JPH01162299A - マルチポートメモリ試験装置 - Google Patents
マルチポートメモリ試験装置Info
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- JPH01162299A JPH01162299A JP62319061A JP31906187A JPH01162299A JP H01162299 A JPH01162299 A JP H01162299A JP 62319061 A JP62319061 A JP 62319061A JP 31906187 A JP31906187 A JP 31906187A JP H01162299 A JPH01162299 A JP H01162299A
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 59
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マルチポートメモリの試験装置に係り、特に
2以上のポート各々に相異なるメモリアドレスを連続的
に与え、それらポート各々より同時に書込、読出を行な
うことで、マルチポートメモリに対する試験が速やかに
行なわれるように構成されたマルチポートメモリ試験装
置に関するものである。
2以上のポート各々に相異なるメモリアドレスを連続的
に与え、それらポート各々より同時に書込、読出を行な
うことで、マルチポートメモリに対する試験が速やかに
行なわれるように構成されたマルチポートメモリ試験装
置に関するものである。
マルチポートメモリは一般に2以上の、相互に独立して
アクセス可とされた入出力部(ポート)を有しているが
、第4図は2ポートメモリの概要構成を示したものであ
る。これによると2ボーI〜メモリ3では内部メモリセ
ル34はAポート、Bポートによって共有されており、
Aポート、Bポートより同時にアクセス可能となってい
る。即ち、Aポート、Bポートは各々独立して書込、読
出動作を行なうべくアドレスデコーダ31A、31Bや
コントロールロジェック32A、32B、データバッフ
ァ33A、33Bなどから構成されたものとなっている
。
アクセス可とされた入出力部(ポート)を有しているが
、第4図は2ポートメモリの概要構成を示したものであ
る。これによると2ボーI〜メモリ3では内部メモリセ
ル34はAポート、Bポートによって共有されており、
Aポート、Bポートより同時にアクセス可能となってい
る。即ち、Aポート、Bポートは各々独立して書込、読
出動作を行なうべくアドレスデコーダ31A、31Bや
コントロールロジェック32A、32B、データバッフ
ァ33A、33Bなどから構成されたものとなっている
。
ところで、この種のメモリの試験に関してはこれまでに
特開昭61−280099号公報に記載されたものが知
られている。2ポートメモリのポート各々にユニット(
コンピュータ)を接続したうえ、これらユニット間で試
験データを送受し合うことによって、データ内容が正常
であるか否かが判定されるようになっている。一方、メ
モリテスタによる場合は以下のようにして試験が行なわ
れるようになっている。
特開昭61−280099号公報に記載されたものが知
られている。2ポートメモリのポート各々にユニット(
コンピュータ)を接続したうえ、これらユニット間で試
験データを送受し合うことによって、データ内容が正常
であるか否かが判定されるようになっている。一方、メ
モリテスタによる場合は以下のようにして試験が行なわ
れるようになっている。
即ち、メモリセル数Nが4の2ポートメモリについての
試験動作を第5図により説明すれば、先ずAポートより
初期設定としてアドレス0〜3(AO〜A3)には“0
″が書込される。この後アドレスAO〜A3各々につい
て“0”が読み出されたうえl(I IIが書き込まれ
るようになっている。更にその後はアドレスA3〜AO
各々について111”が読み出されたうえ“0″が書き
込まれるようになっている。図中((ORTl、“IR
”はそれぞれメモリセルより110 ## “1”を
読み出すことを、また、OW”、”lW”はそれぞれメ
モリセルに“OII、′1”を書き込むことを意味して
いるものである。このような動作は“O”、ig 17
1が反転された、いわゆる裏パターンについても同様に
して行なわれるが、このようにしてAポートについての
試験が終了した後は、Bポートに対してもAポート同様
試験が行なわれていたものである。
試験動作を第5図により説明すれば、先ずAポートより
初期設定としてアドレス0〜3(AO〜A3)には“0
″が書込される。この後アドレスAO〜A3各々につい
て“0”が読み出されたうえl(I IIが書き込まれ
るようになっている。更にその後はアドレスA3〜AO
各々について111”が読み出されたうえ“0″が書き
込まれるようになっている。図中((ORTl、“IR
”はそれぞれメモリセルより110 ## “1”を
読み出すことを、また、OW”、”lW”はそれぞれメ
