JPH04158507A - 半導体装置用基板とその取り扱い方法 - Google Patents

半導体装置用基板とその取り扱い方法

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JPH04158507A
JPH04158507A JP2285060A JP28506090A JPH04158507A JP H04158507 A JPH04158507 A JP H04158507A JP 2285060 A JP2285060 A JP 2285060A JP 28506090 A JP28506090 A JP 28506090A JP H04158507 A JPH04158507 A JP H04158507A
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JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
device substrate
heat treatment
opening
holder
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Pending
Application number
JP2285060A
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English (en)
Inventor
Toshiya Yamato
大和 俊哉
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置用基板特に大口径化した半導体装置
用基板、およびその取り扱い方法に関する。
従来の技術 近年の半導体集積回路装置をはじめとする半導体装置は
微細加工技術の発展に伴い高集積化、微細化が進展して
いる。一方低コスト化のため、半導体装置用基板は年ご
とに大口径化しつつある。
しかし、その構造は従来と同様、はぼ円形の構造である
。第5図は従来の半導体装置用基板を示す。第5図にお
いて、1は半導体装置用基板であり、2は周縁の一部を
カットしたファセットである。
従来の半導体装置用基板の取り扱い方法は、通常、石英
もしくは炭化珪素製の保持具に立てて行うというもので
ある。また1枚の半導体装置用基板を取り扱う時は、真
空ピンセット等で吸着していた。
発明が解決しようとする課題 第6図(a) 、 (b)は従来の半導体装置用基板の
取り扱い方法を用いて熱処理した場合を示す正面図およ
び側面断面図である。第6図において1は半導体装置用
基板、3は保持具、4は熱処理炉、5は熱処理炉4のヒ
ーターである。半導体装置製造工程の中で石英、もしく
は炭化珪素製などの熱処理炉4を用いた熱処理工程に於
いて、半導体装置用基板1を多数枚載せた保持具3を熱
処理炉4内に挿入することにより行っているがその際、
保持具3と熱処理炉4の内壁との接触摩擦により石英や
炭化珪素の細い粉(フレークとかパーティクルと呼ばれ
る)が発生する。これが、半導体装置用基板10表面に
付着することにより製造歩留を低下させるという欠点を
有している。又、この保持具3により熱処理炉4内に挿
入された半導体装置用基板1は熱処理炉4の内壁から熱
を直接与えられる部分と、保持具3を介して熱が与えら
れる部分があるため、均一に熱処理されないという欠点
も有している。
近年、これらの課題を解決するために縦形拡散炉なるも
のも考案されているが、設備を一新する必要があり、経
済上の問題を有している。
本発明は、上記の課題を解決するために行われたもので
あり、半導体装置用基板とその取り扱い方法を提供する
ことを目的とする。
課題を解決するための手段 この課題を解決するために本発明の半導体装置用基板は
周縁に接することのない開口部を有する構造である。
また、本発明の半導体装置用基板の取り扱い方法は、周
縁に接することのない開口部を有する半導体装置用基板
の前記開口部に保持具を挿入又は係止して前記半導体装
置用基板を保持することを特徴とする。
作用 本発明の半導体装置用基板と取り扱い方法によれば、熱
処理工程に於いて熱処理炉と保持具が接触することがな
い。また半導体装置用基板は間接的にも熱処理炉と接触
しない。
実施例 本発明の半導体装置用基板とその取り扱い方法を図面を
参照しながら詳しく説明する。
第1図(a) 、 (b)は本発明の一実施例である半
導体装置用基板の平面図および側面図である。第1図に
おいて、11は大口径の半導体装置用基板、12はファ
セット、13は半導体装置用基板11の周縁と接しない
開口部である。
本実施例では開口部13は円形でありその中心を半導体
装置用基板11との中心に一致させているが、開口81
3は円形でなくても良いし、その位置も周縁に接するこ
とがなければ任意の位置でも良い。
第2図は本発明の半導体装置用基板の取り扱い方法の第
1の実施例を示す斜視図である。第2図に示すように半
導体装置用基板11の開口部13に石英からなる5字型
の保持具14に係止させることにより半導体装置用基板
11を保持する。これにより、真空ビンセット以上に確
実に半導体装置用基板11を保持、搬送できる。
第3図は本発明の半導体装置用基板の取り扱い方法の第
2の実施例を示す斜視図である。第3図に示すように半
導体装置用基板11の開口部13に石英からなる棒状の
保持具15を挿入することにより半導体装置用基板11
を保持する。この保持具15には多数枚の半導体装置用
基板11を扱うために等間隔に半導体装置用基板11の
係止部分が設けである。
上記本発明の実施例では石英からなる保持具14.15
を使用しているが、半導体装置用基板11の開口部13
を利用するものであればその用途に応じ保持x1+、1
5の材料は石英でなくともよい。
第4図は本発明の半導体装置用基板の取り扱い方法の第
2の実施例を応用した半導体装置用基板の熱処理方法の
一例を示す図である。第4図において、4は熱処理炉、
5は熱処理炉4のヒーター、11は半導体装置用基板、
15は保持具である。半導体装置用基板11の熱処理方
法は複数の半導体装置用基板11を保持具15の係止部
分に保持し、熱処理炉4内に接触しないように、挿入し
、固定する(固定手段図示せず)。そして、ヒーター5
により熱処理をするものである。この方法によれば、熱
処理炉4と接触するものはな(、熱処理の熱も半導体装
置用基板11にほぼ均一に加わる。
発明の効果 本発明による構造の半導体装置用基板とその取り扱い方
法を用いることにより、半導体装置用基板が大口径した
場合でも、開口部に保持具を挿入することにより、容易
にかつ確実に保持、搬送が可能となる。また、熱処理時
においては、保持具と熱処理炉の内壁との接触がなくな
り、従来、熱処理炉との接触により生じた石英等の細か
い粉が発生せず、さらに保持具が熱処理炉と半導体装置
用基板との間に存在しないため均一な熱処理が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である半導体装置用基板を示
す図、第2図は本発明の第1の実施例である半導体装置
用基板の取り扱い方法を示す斜視図、第3図は本発明の
第2の実施例である半導体装置用基板の取り扱い方法を
示す斜視図、第4図は本発明の半導体装置用基板の取り
扱い方法を用いた応用例を示す図、第5図は従来の半導
体装置用基板を示す平面図、第6図は従来の半導体装置
用基板の取り扱い方法を用いた応用例を示す図である。 1.11・・・・・・半導体装置用基板、2,12・・
・・・・ファセット、3,14.15・・・・・・保持
具、4・・・・・・熱処理炉、5・・・・・・ヒーター
、13・・・・・・開口部。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 はが2名12−・−フ
ァセット 13−関口部 (θ)(b) 第3図 第4図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)周縁に接することのない開口部を有する半導体装
    置用基板。
  2. (2)周縁に接することのない開口部を有する半導体装
    置用基板の前記開口部に保持具を挿入又は係止して前記
    半導体装置用基板を保持することを特徴とする半導体装
    置用基板の取り扱い方法。
JP2285060A 1990-10-22 1990-10-22 半導体装置用基板とその取り扱い方法 Pending JPH04158507A (ja)

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