JPH03215935A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH03215935A JPH03215935A JP1155590A JP1155590A JPH03215935A JP H03215935 A JPH03215935 A JP H03215935A JP 1155590 A JP1155590 A JP 1155590A JP 1155590 A JP1155590 A JP 1155590A JP H03215935 A JPH03215935 A JP H03215935A
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- Japan
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業」二の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に関するものである。
第２図は従来の半導体製造装置を示す。第２図（ａｌに
おいて、１は炉心管、２は炉心管１を加熱する機構、３
は炉心管２内と外気とを遮断する機構、４は半導体ウェ
ハ、５は半導体ウェハ４を固定する機能を有するボート
である。
おいて、１は炉心管、２は炉心管１を加熱する機構、３
は炉心管２内と外気とを遮断する機構、４は半導体ウェ
ハ、５は半導体ウェハ４を固定する機能を有するボート
である。
第２図（ｂ）において、ボー；・５ば水平面に対し９０
度の角度で溝が設けられ、前記の溝に半導体ウェハ４を
挿入することで前記半導体ウェハを水平面に対し９０度
の角度で固定する。
度の角度で溝が設けられ、前記の溝に半導体ウェハ４を
挿入することで前記半導体ウェハを水平面に対し９０度
の角度で固定する。
以上の様な構成の半導体製造装置において、炉心管３の
内径は、半導体ウェハ４の直径、ポート５の高さ、及び
ボート５に半導体ウェハ４を積載し炉心管３の内にソフ
トローディングする際のクリアランスの和で決定されて
いた。
内径は、半導体ウェハ４の直径、ポート５の高さ、及び
ボート５に半導体ウェハ４を積載し炉心管３の内にソフ
トローディングする際のクリアランスの和で決定されて
いた。
従来の半導体製造装置は以上のように構成されているの
で、例えば半導体ウェハの直径を６インチから８インチ
に拡大する際新たな大口径の炉心管、あるいは新たな大
口径の炉心管を有する半導体製造装置を必要とした。
で、例えば半導体ウェハの直径を６インチから８インチ
に拡大する際新たな大口径の炉心管、あるいは新たな大
口径の炉心管を有する半導体製造装置を必要とした。
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、既存の炉心管、例えば６インチの半導体ウェハ
対応の炉心管を使用して８インチの半導体ウェハを処理
することが可能となる半導体製造装置を得ることを目的
とする。
もので、既存の炉心管、例えば６インチの半導体ウェハ
対応の炉心管を使用して８インチの半導体ウェハを処理
することが可能となる半導体製造装置を得ることを目的
とする。
この発明に係る半導体製造装置は、炉心管内で半導体ウ
ェハを水平面から４０度以上７０度以下の角度に傾けて
ボー１・に積載するものである。
ェハを水平面から４０度以上７０度以下の角度に傾けて
ボー１・に積載するものである。
この発明では、炉心管内で半導体ウェハを水平面から４
０度以上７０度以下の角度に傾けてボートに積載するこ
とにより、炉心管の内径を拡大することなく大口径ウェ
ハをソフ１・ローデイングで処理することが可能である
。
０度以上７０度以下の角度に傾けてボートに積載するこ
とにより、炉心管の内径を拡大することなく大口径ウェ
ハをソフ１・ローデイングで処理することが可能である
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ＋において、１は炉心管、２は炉心管１を加
熱する機構、３は炉心管２内と外気とを遮断する機構、
４は半導体ウェハ、５は半導体ウェハ４を固定する機能
を有するボー１・である。
熱する機構、３は炉心管２内と外気とを遮断する機構、
４は半導体ウェハ、５は半導体ウェハ４を固定する機能
を有するボー１・である。
第１図（ｂｌにおいて、ボー１・５は水平面に対し９０
度以下の角度で溝が設けられ、前記の溝に半導体ウェハ
４を挿入することで前記半導体ウェハ４を水平面に対し
９０度以下の角度で固定する。例えば直径１５０ｍｍの
半導体ウェハ用の炉心管を使用して、前記ボートに水平
面に対し７０度の角度で傾斜させた場合は直径１６０ｍ
ｍの半導体ウェハが処理可能となり、水平面に対し６０
度の角度で傾斜させた場合は直径１７５ｍｍの半導体ウ
ェハが処理可能となり、水平面に対し５０度の角度で傾
斜させた場合は直径２００ｍｍの半導体ウェハが処理可
能となる。
度以下の角度で溝が設けられ、前記の溝に半導体ウェハ
４を挿入することで前記半導体ウェハ４を水平面に対し
９０度以下の角度で固定する。例えば直径１５０ｍｍの
半導体ウェハ用の炉心管を使用して、前記ボートに水平
面に対し７０度の角度で傾斜させた場合は直径１６０ｍ
