JPH01137581A - Ｉｃチップリードの接合方法 - Google Patents
Ｉｃチップリードの接合方法Info
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- JPH01137581A JPH01137581A JP63096810A JP9681088A JPH01137581A JP H01137581 A JPH01137581 A JP H01137581A JP 63096810 A JP63096810 A JP 63096810A JP 9681088 A JP9681088 A JP 9681088A JP H01137581 A JPH01137581 A JP H01137581A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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-
- H—ELECTRICITY
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Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ＩＣチップの電極から引き出されたリード
を例えば液晶表示パネルやプリント配線基板等の接続リ
ードに接合する方法に関する。
を例えば液晶表示パネルやプリント配線基板等の接続リ
ードに接合する方法に関する。
［従来の技術］
ＩＣチップを樹脂フィルム（キャリアフィルム）の上面
に固着されている金属リード箔にポンディングしたＴ
Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ ＡｕｔｅｅｍａｔｅｄＢｏｎｄｉ
ｎｇ ）方式のＩＣユニットが知られている。
に固着されている金属リード箔にポンディングしたＴ
Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ ＡｕｔｅｅｍａｔｅｄＢｏｎｄｉ
ｎｇ ）方式のＩＣユニットが知られている。
このようなＩＣユニットは、例えば卓上電子計算機の液
晶表示パネルとプリント配！！１基板等を電気的に接続
するに用いられている。この液晶表示パネルとプリント
配線基板を接続する場合のＩＣチップは液晶駆動用とさ
れる。
晶表示パネルとプリント配！！１基板等を電気的に接続
するに用いられている。この液晶表示パネルとプリント
配線基板を接続する場合のＩＣチップは液晶駆動用とさ
れる。
ところで、上記ＴＡＢ方式のＩＣユニットは液晶表示パ
ネルとプリント配線基板とを電気的に接続した際、実装
時等の取り扱いにおいて確実な接続状態を維持していな
ければならない。そのためにはＩＣチップリード（金属
リード箔）が液晶表示パネル及びプリント配線基板の接
続リードとにおいて高い接着強度をもって剥れないよう
に接合されていなければならない。
ネルとプリント配線基板とを電気的に接続した際、実装
時等の取り扱いにおいて確実な接続状態を維持していな
ければならない。そのためにはＩＣチップリード（金属
リード箔）が液晶表示パネル及びプリント配線基板の接
続リードとにおいて高い接着強度をもって剥れないよう
に接合されていなければならない。
このようなことから、従来、ＩＣチップリードの接合強
度を高める方策として、ＩＣチップリードと液晶表示パ
ネルやプリント配線、１５板の接続リードとの接合面植
を大きくすることが検討されている。
度を高める方策として、ＩＣチップリードと液晶表示パ
ネルやプリント配線、１５板の接続リードとの接合面植
