JPH02271550A - ウエハ基板の固定方法 - Google Patents
ウエハ基板の固定方法Info
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- JPH02271550A JPH02271550A JP1092575A JP9257589A JPH02271550A JP H02271550 A JPH02271550 A JP H02271550A JP 1092575 A JP1092575 A JP 1092575A JP 9257589 A JP9257589 A JP 9257589A JP H02271550 A JPH02271550 A JP H02271550A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子の製造工程において、ウェハ基
板を磁力により固定する方法に関するものである。
板を磁力により固定する方法に関するものである。
第３図は半導体素子の製造工程において、ウェハ基板を
固定する必要のある作業の一例として、電極蒸着作業を
示す斜視図である。
固定する必要のある作業の一例として、電極蒸着作業を
示す斜視図である。
この図において、１はウェハ基板、３はこのウェハ基板
１を受け板７に密着固定するための磁石、４は前記ウェ
ハ基板１に形成する電極用の蒸着材料、５はこの蒸着材
料４を乗せる受け皿、６は前記蒸着材料４を加熱するた
めのヒータである。
１を受け板７に密着固定するための磁石、４は前記ウェ
ハ基板１に形成する電極用の蒸着材料、５はこの蒸着材
料４を乗せる受け皿、６は前記蒸着材料４を加熱するた
めのヒータである。
次に動作について説明する。
ウェハ基板１は、電極を形成するために、電極となる蒸
着材料４に対向して上方に設置される。
着材料４に対向して上方に設置される。
そのため、ウェハ基板１が落下しないように磁石３によ
り受け板７に固定される。蒸着材料４は、受け皿５に決
められた数量が設置される。真空状態の環境の中で、ヒ
ータ６により加熱が行われ、蒸着材料４が蒸発し、上方
のウェハ基板１に付着し電極が形成される。
り受け板７に固定される。蒸着材料４は、受け皿５に決
められた数量が設置される。真空状態の環境の中で、ヒ
ータ６により加熱が行われ、蒸着材料４が蒸発し、上方
のウェハ基板１に付着し電極が形成される。
従来の蒸着作業時のウェハ基板１の固定方法は、以上の
ように行われているので、磁石３により隠れた部分への
蒸着を行うことが不可能で、多くの不良素子を発生させ
る等の問題点があった。
ように行われているので、磁石３により隠れた部分への
蒸着を行うことが不可能で、多くの不良素子を発生させ
る等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、不良素子が発生しないようにウェハ基板を
固定する固定方法を得ることを目的とする。
れたもので、不良素子が発生しないようにウェハ基板を
固定する固定方法を得ることを目的とする。
この発明に係るウェハ基板の固定方法は、ウェハ基板の
片面に所定の吸着力が得られる面積の磁性材量を形成し
、この磁性材料を磁化し、その磁力による吸着力でウェ
ハ基板を固定するものである。
片面に所定の吸着力が得られる面積の磁性材量を形成し
、この磁性材料を磁化し、その磁力による吸着力でウェ
ハ基板を固定するものである。
（作用）
この発明のウェハ基板の固定方法においては、ウェハ基
板の片面に蒸着された所要面積の磁性材料の磁力による
吸着力によって、ウェハ基板が固定されることから蒸着
材料の蒸着を妨げる磁石等の使用が不要となり、かつウ
ェハ基板が適切な吸着力で固定され、ウェハ基板着脱時
の破損が防止される。
板の片面に蒸着された所要面積の磁性材料の磁力による
吸着力によって、ウェハ基板が固定されることから蒸着
材料の蒸着を妨げる磁石等の使用が不要となり、かつウ
ェハ基板が適切な吸着力で固定され、ウェハ基板着脱時
の破損が防止される。
第１図はこの発明の一実施例によるウェハ基板に磁性材
料を蒸着した後の断面図、第２図は磁性材料の蒸着面積
を変えた場合のウェハ基板の平面図である。
料を蒸着した後の断面図、第２図は磁性材料の蒸着面積
を変えた場合のウェハ基板の平面図である。
第１図、第２図において、１はウェハ基板、２はこのウ
ェハ基板１に蒸着された磁性材料である。
ェハ基板１に蒸着された磁性材料である。
次に動作について説明する。
ウェハ基板１には、磁性材料（例えばチタン。
クロム、ニッケル等）２が蒸着される。磁性材料２が蒸
着されたウェハ基板１は、永久磁石上または磁界中に設
置することにより磁性材料２の磁化が行われる。磁化さ
れたウェハ基板１は、従来のように受け板に吸着し電極
形成の蒸着処理が実施され、最終作業工程において、化
学処理および研磨により磁性材料２は除去される。
着されたウェハ基板１は、永久磁石上または磁界中に設
置することにより磁性材料２の磁化が行われる。磁化さ
れたウェハ基板１は、従来のように受け板に吸着し電極
形成の蒸着処理が実施され、最終作業工程において、化
学処理および研磨により磁性材料２は除去される。
なお、上記実施例ではウェハ基板１に磁性材料２を付着
させる方法として蒸着による方法を示したが、メツキ処
理や塗布等の方法においても、上記実施例と同等の効果
を得ることができる。
させる方法として蒸着による方法を示したが、メツキ処
理や塗布等の方法においても、上記実施例と同等の効果
を得ることができる。
以上説明したように、この発明は、ウェハ基板の片面に
所定の吸着力が得られる面積の磁性材料を形成し、この
磁性材料を磁化し、その磁力による吸着力でウェハ基板
を゛固定するので、ウェハ基板全面に蒸着処理を行うこ
とが可能である。また、磁性材料の面積を変えることに
より、吸着力を自由に変えることができるため、ウェハ
基板の着脱が容易となるほか、自動化ラインでのチャッ
キングが不要となる等の効果がある。
