JPS61160900A - Ramの書込み読出し回路 - Google Patents

Ramの書込み読出し回路

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Publication number
JPS61160900A
JPS61160900A JP59281455A JP28145584A JPS61160900A JP S61160900 A JPS61160900 A JP S61160900A JP 59281455 A JP59281455 A JP 59281455A JP 28145584 A JP28145584 A JP 28145584A JP S61160900 A JPS61160900 A JP S61160900A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
write
read
data
ram
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP59281455A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoharu Nakamura
友春 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS61160900A publication Critical patent/JPS61160900A/ja
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の口約 産業上の利用分野 本発明は、各種情報処理装置において高速の書込み読出
し用記憶装置として使用されるRAMの書込み読出し回
路に関するものである。
従来の技術 RAM (ランダムアクセス・メモリ)においては、メ
モリアレイ内に実際に書込まれるデータの状B(ハイま
たはローの状態、以下「極性」と称する)は、外部から
与えた書込みデータの極性とは必ずしも一致しせず、書
込みアドレスと書込みデータの極性に応じて反転されて
書込まれる場合がある6例えば、外部から与えた書込み
データが” 0 ”  (Ovolt)の場合、O番地
には“0”として書込まれ、1番地には11” (5v
olt)として書込まれる。これは、メモリTCメーカ
ーの製造上の便宜によるものであり、メーカー独特の変
換算法が採用されている。
例えば、DRAMによ(見られる折り返し型ビットライ
ン方式では、隣り合うビットラインの情報は互いに逆に
なっている。また、メモリセルのレイアウト上の理由か
ら情報が更に反転される場合もある。
発明が解決しようとする問題点 上述のように、外部から与えた書込みデータとメモリア
レイ内に実際に書込まれるデータの極性が必ずしも一致
しないため、このようなRAMの性能評価を行う際に不
都合が生じる。
例えば、メモリアレイ内の隣接セル間干渉を試験するた
め、第3h (A)に示すように、4×4個のアレイ内
に市松模様のテストパターンを書込もうとした場合、同
図(B)に示すように、斜線を付したセル内データの極
性反転のため市松模様ではなくなり、正しい試験条件が
設定できなくなるという問題がある。
発明の構成 問題点を解決するための手段 上記従来技術の問題点を解決する本発明は、RAM内で
行われる書込み時及び読出し時の極性変換をそれぞれ無
効にする書込み読出逆変換回路及び読出し逆変換回路と
、これら書込み逆変換回路及び読出し逆変換回路を経由
する性能評価用経路並びにいずれの逆変換回路も経由し
ない通常使用時の書込み読出し経路のうち一方を選択的
に設定する手段とを備えることにより、性能評価に際し
所望のテストパターンをメモリアレイ内に蓄積し読出す
ことができると共に、試験時以外における通常の動作も
できるように構成されている。
発明の作用 RAM内で行われる書込み時と読出し時のデータの極性
変換の算法は、論理式で記述できる。従って、これらの
極性変換を無効にする逆変換を論理式で記述して対応の
論理回路を構成することができる。すなわち、書込み時
の極性変換の逆変換を予め施した書込みデータを外部か
ら与えることにより、メモリアレイ内に市松横罫等所望
のテストパターンを実際に蓄積すると共に、読出された
テストパターンを逆変換して性能評価装置に供給してや
れば、性能評価試験を問題なく行うことができる。
以下1本発明の作用を実施例によって詳細に説明する。
実施例 第1図は1本発明の一実施例の書込み読出し回路■0の
構成をRAM20との関連において示すブロック図であ
る。
RAM20は9周知のように、マトリクス状に配列され
たメモリセルから成るメモリアレイと。
ロウ及びカラムのそれぞれのアドレス(AO〜A11)
をデコードするロウ及びカラム・デコーダと、書込み読
出しデータをサンプル・ホールドするカラムI10を備
えている。また、このRAM20は、書込みデータをそ
の極性と書込みアドレスに応じた所定の算法に従って極
性変換する書込み変換回路と、書込みデータと同一のも
のとなるように読出しデータの極性を反転する読出し変
換回路を備えている。
書込み読出し回路10は、RAM20内で書込み時に行
われる極性変換に対しこれを無効とするように逆変換を
行う書込み逆変換回路11と、RAM20内で読出し時
に行われる極性変換に対しこれを無効とするように逆変
換を行う読出し逆変換回路12を備えている。
またこの書込み読出し回路10は、上記逆変換回路11
と12を経る性能評価試験用の書込み読出し経路と、い
ずれの逆変換回路も経ない通常使用時の書込み読出し経
路を選択的に設定するためのセレクタ13及び14とを
備えている。これらのセレクタ13と14は9選択信号
SSによって制御される。
第2図は、書込み逆変換回路11の構成の一例を示すブ