を大きくすることが検討されている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記のような接合方法では、単に、ＩＣ
チップリードと液晶表示パネルやプリント配線基板の接
続リードとの接合面接を大きくすると、隣接する接合部
分との間隔が狭くなるため、ＩＣチップリードに施され
た半田メッキの量が多いと、接合時に半田メッキが両側
へ流れ出し、この流れ出した半田メッキにより隣接する
接合部分とショートするという問題があり、また接合部
分の間隔が極端に狭いと、接合時の位置ずれによっても
ショートするという問題がある。
チップリードと液晶表示パネルやプリント配線基板の接
続リードとの接合面接を大きくすると、隣接する接合部
分との間隔が狭くなるため、ＩＣチップリードに施され
た半田メッキの量が多いと、接合時に半田メッキが両側
へ流れ出し、この流れ出した半田メッキにより隣接する
接合部分とショートするという問題があり、また接合部
分の間隔が極端に狭いと、接合時の位置ずれによっても
ショートするという問題がある。
この発明は、上述の如き問題に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、接合時の位置ずれや半田メッ
キの流出によって隣接する接合部分とのショートを防ぎ
、確実かつ強固にＩＣチップリードを接続リードに接合
することができるＩＣチップリードの接合方法を提供す
ることにある。
その目的とするところは、接合時の位置ずれや半田メッ
キの流出によって隣接する接合部分とのショートを防ぎ
、確実かつ強固にＩＣチップリードを接続リードに接合
することができるＩＣチップリードの接合方法を提供す
ることにある。
［問題点を解決するための手段］
この発明は上記問題を解決するため、半田メッキが施さ
れた金属リード箔を、該金属リード箔よりも幅広に形成
された接続端子部に熱圧着して、前記金属リード箔のｇ
４壁に半田メツツキの溜り部を形成することにある。
れた金属リード箔を、該金属リード箔よりも幅広に形成
された接続端子部に熱圧着して、前記金属リード箔のｇ
４壁に半田メツツキの溜り部を形成することにある。
［作 用］
この発明によれば、半田メッキが施された金属リード箔
の幅よりも接続端子部の幅を広く形成することにより、
接続端子部に対する金属リード箔の接合時における位置
合わせを容易にすることができるとともに、金属リード
箔を接続端子部に熱圧着して金属リード箔の側壁に半田
メッキの溜り部を形成することにより、確実かつ強固に
接合することができ、しかも半田メッキの何方への流出
によって隣接する接合部分とのショートを防ぐこともで
きる。
の幅よりも接続端子部の幅を広く形成することにより、
接続端子部に対する金属リード箔の接合時における位置
合わせを容易にすることができるとともに、金属リード
箔を接続端子部に熱圧着して金属リード箔の側壁に半田
メッキの溜り部を形成することにより、確実かつ強固に
接合することができ、しかも半田メッキの何方への流出
によって隣接する接合部分とのショートを防ぐこともで
きる。
［実施例］
以下、第１図から第８図を参照して、この発明の一実施
例を説明する。
例を説明する。
第２図は卓上型電子計′ＩＬ機等の液晶表示パネルとプ
リント配線基板とをＴＡＢ方式のＩＣユニットで接続し
た状態を示す、この図において、ｌはＩＣユニット、２
は液晶表示パネル、３はプリント配線基板であり、ＩＣ
ユニットｌは液晶表示パネル２とプリント配線基板３と
に跨って複数個（この実施例では３個）配置され、液晶
表示パネル２とプリント配Ｍ基板３とを電気的に接続し
