JPH0121632B2 - - Google Patents
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- JPH0121632B2 JPH0121632B2 JP56174410A JP17441081A JPH0121632B2 JP H0121632 B2 JPH0121632 B2 JP H0121632B2 JP 56174410 A JP56174410 A JP 56174410A JP 17441081 A JP17441081 A JP 17441081A JP H0121632 B2 JPH0121632 B2 JP H0121632B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、論理集積回路装置に関するもので
ある。
ある。
第１図は従来技術を説明するための論理回路の
一例である。この図において、信号入力端子Ａは
シヨツトキーバリアダイオードD1，D2のカソー
ドに接続され、信号入力端子Ｂはシヨツトキーバ
リアダイオードD3，D4のカソードに接続される。
シヨツトキーバリアダイオードD1，D3のアノー
ドは接地端子Gndに接続され、シヨツトキーバリ
アダイオードD2，D4のアノードは抵抗R1を介し
て電源端子Vccに接続される。また、シヨツトキ
ーバリアダイオードD2，D4のアノードはNPNト
ランジスタQ1のベースに接続され、このトラン
ジスタQ1のエミツタはダイオードD5を介して接
地端子Gndに接続される。一方、NPNトランジ
スタQ1のコレクタは、信号出力端子Ｙに接続さ
れるとともに、抵抗R2を介して電源端子Vccに接
続される。
一例である。この図において、信号入力端子Ａは
シヨツトキーバリアダイオードD1，D2のカソー
ドに接続され、信号入力端子Ｂはシヨツトキーバ
リアダイオードD3，D4のカソードに接続される。
シヨツトキーバリアダイオードD1，D3のアノー
ドは接地端子Gndに接続され、シヨツトキーバリ
アダイオードD2，D4のアノードは抵抗R1を介し
て電源端子Vccに接続される。また、シヨツトキ
ーバリアダイオードD2，D4のアノードはNPNト
ランジスタQ1のベースに接続され、このトラン
ジスタQ1のエミツタはダイオードD5を介して接
地端子Gndに接続される。一方、NPNトランジ
スタQ1のコレクタは、信号出力端子Ｙに接続さ
れるとともに、抵抗R2を介して電源端子Vccに接
続される。
第２図は、このように構成された論理回路を半
導体集積回路によつて形成した場合の断面図であ
り、特に隣接して配置されたシヨツトキーバリア
ダイオードD1とNPNトランジスタQ1とを示して
いる。この図において、Ｐ型単結晶シリコン基板
からなるＰ型領域１は接地端子Gndに接続されて
おり、このＰ型領域１の表面に形成されたＮ型エ
ピタキシヤル領域２，３はＰ型分離領域４，５，
６によつて互いに分離されている。エピタキシヤ
ル領域２はシヨツトキーバリアダイオードD1の
カソードを構成するものであり、その表面側所定
個所に形成されたＮ型不純物拡散領域７およびそ
の上の電極８によつて信号入力端子Ａに接続され
る。また、エピタキシヤル領域２の表面には、シ
ヨツトキーバリアダイオードD1のアノードとし
てのシヨツトキー電極９が形成されており、この
電極９は接地端子Gndに接続される。エピタキシ
ヤル領域３はNPNトランジスタQ1のコレクタを
構成しており、その表面側所定個所には、NPN
トランジスタQ1のベースとしてのＰ型不純物拡
散領域１０が形成される。このＰ型不純物拡散領
域１０には、NPNトランジスタQ1のエミツタと
してのＮ型不純物拡散領域１１が形成される。エ
ピタキシヤル領域３内には、さらに、Ｎ型不純物
拡散領域１２が形成されている。このＮ型不純物
拡散領域１２および前記拡散領域１１，１０上に
は、それぞれ電極１３，１４，１５が形成されて
いる。これら電極１３，１４，１５および前記電
極８，９以外のエピタキシヤル領域２，３表面お
よびＰ型分離領域４，５，６の表面は絶縁膜１６
で覆われている。また、エピタキシヤル領域２，
３とＰ型領域１間には、Ｎ型埋込み領域１７，１
８が形成されている。このＮ型埋込み領域１７，
１８は、信号入力端子Ａの直列抵抗およびNPN
トランジスタQ1のコレクタ抵抗を低減するため
のものである。
導体集積回路によつて形成した場合の断面図であ