所定の吸着力が得られる面積の磁性材料を形成し、この
磁性材料を磁化し、その磁力による吸着力でウェハ基板
を゛固定するので、ウェハ基板全面に蒸着処理を行うこ
とが可能である。また、磁性材料の面積を変えることに
より、吸着力を自由に変えることができるため、ウェハ
基板の着脱が容易となるほか、自動化ラインでのチャッ
キングが不要となる等の効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示すウェハ基板に磁性材
料を蒸着した場合の断面図、第２図は磁性材料の蒸着面
積を変えた場合のウェハ基板の平面図、第３図は従来の
固定方法による蒸着工程の斜視図である。 図において、１はウェハ基板、２は磁性材料である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 １ウニ八１橿 ２：臘＆ｔｒ糾 第２図 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）二４汀ηへ
−
料を蒸着した場合の断面図、第２図は磁性材料の蒸着面
積を変えた場合のウェハ基板の平面図、第３図は従来の
固定方法による蒸着工程の斜視図である。 図において、１はウェハ基板、２は磁性材料である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 １ウニ八１橿 ２：臘＆ｔｒ糾 第２図 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）二４汀ηへ
−
Claims (1)
- ウェハ基板を磁力によって受け板に固定する固定方法に
おいて、前記ウェハ基板の片面に所定の吸着力が得られ
る面積の磁性材料を形成し、この磁性材料を磁化し、そ
の磁力による吸着力で前記ウェハ基板を固定することを
特徴とするウェハ基板の固定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092575A JPH02271550A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | ウエハ基板の固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092575A JPH02271550A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | ウエハ基板の固定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271550A true JPH02271550A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14058228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1092575A Pending JPH02271550A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | ウエハ基板の固定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02271550A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011072373A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Cooledge Lighting Inc. | Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques |
| US9209059B2 (en) | 2009-12-17 | 2015-12-08 | Cooledge Lighting, Inc. | Method and eletrostatic transfer stamp for transferring semiconductor dice using electrostatic transfer printing techniques |
| CN111007080A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-14 | 成都先进功率半导体股份有限公司 | 一种晶圆裂纹检查装置 |
-
1989
- 1989-04-12 JP JP1092575A patent/JPH02271550A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011072373A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Cooledge Lighting Inc. | Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques |
| US9209059B2 (en) | 2009-12-17 | 2015-12-08 | Cooledge Lighting, Inc. | Method and eletrostatic transfer stamp for transferring semiconductor dice using electrostatic transfer printing techniques |
| CN111007080A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-14 | 成都先进功率半导体股份有限公司 | 一种晶圆裂纹检查装置 |
| CN111007080B (zh) * | 2019-12-25 | 2022-07-12 | 成都先进功率半导体股份有限公司 | 一种晶圆裂纹检查装置 |
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