JPH07211658A - ウエハーキャリヤ - Google Patents

ウエハーキャリヤ

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JPH07211658A
JPH07211658A JP32450994A JP32450994A JPH07211658A JP H07211658 A JPH07211658 A JP H07211658A JP 32450994 A JP32450994 A JP 32450994A JP 32450994 A JP32450994 A JP 32450994A JP H07211658 A JPH07211658 A JP H07211658A
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wafer
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carrier
slot
wafer carrier
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JP32450994A
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Mark G Stinson
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 反応器において原料蒸気からウエハー上に材
料を蒸着させる加工中に、少なくとも１つのウエハーを
支持するウエハーキャリヤが、ベースの第１横方向縁か
ら第２横方向縁に延在する内部湾曲表面を有するベース
を有する。第１横方向縁から第２横方向縁にほぼ連続的
に延在するベースの内表面におけるスロットが底壁およ
び側壁によって規定される。スロットは、ウエハーを直
立状態で把持するため、ウエハーの薄い外側に面する周
囲縁の一部分を少なくとも収容する。スロットの底壁
は、ウエハーの外側に面する周囲縁の一部分の所定形状
に密接に対応し、ウエハーの外側に面する縁とベースと
の間での蒸気の侵入、および材料の蒸着によるキャリヤ
とウエハーとの間の材料ブリッジの形成を防止する。 【効果】 ウエハーの欠けが防止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に、加工中に物
品を把持するキャリヤに関する。さらに詳しくは、本発
明は、ウエハーへの化学蒸着時においてウエハーを把持
するキャリヤに関する。
【０００２】
【従来の技術】(典型的にはウエハーの形態における)半
導体材料の加工において、ウエハーの１つの表面上に多
結晶半導体材料の層または薄膜を付着させることが普通
に行われている。半導体ウエハーから形成された集積回
路において、層は、金属間の電気絶縁、導電領域および
／または環境からの保護を与える。例えば、単結晶シリ
コン上の多結晶シリコンの層は、ゲッタリングのため、
あるいはＭＯＳ集積回路デバイスにおけるゲート電極材
料として使用できる。
【０００３】単結晶半導体ウエハー上に材料層を付着す
る多くの方法が存在するが、化学蒸着法が最も頻繁に使
用されている。一般的に、ウエハーは加熱反応器中にお
いてキャリヤ上に把持され、蒸気の形態の付着される材
料を含有するガスが反応器の中を循環している。半導体
ウエハー上でのガスの分解によって層が形成する。最も
普通の方法は、低圧化学蒸着法、ＬＰＣＶＤと呼ばれて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウエハーの全て
の加工に関して、加工中にウエハーがダメージを受けな
いことが重要である。ウエハーをキャリヤに接続する多
結晶材料のブリッジが破壊するので、ＬＰＣＶＤの後に
キャリヤからウエハーを取り外した場合に、ウエハーが
欠けることが時々ある。ブリッジは、ウエハーおよびキ
ャリヤの上へのガスから蒸着する多結晶材料によって形
成される。シリコンウエハー上での多結晶シリコン層の
ＬＰＣＶＤに使用されている現在のキャリヤは、フレー
ムによって一体に保持された４本の石英ロッドを使用し
て、ウエハーを支持しかつ把持する。ウエハーが直立状
態で保持されるように、ウエハーの周囲縁の小さい部分
がロッドにおけるそれぞれのスロットに収容される。ウ
エハーは、小領域でのみロッドに係合し、本質的に、ウ
エハーとロッドとの間の点接触になっている。ロッドお
よびスロットの形状寸法によって、ウエハーがスロット
においてロッドに係合し実質的な材料ブリッジが形成す