ている。これにより、ＩＣユニッ）１はプリント配線基
板３からの信号に基づいて液晶表示パネル２を駆動し、
この液晶表示パネル２で所定の情報を電気光学的に表示
する。
リント配線基板とをＴＡＢ方式のＩＣユニットで接続し
た状態を示す、この図において、ｌはＩＣユニット、２
は液晶表示パネル、３はプリント配線基板であり、ＩＣ
ユニットｌは液晶表示パネル２とプリント配線基板３と
に跨って複数個（この実施例では３個）配置され、液晶
表示パネル２とプリント配Ｍ基板３とを電気的に接続し
ている。これにより、ＩＣユニッ）１はプリント配線基
板３からの信号に基づいて液晶表示パネル２を駆動し、
この液晶表示パネル２で所定の情報を電気光学的に表示
する。
このようなＩＣユニットｌは第２図および第３図に示す
ように、キャリアフィルム（樹脂フィルム）４にＩＣチ
ップ５の外形よりも大きな開口部６を形成するとともに
、キャリアフィルム４の北面に多数の金属リード箔（Ｉ
Ｃチップリード）７・・・をパターン形成し、この金属
リード箔７・・・の前記開口部６内へ突出する内側端７
ａ・・・にＩＣチップ５をＩ Ｌ Ｂ （Ｉｎｎｅｒ
Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によりポンディングしてな
るものであり、金属リード箔７・・・の外側端７ｂ・・
・が液晶表示パネル２およびプリント配線基板３にＯＬ
Ｂ （Ｏｕｔｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によ
り接合される。これにてＩＣユニットｌは液晶表示パネ
ル２とプリント配線基板３とを電気的に接続する。この
場合、キャリアフィルム４はポリエステル、ポリイミド
等の高分子材料よりなる５０〜２００ ｇｍの厚みをも
った可撓絶縁性のフィルムである。また、金属リード箔
７・・・はキャリアフィルム４の上面に金属箔（例えば
厚さ３５Ｊ１ｍの電解銅箔）を接着剤でラミネートし、
このラミネートされた金属箔をフォトエツチングにより
パターン形成される。
ように、キャリアフィルム（樹脂フィルム）４にＩＣチ
ップ５の外形よりも大きな開口部６を形成するとともに
、キャリアフィルム４の北面に多数の金属リード箔（Ｉ
Ｃチップリード）７・・・をパターン形成し、この金属
リード箔７・・・の前記開口部６内へ突出する内側端７
ａ・・・にＩＣチップ５をＩ Ｌ Ｂ （Ｉｎｎｅｒ
Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によりポンディングしてな
るものであり、金属リード箔７・・・の外側端７ｂ・・
・が液晶表示パネル２およびプリント配線基板３にＯＬ
Ｂ （Ｏｕｔｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）によ
り接合される。これにてＩＣユニットｌは液晶表示パネ
ル２とプリント配線基板３とを電気的に接続する。この
場合、キャリアフィルム４はポリエステル、ポリイミド
等の高分子材料よりなる５０〜２００ ｇｍの厚みをも
った可撓絶縁性のフィルムである。また、金属リード箔
７・・・はキャリアフィルム４の上面に金属箔（例えば
厚さ３５Ｊ１ｍの電解銅箔）を接着剤でラミネートし、
このラミネートされた金属箔をフォトエツチングにより
パターン形成される。
このように金属リード箔７・・・の内側端７ａ・・・に
ポンディングされるＩＣチップ５は、第４図に示すよう
にシリコンよりなる半導体ウェハ５ａの上面にシリコン
酸化ＩＱ５ｂが形成され、このシリコン酸化膜５ｂの上
面にゲート等の内部電極（図示せず）およびこの内部電
