JPH01145845A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01145845A JPH01145845A JP30520687A JP30520687A JPH01145845A JP H01145845 A JPH01145845 A JP H01145845A JP 30520687 A JP30520687 A JP 30520687A JP 30520687 A JP30520687 A JP 30520687A JP H01145845 A JPH01145845 A JP H01145845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thickness
- psg
- groove
- step part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003601 intercostal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0802—Resistors only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分叶〕
本発明は半導体装置に関し、特に抵抗素子を有する半導
体装置に関する。
体装置に関する。
従来、抵抗素子を有する半導体装置には、抵抗素子の高
抵抗化を目的として、多結晶シリコンのような高抵抗膜
を半導体基板上に絶縁膜を介して設けた構造のものが知
られているが、前述の高抵抗膜は特に段差のない平坦部
に設けられていた。
抵抗化を目的として、多結晶シリコンのような高抵抗膜
を半導体基板上に絶縁膜を介して設けた構造のものが知
られているが、前述の高抵抗膜は特に段差のない平坦部
に設けられていた。
上述した従来の半導体装置では、抵抗素子が平面上に形
成されているため、面積的に制約があり、低電力化を計
るために設けられた高抵抗膜による抵抗素子にも長さ方
向の制限があり、高抵抗化の限界が生じ、低電力化への
障害となっていた。従って、集積度と低消費電力の両方
を同時に実現することができないという欠点がある。
成されているため、面積的に制約があり、低電力化を計
るために設けられた高抵抗膜による抵抗素子にも長さ方
向の制限があり、高抵抗化の限界が生じ、低電力化への
障害となっていた。従って、集積度と低消費電力の両方
を同時に実現することができないという欠点がある。
本発明の半導体装置は、半導体基板の一主表面に掘られ
た溝の段部上を絶縁膜を介して横断して設けられた膜抵
抗素子を有するというものである。
た溝の段部上を絶縁膜を介して横断して設けられた膜抵
抗素子を有するというものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図はこの発明の一実施例の主要部を示す半導体チ
ップの平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線断面図であ
る。この実施例はシリコンからなる半導体基板１の一主
表面に掘られた溝２の段部を、厚さ０．１μｍの熱酸化
膜３、厚さ１〜２μｍのＰＳＧ膜（リン含有率７モル％
）４の二層構造の絶縁膜を介して設けられた多結晶シリ
コン抵抗膜５からなる膜抵抗素子を有している。なお、
図示の状態から更に肋間絶縁膜成長及び他の素子との接
続、電極形成などを実施する事により、半導体装置の一
部を構成する事になる。
。第１図はこの発明の一実施例の主要部を示す半導体チ
ップの平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線断面図であ
る。この実施例はシリコンからなる半導体基板１の一主
表面に掘られた溝２の段部を、厚さ０．１μｍの熱酸化
膜３、厚さ１〜２μｍのＰＳＧ膜（リン含有率７モル％
）４の二層構造の絶縁膜を介して設けられた多結晶シリ
コン抵抗膜５からなる膜抵抗素子を有している。なお、
図示の状態から更に肋間絶縁膜成長及び他の素子との接
続、電極形成などを実施する事により、半導体装置の一
部を構成する事になる。
熱酸化膜３の厚さを一１μｍ前後にしてＰＳＧ膜４をつ
けなくてもよいが、このＰＳＧｒｆ！Ａ４はリフロー工
程によりなだらかになるので、その上に被着する多結晶
シリコン抵抗膜の厚さを均一にするため設けである。従
ってＰＳＧ膜に限らず、スピンコード法や有機オキシシ
ランの熱分解法で形成した絶縁膜を使用してもよい。
けなくてもよいが、このＰＳＧｒｆ！Ａ４はリフロー工
程によりなだらかになるので、その上に被着する多結晶
シリコン抵抗膜の厚さを均一にするため設けである。従
ってＰＳＧ膜に限らず、スピンコード法や有機オキシシ
ランの熱分解法で形成した絶縁膜を使用してもよい。
以上説明したように本発明は、膜抵抗素子を基板の溝膜
部を横断して設けることにより、従来の抵抗素子より実
効寸法を長く取る事ができ、半導体装置の低消費電力化
を集積度を犠牲にすることなく実現できる効果がある。
部を横断して設けることにより、従来の抵抗素子より実
効寸法を長く取る事ができ、半導体装置の低消費電力化
を集積度を犠牲にすることなく実現できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の主要部を示す半導体チップ
の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・溝、３・・・熱酸化膜、
４・・・ＰＳＧ膜、ら・・・多結晶シリコン抵抗膜。
の平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ’線断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・溝、３・・・熱酸化膜、
４・・・ＰＳＧ膜、ら・・・多結晶シリコン抵抗膜。
Claims (1)
- 半導体基板の一主表面に掘られた溝の段部上を絶縁膜
を介して横断して設けられた膜抵抗素子を有することを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30520687A JPH01145845A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30520687A JPH01145845A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01145845A true JPH01145845A (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=17942327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30520687A Pending JPH01145845A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01145845A (ja) |
-
1987
- 1987-12-01 JP JP30520687A patent/JPH01145845A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63234554A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05343405A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01145845A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5842227A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6328069A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6161450A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS63229744A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2674346B2 (ja) | ジョセフソン素子及びその製造方法 | |
| JPH0482222A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2717033B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS60227459A (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS55138856A (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
| JPH02143452A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS643068B2 (ja) | ||
| JPS6193601A (ja) | 薄膜抵抗装置およびその製造方法 | |
| JPH01194347A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS5858359U (ja) | 抵抗体 | |
| JPS585356U (ja) | 抵抗素子 | |
| JPS61194864A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63160365A (ja) | 半導体装置用絶縁基板 | |
| JPS639959A (ja) | ポリシリコン高抵抗製造法 | |
| JPS62112359A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62113466A (ja) | 半導体記憶装置の製造方法 | |
| JPS57153481A (en) | Plane type josephson junction element and its manufacturing method | |
| JPS6097660A (ja) | 半導体装置 |