JPS58111932U - ヒ−タ - Google Patents
ヒ−タInfo
- Publication number
- JPS58111932U JPS58111932U JP750182U JP750182U JPS58111932U JP S58111932 U JPS58111932 U JP S58111932U JP 750182 U JP750182 U JP 750182U JP 750182 U JP750182 U JP 750182U JP S58111932 U JPS58111932 U JP S58111932U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- edge
- heater
- resistance heating
- heating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は、本考案の一実施例を示す説明用平面図、第2
図は、本考案の他の実施例を示す説明用平面図、竿、3
図は本考案の更に他の実施例を示す説明用断面図、第4
図、第5図は、各々本考案の更にまた他の実施例を示す
説明用平面図、第6図は本考案の具体的構晟例を示す説
明用平面図である。 1・・・基板、11・・・−縁、12・・・他縁、13
゜14・・a側縁、15・・・中央領域、2・・・抵抗
発熱膜、21.22・・・端部、23・・・中央部、3
A、 3A’ 。 3B、 βB’ 、 3G、 3C’ 、 3
D、 3D’・・・電極膜。
図は、本考案の他の実施例を示す説明用平面図、竿、3
図は本考案の更に他の実施例を示す説明用断面図、第4
図、第5図は、各々本考案の更にまた他の実施例を示す
説明用平面図、第6図は本考案の具体的構晟例を示す説
明用平面図である。 1・・・基板、11・・・−縁、12・・・他縁、13
゜14・・a側縁、15・・・中央領域、2・・・抵抗
発熱膜、21.22・・・端部、23・・・中央部、3
A、 3A’ 。 3B、 βB’ 、 3G、 3C’ 、 3
D、 3D’・・・電極膜。
Claims (1)
- 耐熱性絶縁基板と、この基板上に形成した、当該基板の
一縁から他縁に向って延び、その両端部から中央部に向
うに従って断面積が大きくなる帯状の抵抗発熱膜と、前
記基板上に形成した、前記抵抗発熱膜の両端部に接続し
た電極とを具えて成ることを特徴とするヒータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP750182U JPS58111932U (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | ヒ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP750182U JPS58111932U (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | ヒ−タ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58111932U true JPS58111932U (ja) | 1983-07-30 |
Family
ID=30020246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP750182U Pending JPS58111932U (ja) | 1982-01-25 | 1982-01-25 | ヒ−タ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58111932U (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51135363A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing semiconductors and its equipment |
JPS5214586A (en) * | 1975-07-25 | 1977-02-03 | Toshiba Corp | Gas-phase reactor |
-
1982
- 1982-01-25 JP JP750182U patent/JPS58111932U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51135363A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing semiconductors and its equipment |
JPS5214586A (en) * | 1975-07-25 | 1977-02-03 | Toshiba Corp | Gas-phase reactor |
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