JPS58111932U - ヒ−タ - Google Patents

ヒ−タ

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Publication number
JPS58111932U
JPS58111932U JP750182U JP750182U JPS58111932U JP S58111932 U JPS58111932 U JP S58111932U JP 750182 U JP750182 U JP 750182U JP 750182 U JP750182 U JP 750182U JP S58111932 U JPS58111932 U JP S58111932U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
edge
heater
resistance heating
heating film
Prior art date
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Pending
Application number
JP750182U
Other languages
English (en)
Inventor
康夫 伊藤
Original Assignee
ウシオ電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by ウシオ電機株式会社 filed Critical ウシオ電機株式会社
Priority to JP750182U priority Critical patent/JPS58111932U/ja
Publication of JPS58111932U publication Critical patent/JPS58111932U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案の一実施例を示す説明用平面図、第2
図は、本考案の他の実施例を示す説明用平面図、竿、3
図は本考案の更に他の実施例を示す説明用断面図、第4
図、第5図は、各々本考案の更にまた他の実施例を示す
説明用平面図、第6図は本考案の具体的構晟例を示す説
明用平面図である。 1・・・基板、11・・・−縁、12・・・他縁、13
゜14・・a側縁、15・・・中央領域、2・・・抵抗
発熱膜、21.22・・・端部、23・・・中央部、3
A、  3A’ 。 3B、  βB’ 、  3G、  3C’ 、  3
D、  3D’・・・電極膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 耐熱性絶縁基板と、この基板上に形成した、当該基板の
    一縁から他縁に向って延び、その両端部から中央部に向
    うに従って断面積が大きくなる帯状の抵抗発熱膜と、前
    記基板上に形成した、前記抵抗発熱膜の両端部に接続し
    た電極とを具えて成ることを特徴とするヒータ。
JP750182U 1982-01-25 1982-01-25 ヒ−タ Pending JPS58111932U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP750182U JPS58111932U (ja) 1982-01-25 1982-01-25 ヒ−タ

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JP750182U JPS58111932U (ja) 1982-01-25 1982-01-25 ヒ−タ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58111932U true JPS58111932U (ja) 1983-07-30

Family

ID=30020246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP750182U Pending JPS58111932U (ja) 1982-01-25 1982-01-25 ヒ−タ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58111932U (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51135363A (en) * 1975-05-19 1976-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing semiconductors and its equipment
JPS5214586A (en) * 1975-07-25 1977-02-03 Toshiba Corp Gas-phase reactor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51135363A (en) * 1975-05-19 1976-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing semiconductors and its equipment
JPS5214586A (en) * 1975-07-25 1977-02-03 Toshiba Corp Gas-phase reactor

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