極を外周部へ導くアルミニウムの配線パターン５ｃが形
成され、この配線パターン５ｃに電極（金バンプ）５ｄ
が形成され、この電極５ｄを除く配線パターン５Ｃの上
面にシリコン酸化Ｈ（絶縁＠）５ｅを形成した構成とな
っている。そして、このＩＣチップ５はその電極５ｄに
金属リード箔７・・・の内側端７ａ・・・が半田メッキ
７Ｃを介してポンディングされ、この状態で第２図に示
すように、ＩＣチップ５の電極５ｄを有する側がポツテ
ィングされたレジン８にて被覆されている。この場合、
半田メッキ７ｃは１（Ｓｎ）と鉛（ｐｂ）との混合物（
Ｓ ｎ ： Ｐｂ＝８〜２）で、金属リード箔７の全表
面に施されている。
ポンディングされるＩＣチップ５は、第４図に示すよう
にシリコンよりなる半導体ウェハ５ａの上面にシリコン
酸化ＩＱ５ｂが形成され、このシリコン酸化膜５ｂの上
面にゲート等の内部電極（図示せず）およびこの内部電
極を外周部へ導くアルミニウムの配線パターン５ｃが形
成され、この配線パターン５ｃに電極（金バンプ）５ｄ
が形成され、この電極５ｄを除く配線パターン５Ｃの上
面にシリコン酸化Ｈ（絶縁＠）５ｅを形成した構成とな
っている。そして、このＩＣチップ５はその電極５ｄに
金属リード箔７・・・の内側端７ａ・・・が半田メッキ
７Ｃを介してポンディングされ、この状態で第２図に示
すように、ＩＣチップ５の電極５ｄを有する側がポツテ
ィングされたレジン８にて被覆されている。この場合、
半田メッキ７ｃは１（Ｓｎ）と鉛（ｐｂ）との混合物（
Ｓ ｎ ： Ｐｂ＝８〜２）で、金属リード箔７の全表
面に施されている。
一方、上記キャリアフィルム４の両端側には金属リード
箔７・・・の外側端７ｂ・・・の長手方向に直交して開
口巾が１〜２ｍｍとされた開口部４ａ、４ａが側縁に沿
って形成されており、上記各金属リード箔７・・・はこ
の開口部４ａ、４ａの上面を外側端７ｂ・・・が橋架す
る状態でキャリアフィルム４のに面に設けられている。
箔７・・・の外側端７ｂ・・・の長手方向に直交して開
口巾が１〜２ｍｍとされた開口部４ａ、４ａが側縁に沿
って形成されており、上記各金属リード箔７・・・はこ
の開口部４ａ、４ａの上面を外側端７ｂ・・・が橋架す
る状態でキャリアフィルム４のに面に設けられている。
そして、このような金属リード箔７・・・の外側端７ｂ
・・・のうち、液晶表示パネル２側の外側端７ｂ・・・
は第３図に示すように、開口部４ａに対向する中央部分
７ｂ、が開口部４ａ内に没入して液晶表示パネル２の接
続り−ト２ａに゛姓田メッキ７ｃを介して熱圧着にて接
合され、この没入した中央部分７ｂ＋ の両端側に傾斜
部分７ｂ？、７ｂ３が開口部４ａの上端縁に向けて斜め
に立ち上り、これにより三角状の半田溜り９．９が形成
され、この半田溜り９，９により接続リード２ａに強固
に接着される。そして、金属リード箔７・・・の外側端
７ｂ・・・は第３図に示すように、液晶表示パネル２の
接続リード２ａに接合された状態でシリコンゴム１１に
て被覆される。
・・・のうち、液晶表示パネル２側の外側端７ｂ・・・
は第３図に示すように、開口部４ａに対向する中央部分
７ｂ、が開口部４ａ内に没入して液晶表示パネル２の接
続り−ト２ａに゛姓田メッキ７ｃを介して熱圧着にて接
合され、この没入した中央部分７ｂ＋ の両端側に傾斜
部分７ｂ？、７ｂ３が開口部４ａの上端縁に向けて斜め
に立ち上り、これにより三角状の半田溜り９．９が形成
され、この半田溜り９，９により接続リード２ａに強固
に接着される。そして、金属リード箔７・・・の外側端
７ｂ・・・は第３図に示すように、液晶表示パネル２の
接続リード２ａに接合された状態でシリコンゴム１１に