モリセルに“OII、′1”を書き込むことを意味して
いるものである。このような動作は“O”、ig 17
1が反転された、いわゆる裏パターンについても同様に
して行なわれるが、このようにしてAポートについての
試験が終了した後は、Bポートに対してもAポート同様
試験が行なわれていたものである。
したがって、以上のテストパターン(マーチングパター
ン)による場合は、Aポート、Bポート各々からの初期
設定にNサイクル、Aポート、Bポート各々からの読出
書込に8Nサイクル要されることから、裏パターンをも
考慮した場合2ポートメモリを試験するのに計2ONサ
イクル要していたものである。
ン)による場合は、Aポート、Bポート各々からの初期
設定にNサイクル、Aポート、Bポート各々からの読出
書込に8Nサイクル要されることから、裏パターンをも
考慮した場合2ポートメモリを試験するのに計2ONサ
イクル要していたものである。
特開昭61−280099号公報による場合、片ポート
から書込されたデータを他方のポートより読み出し、そ
れが正常であれば逆方向から同様に書込。
から書込されたデータを他方のポートより読み出し、そ
れが正常であれば逆方向から同様に書込。
読出を行なうことをアドレス更新の度に行なっているこ
とから、試験時に2ポートメモリの特徴である2ポート
からの同時動作機能が有効に活かされておらず、また、
読出や比較判定、書込はコンピュータによっているため
、メモリは試験中常時連続的にアクセスされておらず試
験の高速化が図れないという不具合がある。一方、メモ
リテスタによる場合には、メモリの試験中常時連続的に
何等かのアクセスは行なわれているものの、上記公報に
よる場合と同様に同時動作機能が有効に活かされていな
く、メモリに対する試験を高速に行ない得ないという不
具合がある。
とから、試験時に2ポートメモリの特徴である2ポート
からの同時動作機能が有効に活かされておらず、また、
読出や比較判定、書込はコンピュータによっているため
、メモリは試験中常時連続的にアクセスされておらず試
験の高速化が図れないという不具合がある。一方、メモ
リテスタによる場合には、メモリの試験中常時連続的に
何等かのアクセスは行なわれているものの、上記公報に
よる場合と同様に同時動作機能が有効に活かされていな
く、メモリに対する試験を高速に行ない得ないという不
具合がある。
本発明の目的は、常時連続的に相異なる2以上のアドレ
スで同時にメモリをアクセスすることで、メモリに対す
る試験が高速に行なわれるを可としたマルチポートメモ
リ試験装置を供するにある。
スで同時にメモリをアクセスすることで、メモリに対す
る試験が高速に行なわれるを可としたマルチポートメモ
リ試験装置を供するにある。
以上目的は、読出/書込制御データ、アドレスデータ、
書込データおよび期待値データよりなる所定のテストパ
ターンを連続的に発生するテストパターン発生手段と、
テストパターンに含まれるデータのうち、少なくともア
ドレスデータを他ポート用に相異なるアドレスデータに
変換するアドレス変換手段と、ポート各々より読み出さ
れたデータをポート対応の期待値データと比較する判定
手段と、判定結果を読出アドレスデータにもとづきポー
ト対応に格納する記憶手段とから構成することで達成さ
れる。
書込データおよび期待値データよりなる所定のテストパ
ターンを連続的に発生するテストパターン発生手段と、
テストパターンに含まれるデータのうち、少なくともア
ドレスデータを他ポート用に相異なるアドレスデータに
変換するアドレス変換手段と、ポート各々より読み出さ
れたデータをポート対応の期待値データと比較する判定
手段と、判定結果を読出アドレスデータにもとづきポー
ト対応に格納する記憶手段とから構成することで達成さ
れる。
要は、アドレス変換手段によりマルチポートメモリにお
けるポート各々に相異なるアドレスデータを連続的に入
力せしめ、メモリをそれらポートより同時にアクセスし
ようというものである。したがって、アクセスが連続的
に行なわれ、しかも同時動作機能が活かされることから
、メモリに対する試験が極めて短時間で済されることに
なるものである。
けるポート各々に相異なるアドレスデータを連続的に入
力せしめ、メモリをそれらポートより同時にアクセスし
ようというものである。したがって、アクセスが連続的
に行なわれ、しかも同時動作機能が活かされることから
、メモリに対する試験が極めて短時間で済されることに
なるものである。
以下、本発明を2ポートメモリに例を採って第1図から
第3図により説明する。
第3図により説明する。
先ず本発明に係る2ポートメモリ試験装置について説明
すれば、第1図はその概要構成を被試験対象としての2
ポートメモリとともに示したものである。これによる場
合テストパターン発生器1からは書込データ・アドレス
データ6、読出/書込制御データ7および期待値データ
8よりなるテストパターンが所定に連続的に発生される
が、このうち書込データ・アドレスデータ6はアドレス