ロック図である。
この逆変換回路は、データ入力端子Din  に供給さ
れた書込みデータDO,DI・・・T)nの極性(“1
”又は′″0′″)及びこれらの書込みアドレスAO,
AI・・・Allから決まる所定の算法に従って各ビッ
トに対する極性反転信号■0゜11・・・Inを出力す
る反転論理回路lIAと。
上記極性反転信号10〜Inに従って各ビットに対し極
性反転を実行する極性反転回路11B−0゜11B−1
・・・IIB−nから構成されている。
反転論理回路11Aによる極性判定の算法は。
RAM20内で行われる書込み時の極性反転を無効にす
るように定められる。すなわち、書込みデータDO〜D
nがこの書込み逆変換回路11で逆変換されてRAM2
0のデータ入力端子(DIN)に供給され、RAM20
内で書込み変換されると元の書込みデータDOxDnに
戻るように逆変換の算法が決定される。読出し逆変換回
路の構成と逆変換の算法も上記書込み逆変換回路のそれ
と同様である。
RAM20の性能評価試験を行う場合には1選択信号S
Sによりセレクタ13と14を制御し。
書込み逆変換回路11と読出し逆変換回路12を経由す
る書込み読出し経路を設定する。この後。
市松模様等のテストパターンを与える試験用データがデ
ータ入力端子Dinに供給され、書込み逆変換回路11
.データ入力端子(D4)を経てRAM20内のメモリ
アレイ内に書込まれる。この試験用データは、適宜な時
間後にRAM20のデータ出力端子り。u7から読出さ
れ、読出し逆変換回路14を経て試験装置に連なるデー
タ出力端子DouLに供給される。
通常使用時の書込み読出し動作を行う場合には。
選択信号SSを反転させることにより、書込逆変換書込
11及び読出し逆変換回路12のいずれをも経由しない
書込み読出し経路が設定される。
発明の効果 以上詳細に説明したように2本発明の書込み読出し回路
は、RAM内で行われる書込み時及び読出し時の極性変
換をそれぞれ無効にする書込み読出逆変換回路及び読出
し逆変換回路を備える構成であるから、性能評価に際し
所望のテストパターンをメモリアレイ内に容易に蓄積し
読出すことができる。
また2本発明の書込み読出し回路は、各逆変換回路を経
由する性能評価用経路と、いずれの逆変換回路も経由し
ない通常使用時の書込み読出し経路を選択的に設定する
手段を備えているので、N単な選択操作により試験動作
と通常の動作の両方を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は9本発明の一実施例の書込み読出し回路10の
構成をRAM20との関連において示すブロック図、第
2図は第1図の書込み逆変換回路11の構成の一例を示
すブロック図、第3図は従来技術の問題点を説明するた
めの概念図である。 11・・書込み逆変換回路、12・・読出し逆変換回路
、13.14・・セレクタ、IIA・・反転論理回路、
11B−0〜IIB−n・・極性反転回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  書込みアドレスと書込みデータの状態の組合せに応じ
    て、該書込みデータに対し状態変換を行ってメモリアレ
    イ内に書込むと共に、メモリアレイから読出したデータ
    を前記変換前の状態に戻して出力する状態変換機能を備
    えたRAMに対する書込み読出し回路であって、 前記RAM内で行われる書込み時及び読出し時の状態変
    換をそれぞれ無効にする書込み逆変換回路及び読出し逆
    変換回路と、 前記書込み逆変換回路及び読出し逆変換回路を経るメモ
    リ性能評価用書込み読出し経路及びいずれの逆変換回路
    も経ない書込み読出し経路のうち一方を選択的に設定す
    る手段とを備えたことを特徴とするRAMの書込み読出
    し回路。
JP59281455A 1984-12-31 1984-12-31 Ramの書込み読出し回路 Pending JPS61160900A (ja)

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JPS61160900A true JPS61160900A (ja) 1986-07-21

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02297789A (ja) * 1989-05-12 1990-12-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5136543A (en) * 1989-05-12 1992-08-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Data descrambling in semiconductor memory device
JPH09147597A (ja) * 1995-11-07 1997-06-06 Micron Technol Inc メモリ集積回路チップ、その製造方法及びその試験方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02297789A (ja) * 1989-05-12 1990-12-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5136543A (en) * 1989-05-12 1992-08-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Data descrambling in semiconductor memory device
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