る地点に多結晶シリコン蒸気がアクセスするのが可能に
なる。ウエハーをキャリヤに接続するブリッジに付着す
る材料が多くなればなるほど、キャリヤからウエハーを
取り外した場合にウエハーの欠けが生じる可能性が高く
なる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的および特徴
の中で特筆すべきは、キャリヤとその上に支持されたウ
エハーとの間に付着する材料のブリッジの形成を防止す
るウエハーキャリヤを提供すること; ウエハー上に付着
できる材料を含有するガスによるアクセスからキャリヤ
とウエハーとの間の接触点を隔離するウエハーキャリヤ
を提供すること；製造がかなり安価であり、使用が容易
であるウエハーキャリヤを提供することである。
【０００６】本発明に従って構成されたウエハーキャリ
ヤは、材料が反応器中において原料蒸気からウエハー上
に蒸着されるウエハーの加工中において少なくとも１つ
のウエハーを支持する。ウエハーは、薄い、外側に面し
た所定形状の周囲縁を有する。一般的に、ウエハーキャ
リヤは、ベースの第１横方向縁からベースの第２横方向
縁に延在する内部湾曲表面を有するベース、および直立
状態にベースを把持する手段を有する。第１横方向縁か
ら第２横方向縁にほぼ連続的に延在するベースの内表面
におけるスロット手段が、底壁および向かい合う側壁に
よって規定される。スロット手段は、その中にウエハー
の該外側に面する縁の少なくとも一部分を収容しかつ直
立状態にウエハーを把持するようになっている。スロッ
ト手段の底壁はウエハーの外側に面する周囲縁の一部分
の所定形状に緊密に対応しており、ウエハーの周囲縁の
一部分が実質的にスロット手段の全長にわたって底壁と
面／面係合している。これにより、キャリヤは、ベース
とウエハーの外側に面する縁との間におけるガスの侵
入、およびガスからの材料の蒸着によるキャリヤとウエ
ハーとの間における材料ブリッジの形成を防止する。
【０００７】本願発明の他の目的および特徴は、以下に
おいて、部分的に明らかであり、部分的に指摘する。
【０００８】添付図面において、同じ参照番号は、幾つ
かの図面において対応部分を示す。図面、特に図１を参
照すれば、番号１０で示すウエハーキャリヤは、内部湾
曲表面１４を有するベース１２、ベースを直立状態に保
持するベースからたれ下がっている脚１６、およびキャ
リヤを保持し移動するのに使用するベースの前末端およ
び後末端にあるロッド１８を有してなる。好ましい態様
において、ベース１２、脚１６およびロッド１８は全
て、石英からできており、一体に融合されている。キャ
リヤが石英以外の材料からできていることも可能であ
る。石英は、加工中に半導体材料を汚染しないので、好
ましい。ロッド１８はチューブ状であり、ベース１２の
それぞれの末端に接続されている。ベースの末端におい
て、ロッドはベースのアーチに交差する(図２)。それぞ
れの脚１６は、末端で隣接した棒２０に接合した２本の
短い支柱２２によってベースの下側に接続した、非中空
のシリンダー状の棒２０を有してなる。
【０００９】ウエハーキャリヤ１０は、少なくとも１つ
の、好ましくは複数の、半導体材料のウエハーＷを支持
する構造を有する。それぞれのウエハーＷは一般的に環
状の形状であり、かなり大きな平坦な向かい合う面Ｆ、
およびウエハーの周囲に延在する薄い、外側に面した周
囲縁Ｅを有する。ウエハーキャリヤ１０は、ウエハーＷ
の加工において、多結晶シリコン層が反応器において低
圧化学蒸着法(ＬＰＣＶＤ)によって蒸着される時に、ウ
エハーを把持するようになっている。しかし、ウエハー
キャリヤ１０はＬＰＣＶＤ以外においても使用でき、こ
のことは本発明の範囲内であることを理解すべきであ
る。
【００１０】ベースの内部湾曲表面１４は、ベース１２
の第１横方向縁２６から、第２横方向縁２８に延在して
いる。内部表面１４は第１横方向縁２６と第２横方向縁
２８の間で下方向に湾曲しており、中空の環状のシリン
ダーの内部壁のアーチ状部分の形状を有する。ベースの
内部表面１４における３０で示すスロットは、ベースの
前から後に間隔をもって位置しており、ベースの第１横
方向縁２６から第２横方向縁２８に横方向に延在する。
図５に示すように、それぞれのスロット３０は、底壁３
２および一対の向かい合う側壁３４によって規定されて
おり、１つまたは図１に示すように２つのウエハーの面
Ｆの隣接端、および外側に面する周囲縁Ｅの一部分を収
容するように構成されている。
【００１１】図４に示されているように、それぞれのス
ロット３０の底壁３２は、外側に面するウエハーの周囲
