JPS60127935A - ウエハ−チヤツク - Google Patents
ウエハ−チヤツクInfo
- Publication number
- JPS60127935A JPS60127935A JP23702683A JP23702683A JPS60127935A JP S60127935 A JPS60127935 A JP S60127935A JP 23702683 A JP23702683 A JP 23702683A JP 23702683 A JP23702683 A JP 23702683A JP S60127935 A JPS60127935 A JP S60127935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- vacuum suction
- chuck
- suction
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
- B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
- B25B11/005—Vacuum work holders
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造工程において、半導体ウェハ
ーのハンドリングに使用するウェハーチャックに関する
。
ーのハンドリングに使用するウェハーチャックに関する
。
（ｂ） 従来技術と問題点
ＩＣなどの半導体装置を製造する際、ウェハープロセス
における半導体ウェハーの取扱は製造歩留を左右する重
要な問題である。それは、トランジスタ素子が形成され
る表面を傷つけない様に取り扱うことで、そのために従
前から真空チャックが用いられており、この真空チャッ
クをウェハーチャックと呼んでいる。ウェハーチャック
はウェハーを裏面から真空吸引して移動させたり、ある
いは固定したりする治具で、位置合わせ装置その他の製
造機械にも採り入れられて、広く利用されている。
における半導体ウェハーの取扱は製造歩留を左右する重
要な問題である。それは、トランジスタ素子が形成され
る表面を傷つけない様に取り扱うことで、そのために従
前から真空チャックが用いられており、この真空チャッ
クをウェハーチャックと呼んでいる。ウェハーチャック
はウェハーを裏面から真空吸引して移動させたり、ある
いは固定したりする治具で、位置合わせ装置その他の製
造機械にも採り入れられて、広く利用されている。
一方、半導体装置の発展と共に半導体ウェハーは次第に
大口径化され、従前では直径２〜３インチの大きさのウ
ェハーが、今では５インチ、６インヂ径と人形化されて
きた。従って、ウェハーチャックも大形になり、従前の
ような中央に１個所だけ真空吸引口を設けたウェハーチ
ャックでは保持することが困難となって、数個所に真空
吸引口を設けたウェハーチャック、あるいはそれらの真
空吸引口に通ずる溝を併用したウェハーチャックが用い
られるようになってきた。
大口径化され、従前では直径２〜３インチの大きさのウ
ェハーが、今では５インチ、６インヂ径と人形化されて
きた。従って、ウェハーチャックも大形になり、従前の
ような中央に１個所だけ真空吸引口を設けたウェハーチ
ャックでは保持することが困難となって、数個所に真空
吸引口を設けたウェハーチャック、あるいはそれらの真
空吸引口に通ずる溝を併用したウェハーチャックが用い
られるようになってきた。
第１図＋ａｌ、 （ｂｌは従来のウェハーチャック１の
一例の平面図（同図（ａ））と、そのＡＡ断面図（同図
（ｂ））を示しており、本例はチャック面に多数の真空
吸引口１１を設４Ｊた構造のものである。一般に、ウェ
ハーチャックの吸引圧力は１ｋｇ／ｃＪ前後、チャック
本体はアルミニウム又はステンレスで作成されている。
一例の平面図（同図（ａ））と、そのＡＡ断面図（同図
（ｂ））を示しており、本例はチャック面に多数の真空
吸引口１１を設４Ｊた構造のものである。一般に、ウェ
ハーチャックの吸引圧力は１ｋｇ／ｃＪ前後、チャック
本体はアルミニウム又はステンレスで作成されている。
また、第２図（ａ）、 （ｂｌに示すウェハーチャック
２はチャック面に真空吸引口２１に通ずる溝２２が形成
された構造例で、同図ｔａ＋は平面図、同図（ｂｌはそ
のＢＢ断面図である。このウェハーチャック２は／１Ｙ
ｊ２２を囲んだ線状の突起部２２Ｔによってウェハーが
保持されているため、ウェハーとの接触面積が少なくな
っており、ゴミを挟んで平面度が悪くなる欠点が除去さ
れて、第１図に示すウェハーチャックの改良型と云える
ものである。
２はチャック面に真空吸引口２１に通ずる溝２２が形成
された構造例で、同図ｔａ＋は平面図、同図（ｂｌはそ
のＢＢ断面図である。このウェハーチャック２は／１Ｙ
ｊ２２を囲んだ線状の突起部２２Ｔによってウェハーが
保持されているため、ウェハーとの接触面積が少なくな
っており、ゴミを挟んで平面度が悪くなる欠点が除去さ
れて、第１図に示すウェハーチャックの改良型と云える
ものである。
しかしながら、これらのウェハーチャック１゜２によっ
てウェハーを吸着するチャッキング方式は、何れもウェ
ハー全面を同時に吸着させる方法である。そうすると、
例えばウェハーチャックヤソクを設けたステージを一定
間隔づつ移動して露光を行なうステッパ（ステップアン
ドレピータ）において、チャッキングされたウェハー面
上の位置合わせ位置が少しづつずれてくる問題が発生し
てきた。これは、当初にウェハーをチャッキングした際
、ウェハーに反りが残っていて湾曲したままチャッキン
グされ、時間を経ると共に徐々に伸びて（るものと考え
られる。
てウェハーを吸着するチャッキング方式は、何れもウェ
ハー全面を同時に吸着させる方法である。そうすると、
例えばウェハーチャックヤソクを設けたステージを一定
間隔づつ移動して露光を行なうステッパ（ステップアン
ドレピータ）において、チャッキングされたウェハー面
