JPH01223542A - Rom切りシステム - Google Patents

Rom切りシステム

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Publication number
JPH01223542A
JPH01223542A JP63048849A JP4884988A JPH01223542A JP H01223542 A JPH01223542 A JP H01223542A JP 63048849 A JP63048849 A JP 63048849A JP 4884988 A JP4884988 A JP 4884988A JP H01223542 A JPH01223542 A JP H01223542A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rom
address
cutting
data
latch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63048849A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Yoshida
和生 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH01223542A publication Critical patent/JPH01223542A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、ROM切りシステムにかかり、特に高速で
ROM切りの可能なROM切りシステムに関する。
[従来の技術] ROMのメモリエリアにイニシャルデータを書き込む動
作をROM切りといい、第3図は従来のROM切りシス
テムのブロック図を示したものである。
図において、(1)はCPUで、(2)はRAMである
。ここでROM切りに必要なデータはCPU(1)の制
御のもとでRA M (2)内に格納される。
(3) 、 (4)はそれぞれアドレスバスおよびデー
タバスで、所定のアドレス情報とデータ情報とがCPU
(1)の制御のもとで伝送される。(5)および(6)
はそれぞれROM切りアドレスラッチおよびROM切り
データラッチで、書き込まれるべきアドレスとそのデー
タとが格納される。また(7)はROMデータリードバ
ッファであり、(8)はROM切りのボートデコーダで
ある。
ボートデコーダ(8)は、ROM切りパルス回路(9)
を制御し、ROM切り時にパルス回路(9)を介して書
き込み用のパルスをメモリデコード&ROM切りモード
判別回路(11)に出力する。また(10)はROM切
り電圧を制御するROM切り電圧回路で、ROM切り時
に書き込み電圧をROMに供給する。
判別回路(11)は、ROMのチップセレクト信号を制
御し、ROM切り時かシステム実行時かを判別する動作
を行なう。ROMは前半ROMエリア(12)と後半R
OMエリア(13)とをもっており、前半ROMエリア
(12)は、先頭アドレスを有しており、後半ROMエ
リア(13)は最終アドレスを有している。さらに(1
4)は、前半ROMエリア(12)および後半ROMエ
リア(13)を制御するROMデータコントロールバッ
ファで、ROM切り時およびデコード時にデータの書き
込みおよび読み出しを行なう。また(16)は高速切り
 VCC電源であって、通常6vの電圧が用意され、R
OMに供給されている。
次に動作について説明する。ROM切り時CPU(1)
はROM切りアドレスラッチ(5)に先頭アドレスから
アドレスをセットし、ROM切りデータラッチ(6)に
ROM (2)に蓄積されていた書き込み用のデータを
読み出してセットする。
ついでROM切りボートデコーダ(8)に対してROM
切り電圧の供給とROM切りパルスの発生とを命令する
。これによりROM切り電圧回路(10)から前半RO
Mエリア (12)と後半ROM!リアエリア)とに対
し、ROM切り電圧が供給され、ROM切りパルス回路
(9)からモード判別回路(11)に書き込みパルスが
出力される。
モード判別回路(11)は、ROM切り電圧を供給する
と同時にメモリデコード出力に書き込みパルスを論理積
条件を求めて出力する。これにより前半ROMエリア(
12)の先頭アドレスから順次ROM切りが実行される
データの読み出し時にはROMデータコントロールバッ
ファ(14)を介してROMデータリードバッファ(7
)からデータを読み出す。
[発明が解決しようとする課題] 従来のROM切りシステムは、アドレスバスとデータバ
スとが前半ROMエリア、後半ROMエリアとも共通バ
スで接続されていたため、1回のROM切りで1アドレ
ス分しかROM切りできないという課題があった。その
ため広範囲のメモリエリアを持つROMをROM切りし
ようとするさいには長時間を要するという課題があった
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、2アドレス分のROM切りを同時に行なうこと
ができROM切り時間を削減したROM切りシステムを
提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] この発明にかかるROM切りシステムは、ROM切りア
ドレスラッチの出力側に第1の回路手段を設け、前半R
OMエリア内のアドレスと後半ROMエリア内のアドレ
スとが同時指定となるようにし、しかもデータバスも分
割し第2の回路手段を設けてROM切りデータラッチか
ら供給されるROM切りデータが同時指定されたアドレ
スにそれぞれ独立して供給されるようにして、2アドレ
ス分のROM切りを同時に行なうものである。
[作用] この発明におけるROM切りシステムは前半ROMエリ
アと後半ROMエリアとに対しそれぞれ独立してアドレ
ス指定とデータ指定とができるように動作するため、2
アドレス分のROM切りを同時に行なえROM切り時間
を約半分に節減することが可能となる。
[実施例コ 以下この発明の一実施例を第1図に基づいて説明する。
第1図はこの発明にかかるROM切りシステムの一実施
例を示すブロック図である。なお図中第3図に示す従来
のシステムの構成部分と同一部分には同一符号を付しそ
の詳細説明は省略する。
この発明の場合には、ROM切りデータラッチ(6)と
ROMデータリードバッファ(7)とが前半および後半
ROMエリア(12) 、 (13)用に2個ずつ実装
される。さらにROM切りアドレスラッチ(5)の出力
側にROM切りアドレス前半出力バッファ(17)とR
OM切りアドレス後半出力バッファ(18)とが設けら
れる。
さらに前半出力バッファ(17)と後半出力バッファ(
18)の出力とを切りかえて後半ROMエリア(13)
に供給するアドレス切換マルチプレクサが設けられ、こ
のマルチプレクサ(19)は判別回路(11)によりコ