り、特に隣接して配置されたシヨツトキーバリア
ダイオードD1とNPNトランジスタQ1とを示して
いる。この図において、Ｐ型単結晶シリコン基板
からなるＰ型領域１は接地端子Gndに接続されて
おり、このＰ型領域１の表面に形成されたＮ型エ
ピタキシヤル領域２，３はＰ型分離領域４，５，
６によつて互いに分離されている。エピタキシヤ
ル領域２はシヨツトキーバリアダイオードD1の
カソードを構成するものであり、その表面側所定
個所に形成されたＮ型不純物拡散領域７およびそ
の上の電極８によつて信号入力端子Ａに接続され
る。また、エピタキシヤル領域２の表面には、シ
ヨツトキーバリアダイオードD1のアノードとし
てのシヨツトキー電極９が形成されており、この
電極９は接地端子Gndに接続される。エピタキシ
ヤル領域３はNPNトランジスタQ1のコレクタを
構成しており、その表面側所定個所には、NPN
トランジスタQ1のベースとしてのＰ型不純物拡
散領域１０が形成される。このＰ型不純物拡散領
域１０には、NPNトランジスタQ1のエミツタと
してのＮ型不純物拡散領域１１が形成される。エ
ピタキシヤル領域３内には、さらに、Ｎ型不純物
拡散領域１２が形成されている。このＮ型不純物
拡散領域１２および前記拡散領域１１，１０上に
は、それぞれ電極１３，１４，１５が形成されて
いる。これら電極１３，１４，１５および前記電
極８，９以外のエピタキシヤル領域２，３表面お
よびＰ型分離領域４，５，６の表面は絶縁膜１６
で覆われている。また、エピタキシヤル領域２，
３とＰ型領域１間には、Ｎ型埋込み領域１７，１
８が形成されている。このＮ型埋込み領域１７，
１８は、信号入力端子Ａの直列抵抗およびNPN
トランジスタQ1のコレクタ抵抗を低減するため
のものである。
以上のような論理回路は、ナンド論理動作をす
る。すなわち、信号入力端子Ａ，Ｂが共に高値の
電圧レベルの時は、トランジスタQ1が導通して
信号出力端子Ｙが低値の電圧レベルとなる。一
方、信号入力端子Ａ，Ｂのうち少なくとも一つが
低値の電圧レベルになると、トランジスタQ1が
遮断して信号出力端子Ｙが高値の電圧レベルとな
る。
る。すなわち、信号入力端子Ａ，Ｂが共に高値の
電圧レベルの時は、トランジスタQ1が導通して
信号出力端子Ｙが低値の電圧レベルとなる。一
方、信号入力端子Ａ，Ｂのうち少なくとも一つが
低値の電圧レベルになると、トランジスタQ1が
遮断して信号出力端子Ｙが高値の電圧レベルとな
る。
このように、上記論理回路はナンド論理動作を
するが、いま、信号入力端子Ａの低値の電圧レベ
ルが接地電位より低下して約−0.6Vの値になる
と、第２図のＰ型領域１とエピタキシヤル領域
２，３とをそれぞれベース・エミツタ・コレクタ
とする寄生NPNトランジスタQ2が活性動作状態
となる。したがつて、第３図に示すように、信号
入力端子Ａには、シヨツトキーバリアダイオード
D1の電流1と、寄生NPNトランジスタQ2のベ
ース電流2、さらにはこの電流2に寄生NPN
トランジスタQ2の電流増幅率を乗じたコレクタ
電流3とが流れ、コレクタ電流3は、論理を司
るNPNトランジスタQ1のコレクタ電流4ととも
に抵抗R2を流れる。この抵抗R2に前記寄生NPN
トランジスタQ2のコレクタ電流3が流れると、
その抵抗R2による電圧降下によつて信号出力端
子Ｙの電位が低下し、信号出力端子Ｙが低値の電
圧レベルとなる。
するが、いま、信号入力端子Ａの低値の電圧レベ
ルが接地電位より低下して約−0.6Vの値になる
と、第２図のＰ型領域１とエピタキシヤル領域
２，３とをそれぞれベース・エミツタ・コレクタ
とする寄生NPNトランジスタQ2が活性動作状態
となる。したがつて、第３図に示すように、信号
入力端子Ａには、シヨツトキーバリアダイオード
D1の電流1と、寄生NPNトランジスタQ2のベ
ース電流2、さらにはこの電流2に寄生NPN
トランジスタQ2の電流増幅率を乗じたコレクタ
電流3とが流れ、コレクタ電流3は、論理を司
るNPNトランジスタQ1のコレクタ電流4ととも
に抵抗R2を流れる。この抵抗R2に前記寄生NPN
トランジスタQ2のコレクタ電流3が流れると、
その抵抗R2による電圧降下によつて信号出力端
子Ｙの電位が低下し、信号出力端子Ｙが低値の電
圧レベルとなる。
すなわち、従来は、信号入力端子の電位が低値
の電圧レベルのとき信号出力端子が高値の電圧レ
ベルであるような論理回路で、信号入力端子の低
値の電圧レベルがアンダーシユートによつて接地
