JPH04164349A - 半導体製造用ケージボート - Google Patents

半導体製造用ケージボート

Info

Publication number
JPH04164349A
JPH04164349A JP2291562A JP29156290A JPH04164349A JP H04164349 A JPH04164349 A JP H04164349A JP 2291562 A JP2291562 A JP 2291562A JP 29156290 A JP29156290 A JP 29156290A JP H04164349 A JPH04164349 A JP H04164349A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cage boat
cage
boat
lid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2291562A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Wada
隆 和田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2291562A priority Critical patent/JPH04164349A/ja
Publication of JPH04164349A publication Critical patent/JPH04164349A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造用ケージボートに関し、特にウェハ
立替え時の発塵を低減す−ることができるケージボート
に関する。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造における減圧気相成長、特に高温酸化
膜成長では、被処理基板(ウェハと呼ぶ)上に形成され
る薄膜のウェハ面内均一性を向上させるためにケージホ
ードを使用している。
従来のケージボートは第4図(a)の斜視図に示すよう
に、ケージボート本体1と蓋2とで構成されている。
ケージボートには多数の小孔があけられており、プロセ
スガスはこの小孔よりケージボート内部へ入る。ケージ
ボート本体1の内面には、ウェハ3を支持するための溝
が3列1等間隔でつけられており、1枚のウェハを3点
で支持する構造となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
このケージボートを使用すると、以下に述べるような一
連の立替え作業が必要となる。まず、第4図(b)の分
解斜視図に示すように、蓋2を取外し、ケージボート本
体1に薄膜を形成させるウェハ3を並べる。そして、再
びM2を取付けてからケージボートを減圧気相成長装置
(以下減圧CVD装置と呼ぶ)にセットし、ウェハ3上
に薄膜を形成する。薄膜の形成が終了したら、ケージボ
ートを減圧CVD装置より取出し、蓋2を取外して薄膜
の形成されたウェハ3をケージボート本体1より取出す
従来のケージボートでは、自動立替え機を使用すること
ができず、作業者がウェハピンセットを用いてウェハ3
を1枚ずつ立替えるしか方法がなかった。そのため、ウ
ェハ立替え時にウェハ3とケージボート、又はウェハ3
同志がぶつかつなりこすれ合ったりした時に発塵が見ら
れ、半導体の製造歩留り低下の原因となるという問題点
があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体製造用ケージボートは、ケージボート本
体とウェハ支持部が分離可能であるという構造を備えて
いる。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の実施例1の分解斜視図である。
ケージボートは、ケージボート本体1と、ケージボート
本体から分離が可能なウェハ支持部4.そして蓋2から
構成される。ケージホードを使用する際には、まず蓋2
をケージボート本体1から蓋2を□取外す。次にケージ
ボート本体1からウェハ支持部4を分離し、自動立替え
機を用いてウェハ3をウェハ支持部4に並べる。
第2図(a、)〜(f>は本発明のケージホードを用い
た場合のウェハ3の立替え手順を示す説明図である。ま
ず、ウェハキャリア5に入ったウェハ3を突き上げ台A
6でウェハ移載キャリア7へ移す(第2図(a>、(b
))。次にウェハ移載キャリア7がウェハ支持部4の上
まで移動する(第2図(c)、(d))。そして突き上
げ台B8でウェハ3をウェハ移載キャリア7からウェハ
支持部4へ移す(第2図(e)、(f))。
ウェハ3がウェハ支持部4へ並べられたら、ウェハ支持
部4をそのままケージボート本体1へ取付は蓋2を取付
けた後ケージボートを減圧CVD装置へセットし、ウェ
ハ3上に薄膜を形成させる。薄膜の形成が終了したら、
全く逆の手順を経てウェハ3をウェハキャリアらへ移す
第3図は本発明の実施例2の分解斜視図である。実施例
2においては、蓋2の両端の側面を取除き、ウェハ支持
部4の両端側面を円形とする。
この実施例ではM2の取付け、取外しの際、ウェハ支持
部4の円形側面をガイドとすれば良いので、蓋2とウェ
ハ3がぶつかることがなくなり、蓋2の取付け、取外し
時の発塵が極力押さえられるという利点がある。
以上述べてきた従来のケージボートでは、粒径1.8μ
m以上の発塵が50個程度あったのに対し、本発明の実
施例1及び2のケージボートでは10個以下に低減する
ことができた。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ケージボート本体からウ
ェハ支持部を分離可能とし、自動立替え機によりウェハ
の立替えを行うことができるため、ウェハ立替え時の発
塵が低減するという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1のケージボートの分解斜視図
、第2図(a)〜(f)は本発明の実施例1のケージボ
ートを使用した際のウェハ立替え手順を示す説明図、第
3図は本発明の実施例2のケージボートの分解斜視図、
第4図(a)。 (b)は従来のケージボートの斜視図およびその分解斜
視図である。 1・・・ケージボート本体、2・・・蓋、3・・・ウェ
ハ、4・・・ウェハ支持部、5・・・ウェハキャリア、
6・・・突き上げ台A、7・・・ウェハ移載キャリア、
8・・・突き上げ台B。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  減圧状態の石英炉芯管内にプロセスガスを導入し、ウ
    ェハ上に薄膜を形成する減圧気相成長装置で使用する半
    導体製造用ケージボートにおいて、ケージボート本体か
    らウェハ支持部を分離させたことを特徴とする半導体製
    造用ケージボート。
JP2291562A 1990-10-29 1990-10-29 半導体製造用ケージボート Pending JPH04164349A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2291562A JPH04164349A (ja) 1990-10-29 1990-10-29 半導体製造用ケージボート

