JPS5858359U - 抵抗体 - Google Patents

抵抗体

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JPS5858359U
JPS5858359U JP11223282U JP11223282U JPS5858359U JP S5858359 U JPS5858359 U JP S5858359U JP 11223282 U JP11223282 U JP 11223282U JP 11223282 U JP11223282 U JP 11223282U JP S5858359 U JPS5858359 U JP S5858359U
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JP
Japan
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resistor
resistance material
region
insulator
impurities
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JP11223282U
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Inventor
好仁 雨宮
孝之 菅田
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日本電信電話株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の抵抗体、第２図は本考案の抵抗体、第３
図ａ　”−’　ｅは本考案の一実施例、第４図ａ〜Ｃは
他の実施例、第５図は本考案の抵抗体の他　□の実施例
を示す。 １・・・抵抗体、１′・・・周辺部領域（両端部領域）
、２．３・・・金属電極、′４・・・凹凸領域、１１・
・・絶縁基板、１２−０．シ・りうシ層、１３・・・Ｓ
ｉ３Ｎ４層、１４・・・５ｉ０２層。“

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ゛絶縁体の表面上に形成され両端に電極が付された高抵
    抗体でなる抵婢体において、上記高抵抗体を、電流の流
    れる方向に垂直な断面における中央部嶺域が半絶縁性で
    なり、かつ、両端部領域が上記中央部領域よりも多くの
    不純物を含んで低い抵抗率でなる多結晶シリコン層で構
    成したことを特徴とする抵抗体。
JP11223282U 1982-07-26 1982-07-26 抵抗体 Expired JPS5934999Y2 (ja)

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JP11223282U JPS5934999Y2 (ja) 1982-07-26 1982-07-26 抵抗体

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JP11223282U JPS5934999Y2 (ja) 1982-07-26 1982-07-26 抵抗体

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Publication Number Publication Date
JPS5858359U true JPS5858359U (ja) 1983-04-20
JPS5934999Y2 JPS5934999Y2 (ja) 1984-09-27

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ID=29906567

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JPS5934999Y2 (ja) 1984-09-27

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