て被覆される。
ところで、上記金属リード箔７に施される半田メッキ７
ｃは内側端７ａと外側端７ｂとではその層厚を異にして
いる。すなわち、外側端７ｂでは半田量が多すぎると隣
りの金属リード箔７にショートするので、この点からは
少ない量であることが好ましいが、反面強固な接着強度
を有していなければならない、しかし、外側端７ｂの接
合構造において、半田メツギアＣから溶けた半田は中央
部分７ｂｌのみならず傾斜部分７ｂ？。
ｃは内側端７ａと外側端７ｂとではその層厚を異にして
いる。すなわち、外側端７ｂでは半田量が多すぎると隣
りの金属リード箔７にショートするので、この点からは
少ない量であることが好ましいが、反面強固な接着強度
を有していなければならない、しかし、外側端７ｂの接
合構造において、半田メツギアＣから溶けた半田は中央
部分７ｂｌのみならず傾斜部分７ｂ？。
７ｂ３の立ち上り部にも流れ込んで半田溜り９．９とな
るので十分な接着力が確保される。このような配慮のた
め、実施例としては、外側端７ｂの半田メッキ７ｂの層
厚は０．８〜２．０ｇｍとされている。一方、内側端７
ａにＩＣチップ５をポンディングするとき、内側端７ａ
にＩＣチップ５の電極５ｄを４００℃／ １〜０．５
ｓ ｅ Ｃ（７）熱を与えて熱圧着するが、このときに
金−錫共晶の接着強度が最大となるように、その半田メ
ッキ７Ｃの層厚は０．２〜０．６ ｐｍに設定されてい
る。
るので十分な接着力が確保される。このような配慮のた
め、実施例としては、外側端７ｂの半田メッキ７ｂの層
厚は０．８〜２．０ｇｍとされている。一方、内側端７
ａにＩＣチップ５をポンディングするとき、内側端７ａ
にＩＣチップ５の電極５ｄを４００℃／ １〜０．５
ｓ ｅ Ｃ（７）熱を与えて熱圧着するが、このときに
金−錫共晶の接着強度が最大となるように、その半田メ
ッキ７Ｃの層厚は０．２〜０．６ ｐｍに設定されてい
る。
また、上述のようにして金属リード箔７の外側端７ｂが
半田メッキ７Ｃから溶けた半田によって接合される液晶
表示パネル２の接続リード２ａは、第５図に示すように
、液晶表示パネル２の端部に等間隔で多数配列形成され
ており、その構成は第６図に示すように、液晶表示パネ
ル２の上面に形成された厚さ１０００λ程度の酸化シリ
コン層２ａ１ と、この上面に形成された３５０λ程度
（１） Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕ＋ｗ Ｔｉｎ ０ｗ１
ｄｅ）層２ａ２ と、この上面に形成された２０００λ
程度のＮｉ層（無電解メッキ）２ａ３ と、この上面に
形成された５００λ程度のＡｕ層（無電解メッキ）２ａ
４とを積層した構成となっている。
半田メッキ７Ｃから溶けた半田によって接合される液晶
表示パネル２の接続リード２ａは、第５図に示すように
、液晶表示パネル２の端部に等間隔で多数配列形成され
ており、その構成は第６図に示すように、液晶表示パネ
ル２の上面に形成された厚さ１０００λ程度の酸化シリ
コン層２ａ１ と、この上面に形成された３５０λ程度
（１） Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕ＋ｗ Ｔｉｎ ０ｗ１
ｄｅ）層２ａ２ と、この上面に形成された２０００λ
程度のＮｉ層（無電解メッキ）２ａ３ と、この上面に
形成された５００λ程度のＡｕ層（無電解メッキ）２ａ
４とを積層した構成となっている。
そして、上記金属リード箔７の外側端７ｂと、これが接
合される接続リード２ａは第１図に示すような関係にあ
る。すなわち、各金属リード箔７のピッチＰ＝１５０Ｊ
Ｌｍ、金属リード箔７の巾Ｗ Ｌ ＝ ６０〜８０ ｐ
