理装置を提供することを目的とする。
れたもので、ウェハの裏面やエツジ部に処理液を接液さ
せずに、ウェハ表面だけを処理することのできるウェハ
処理装置を提供することを目的とする。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段と作用）
本発明は、半導体ウェハの支持体と、少くとも前記ウェ
ハ表面のエツジ部をシールするシール体と、前記半導体
ウェハの表面露出部のみに処理液を供給する手段とを具
備したことを特徴とするウェハ処理装置である。即ち本
発明は上記目的を実現するために、ウェハを支持体で支
持させ、ウェハのエツジ部をシール体によってシールシ
、処理液がウェハ裏面及びエツジ部に接液し汝いように
して、ウェハ表面だけを処理することができるウェハ処
理装置である。
ハ表面のエツジ部をシールするシール体と、前記半導体
ウェハの表面露出部のみに処理液を供給する手段とを具
備したことを特徴とするウェハ処理装置である。即ち本
発明は上記目的を実現するために、ウェハを支持体で支
持させ、ウェハのエツジ部をシール体によってシールシ
、処理液がウェハ裏面及びエツジ部に接液し汝いように
して、ウェハ表面だけを処理することができるウェハ処
理装置である。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図は同実施例の断面的構成図、第２図は同要部平面図で
あるが１図中第８図のものと対応する個所には対応符号
を用いる。即ち第１図に示すように、ウェハ１０をウェ
ハ載せ台（ウェハ支持体）１６上に載せ、エアシリンダ
１８によりてシールリング（シール体）１７にウェハ１
０のエツジ部を押し当てる。このようにしてウェハ１０
は、第２図に示すようにシールリング１７によって、オ
リフラ部１９も含めてエツジ部をシールされかつ裏面も
シールされたことになる。このようにウェハ１０をシー
ル後、処理液１３はウェハ１０上に、処理液供給部１２
によって供給される。処理が終ると、エアシリンダ１８
によって、ウェハ載せ台１６は２点鎖線の位置まで引き
下げられ。
図は同実施例の断面的構成図、第２図は同要部平面図で
あるが１図中第８図のものと対応する個所には対応符号
を用いる。即ち第１図に示すように、ウェハ１０をウェ
ハ載せ台（ウェハ支持体）１６上に載せ、エアシリンダ
１８によりてシールリング（シール体）１７にウェハ１
０のエツジ部を押し当てる。このようにしてウェハ１０
は、第２図に示すようにシールリング１７によって、オ
リフラ部１９も含めてエツジ部をシールされかつ裏面も
シールされたことになる。このようにウェハ１０をシー
ル後、処理液１３はウェハ１０上に、処理液供給部１２
によって供給される。処理が終ると、エアシリンダ１８
によって、ウェハ載せ台１６は２点鎖線の位置まで引き
下げられ。
この時処理液１３は排液口１５より排出される。
その後ウェハ１０は取り出され、処理工程が終了する。
上記実施例によれば、ウェハ１１の表面処理において、
ウェハ１１の裏面及びエツジ部を処理することなく、ウ
ェハ表面のみ処理することができるものである。
ウェハ１１の裏面及びエツジ部を処理することなく、ウ
ェハ表面のみ処理することができるものである。
上記実施例はウェハ１枚に対してのものであるが、ウェ
ハを複数枚同時に処理することも可能である。第３図、
第４図はその例を示すもので、同図（、）は平面図、同
図（ｂ）は一部切欠側面図である。
ハを複数枚同時に処理することも可能である。第３図、
第４図はその例を示すもので、同図（、）は平面図、同
図（ｂ）は一部切欠側面図である。
第３図の実施例は、ウェハ支持体としての役目を兼ねる
シール治具２１の上にウェハ１０を載せ、そのエツジ部
をシールリング１７でシールしたものを複数層積み重ね
たもので、これを処理槽の中に置いて、処理液通過路２
０を通過する処理液１３で各ウェハ１０の表面だけを処
理することができる。
シール治具２１の上にウェハ１０を載せ、そのエツジ部
をシールリング１７でシールしたものを複数層積み重ね
たもので、これを処理槽の中に置いて、処理液通過路２
０を通過する処理液１３で各ウェハ１０の表面だけを処
理することができる。
第４図の実施例は、ウェハ載せ台１６の上に、各ウェハ
１０を平面的に位置をずらせて複数枚載せ、シール体１
７を上から被せたものである。これは、処理液１３が各
ウェハ１０上を流れるようにすれば、複数枚のウェハ１
０の表面だけを同時に処理することができるものである
。
１０を平面的に位置をずらせて複数枚載せ、シール体１
７を上から被せたものである。これは、処理液１３が各
ウェハ１０上を流れるようにすれば、複数枚のウェハ１
０の表面だけを同時に処理することができるものである
。
第５図、第６図は第３図のシール治具２１の積層の仕方
を更に具体的に示した例の要部の分解斜視図である。こ
のようにシール治具２ノの両端側に孔を設け、シール治
具２１の内壁の環状溝２ノ。
を更に具体的に示した例の要部の分解斜視図である。こ
のようにシール治具２ノの両端側に孔を設け、シール治
具２１の内壁の環状溝２ノ。
にシールリング１７をはめ込み、シール治具２１に棒体
２２を挿通させて各シール治具２１間にウェハ１０をシ
ール配置し、これを複数処理することができる。