上の位置合わせ位置が少しづつずれてくる問題が発生し
てきた。これは、当初にウェハーをチャッキングした際
、ウェハーに反りが残っていて湾曲したままチャッキン
グされ、時間を経ると共に徐々に伸びて（るものと考え
られる。
この問題はウェハーが大形化するほど顕著になっており
、例えばステッパで直径５インチのウェハーを露光する
場合に、両端では０．２μｍ程度の誤差となる。
、例えばステッパで直径５インチのウェハーを露光する
場合に、両端では０．２μｍ程度の誤差となる。
従って、チャッキング時点で、このような反り（歪）な
（チャッキングするウェハーチャックの構造が望ましく
、そのようなウェハーチャックを使用すれば半導体装置
の歩留１品質の向上に役立一つものである。
（チャッキングするウェハーチャックの構造が望ましく
、そのようなウェハーチャックを使用すれば半導体装置
の歩留１品質の向上に役立一つものである。
ｆｃ） 発明の目的
本発明はこの、Ｊ、うな観点より、湾曲の起らないチャ
／キング構造のウニバーチャンクを従業するものである
。
／キング構造のウニバーチャンクを従業するものである
。
Ｉｔｓ） 発明の構成
そのＩ」的は、チャック面に複数の真空吸引口と、該真
空吸引口の何れかに通ずる溝が設けられ、該溝を囲んだ
線状の突起部によってウェハーが支持される構造であっ
て、前記真空吸引口が順次に吸引タイミングをずらせて
、ウェハーを吸引するようにしたウエハ−チャックによ
って達成される。
空吸引口の何れかに通ずる溝が設けられ、該溝を囲んだ
線状の突起部によってウェハーが支持される構造であっ
て、前記真空吸引口が順次に吸引タイミングをずらせて
、ウェハーを吸引するようにしたウエハ−チャックによ
って達成される。
−例として、上記チャック面に設けられた複数の真空吸
引口が、中心部の真空吸引１コから順次に外周に向かっ
て吸引タイミングをずらせて、吸引するようにしたウェ
ハーチャ、り、あるいは上記チャック面に設けられた複
数の真空吸引口が、−側端面の直空吸引１フから順次に
中心点を通る他側端面に向かって吸引タイミングをずら
せて、吸引するようにしたウェハーチャンクによって達
成される。
引口が、中心部の真空吸引１コから順次に外周に向かっ
て吸引タイミングをずらせて、吸引するようにしたウェ
ハーチャ、り、あるいは上記チャック面に設けられた複
数の真空吸引口が、−側端面の直空吸引１フから順次に
中心点を通る他側端面に向かって吸引タイミングをずら
せて、吸引するようにしたウェハーチャンクによって達
成される。
（ｅｌ 発明の実施例
以下１図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第３図（ａｌは本発明にかかるウェハーチャック３の一
実施例の平面図、同図ｆｂ）はそのＣＣ断面図を示して
いる。チャック面は真空吸引口３１が多数形成され、ま
た第２図と略同様に同心円状に溝３２が設けられて、真
空吸引口３１ ａ 、 ３１ ｂ 、 ３１ ｃ 、
３１ ｄの何れかによって溝内が吸引される構造である
。
実施例の平面図、同図ｆｂ）はそのＣＣ断面図を示して
いる。チャック面は真空吸引口３１が多数形成され、ま
た第２図と略同様に同心円状に溝３２が設けられて、真
空吸引口３１ ａ 、 ３１ ｂ 、 ３１ ｃ 、
３１ ｄの何れかによって溝内が吸引される構造である
。
溝両側の突起部３２Ｔは山形をなしており、ウェハーＷ
（点線で示す）を吸引すると溝を囲んだ線でウェハーＷ
が支持される。このような山形状の突起部３２Ｔは従来
例（第２図）の突起部２２Ｔより、一層ゴミを挟み難く
なることば云うまでもない。
（点線で示す）を吸引すると溝を囲んだ線でウェハーＷ
が支持される。このような山形状の突起部３２Ｔは従来
例（第２図）の突起部２２Ｔより、一層ゴミを挟み難く
なることば云うまでもない。
且つ、同時に各真空吸引口３１から吸引しないで、吸引
タイミングをすらゼで吸引する。 即ら、まず電磁弁３
３ａを開いて、中央の真空吸引口３１ａによってウェハ
ーＷを吸引Ｊ−る。次いで、電磁弁３３ｂを開いて、真
空吸引口３１ｂによって吸引する。
タイミングをすらゼで吸引する。 即ら、まず電磁弁３
３ａを開いて、中央の真空吸引口３１ａによってウェハ
ーＷを吸引Ｊ−る。次いで、電磁弁３３ｂを開いて、真
空吸引口３１ｂによって吸引する。
次に、電磁弁３３ｃを開いて、真空吸引口３１Ｃによっ
て吸引し、最後に電磁弁３３ｄを開いて、真空吸引Ｄ３
１ｄによって吸引−３−る。このようにして、順次に中
心の真空吸引口から外周の真空吸引口に向かって吸引タ
イミングをずらせて吸引してゆく。
て吸引し、最後に電磁弁３３ｄを開いて、真空吸引Ｄ３
１ｄによって吸引−３−る。このようにして、順次に中
心の真空吸引口から外周の真空吸引口に向かって吸引タ
イミングをずらせて吸引してゆく。
例えば数１００ｍ５ｅｃ程度づつタイミングをずらせて
吸引する。そうすると、内側から順次に外側に同心円状
に設けられた溝によって吸引されるため湾曲がなくなっ
て、ウェハーＷは平面度を保ってウェハーチャック３に
チャッキングされる。
吸引する。そうすると、内側から順次に外側に同心円状
に設けられた溝によって吸引されるため湾曲がなくなっ
て、ウェハーＷは平面度を保ってウェハーチャック３に
チャッキングされる。
次に、第４図（ａｌは本発明にかかるウェハーチャック
４の他の実施例の平面図、同図（ｂ）はそのＤＤ凹断面
１である。本例は、チャック面の一方向に直線の溝４２
が設けられ、その溝４２内に１個または３個の真空吸引
口４１ ａ 、 ４１ ｂ 、 ４１ ｃ 、 ４１
ｄ 、 ４１ ｅが形成されている。４２Ｔは溝周囲の
山形突起部を示し、４４はウェハーＷを位置決めするス
タッドである。このスタッドは、ウェハーＷのファセッ
トラインが当接し、正しい位置にウェハーを固定させる
ための目安となるもので、位置合わせ装置などに使用さ
れている。
４の他の実施例の平面図、同図（ｂ）はそのＤＤ凹断面