電位より低下すると、寄生NPNトランジスタが
動作し、そのコレクタ電流が負荷抵抗を流れ、そ
の抵抗の電圧降下によつて信号出力端子の電位が
低下し、信号出力端子が低値の電圧レベルとなる
ために前記論理回路が誤動作する欠点があつた。
の電圧レベルのとき信号出力端子が高値の電圧レ
ベルであるような論理回路で、信号入力端子の低
値の電圧レベルがアンダーシユートによつて接地
電位より低下すると、寄生NPNトランジスタが
動作し、そのコレクタ電流が負荷抵抗を流れ、そ
の抵抗の電圧降下によつて信号出力端子の電位が
低下し、信号出力端子が低値の電圧レベルとなる
ために前記論理回路が誤動作する欠点があつた。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、論
理回路を構成する負荷抵抗手段に対して、寄生ト
ランジスタによつて発生する寄生コレクタ電流の
側路を設けることにより、前記寄生コレクタ電流
による論理回路の誤動作を防止した論理集積回路
装置を提供することを目的とする。また、この発
明は、寄生トランジスタの飽和を防止して、過渡
応答特性のよい前記電流側路を構成することを目
的とする。
理回路を構成する負荷抵抗手段に対して、寄生ト
ランジスタによつて発生する寄生コレクタ電流の
側路を設けることにより、前記寄生コレクタ電流
による論理回路の誤動作を防止した論理集積回路
装置を提供することを目的とする。また、この発
明は、寄生トランジスタの飽和を防止して、過渡
応答特性のよい前記電流側路を構成することを目
的とする。
以下この発明の実施例を図面を参照して説明す
るが、その前にこの発明と関連する参考例につい
て説明しておく。
るが、その前にこの発明と関連する参考例につい
て説明しておく。
第４図はこの発明の参考例を示す図である。こ
の図において、Ｐ型領域２１はＰ型単結晶シリコ
ン基板からなり、接地（負電源電位に結合）され
る。このＰ型領域２１の表面にはＮ型エピタキシ
ヤル領域２２が形成される。このＮ型エピタキシ
ヤル領域２２は、Ｐ型分離領域２３，２４，２
５，２６によつて各部に絶縁分離される。よつ
て、Ｐ型領域２１上には、互いに離間して第１、
第２、第３のＮ型エピタキシヤル領域２７，２
８，２９が形成される。第１のＮ型エピタキシヤ
ル領域２７は、その表面側所定個所に設けたＮ型
不純物拡散領域３０と、その上の電極３１とによ
つて論理信号の入力端子Ａに接続される。第１の
Ｎ型エピタキシヤル領域２７と第３のＮ型エピタ
キシヤル領域２９間に位置する第２のＮ型エピタ
キシヤル領域２８は、同様に設けたＮ型不純物拡
散領域３２と電極３３とによつて接地（負電源電
位に結合）される。第３のＮ型エピタキシヤル領
域２９は、同様に設けたＮ型不純物拡散領域３４
と電極３５とによつて信号出力端子Ｙに結合され
る。さらに、第３のＮ型エピタキシヤル領域２９
は、前記電極３５に接続した抵抗（負荷抵抗手
段）Ｒを介して電源端子（正電源電位）Vccに結
合される。なお、エピタキヤル領域２２の表面お
よびＰ型分離領域２３〜２６の表面は、前記電極
３１，３３，３５部を除いて絶縁膜３６で覆われ
ている。また、第３のＮ型エピタキシヤル領域２
９は、第１のＮ型エピタキシヤル領域２７が論理
信号によつて論理“０”の時、論理“１”となる
領域である。
の図において、Ｐ型領域２１はＰ型単結晶シリコ
ン基板からなり、接地（負電源電位に結合）され
る。このＰ型領域２１の表面にはＮ型エピタキシ
ヤル領域２２が形成される。このＮ型エピタキシ
ヤル領域２２は、Ｐ型分離領域２３，２４，２
５，２６によつて各部に絶縁分離される。よつ
て、Ｐ型領域２１上には、互いに離間して第１、
第２、第３のＮ型エピタキシヤル領域２７，２
８，２９が形成される。第１のＮ型エピタキシヤ
ル領域２７は、その表面側所定個所に設けたＮ型
不純物拡散領域３０と、その上の電極３１とによ
つて論理信号の入力端子Ａに接続される。第１の
Ｎ型エピタキシヤル領域２７と第３のＮ型エピタ
キシヤル領域２９間に位置する第２のＮ型エピタ
キシヤル領域２８は、同様に設けたＮ型不純物拡
散領域３２と電極３３とによつて接地（負電源電
位に結合）される。第３のＮ型エピタキシヤル領
域２９は、同様に設けたＮ型不純物拡散領域３４
と電極３５とによつて信号出力端子Ｙに結合され
る。さらに、第３のＮ型エピタキシヤル領域２９
は、前記電極３５に接続した抵抗（負荷抵抗手
段）Ｒを介して電源端子（正電源電位）Vccに結
合される。なお、エピタキヤル領域２２の表面お