交換器2で少なくともアドレスデータが他のアドレスデ
ータとなるべく変換される(例えば反転機能による)よ
うになっている。これにより2ポートメモリ3における
Aポート、Bポート各々には相異なるアドレスデータを
含む書込データ・アドレスデータ6A、6Bが入力せし
められるものである。また、読出/書込制御データ7は
Aポート、Bポートに共通に入力せしめられることから
、Aポート、Bポートからは、相異なるアドレスに同時
にデータが書込され、また、相異なるアドレスより同時
にデータが読出されることが可能になるものである。A
ポート、Bポートより同時に読出された読出データ9A
、9Bはポート対応の期待値データ8A、8Bと判定器
4で比較され、比較判定結果10A、IOBはその際で
の読出アドレスデータを書込アドレスデータIIA、I
IBとしてフェイルメモリ5A、5Bに書込されるとこ
ろとなるものである。試験終了後フェイルメモリ5A、
5Bに書込された内容を読み出すことによっては、アド
レス対応の比較判定結果が得られるものである。尤も何
れかのアドレスで不良に係る比較判定結果が得られた時
点でその旨のフラグをセットする場合は、メモリ容量少
なくして比較判定結果が得られることになる。2ポート
メモリ3がLSIとして構成されている場合には、何等
かの不良に係る比較判定結果が得られたことを以て全体
としての判定結果を不良として判定し得るわけである。
すれば、第1図はその概要構成を被試験対象としての2
ポートメモリとともに示したものである。これによる場
合テストパターン発生器1からは書込データ・アドレス
データ6、読出/書込制御データ7および期待値データ
8よりなるテストパターンが所定に連続的に発生される
が、このうち書込データ・アドレスデータ6はアドレス
交換器2で少なくともアドレスデータが他のアドレスデ
ータとなるべく変換される(例えば反転機能による)よ
うになっている。これにより2ポートメモリ3における
Aポート、Bポート各々には相異なるアドレスデータを
含む書込データ・アドレスデータ6A、6Bが入力せし
められるものである。また、読出/書込制御データ7は
Aポート、Bポートに共通に入力せしめられることから
、Aポート、Bポートからは、相異なるアドレスに同時
にデータが書込され、また、相異なるアドレスより同時
にデータが読出されることが可能になるものである。A
ポート、Bポートより同時に読出された読出データ9A
、9Bはポート対応の期待値データ8A、8Bと判定器
4で比較され、比較判定結果10A、IOBはその際で
の読出アドレスデータを書込アドレスデータIIA、I
IBとしてフェイルメモリ5A、5Bに書込されるとこ
ろとなるものである。試験終了後フェイルメモリ5A、
5Bに書込された内容を読み出すことによっては、アド
レス対応の比較判定結果が得られるものである。尤も何
れかのアドレスで不良に係る比較判定結果が得られた時
点でその旨のフラグをセットする場合は、メモリ容量少
なくして比較判定結果が得られることになる。2ポート
メモリ3がLSIとして構成されている場合には、何等
かの不良に係る比較判定結果が得られたことを以て全体
としての判定結果を不良として判定し得るわけである。
さて、以上のように構成された試験装置による試験方法
について具体的に説明すれば以下のようである。
について具体的に説明すれば以下のようである。
即ち、メモリセル数Nが4であるとして、また、アドレ
ス変換器2でアドレスデータおよび書込データが反転さ
れるとすれば、アドレス変換器2へのアドレスデータが
AOからAl、A2.A3へといった順に更新された場
合、アドレス変換器2からはA3.A2.Al、AOと
いった順に逆方向に更新されたものとしてアドレスデー
タが得られることになる。したがって、メモリセル数N
が偶数であるとすれば、Aポート、Bポートからは相異
なるアドレスに対して同時に書込、読出が可能となるも
のである。第2図は一例での試験動作を示すが、Aポー
ト、Bポートからは同時にデータが書込され、また、同
時にデータが読出されていることが判る。読出されたデ
ータは判定器4でポート対応の期待値8A、8Bと比較
され、比較判定結果はフェイルメモリ5A、5Bに格納
されるところとなるものである。
ス変換器2でアドレスデータおよび書込データが反転さ
れるとすれば、アドレス変換器2へのアドレスデータが
AOからAl、A2.A3へといった順に更新された場
合、アドレス変換器2からはA3.A2.Al、AOと
いった順に逆方向に更新されたものとしてアドレスデー
タが得られることになる。したがって、メモリセル数N
が偶数であるとすれば、Aポート、Bポートからは相異
なるアドレスに対して同時に書込、読出が可能となるも
のである。第2図は一例での試験動作を示すが、Aポー
ト、Bポートからは同時にデータが書込され、また、同
時にデータが読出されていることが判る。読出されたデ
ータは判定器4でポート対応の期待値8A、8Bと比較
され、比較判定結果はフェイルメモリ5A、5Bに格納
されるところとなるものである。