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2291562A JPH04164349A (ja) 1990-10-29 1990-10-29 半導体製造用ケージボート

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04164349A true JPH04164349A (ja) 1992-06-10

Family

ID=17770530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2291562A Pending JPH04164349A (ja) 1990-10-29 1990-10-29 半導体製造用ケージボート

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04164349A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5550351A (en) * 1994-04-15 1996-08-27 International Business Machines Corporation Process and apparatus for contamination-free processing of semiconductor parts

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5550351A (en) * 1994-04-15 1996-08-27 International Business Machines Corporation Process and apparatus for contamination-free processing of semiconductor parts

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04164349A (ja) 半導体製造用ケージボート
JP2639424B2 (ja) 搬送方法
JPH0661328A (ja) 半導体ウェハー搬送装置
JP2004172374A (ja) 保持治具、半導体ウェーハの製造装置、半導体基板及び保持治具の搭載方法
JPH0383730A (ja) 板状体の搬入搬出方法および搬入搬出装置
JP3093198B2 (ja) 縦型cvd装置用ウェーハホルダ
JP2001007087A (ja) 枚葉式プラズマアッシング装置
JPH01313953A (ja) ウェハー支持用のスパチュラ装置およびウェハーの配置方法
JPH0758035A (ja) 半導体基板用熱処理治具
JP3244492B2 (ja) 縦型cvd装置
JP2683673B2 (ja) 縦型熱処理装置
JPS6074545A (ja) ウエハの着脱方法
JPH10107117A (ja) 基板処理装置
JP2007281030A (ja) シリコンウェーハの保持方法
JP2004079751A (ja) 半導体熱処理用シリコンボート
JP2005166823A (ja) 半導体基板熱処理装置、半導体基板熱処理用ウェハボート、及び半導体基板の熱処理方法
JPH10107116A (ja) 基板処理装置
JPH1167751A (ja) 保護膜付きシリコンウェーハの製造方法およびその製造装置
JP3575567B2 (ja) 半導体ウェーハの気相成長成膜方法と縦型熱処理装置
JP2591202Y2 (ja) 縦型cvd装置
JPH10301U (ja) ウェーハホルダ
JPH03270221A (ja) 縦型処理容器へのボート搬入方法
JPS5940770Y2 (ja) ウエハキヤリヤ
KR0170290B1 (ko) 균일한 반도체막을 형성하는 장치
JPS61206232A (ja) 枚葉式アニ−ル装置