ントロールされる。
次に第1図に示す実施例の動作を第2図に示すフローチ
ャートを参照して説明する。第2図は、ROM切り時の
フローチャートを示したものである。まずステップ(2
00)でROM切りアドレスラッチ(5)に先頭アドレ
スをセットすると、ROM切りアドレス前半出力バッフ
ァ(17)には先頭アドレスが、ROM切りアドレス後
半出力バッファ(18)にはこの反転アドレスすなわち
後半ROMエリア(13)の最終アドレスが出力される
ついでステップ(210)および(220)においてR
OM切りデータラッチ(6)にそれぞれ前半ROMエリ
ア (12)と後半ROM!リア(13)に書き込むデ
ータをセットする。
ついでステップ(230)でROM切りポートデコーダ
(8)にROM切り電圧供給を命令すると、ROM切り
電圧回路(10)からROM切り電圧が出力され、アド
レス切換マルチプレクサ(19)が、ROM切アドレス
後半出力バッファ(18)の出力を後半ROMエリア(
13)にアドレス入力する。
次にステップ(240)で書き込みパルスの発生を命令
すると、ROM切りパルス回路(9)から1msの書き
込みパルスがメモリデコード&ROM切りモード判別回
路(11)に出力され、メモリデコード条件と論理積条
件が求められて出力される。
ついでステップ(250)により書き込まれたデータを
読み出すとデータはROMデータリードバッファ(7)
を介してCP U (1) に転送される。
この時前半ROMエリア(12)と後半ROMエリア(
13)のデータはメモリデコード&ROM切りモード判
別回路(11)からの出力制御信号により切換えられる
ステップ(26(1)で、書き込みデータと読み出しデ
ータとを比較し、もし異なっていればステップ(270
)でROM切りが所定回数例えば25回行なわれたかど
うかを判断し、その結果に従いステップ(240)また
はステップ(280)へと制御を穆す。
両データが等しい′場合には、ステップ(280)によ
り追加書き込みを実施し、ステップ(290)により全
エリアの書き込みが完了したかどうかのチエツクを行な
う。
ここでのチエツクは、従来のシステムでは最終アドレス
との比較であったが、この発明では先頭アドレスと最終
アドレスとから同時にROM切りするため全エリアの2
分の1のアドレスとの比較をすることになる。もし全エ
リアが完了していなければ、アドレスインクリメントを
ステップ(300)により行ないステップ(310)に
より次データをセットしてステップ(240)へ戻る。
全エリアのROM切りが完了した場合にはステップ(3
20)においてベリファイし、エラーがある場合にはエ
ラー出力して終了する。
なお上述した実施例ではROM切りアドレスラッチ(5
)の1ゲートに対しそのノンインバート出力とインバー
ト出力とで2アドレスをROMに対して入力するように
構成しているが、ROM切りアドレスラッチ(5)を2
系統とし、おのおの異なったアドレスをセットできるよ
うな構成としてもよい。
[発明の効果コ 以上のようにこの発明によれば、ROM切り時にアドレ
スバスを2分割し、データバスも独立してゲートコント
ロールできるように構成したため、2アドレス符号を同
時にROM切りできることとなり、ROM切り時間を大
幅に短縮することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例にかかるROM切りシステ
ムのブロック構成図、第2図は第1図のシステムのRO
M切り時の動作を説明するためのフローチャート、第3
図は従来のROM切りシステムのブロック構成図である
。 (1)はCP U 、   (2)はRAM。 (5)はROM切りアドレスラッチ、 (6)はROM切りデータラッチ、 (12)は前半ROMエリア、 (13)は後半ROMエリア、 (17)はROM切りアドレス前半出力バッファ、(1
8)はROM切りアドレス後半出力バッファ、(19)
はアドレス切換マルチプレクサ。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 先頭アドレスの属する前半ROMエリアと最終アドレス
    の属する後半ROMエリアとを有するROMと、このR
    OMのROM切り時におけるアドレスを指定するROM
    切りアドレスラッチと、指定されたアドレスに所定のR
    OM切りデータを供給するROM切りデータラッチとを
    備え、前記ROM切りアドレスラッチによって指定され
    たアドレスに前記ROM切りデータラッチから所定のR
    OM切りデータを供給して前記ROMのROM切りを行
    なうROM切りシステムにおいて、前記ROM切りアド
    レスラッチによって指定されるアドレスが前記前半RO
    Mエリア内のアドレスと前記後半ROMエリア内のアド
    レスとの同時指定となるようにする第1の回路手段と、
    前記ROM切りデータラッチから供給されるROM切り
    データが前記同時指定されたアドレスにそれぞれ独立し
    て供給されるようにする第2の回路手段とを設けたこと
    を特徴とするROM切りシステム。
JP63048849A 1988-03-02 1988-03-02 Rom切りシステム Pending JPH01223542A (ja)

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JP63048849A JPH01223542A (ja) 1988-03-02 1988-03-02 Rom切りシステム

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JP63048849A Pending JPH01223542A (ja) 1988-03-02 1988-03-02 Rom切りシステム

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010107099A1 (en) * 2009-03-18 2010-09-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and control method of the same

Cited By (4)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010107099A1 (en) * 2009-03-18 2010-09-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device and control method of the same
CN102341862A (zh) * 2009-03-18 2012-02-01 株式会社东芝 半导体存储器装置及其控制方法
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