１である。本例は、チャック面の一方向に直線の溝４２
が設けられ、その溝４２内に１個または３個の真空吸引
口４１ ａ 、 ４１ ｂ 、 ４１ ｃ 、 ４１
ｄ 、 ４１ ｅが形成されている。４２Ｔは溝周囲の
山形突起部を示し、４４はウェハーＷを位置決めするス
タッドである。このスタッドは、ウェハーＷのファセッ
トラインが当接し、正しい位置にウェハーを固定させる
ための目安となるもので、位置合わせ装置などに使用さ
れている。
この場合には、ファセットラインに当接したままの状態
でチャッキングしなければならないから、まずファセッ
トラインに近接した部分で吸引して、順次に上記例の同
様に吸引タイミングをずらせて吸引してゆく。即ち、フ
ァセットラインに最も近い溝内の真空吸引口４１ａの電
磁弁４３ａを開いて、ウェハーＷを吸引する。次いで、
電磁弁４３ｂを開いて、真空吸引口４１ｂによって吸引
する。次に、電磁弁４３ｃを開いて、真空吸引口４１Ｇ
によって吸引し、更に電磁弁４３ｄを開いて、真空吸引
口４１ｄによって吸引し、最後に電磁弁４３ｅを開いて
、真空吸引口４１ｅによって吸引する。このようにして
、順次にファセットラインの近くから遠い方の真空吸引
口に向かって吸引タイミングをずらせて吸引すると、ウ
ェハーＷはファセットラインに当接し、ゴミを挟むこと
なく、また湾曲もなく平面度を保ってウェハーチャンク
３にチャフキングされる。
でチャッキングしなければならないから、まずファセッ
トラインに近接した部分で吸引して、順次に上記例の同
様に吸引タイミングをずらせて吸引してゆく。即ち、フ
ァセットラインに最も近い溝内の真空吸引口４１ａの電
磁弁４３ａを開いて、ウェハーＷを吸引する。次いで、
電磁弁４３ｂを開いて、真空吸引口４１ｂによって吸引
する。次に、電磁弁４３ｃを開いて、真空吸引口４１Ｇ
によって吸引し、更に電磁弁４３ｄを開いて、真空吸引
口４１ｄによって吸引し、最後に電磁弁４３ｅを開いて
、真空吸引口４１ｅによって吸引する。このようにして
、順次にファセットラインの近くから遠い方の真空吸引
口に向かって吸引タイミングをずらせて吸引すると、ウ
ェハーＷはファセットラインに当接し、ゴミを挟むこと
なく、また湾曲もなく平面度を保ってウェハーチャンク
３にチャフキングされる。
（ｆｌ 発明の効果
以上の実施例の説明から明らかなように、本発明のウェ
ハーチャックを使用すれば湾曲のない状態でウェハーが
チャッキングされ、半導体装置の歩留の向上と高品質化
に極めて貢献するものである。
ハーチャックを使用すれば湾曲のない状態でウェハーが
チャッキングされ、半導体装置の歩留の向上と高品質化
に極めて貢献するものである。
尚、真空吸引口に針を立てて、ウェハーを支持する構造
のウェハーチャックが知られているが、そのような構造
にも本発明を適用できることは云うまでもない。
のウェハーチャックが知られているが、そのような構造
にも本発明を適用できることは云うまでもない。
第１図（ａｌ、 （ｂｌおよび第２図＋ａｌ、 Ｔｂｌ
は何れも従来のウェハーチャンクの平面図と断面図、第
３図（ａ）。 ｌｂｌおよび第４図ｔａｇ、 （ｂｌは本発明にかかる
ウェハーチャックの平面図と断面図である。 図中、１，２，３．４はウェハーチャック本体。 １１、２１．３１ａ、３１ｂ、 ３１ｃ、３１ｄ、 ４
１ａ、 ４１ｂ。 ４１ ｃ 、 ４１ ｄ 、 ４１ｃはいずれも真空吸
引口、 ２２．３２゜４２は溝、 ２２′Ｆ、 ３２′
Ｆ、 ４２Ｔは溝を囲んだ突起部。 ３３；、ｉ、 ３３ｂ、 ３３ｃ、 ３３ｄ、 ４３ａ
、 ４３ｂ、 ４３ｃ、’４３ｄ。 ／／４３ｅは電磁弁を示している。 第１図 第２図 第 ３ 図
は何れも従来のウェハーチャンクの平面図と断面図、第
３図（ａ）。 ｌｂｌおよび第４図ｔａｇ、 （ｂｌは本発明にかかる
ウェハーチャックの平面図と断面図である。 図中、１，２，３．４はウェハーチャック本体。 １１、２１．３１ａ、３１ｂ、 ３１ｃ、３１ｄ、 ４
１ａ、 ４１ｂ。 ４１ ｃ 、 ４１ ｄ 、 ４１ｃはいずれも真空吸
引口、 ２２．３２゜４２は溝、 ２２′Ｆ、 ３２′
Ｆ、 ４２Ｔは溝を囲んだ突起部。 ３３；、ｉ、 ３３ｂ、 ３３ｃ、 ３３ｄ、 ４３ａ
、 ４３ｂ、 ４３ｃ、’４３ｄ。 ／／４３ｅは電磁弁を示している。 第１図 第２図 第 ３ 図
Claims (3)
- （１）、チャック面に複数の真空吸引口と、該真空吸引
口の何れかに通ずる溝が設けられ、該溝を囲んだ線状の
突起部によってウェハーが支持される構造であって、前
記真空吸引口が順次に吸引タイミングをずらせて、ウェ
ハーを吸引するようにしたことを特徴とするウェハーチ
ャック。 - （２）、上記チャック面に設けられた複数の真空吸引口
が、中心部の真空吸引口から順次に外周に向かって吸引
タイミングをずらせて、吸引するようにしたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のウェハーチャック。 、 - （３）、上記チャック面に設けられた複数の真空吸引し
１が、−側端面の真空吸引０逍１ら順次に中心点を通る
他側端面に向かって吸引タイミングをずらせて、吸引す
るようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のウェハーチャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23702683A JPS60127935A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | ウエハ−チヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23702683A JPS60127935A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | ウエハ−チヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127935A true JPS60127935A (ja) | 1985-07-08 |