ｍの半導体ウェハが処理可能となり、水平面に対し６０
度の角度で傾斜させた場合は直径１７５ｍｍの半導体ウ
ェハが処理可能となり、水平面に対し５０度の角度で傾
斜させた場合は直径２００ｍｍの半導体ウェハが処理可
能となる。
次に、この発明の他の実施例を説明する。第１図（Ｃｌ
において、ボート５は水平面に対し４０度以上７０度以
下の角度で溝が設けられ、前記の溝に半導体ウェハ４よ
り直径の大きいウェハホルダ６を挿入することで前記ウ
ェハホルダ６を水平面に対し４０度以上７０度以下の角
度で固定し、かつ、前記ウェハホルダ６上に半導体ウェ
ハ４を固定する。前記ウェハホルダ６上に半導体ウェハ
４を固定することで、半導体ウェハ４上に周辺部の膜厚
が中心部の膜厚より厚い膜を形成する際の均一性を大幅
に向上ずることが可能となる。
において、ボート５は水平面に対し４０度以上７０度以
下の角度で溝が設けられ、前記の溝に半導体ウェハ４よ
り直径の大きいウェハホルダ６を挿入することで前記ウ
ェハホルダ６を水平面に対し４０度以上７０度以下の角
度で固定し、かつ、前記ウェハホルダ６上に半導体ウェ
ハ４を固定する。前記ウェハホルダ６上に半導体ウェハ
４を固定することで、半導体ウェハ４上に周辺部の膜厚
が中心部の膜厚より厚い膜を形成する際の均一性を大幅
に向上ずることが可能となる。
以上のように、この発明によれば炉心管内で半導体ウェ
ハを水平面から４０度以上７０度以下の角度に傾けてボ
ートに積載するように構成したので、炉心管の内径を拡
大することなく大口径ウェハをソフトローディングで処
理することが可能であり、またウェハホルダを使用する
ことで半導体ウェハ上に周辺部の膜厚が中心部の膜厚よ
り厚い膜を形成する際の均一性を大幅に向上することが
可能となる効果がある。
ハを水平面から４０度以上７０度以下の角度に傾けてボ
ートに積載するように構成したので、炉心管の内径を拡
大することなく大口径ウェハをソフトローディングで処
理することが可能であり、またウェハホルダを使用する
ことで半導体ウェハ上に周辺部の膜厚が中心部の膜厚よ
り厚い膜を形成する際の均一性を大幅に向上することが
可能となる効果がある。
第１図（ａｌはこの発明の一実施例による半導体製造装
置を示す断面図である。第１図（ｂｌ， （Ｃ）はこの
発明の一実施例のボートの拡大図である。第２図（ａ）
は従来の半導体製造装置を示す断面図である。第２図（
ｂ）は従来の半導体製造装置のボートの拡大図である。 図において、１は炉心管、２は炉心管を加熱する機構、
３は炉心管内と外気とを遮断する機構、４は半導体ウェ
ハ、５は半導体ウェハを固定する機能を有するボート、
６は半導体ウェハを固定するウェハホルダである。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
置を示す断面図である。第１図（ｂｌ， （Ｃ）はこの
発明の一実施例のボートの拡大図である。第２図（ａ）
は従来の半導体製造装置を示す断面図である。第２図（
ｂ）は従来の半導体製造装置のボートの拡大図である。 図において、１は炉心管、２は炉心管を加熱する機構、
３は炉心管内と外気とを遮断する機構、４は半導体ウェ
ハ、５は半導体ウェハを固定する機能を有するボート、
６は半導体ウェハを固定するウェハホルダである。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）耐熱材料よりなる炉心管、 該炉心管あるいは該炉心管の内部を加熱する機構、 該炉心管内において半導体ウェハを固定する機構を有す
るボート、 該炉心管内を外気と遮断する機構等から構成される半導
体製造装置において、 前記ボートに水平面に対し４０度以上７０度以下の角度
を有する溝が設けられ、 複数枚の半導体ウェハを水平面に対し４０度以上７０度
以下の角度で同一方向に固定する手段を有することを特
徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155590A JPH03215935A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1155590A JPH03215935A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215935A true JPH03215935A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11781194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1155590A Pending JPH03215935A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03215935A (ja) |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP1155590A patent/JPH03215935A/ja active Pending
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