、 ｍ、各接続リード２ａｃ７）間隔Ｓ＝３０７ｚｍ、
接続リード２ａの巾ＷＧ＝１２０ｇｍとされている。従
って、ＷＧ＞ＷＬであるから、金属リード箔７の巾方向
（ピッチ方向）の両側辺部にも半田メッキ７ｃが流れ出
して三角状の半田溜り１０．１０が得られ、これによっ
て［ＩＪ力方向らのピーリング強度が高められている。
合される接続リード２ａは第１図に示すような関係にあ
る。すなわち、各金属リード箔７のピッチＰ＝１５０Ｊ
Ｌｍ、金属リード箔７の巾Ｗ Ｌ ＝ ６０〜８０ ｐ
、 ｍ、各接続リード２ａｃ７）間隔Ｓ＝３０７ｚｍ、
接続リード２ａの巾ＷＧ＝１２０ｇｍとされている。従
って、ＷＧ＞ＷＬであるから、金属リード箔７の巾方向
（ピッチ方向）の両側辺部にも半田メッキ７ｃが流れ出
して三角状の半田溜り１０．１０が得られ、これによっ
て［ＩＪ力方向らのピーリング強度が高められている。
また、ＷＧ＞ＷＬであるから、熱圧着によって溶けた半
田メッキ７Ｃの半田は接続リード２ａ上を広がり、これ
によって隣りの金属リード箔７とのショートが防止され
る。このためには金属リード箔７の１１ Ｗ ＬはＷＧ
の０．５〜０．８倍で、接続り一ド２ ａ ｃ７） Ｉ
ｔ］方向の両側部にＷＧの０．２５〜０．１倍のクリア
ランスを設けることが望ましい。
田メッキ７Ｃの半田は接続リード２ａ上を広がり、これ
によって隣りの金属リード箔７とのショートが防止され
る。このためには金属リード箔７の１１ Ｗ ＬはＷＧ
の０．５〜０．８倍で、接続り一ド２ ａ ｃ７） Ｉ
ｔ］方向の両側部にＷＧの０．２５〜０．１倍のクリア
ランスを設けることが望ましい。
次に、かかる構成にあるＩＣユニフ）１の装造方法につ
いて述べる。
いて述べる。
まず、第１工程において開口部６．４ａが形成されたキ
ャリアフィルム４に金属箔をラミネートし、これをフォ
トエツチングにより所定の金属リード箔７・・・をパタ
ーン形成する。次の第２工程において金属リード箔７の
全面に内側端７ａ側の層厚０．２〜０．６ ＪＬｍの半
田メッキ７Ｃを施す。次の第３工程において金属リード
箔７の内側端７ａにＩＣチップ５をポンディングする。
ャリアフィルム４に金属箔をラミネートし、これをフォ
トエツチングにより所定の金属リード箔７・・・をパタ
ーン形成する。次の第２工程において金属リード箔７の
全面に内側端７ａ側の層厚０．２〜０．６ ＪＬｍの半
田メッキ７Ｃを施す。次の第３工程において金属リード
箔７の内側端７ａにＩＣチップ５をポンディングする。
次の第４工程においてＩＣチップ５の電極５ｄを有する
面にレジン８をボッティング塗布する０次の第５工程に
おいてレジン８を乾燥（１５０℃／３Ｈ程度）する。次
の第６エ程において金属リード箔７に外側端７ｂ側の層
厚０．２〜２．０ｐｍとなるように再度半ＩＩＩメッキ
７Ｃを施す。このように半田メッキ７Ｃを第６エ程にお
いて外側端７ｂの層厚にするのは、第５工程のレジン８
の乾燥中において第２王程で施した半１１メッキ７Ｃの
錫が金属リード箔７の銅と共晶を起して第２工程での半
田メッキ７ｃの層厚が０．１〜０．２７ｚｍ程度に減少
してしまうためである。そして、次の第７エ程において
半田フラックスを金属リード箔７の外側端７ｂにポツテ
ィング塗布する。
面にレジン８をボッティング塗布する０次の第５工程に
おいてレジン８を乾燥（１５０℃／３Ｈ程度）する。次
の第６エ程において金属リード箔７に外側端７ｂ側の層
厚０．２〜２．０ｐｍとなるように再度半ＩＩＩメッキ
７Ｃを施す。このように半田メッキ７Ｃを第６エ程にお
いて外側端７ｂの層厚にするのは、第５工程のレジン８
の乾燥中において第２王程で施した半１１メッキ７Ｃの