よびＰ型分離領域２３〜２６の表面は、前記電極
３１，３３，３５部を除いて絶縁膜３６で覆われ
ている。また、第３のＮ型エピタキシヤル領域２
９は、第１のＮ型エピタキシヤル領域２７が論理
信号によつて論理“０”の時、論理“１”となる
領域である。
このように構成された装置においては、いま、
入力端子Ａが接地電位より低下して、第１のＮ型
エピタキシヤル領域２７の電位が、Ｐ型導電形領
域（Ｐ型領域２１とＰ型分離領域２３，２４から
なる）とＮ型導電形領域（第１のＮ型エピタキシ
ヤル領域２７からなる）とで形成されるPN接合
の順方向電圧より低下すると、前記Ｎ型導電形領
域から前記Ｐ型導電形領域へ少数キヤリアが注入
され前記Ｐ型導電形領域と第２のＮ型エピタキシ
ヤル領域２８とで形成されるPN接合に達するの
で、前記Ｐ型導電形領域をベース、第１のＮ型エ
ピタキシヤル領域２７をエミツタ、第２のＮ型エ
ピタキシヤル領域２８をコレクタとする寄生
NPNトランジスタＱが導通する。しかし、この
寄生NPNトランジスタＱのコレクタ電流は、Ｎ
型不純物拡散領域３２と電極３３を流れて接地さ
れ、抵抗Ｒには流れない。したがつて、信号出力
端子Ｙは、前記コレクタ電流の影響を受けない。
入力端子Ａが接地電位より低下して、第１のＮ型
エピタキシヤル領域２７の電位が、Ｐ型導電形領
域（Ｐ型領域２１とＰ型分離領域２３，２４から
なる）とＮ型導電形領域（第１のＮ型エピタキシ
ヤル領域２７からなる）とで形成されるPN接合
の順方向電圧より低下すると、前記Ｎ型導電形領
域から前記Ｐ型導電形領域へ少数キヤリアが注入
され前記Ｐ型導電形領域と第２のＮ型エピタキシ
ヤル領域２８とで形成されるPN接合に達するの
で、前記Ｐ型導電形領域をベース、第１のＮ型エ
ピタキシヤル領域２７をエミツタ、第２のＮ型エ
ピタキシヤル領域２８をコレクタとする寄生
NPNトランジスタＱが導通する。しかし、この
寄生NPNトランジスタＱのコレクタ電流は、Ｎ
型不純物拡散領域３２と電極３３を流れて接地さ
れ、抵抗Ｒには流れない。したがつて、信号出力
端子Ｙは、前記コレクタ電流の影響を受けない。
以上説明したように、参考例では、接地された
第２のＮ型エピタキシヤル領域２８が、抵抗Ｒに
対する寄生NPNトランジスタＱのコレクタ電流
の側路を構成するために、信号出力端子Ｙの電位
は前記コレクタ電流の影響を受けない。したがつ
て、入力端子Ａが低値の電圧レベルのときに信号
出力端子Ｙが高値の電圧レベルである論理回路の
誤動作を防止できる利点がある。
第２のＮ型エピタキシヤル領域２８が、抵抗Ｒに
対する寄生NPNトランジスタＱのコレクタ電流
の側路を構成するために、信号出力端子Ｙの電位
は前記コレクタ電流の影響を受けない。したがつ
て、入力端子Ａが低値の電圧レベルのときに信号
出力端子Ｙが高値の電圧レベルである論理回路の
誤動作を防止できる利点がある。
参考例は、第２のＮ型エピタキシヤル領域２８
を接地して、抵抗Ｒに対する寄生NPNトランジ
スタＱのコレクタ電流の側路を形成する場合を説
明したが、第５図のこの発明の実施例のようにし
てもよい。
を接地して、抵抗Ｒに対する寄生NPNトランジ
スタＱのコレクタ電流の側路を形成する場合を説
明したが、第５図のこの発明の実施例のようにし
てもよい。
すなわち、この発明の実施例では、第２のＮ型
エピタキシヤル領域２８をＮ型不純物拡散領域３
２と電極３３とで電源端子（正電源電位）Vccに
接続するとともに、第２のＮ型エピタキシヤル領
域２８の表面に、シヨツトキーバリアダイオード
Ｄを形成するシヨツトキー電極３７を形成して、
これを接地（負電源電位に結合）する。その他
は、参考例と同一である。
エピタキシヤル領域２８をＮ型不純物拡散領域３
２と電極３３とで電源端子（正電源電位）Vccに
接続するとともに、第２のＮ型エピタキシヤル領
域２８の表面に、シヨツトキーバリアダイオード
Ｄを形成するシヨツトキー電極３７を形成して、
これを接地（負電源電位に結合）する。その他
は、参考例と同一である。
この発明の実施例においては、寄生NPNトラ
ンジスタＱのコレクタ電流が電源端子Vccに短絡
されるので、参考例と同様に、入力端子Ａが低値
の電圧レベルのとき信号出力端子Ｙが高値の電圧
レベルである論理回路の誤動作を防止する効果が
生じる。また、この実施例では、寄生NPNトラ
ンジスタＱのベース・コレクタ間がシヨツトキー
バリアダイオードＤでクランプされるので、入力
