JPH01183143A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

半導体装置用リードフレーム

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JPH01183143A
JPH01183143A JP875888A JP875888A JPH01183143A JP H01183143 A JPH01183143 A JP H01183143A JP 875888 A JP875888 A JP 875888A JP 875888 A JP875888 A JP 875888A JP H01183143 A JPH01183143 A JP H01183143A
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JP
Japan
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lead
semiconductor element
tie bar
lead frame
semiconductor device
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Application number
JP875888A
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English (en)
Inventor
Takashi Taniura
谷浦　隆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
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    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用リードフレームに関し、特にデュ
アルインラインパッケージ（以下ＤＩＰと称す）及びフ
ラットデュアルインラインパッケージ（以下ＳＯＰと称
す）用リードフレームに関する。
〔従来の技術〕
従来ＤＩＰ又はＳＯＰ用リードフレームは半導体素子搭
載部（以下アイランドと称す）を有し、アイランドを囲
む様に内部リードが導出されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のリードフレームはアイランドがあるため
、リードフレームの加工上アイランドと内部リード間に
間隔が必要であり、半導体素子を搭載する際の精度のた
め半導体素子よりアイランドの方が一定量以上の大きさ
を必要とする。さらに内部リードはリード引き抜き強度
維持のためリードが導出される樹脂界面より一定量以上
の距離を保ち一定量以上のストッパー用リード部が必要
である。これらの様に従来のリードフレームはある樹脂
封止形状における半導体素子の搭載可能サイズを大幅に
制約縮小させているという欠点があった。
また搭載する半導体素子が大きいと、半導体素子とリー
ドフレームの金属との熱膨張係数が異なるため組立や実
装時等の熱ストレスによりペレットクラックが発生して
しまうことがあるという欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のリードフレームは一タイバ一部に接続されるリ
ードが対向するタイバー付近まで一部又は全部のリード
が導出され、且つ該リードが樹脂封止領域内に位置し、
半導体素子が該リードの内部リード上に載置可能な構造
である。さらには該内部リードの先端部が半導体素子載
置部より該内部リードと連結している外部リードとは反
対側に位置し、半導体素子の電極部と金属細線で接続可
能な領域を有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の部分平面図である。
−タイバ一部３に接続されるリード１が対向するタイバ
一部５付近まで一部のリードが導出され、且つ該リード
１が樹脂封止領域６内に位置している。第２図は第１図
において半導体素子７を搭載した場合の半導体装置の透
視平面図の一例である。
該リードの内部リードｌのリード先端部１０が半導体素
子７より該内部リードと連結している外部リードとは反
対側に位置し、半導体素子７の電極部８と金属細線９で
導電接続され得る構造をしている。半導体素子を該リー
ドフレームに搭載するには接着剤である絶縁ペーストを
使用するか、フィルム状絶縁物例えばポリイミドフィル
ムを必要形状にして半導体素子搭載部に貼付けた上で種
々の接着方法で載置してもよい。
第１図及び第２図を用いて対向する外部リードが５内側
に導出される内部リードが互いに交差する様な図示によ
り説明したが半導体素子の電極部が半導体素子の１辺〜
３辺に集中して存在する場合、従来のリードフレームで
はアイランドを中央部に載置するために該電極部に対応
する内部リードの形成が難かしく、内部リードの設計自
由度が。
なく、はぼ不可能であった。本発明によれば半導体素子
載置部を内部リードで形成し、半導体素子に対して外部
リードと反対側に該外部リードと連結されている該内部
リードが導出されポンディングエリアを形成することが
できるため、自由に内部リードを設計することができ、
半導体素子の該電極部が半導体素子の１〜３辺に集中し
て存在しても対応するリードフレームを供給することが
できる。つまり半導体素子の設計及びリードフレームの
設計に自由度を大幅に改善することができるという利点
がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体装置部を内部リー
ドで構成するために従来のリードフレームに必要であっ
たアイランドと半導体素子の搭載マージン分は不要とな
る。さらにリード引き抜き強度維持用リードストッパー
及び該ストッパーと樹脂界面間距離等が不要となり、従
来と比べてより大きなサイズの半導体素子を搭載するこ
とができるという利点がある。また半導体装置部が複数
の内部リードで構成されているため、組立や実装時の熱
ストレスも分散されるためペレットクラック等の不具合
は起こらなくなる。さらには内部リードを自由に設計す
ることができると共に半導体素子の電極部の配置にも自
由度が増すという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るリードフレームの部分平面図の一
例である。第２図は第１図に係るリードフレームを用い
た半導体装置の透視平面図の一例である。第３図は従来
のリードフレームの部分平面図の一例である。 １・・・・・・内部リード、２・・・・・・内部リード
、３・・・・・・タイバ一部、４・・・・・・外枠、５
・・・・・・タイバ一部、・６・・・・・・封止樹脂領
域、６′・・・・・・封止樹脂、７・・・・・・半導体
素子、８・・・・・・半導体素子の電極部、９・・・・
・・金属細線、１０・・・・・・内部リード先端部、１
１・・・・・・アイランド。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　複数のリード、外枠、タイバーを有する固体が該外枠
    によって複数個連続形成される半導体装置用リードフレ
    ームにおいて、一タイバー部に接続されるリードが対向
    するタイバー付近まで一部又は全部のリードが導出され
    、且つ該リードが樹脂封止領域内に位置し、半導体素子
    が該リード上に載置可能な構造であることを特徴とする
    半導体装置用リードフレーム。
JP875888A 1988-01-18 1988-01-18 半導体装置用リードフレーム Pending JPH01183143A (ja)

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JP875888A JPH01183143A (ja) 1988-01-18 1988-01-18 半導体装置用リードフレーム

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JPH01183143A true JPH01183143A (ja) 1989-07-20

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