縁Ｅの形状に密接に合致する。図示する態様において、
底壁３２の湾曲半径は、ウエハーＷの半径に非常に近
い。半径約１００mmのウエハーＷに対して、約１０３mm
である底壁３２の湾曲半径は、満足な結果を与えること
がわかった。従って、ウエハーＷをスロット３０内に配
置した場合に、スロット内に収容される外側に面する周
囲縁Ｅの一部分は、実質的に底壁の全長にわたって、ス
ロットの末端から末端まで、面／面関係で底壁３２に係
合する。ウエハーの外側に面する周囲縁Ｅおよびウエハ
ー底壁３２の形状寸法における密接な同様性が、それら
が接触する場合にウエハーＷとキャリヤ１０との間のガ
スの侵入のための間隙を与えることはない。従って、キ
ャリヤ１０およびウエハーＷの上に蒸着する半導体材料
からなるブリッジ(図示せず)の形成が大いに防止され
る。
【００１２】図５に示すように、スロット３０の幅(即
ち、側壁間の最短距離)は、２つのウエハーＷの厚さに
密接に対応する寸法を有する。面／面関係にある２つの
ウエハーＷがスロット３０中にセットされてよく、底壁
３２および側壁３４との係合によって直立状態で把持さ
れる。ウエハーＷの係合面は、多結晶半導体材料がこれ
ら面の上に蒸着するのを防止する。スロットは、１つの
ウエハーＷの厚さに対応する幅を有していてよく、それ
ぞれのスロットは１つのウエハーのみを把持する。当
然、半導体材料の層は、例において、ウエハーの両面に
蒸着してよい。側壁３４は、実質的に連続的にその全長
にそってウエハーＷに接触し、側壁とウエハーとの間の
ガスの浸出を防止し、多結晶半導体材料ブリッジの形成
を防止する。
【００１３】キャリヤ１０を使用することによって、ウ
エハーＷの欠けの発生および過酷さを減少できることが
わかった。スロット３０とウエハー周囲縁Ｅ(およびウ
エハーＷの隣接領域)の密接な形状寸法は、キャリヤ１
０とウエハーとの間の接触点での実質的な材料の蒸着を
防止する。さらに、周囲に沿ったかなり小さい点ではな
く、その周囲の実質的な部分に沿って(即ち、周囲の約
１／３にわたって)ウエハーＷを支持することによっ
て、ウエハーＷとキャリヤ１０との間に形成される多結
晶材料のブリッジがかなり薄くなる。ウエハーＷをキャ
リヤ１０から取り出した場合の薄いブリッジの破壊は、
ウエハーの欠けを生じさせることはない。
【００１４】前記のことから、本発明の幾つかの目的が
達成され、他の好都合な結果が得られることがわかる。
本発明の範囲から逸脱することなく、前記の構成におい
て種々の変形を行うことが可能であり、前記記載または
添付図面における全ての事項は単なる例示であり、本発
明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 キャリヤによって支持されているウエハーを
示す幾つかのウエハーを支持するウエハーキャリヤの斜
視図である。
【図２】 図１のウエハーキャリヤの末端図である。
【図３】 明瞭にするためにウエハーを取り除いた状態
の、図１の線３−３に沿ったウエハーキャリヤの長手方
向断面図である。
【図４】 スロットの底壁とのウエハーの面／面係合を
示すキャリヤの拡大部分断面図である。
【図５】 キャリヤにおけるスロットを示す拡大部分長
手方向断面図である。
【符号の説明】
１０…ウエハーキャリヤ １２…ベース ３０…スロット

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応器中において原料蒸気からウエハー
    上に材料を蒸着させる加工中に少なくとも１つのウエハ
    ーを支持するウエハーキャリヤであって、 該ウエハーは所定形状の薄い外側に面した周囲縁を有し
    ており、ウエハーキャリヤは、ベースの第１横方向縁か
    らベースの第２横方向縁に延在する内部湾曲表面を有す
    るベース、直立状態にベースを把持する手段、および底
    壁および向かい合う側壁によって規定され、第１横方向
    縁から第２横方向縁にほぼ連続的に延在するベースの内
    部表面におけるスロット手段を有しており、該スロット
    手段は、その中にウエハーの外側に面する周囲縁の少な
    くとも一部分を収容しかつ直立状態にウエハーを把持す
    るようになっており、該スロット手段の底壁はウエハー
    の外側に面する周囲縁の該部分の所定形状に緊密に合致
    し、ウエハーの周囲縁の該部分が実質的に該スロット手
    段の全長にわたって底壁と面／面係合しており、これに
    より、ベースとウエハーの外側に面する周囲縁との間に
    おける蒸気の侵入、および蒸気からの材料の蒸着による