Family
ID=17009287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23702683A Pending JPS60127935A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | ウエハ−チヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127935A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4721462A (en) * | 1986-10-21 | 1988-01-26 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Active hold-down for heat treating |
| JPH06143073A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-24 | Sony Corp | バキュームチャックプレート |
| JPH06244269A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法 |
| US5564682A (en) * | 1993-08-13 | 1996-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wafer stage apparatus for attaching and holding semiconductor wafer |
| US5738165A (en) * | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
| JP2001118837A (ja) * | 1992-09-07 | 2001-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| EP1568448A1 (en) * | 2002-11-21 | 2005-08-31 | Bridgestone Corporation | Suckingly conveying apparatus |
| US20100013169A1 (en) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | Bjorn Monteen | Thin wafer chuck |
| US20110052365A1 (en) * | 2009-09-02 | 2011-03-03 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Device and method for picking up optical elements |
| WO2012060158A1 (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-10 | 旭硝子株式会社 | 面取り装置および面取り方法 |
| JP2015216307A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN106363559A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-02-01 | 苏州冠浩斯精密机械有限公司 | 电磁阀隔磁组件装配机的夹紧组件 |
| CN107695735A (zh) * | 2017-09-12 | 2018-02-16 | 大连理工大学 | 一种面向弱刚性薄壁平面件的分区可控式真空夹具 |
| JP2018157001A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
| CN111390603A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-10 | 成都飞机工业（集团）有限责任公司 | 薄板类零件真空吸附工装及薄板类零件数控加工装夹方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55160439A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-13 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Device for fixing thin plate |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP23702683A patent/JPS60127935A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55160439A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-13 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Device for fixing thin plate |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4721462A (en) * | 1986-10-21 | 1988-01-26 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Active hold-down for heat treating |