のアンダシユートに対して寄生NPNトランジス
タＱが飽和することが防止され速やかに応答する
ために、過渡応答性の優れた電流短絡回路（電流
側路）を構成できる。もし、このシヨツトキーバ
リアダイオードＤによるクランプを有していない
場合は、寄生NPNトランジスタＱの飽和状態に
おいてＰ型領域２１へ注入される過剰なキヤリア
がＰ型領域２１内を拡散し、Ｐ型領域２１の電位
を変化させることによつて隣接素子の動作へ悪影
響を与える恐れがある。この発明の実施例によれ
ば、前述のように寄生NPNトランジスタＱの飽
和が防止され、応答性がよいため、キヤリアがＰ
型領域２１内を拡散し、該領域電位を変化させ、
隣接素子の動作へ悪影響を与えるということはな
い。
ンジスタＱのコレクタ電流が電源端子Vccに短絡
されるので、参考例と同様に、入力端子Ａが低値
の電圧レベルのとき信号出力端子Ｙが高値の電圧
レベルである論理回路の誤動作を防止する効果が
生じる。また、この実施例では、寄生NPNトラ
ンジスタＱのベース・コレクタ間がシヨツトキー
バリアダイオードＤでクランプされるので、入力
のアンダシユートに対して寄生NPNトランジス
タＱが飽和することが防止され速やかに応答する
ために、過渡応答性の優れた電流短絡回路（電流
側路）を構成できる。もし、このシヨツトキーバ
リアダイオードＤによるクランプを有していない
場合は、寄生NPNトランジスタＱの飽和状態に
おいてＰ型領域２１へ注入される過剰なキヤリア
がＰ型領域２１内を拡散し、Ｐ型領域２１の電位
を変化させることによつて隣接素子の動作へ悪影
響を与える恐れがある。この発明の実施例によれ
ば、前述のように寄生NPNトランジスタＱの飽
和が防止され、応答性がよいため、キヤリアがＰ
型領域２１内を拡散し、該領域電位を変化させ、
隣接素子の動作へ悪影響を与えるということはな
い。
以上詳述したように、この発明の論理集積回路
装置においては、論理回路を構成する負荷抵抗手
段に対して、寄生トランジスタによつて発生する
寄生コレクタ電流の側路を設け、論理回路の出力
電圧が前記電流の影響を受けないようにしたの
で、前記電流による論理回路の誤動作を防止でき
る。また、この発明の装置によれば、シヨツトキ
ーバリアダイオードで寄生トランジスタのベー
ス・コレクタ間をクランプして該寄生トランジス
タの飽和を防止し過渡応答特性のよい電流側路を
形成したので、前記トランジスタの飽和にともな
いキヤリアが基板内を拡散して基板電位を変化さ
せ、隣接素子の動作へ悪影響を与えるということ
を防止できる。
装置においては、論理回路を構成する負荷抵抗手
段に対して、寄生トランジスタによつて発生する
寄生コレクタ電流の側路を設け、論理回路の出力
電圧が前記電流の影響を受けないようにしたの
で、前記電流による論理回路の誤動作を防止でき
る。また、この発明の装置によれば、シヨツトキ
ーバリアダイオードで寄生トランジスタのベー
ス・コレクタ間をクランプして該寄生トランジス
タの飽和を防止し過渡応答特性のよい電流側路を
形成したので、前記トランジスタの飽和にともな
いキヤリアが基板内を拡散して基板電位を変化さ
せ、隣接素子の動作へ悪影響を与えるということ
を防止できる。
第１図は従来技術を説明するための論理回路
図、第２図は前記論理回路の一部を半導体集積回
路で構成した場合の断面図、第３図は前記論理回
路の寄生NPNトランジスタの動作説明図、第４
図はこの発明と関連する参考例を示す断面図、第
５図はこの発明の実施例を示す断面図である。 ２１…Ｐ型領域、２７…第１のＮ型エピタキシ
ヤル領域、２８…第２のＮ型エピタキシヤル領
域、２９…第３のＮ型エピタキシヤル領域、Ａ…
入力端子、Ｒ…抵抗、Vcc…電源端子、３７…シ
ヨツトキー電極。
図、第２図は前記論理回路の一部を半導体集積回
路で構成した場合の断面図、第３図は前記論理回
路の寄生NPNトランジスタの動作説明図、第４
図はこの発明と関連する参考例を示す断面図、第
５図はこの発明の実施例を示す断面図である。 ２１…Ｐ型領域、２７…第１のＮ型エピタキシ
ヤル領域、２８…第２のＮ型エピタキシヤル領
域、２９…第３のＮ型エピタキシヤル領域、Ａ…
入力端子、Ｒ…抵抗、Vcc…電源端子、３７…シ
ヨツトキー電極。
Claims (1)
- １ 負電源電位に結合されるＰ型単結晶シリコン
基板と、このシリコン基板表面に配置され、かつ
論理信号が入力される第１のＮ型エピタキシヤル
領域と、同様に前記シリコン基板表面に配置さ