したがって、以上のようにして裏パターンについても2
ポートメモリを試験する場合には、試験に計9Nサイク
ル必要となり、これまでの試験方法に比し大幅に時間少
なくして2ポートメモリを試験し得ることになる。
ポートメモリを試験する場合には、試験に計9Nサイク
ル必要となり、これまでの試験方法に比し大幅に時間少
なくして2ポートメモリを試験し得ることになる。
第3図はまた本発明に係る他の例での試験動作を示すが
、本例では書込データはアドレス変換器2で何等反転さ
れることなく、そのままBポートに書込データとして与
えられること以外は先の例に同様となっている。即ち、
Aポート、Bポートへの書込データばかりか、ポート対
応の期待値8A、8Bも同一で済まされるものである。
、本例では書込データはアドレス変換器2で何等反転さ
れることなく、そのままBポートに書込データとして与
えられること以外は先の例に同様となっている。即ち、
Aポート、Bポートへの書込データばかりか、ポート対
応の期待値8A、8Bも同一で済まされるものである。
本例でのものでも計9Nサイクル要され、2ポートメモ
リは速やかに試験され得るものである。
リは速やかに試験され得るものである。
ここで、アドレス変換器について説明を補足すれば、ア
ドレスデータの変換においてはポート各々へのアドレス
データが相異なるべく変換されれば十分であり、必ずし
も反転機能によるアドレス変換には限定されない。オフ
セット値との間でアドレスデータを加減算することでも
、アドレスデータは容易に他のものに変換されることに
なる。
ドレスデータの変換においてはポート各々へのアドレス
データが相異なるべく変換されれば十分であり、必ずし
も反転機能によるアドレス変換には限定されない。オフ
セット値との間でアドレスデータを加減算することでも
、アドレスデータは容易に他のものに変換されることに
なる。
以上本発明を2ポートメモリについて説明したが、要は
ポート各々へのアドレスデータが相異なるべく適当に発
生されればよいことから、以上述べた試験方法は2ポー
トメモリにのみ限定されないことは明らかである。
ポート各々へのアドレスデータが相異なるべく適当に発
生されればよいことから、以上述べた試験方法は2ポー
トメモリにのみ限定されないことは明らかである。
以上説明したように本発明によれば、ポート各々からは
常時連続的に相異なる2以上のアドレスで同時にメモリ
をアクセスし得ることから、メモリに対する試験が時間
少なくして済まされるという効果がある。
常時連続的に相異なる2以上のアドレスで同時にメモリ
をアクセスし得ることから、メモリに対する試験が時間
少なくして済まされるという効果がある。
第1図は、本発明に係る2ポートメモリ試験装置の概要
構成を被試験対象としての2ポートメモリとともに示す
図、第2図、第3図は、それぞれその装置による試験方
法を示す図、第4図は、2ポートメモリの概要構成を示
す図、第5図は、従来技術に係る試験方法を示す図であ
る。 1・・・テストパターン発生器、2・・・アドレス変換
器、3・・・2ポートメモリ、4・・・判定器、5・・
・フェイルメモリ。 代理人弁理士 秋 本 正 実第1図 第4図
構成を被試験対象としての2ポートメモリとともに示す
図、第2図、第3図は、それぞれその装置による試験方
法を示す図、第4図は、2ポートメモリの概要構成を示
す図、第5図は、従来技術に係る試験方法を示す図であ
る。 1・・・テストパターン発生器、2・・・アドレス変換
器、3・・・2ポートメモリ、4・・・判定器、5・・
・フェイルメモリ。 代理人弁理士 秋 本 正 実第1図 第4図
Claims (1)
- 1、メモリがポート各々より同時、かつ独立にアクセス
可能とされたマルチポートメモリに対する試験装置であ
って、読出/書込制御データ、アドレスデータ、書込デ
ータおよび期待値データよりなる所定のテストパターン
を連続的に発生するテストパターン発生手段と、テスト
パターンに含まれるデータのうち、少なくともアドレス
データを他ポート用に相異なるアドレスデータに変換す
るアドレス変換手段と、ポート各々より読み出されたデ
ータをポート対応の期待値データと比較する判定手段と
、判定結果を読出アドレスデータにもとづきポート対応
に格納する記憶手段とからなる構成を特徴とするマルチ
