JPH0258822A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0258822A JPH0258822A JP21124588A JP21124588A JPH0258822A JP H0258822 A JPH0258822 A JP H0258822A JP 21124588 A JP21124588 A JP 21124588A JP 21124588 A JP21124588 A JP 21124588A JP H0258822 A JPH0258822 A JP H0258822A
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- JP
- Japan
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- wafer
- chamber
- support
- semiconductor substrate
- quartz plates
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特にチャンバー
内においてガス雰囲気中で半導体基板を加熱処理する半
導体装置の製造装置に関する。
内においてガス雰囲気中で半導体基板を加熱処理する半
導体装置の製造装置に関する。
従来、半導体装置の製造工程において、半導体基板（以
下ウェーハという）表面に形成されたフォトレジストを
はくすする場合は、第３図に示すように、ウェーハ１を
チャンバー２Ａ内のヒーター４が内蔵されたステージ１
０上にのせ、ウェーハ１の裏面をヒータ４でまたその表
面をランプ７で加熱すると共に、ガス導入口５より酸素
ガス等を導入して処理し、フォトレジストを灰化しガス
排出口６より除去していた。ウェーハ１の表面に酸化膜
を形成する場合も同様の装置が用いられている。
下ウェーハという）表面に形成されたフォトレジストを
はくすする場合は、第３図に示すように、ウェーハ１を
チャンバー２Ａ内のヒーター４が内蔵されたステージ１
０上にのせ、ウェーハ１の裏面をヒータ４でまたその表
面をランプ７で加熱すると共に、ガス導入口５より酸素
ガス等を導入して処理し、フォトレジストを灰化しガス
排出口６より除去していた。ウェーハ１の表面に酸化膜
を形成する場合も同様の装置が用いられている。
上述した従来の半導体装置の製造装置におけるウェーハ
の処理では、ステージ１０上に直接ウェーハ１が置かれ
、ウェーハ１の裏面に酸素等のガスが接触しないため、
ウェーハの裏面を表面と同時に加工できないという欠点
があった。
の処理では、ステージ１０上に直接ウェーハ１が置かれ
、ウェーハ１の裏面に酸素等のガスが接触しないため、
ウェーハの裏面を表面と同時に加工できないという欠点
があった。
本発明の半導体装置の製造装置は、上面および下面が石
英板からなるチャンバーと、前記チャンバー内に設けら
れ、中央部に開口部を有し半導体基板の周縁部を支持す
る支持体と、前記支持体上に載置された半導体基板の両
面を前記石英板を通して加熱するランプとを含んで構成
される。
英板からなるチャンバーと、前記チャンバー内に設けら
れ、中央部に開口部を有し半導体基板の周縁部を支持す
る支持体と、前記支持体上に載置された半導体基板の両
面を前記石英板を通して加熱するランプとを含んで構成
される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を説明する為のチャンバ
ーの断面図である。
ーの断面図である。
第１図において半導体装置の製造装置は、上面及び下面
が石英板３Ａ、３Ｂとからなるチャンバー２と、このチ
ャンバー２内に設けられ、中央部に開口部を有しウェー
ハ１の周縁部を載置する支持体９と、この支持体９に載
置されたウェーハ１の表面及び裏面を石英板３Ａ、３Ｂ
を通して加熱する２個のランプ７とから主に構成されて
いる。
が石英板３Ａ、３Ｂとからなるチャンバー２と、このチ
ャンバー２内に設けられ、中央部に開口部を有しウェー
ハ１の周縁部を載置する支持体９と、この支持体９に載
置されたウェーハ１の表面及び裏面を石英板３Ａ、３Ｂ
を通して加熱する２個のランプ７とから主に構成されて
いる。
尚５はガス導入口、６はガス排出口である。
このように構成された第１の実施例によれば、ウェーハ
１は開口部を有する支持体９上に載置されるため、その
両面はガス導入口５より導入された酸素等のガスに接触
し、ランプ７により加熱される。従ってウェーハ１の両
面を同時に処理することができる。
１は開口部を有する支持体９上に載置されるため、その
両面はガス導入口５より導入された酸素等のガスに接触
し、ランプ７により加熱される。従ってウェーハ１の両
面を同時に処理することができる。
第２図は本発明の第２の実施例のチャンバーの断面図で
ある。この第２の実施例では、チャンバー２の上下方向
に光反射ミラー８Ａ、８Ｂを設け、右方向に設けた１個
のランプ７によりウェーハ１の表面及び裏面を同時に加
熱できるように構成したものである。
ある。この第２の実施例では、チャンバー２の上下方向
に光反射ミラー８Ａ、８Ｂを設け、右方向に設けた１個
のランプ７によりウェーハ１の表面及び裏面を同時に加
熱できるように構成したものである。
この第２の実施例においては、１個のランプでウェーハ
の両面を均一に加熱できるという利点がある。
の両面を均一に加熱できるという利点がある。
以上説明したように本発明は、半導体装置の製造装置を
、上面及び下面が石英板からなるチャンバーと、中央部
に開口部を有し半導体基板の周縁部を支持する支持体と
、石英板を通して半導体基板を加熱するランプとから構
成することにより、半導体基板の両面を同時に加工でき
るという効果がある。
、上面及び下面が石英板からなるチャンバーと、中央部
に開口部を有し半導体基板の周縁部を支持する支持体と
、石英板を通して半導体基板を加熱するランプとから構
成することにより、半導体基板の両面を同時に加工でき
るという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図、第３図は従来の半導体装置の製造装置の一例の断
面図である。 １・・・ウェーハ、２，２Ａ・・・チャンバー、３，３
Ａ、３Ｂ・・・石英板、４・・・ヒータ、５・・・ガス
導入口、６・・・ガス排出口、７・・・ランプ、８Ａ、
８Ｂ・・・光反射ミラー、１０・・・ステージ。 あ［囚
面図、第３図は従来の半導体装置の製造装置の一例の断
面図である。 １・・・ウェーハ、２，２Ａ・・・チャンバー、３，３
Ａ、３Ｂ・・・石英板、４・・・ヒータ、５・・・ガス
導入口、６・・・ガス排出口、７・・・ランプ、８Ａ、
８Ｂ・・・光反射ミラー、１０・・・ステージ。 あ［囚
Claims (1)
- 上面および下面が石英板からなるチャンバーと、前記チ
ャンバー内に設けられ、中央部に開口部を有し半導体基
板の周縁部を支持する支持体と、前記支持体上に載置さ
れた半導体基板の両面を前記石英板を通して加熱するラ
ンプとを含むことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21124588A JPH0258822A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21124588A JPH0258822A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258822A true JPH0258822A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16602699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21124588A Pending JPH0258822A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258822A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7025831B1 (en) * | 1995-12-21 | 2006-04-11 | Fsi International, Inc. | Apparatus for surface conditioning |
| US7907391B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device having a detachable base part |
| US8628052B2 (en) | 2005-09-13 | 2014-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display apparatus having a swiveling structure |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP21124588A patent/JPH0258822A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7025831B1 (en) * | 1995-12-21 | 2006-04-11 | Fsi International, Inc. | Apparatus for surface conditioning |
| US7907391B2 (en) | 2004-10-25 | 2011-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device having a detachable base part |
| US8355245B2 (en) | 2004-10-25 | 2013-01-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device |
| US8628052B2 (en) | 2005-09-13 | 2014-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display apparatus having a swiveling structure |
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