    キャリヤとウエハーとの間における材料ブリッジの形成
    を防止するウエハーキャリヤ。
  2. 【請求項２】 ベースの内部湾曲表面は、中空の環状の
    シリンダーの内壁のアーチ状部分の形状を有する請求項
    １に記載のウエハーキャリヤ。
  3. 【請求項３】 該スロット手段は、ウエハーの厚さに密
    接に対応した寸法である、側壁間の幅を有する請求項１
    に記載のウエハーキャリヤ。
  4. 【請求項４】 ウエハーと実質的に同様の構造を有する
    複数のウエハーを把持するように構成されており、該ス
    ロット手段は、該ウエハーの厚さの２倍に密接に対応し
    た寸法を有する側壁間の幅を有しており、該スロット手
    段は、スロットにおいて面／面関係で２つのウエハーを
    収容する請求項１に記載のウエハーキャリヤ。
  5. 【請求項５】 該スロット手段はベースの内部湾曲表面
    における間隔をおいて離れる複数のスロットを有してな
    り、それぞれのスロットは実質的に同様の構造を有する
    請求項１に記載のウエハーキャリヤ。
  6. 【請求項６】 ベースの内部湾曲表面は、中空環状シリ
    ンダーの内壁のアーチ状部分の形状を有している請求項
    ５に記載のウエハーキャリヤ。
  7. 【請求項７】 それぞれのスロットは、ウエハーの厚さ
    に密接に対応した寸法であるそれの側壁間の幅を有する
    請求項６に記載のウエハーキャリヤ。
  8. 【請求項８】 スロットのそれぞれは該ウエハーの厚さ
    の２倍に密接に対応した寸法である側壁間の幅を有して
    おり、該スロット手段は、スロットにおいて面／面関係
    で２つのウエハーを収容するようになっている請求項６
    に記載のウエハーキャリヤ。
  9. 【請求項９】 反応器中において多結晶半導体材料層を
    単結晶半導体ウエハー上に蒸着させる化学蒸着中に単結
    晶半導体ウエハーを支持するウエハーキャリヤであっ
    て、 それぞれのウエハーは、ほぼ環状の形状であり、ウエハ
    ーの周囲のまわりに延在する薄い外側に面した周囲縁を
    有しており、ウエハーキャリヤは、中空の環状シリンダ
    ーの内壁のアーチ状部分の形状を有する内部湾曲表面を
    有するベース(但し、内部表面はベースの第１横方向縁
    からベースの第２横方向縁に延在する)、直立状態にベ
    ースを把持する手段、および第１横方向縁から第２横方
    向縁にほぼ連続的に延在するベースの内部表面における
    複数のスロットを有しており、それぞれのスロットは底
    壁および向かい合う側壁によって規定され、スロット
    は、その中にウエハーの外側に面する周囲縁の少なくと
    も一部分を収容しかつ直立状態にウエハーを把持するよ
    うになっており、該スロットの底壁はウエハーの外側に
    面する周囲縁の該部分の所定形状に緊密に合致し、ウエ
    ハーの周囲縁の該部分が実質的にスロットの全長にわた
    って底壁と面／面係合しており、これにより、ベースと
    ウエハーの外側に面する周囲縁との間における蒸気の侵
    入、および蒸気からの多結晶半導体材料の蒸着によるキ
    ャリヤとウエハーとの間における材料ブリッジの形成を
    防止するウエハーキャリヤ。
JP32450994A 1993-12-28 1994-12-27 ウエハーキャリヤ Pending JPH07211658A (ja)

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US08/174,046 US5417767A (en) 1993-12-28 1993-12-28 Wafer carrier
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD381235S (en) * 1995-02-27 1997-07-22 Peter Bangert Compact disc holder
US5855280A (en) * 1995-12-14 1999-01-05 Lucent Technologies Inc. Cassette light
WO2000000663A1 (en) * 1998-06-30 2000-01-06 Memc Electronic Materials, Inc. Method and device for displacing wafers in a deposition reactor