ポートメモリ試験装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62319061A JPH01162299A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | マルチポートメモリ試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62319061A JPH01162299A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | マルチポートメモリ試験装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01162299A true JPH01162299A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18106061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62319061A Pending JPH01162299A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | マルチポートメモリ試験装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01162299A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH033189A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置 |
FR2682212A1 (fr) * | 1991-10-04 | 1993-04-09 | Thomson Composants Militaires | Procede de test de memoires multiport. |
WO2002039458A1 (en) * | 1999-09-23 | 2002-05-16 | Nortel Networks Limited | AT-SPEED BUILT-IN SELF TESTING OF MULTI-PORT COMPACT sRAMs |
US6510530B1 (en) | 1999-09-23 | 2003-01-21 | Nortel Networks Limited | At-speed built-in self testing of multi-port compact sRAMs |
JP2007109372A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マルチポート・メモリ・アレイの走査メモリ・テスト方法(メモリ・アレイ、メモリ・アレイのテスト法、及びマルチポート浮動小数点レジスタ) |
JP2009064532A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2009289307A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2013097827A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Fujitsu Ltd | 集積回路,試験回路,試験装置,及び試験方法 |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62319061A patent/JPH01162299A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH033189A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置 |
FR2682212A1 (fr) * | 1991-10-04 | 1993-04-09 | Thomson Composants Militaires | Procede de test de memoires multiport. |
WO2002039458A1 (en) * | 1999-09-23 | 2002-05-16 | Nortel Networks Limited | AT-SPEED BUILT-IN SELF TESTING OF MULTI-PORT COMPACT sRAMs |
US6510530B1 (en) | 1999-09-23 | 2003-01-21 | Nortel Networks Limited | At-speed built-in self testing of multi-port compact sRAMs |
JP2007109372A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マルチポート・メモリ・アレイの走査メモリ・テスト方法(メモリ・アレイ、メモリ・アレイのテスト法、及びマルチポート浮動小数点レジスタ) |
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JP2009289307A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2013097827A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Fujitsu Ltd | 集積回路,試験回路,試験装置,及び試験方法 |
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