２２を挿通させて各シール治具２１間にウェハ１０をシ
ール配置し、これを複数処理することができる。
第７図は、第３図のシール治具を立てるようにして処理
槽１４内に配置し、処理液１３を下側から供給し、上側
でオーバーフローさせる場合の例で、この場合良い結果
が得られている。その理由は、処理液１３の流れがとど
こうらす、ウェハ１０上に堆積される膜厚が均一化され
るからであると考えられる。その具体例として、ウェハ
Ｓ ｒ ０２成膜比較データを示す。即ち処理液に弗酸
系ＳｉＯ□溶液を用いた場合、第７図のシール治具外に
置いたウェハ（図示せず）の膜厚は３５５Ｘであるのに
対し、シール治具内のウェハ１０の膜厚は３４０Ｘであ
り、また双方の膜厚の分布（差）は２．６俤で。
槽１４内に配置し、処理液１３を下側から供給し、上側
でオーバーフローさせる場合の例で、この場合良い結果
が得られている。その理由は、処理液１３の流れがとど
こうらす、ウェハ１０上に堆積される膜厚が均一化され
るからであると考えられる。その具体例として、ウェハ
Ｓ ｒ ０２成膜比較データを示す。即ち処理液に弗酸
系ＳｉＯ□溶液を用いた場合、第７図のシール治具外に
置いたウェハ（図示せず）の膜厚は３５５Ｘであるのに
対し、シール治具内のウェハ１０の膜厚は３４０Ｘであ
り、また双方の膜厚の分布（差）は２．６俤で。
シール治具２１の使用によって成膜に差異はほとんどな
く、従って第７図のような処理においては、問題は生じ
なかった。
く、従って第７図のような処理においては、問題は生じ
なかった。
上記のように本発明においては、ウェハの裏面及びエツ
ジ部は研摩していないから、そこをシールする。もしシ
ールしないと、ウェハ裏面とエツジ部は表面がちらくな
っていて、成膜がばらついたりして、後工程でごみ等の
問題となるが１本発明によればこのような問題もなくな
るものである。
ジ部は研摩していないから、そこをシールする。もしシ
ールしないと、ウェハ裏面とエツジ部は表面がちらくな
っていて、成膜がばらついたりして、後工程でごみ等の
問題となるが１本発明によればこのような問題もなくな
るものである。
［発明の効果］
以上説明した如く本発明によれば、ウェハの表面処理に
おいて、ウェハの裏面及びエツジ部を処理することなく
、ウェハ表面のみ処理することができ、プロセス上程々
の効果が得られるものである。
おいて、ウェハの裏面及びエツジ部を処理することなく
、ウェハ表面のみ処理することができ、プロセス上程々
の効果が得られるものである。
第１図は本発明の一実施例の断面的構成図、第２図はそ
の要部平面図、第３図（、）は本発明の異なる実施例の
平面図、同図（ｂ）はその一部切欠側面図、第４図（＆
）は本発明の更に異なる実施例の平面図、同図（ｂ）は
その一部切欠側面図、第５図、第６図は第３図のシール
治具の積層の仕方の具体例の要部の分解斜視図、第７図
は本発明の更に異なる実施例の断面的構成図、第８図は
従来装置の断面図である。 １０・・・ウェハ、１２・・・処理液供給部、１３・・
・処理液、１４・・・処理槽、１５・・・排液口、１６
・・・ウェハ８Ｍ、台、１７・・・シールリング（シー
ル体）、１８・・・エアシリンダ、２０・・・処理液通
過路。 ２１・・・シール治具。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第５図 第６図
の要部平面図、第３図（、）は本発明の異なる実施例の
平面図、同図（ｂ）はその一部切欠側面図、第４図（＆
）は本発明の更に異なる実施例の平面図、同図（ｂ）は
その一部切欠側面図、第５図、第６図は第３図のシール
治具の積層の仕方の具体例の要部の分解斜視図、第７図
は本発明の更に異なる実施例の断面的構成図、第８図は
従来装置の断面図である。 １０・・・ウェハ、１２・・・処理液供給部、１３・・
・処理液、１４・・・処理槽、１５・・・排液口、１６
・・・ウェハ８Ｍ、台、１７・・・シールリング（シー
ル体）、１８・・・エアシリンダ、２０・・・処理液通
過路。 ２１・・・シール治具。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第５図 第６図
Claims (1)
- 半導体ウェハの支持体と、少くとも前記ウェハ表面の
エッジ部をシールするシール体と、前記半導体ウェハの
表面露出部のみに処理液を供給する手段とを具備したこ
とを特徴とするウェハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7534288A JPH01246835A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7534288A JPH01246835A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | ウエハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246835A true JPH01246835A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13573488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7534288A Pending JPH01246835A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246835A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148823A (en) * | 1990-10-16 | 1992-09-22 | Verteg, Inc. | Single chamber megasonic energy cleaner |