| JPH06244269A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法 |
| US5534073A (en) * | 1992-09-07 | 1996-07-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor producing apparatus comprising wafer vacuum chucking device |
| US5976260A (en) * | 1992-09-07 | 1999-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor producing apparatus, and wafer vacuum chucking device, gas cleaning method and nitride film forming method in semiconductor producing apparatus |
| JP2001118837A (ja) * | 1992-09-07 | 2001-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPH06143073A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-24 | Sony Corp | バキュームチャックプレート |
| US5738165A (en) * | 1993-05-07 | 1998-04-14 | Nikon Corporation | Substrate holding apparatus |
| US5564682A (en) * | 1993-08-13 | 1996-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wafer stage apparatus for attaching and holding semiconductor wafer |
| US5707051A (en) * | 1993-08-13 | 1998-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wafer stage apparatus for attracting and holding semiconductor wafer |
| US7717482B2 (en) | 2002-11-21 | 2010-05-18 | Bridgestone Corporation | Suckingly conveying apparatus |
| EP1568448A1 (en) * | 2002-11-21 | 2005-08-31 | Bridgestone Corporation | Suckingly conveying apparatus |
| EP1568448A4 (en) * | 2002-11-21 | 2008-10-08 | Bridgestone Corp | Suction conveyor |
| US8336188B2 (en) * | 2008-07-17 | 2012-12-25 | Formfactor, Inc. | Thin wafer chuck |
| US20100013169A1 (en) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | Bjorn Monteen | Thin wafer chuck |
| US8430384B2 (en) * | 2009-09-02 | 2013-04-30 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Device and method for picking up optical elements |
| US20110052365A1 (en) * | 2009-09-02 | 2011-03-03 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Device and method for picking up optical elements |
| WO2012060158A1 (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-10 | 旭硝子株式会社 | 面取り装置および面取り方法 |
| CN103201072A (zh) * | 2010-11-01 | 2013-07-10 | 旭硝子株式会社 | 磨边装置及磨边方法 |
| JP5720696B2 (ja) * | 2010-11-01 | 2015-05-20 | 旭硝子株式会社 | 面取り装置および面取り方法 |
| JP2015216307A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN106363559A (zh) * | 2016-11-17 | 2017-02-01 | 苏州冠浩斯精密机械有限公司 | 电磁阀隔磁组件装配机的夹紧组件 |
| JP2018157001A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 |
| CN107695735A (zh) * | 2017-09-12 | 2018-02-16 | 大连理工大学 | 一种面向弱刚性薄壁平面件的分区可控式真空夹具 |
| CN111390603A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-10 | 成都飞机工业（集团）有限责任公司 | 薄板类零件真空吸附工装及薄板类零件数控加工装夹方法 |
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