れ、かつ負荷抵抗手段を介して正電源電位に結合
され、前記第１のＮ型エピタキシヤル領域に論理
“０”の信号が入力されると論理“１”の信号を
出力する第３のＮ型エピタキシヤル領域と、この
第３のＮ型エピタキシヤル領域と前記第１のＮ型
エピタキシヤル領域の間にてこれらと同様に前記
シリコン基板表面に配置され、かつ前記正電源電
位に結合される第２のＮ型エピタキシヤル領域
と、これら第１、第２、第３のＮ型エピタキシヤ
ル領域の各々を絶縁分離するＰ型分離領域と、前
記第２のＮ型エピタキシヤル領域表面に配置さ
れ、かつ前記負電源電位に結合されるシヨツトキ
ーバリアダイオード形成用シヨツトキー電極とを
具備してなる論理集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17441081A JPS5877254A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 論理集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17441081A JPS5877254A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 論理集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877254A JPS5877254A (ja) | 1983-05-10 |
| JPH0121632B2 true JPH0121632B2 (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=15978063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17441081A Granted JPS5877254A (ja) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | 論理集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877254A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5068057B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2012-11-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5326686A (en) * | 1976-08-25 | 1978-03-11 | Hitachi Ltd | Protection circuit device for semi conductor |
| JPS5698839A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-08 | Rohm Co Ltd | Integrated circuit for dc load |
| JPS56101767A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55159552U (ja) * | 1979-05-01 | 1980-11-15 |
-
1981
- 1981-11-02 JP JP17441081A patent/JPS5877254A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5326686A (en) * | 1976-08-25 | 1978-03-11 | Hitachi Ltd | Protection circuit device for semi conductor |
| JPS5698839A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-08 | Rohm Co Ltd | Integrated circuit for dc load |
| JPS56101767A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5877254A (ja) | 1983-05-10 |
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