| US5534076A (en) * | 1994-10-03 | 1996-07-09 | Verteg, Inc. | Megasonic cleaning system |
| US5950645A (en) * | 1993-10-20 | 1999-09-14 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
| US6334266B1 (en) | 1999-09-20 | 2002-01-01 | S.C. Fluids, Inc. | Supercritical fluid drying system and method of use |
| WO2002011911A1 (en) * | 2000-08-04 | 2002-02-14 | S. C. Fluids, Inc. | Inverted pressure vessel with shielded closure mechanism |
| US6497239B2 (en) | 1999-08-05 | 2002-12-24 | S. C. Fluids, Inc. | Inverted pressure vessel with shielded closure mechanism |
| JP2007136248A (ja) * | 2004-12-10 | 2007-06-07 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | 薄板状部品洗浄用治具、洗浄装置および洗浄方法 |
| US7651723B2 (en) * | 2003-06-16 | 2010-01-26 | Lam Research Corporation | Microelectronic fabrication system components and method for processing a wafer using such components |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP7534288A patent/JPH01246835A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148823A (en) * | 1990-10-16 | 1992-09-22 | Verteg, Inc. | Single chamber megasonic energy cleaner |
| US5950645A (en) * | 1993-10-20 | 1999-09-14 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
| US5534076A (en) * | 1994-10-03 | 1996-07-09 | Verteg, Inc. | Megasonic cleaning system |
| US6497239B2 (en) | 1999-08-05 | 2002-12-24 | S. C. Fluids, Inc. | Inverted pressure vessel with shielded closure mechanism |
| US6334266B1 (en) | 1999-09-20 | 2002-01-01 | S.C. Fluids, Inc. | Supercritical fluid drying system and method of use |
| WO2002011911A1 (en) * | 2000-08-04 | 2002-02-14 | S. C. Fluids, Inc. | Inverted pressure vessel with shielded closure mechanism |
| US7651723B2 (en) * | 2003-06-16 | 2010-01-26 | Lam Research Corporation | Microelectronic fabrication system components and method for processing a wafer using such components |
| JP2007136248A (ja) * | 2004-12-10 | 2007-06-07 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | 薄板状部品洗浄用治具、洗浄装置および洗浄方法 |
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