US6871657B2 (en) * 2001-04-06 2005-03-29 Akrion, Llc Low profile wafer carrier
US20040221810A1 (en) * 2002-06-28 2004-11-11 Miles Ronald O. Process boat and shell for wafer processing
US6814808B1 (en) 2002-10-08 2004-11-09 Sci-Tech Glassblowing, Inc. Carrier for semiconductor wafers
US20040188319A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Wafer carrier having improved processing characteristics
US7239953B2 (en) * 2004-10-05 2007-07-03 Vision Works, Llc Absolute acceleration sensor for use within moving vehicles
US20070170077A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Weir Donald W Iii Disk holder

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS598055B2 (ja) * 1978-10-17 1984-02-22 松下電子工業株式会社 半導体スライスの保持具
US4355974A (en) * 1980-11-24 1982-10-26 Asq Boats, Inc. Wafer boat
CA1158109A (en) * 1981-01-14 1983-12-06 George M. Jenkins Coating of semiconductor wafers and apparatus therefor
US4572101A (en) * 1983-05-13 1986-02-25 Asq Boats, Inc. Side lifting wafer boat assembly
US4694778A (en) * 1984-05-04 1987-09-22 Anicon, Inc. Chemical vapor deposition wafer boat
US4548159A (en) * 1984-07-06 1985-10-22 Anicon, Inc. Chemical vapor deposition wafer boat
US4586743A (en) * 1984-09-24 1986-05-06 Intelledex Incorporated Robotic gripper for disk-shaped objects
US4676008A (en) * 1986-05-16 1987-06-30 Microglass, Inc. Cage-type wafer carrier and method
US5292393A (en) * 1986-12-19 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Multichamber integrated process system
JPS6453544A (en) * 1987-08-25 1989-03-01 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor manufacturing apparatus
US4981222A (en) * 1988-08-24 1991-01-01 Asq Boats, Inc. Wafer boat
US5054418A (en) * 1989-05-23 1991-10-08 Union Oil Company Of California Cage boat having removable slats

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Publication number Publication date
TW237559B (en) 1995-01-01
US5417767A (en) 1995-05-23
DE4446972A1 (de) 1995-06-29

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