錫が金属リード箔７の銅と共晶を起して第２工程での半
田メッキ７ｃの層厚が０．１〜０．２７ｚｍ程度に減少
してしまうためである。そして、次の第７エ程において
半田フラックスを金属リード箔７の外側端７ｂにポツテ
ィング塗布する。
次に、上記の如くして製造されたＩＣユニットｌの金属
リード箔７を液晶表示パネル２の接続リード２ａに接合
する方法について述へる。
リード箔７を液晶表示パネル２の接続リード２ａに接合
する方法について述へる。
第７図に示すように、テーブル２０上に載置されている
液晶表示パネル２の各接続リード２ａｉに各金属リード
箔７の外側端７ｂが改なるようにＩＣユニット１を搬送
して、これをテーブル２０の側部近傍に配置されている
バキュームヘッド２１にて吸着固定する。この場合、金
属リード箔７の先端部はキャリアフィルム４に固定され
ているので各金属リード箔７は所定の間隔に保持される
。この後、テーブル２０の上方に配置されている熱圧着
ヘッド２２を降下させて、第８図に示すように金属リー
ド箔７の開口部４ａに対向する外側端７ｂの中央部分７
ｔｚ を液晶表示パネル２の接続リード２ａに接合する
。この熱圧着ヘッド２２によって行なわれる熱圧着は、
まず、熱圧着へ一、ド２２が外側端７ｂの中央部分７ｂ
、を加圧して、キャリアフィルム４の開口部４ａ内に没
入させ、この没入した中央部分７ｂｌを接続リード２ａ
に圧接させ、その両側に傾斜部分７ｂ２．７ｂ３の立ち
上り部を形成する。この場合、金属リード箔７の全面に
は半田メッキ７Ｃが施されているので、半田メツ＋７ｃ
が熱圧着ヘッド２２の加熱により溶け、この溶けた半田
が外側端７ｂの中央部分７ｂｌ と液晶表示パネル２の
接続リード２ａとの間から流れ出し、中央部分７ｂｌ
の両側に形成される傾斜部分７ｂ２，７ｂ３の立ち上り
部に流れ込み、この立ち上り部に流れ込んだ半［ｌは外
側端７ｂの上面が熱圧着ヘッド２２によって加熱される
ことによって傾斜部分７ｂ２．７ｂａに上昇して三角状
のＬ［′ｒ＋′！ｆＩす９．９となる。従って、中央部
分７ｂ＋ と傾到部７ｂ２，７ｂ３の立ち上り部に流れ
込んでｐｒｎ溜り９．９となった半［Ｔ］によって金属
リード箔７の外側端７ｂは接続リード２ａに強固に接着
される。また、金属リード箔７の幅よりも接続リード２
ａの幅が広く形成されているので、熱圧着ヘッド２２に
よって加熱されて溶けた半田メッキ７Ｃの半田は第１図
に示すように巾方向にあっては接続リード２ａｌｚを広
がって金属リード箔７の両側部において三角状の半田溜
り１０．１０となる。従って、金属リード箔７は巾方向
の剥れもなく接続リード２ａに対して強固に接着される
。このようにして金属リード箔７が接続リード２ａに接
合された後その接合部がシリコンゴム１１にて被覆され
る。
液晶表示パネル２の各接続リード２ａｉに各金属リード
箔７の外側端７ｂが改なるようにＩＣユニット１を搬送
して、これをテーブル２０の側部近傍に配置されている
バキュームヘッド２１にて吸着固定する。この場合、金
属リード箔７の先端部はキャリアフィルム４に固定され
ているので各金属リード箔７は所定の間隔に保持される
。この後、テーブル２０の上方に配置されている熱圧着
ヘッド２２を降下させて、第８図に示すように金属リー
ド箔７の開口部４ａに対向する外側端７ｂの中央部分７
ｔｚ を液晶表示パネル２の接続リード２ａに接合する
。この熱圧着ヘッド２２によって行なわれる熱圧着は、
まず、熱圧着へ一、ド２２が外側端７ｂの中央部分７ｂ
、を加圧して、キャリアフィルム４の開口部４ａ内に没
入させ、この没入した中央部分７ｂｌを接続リード２ａ
に圧接させ、その両側に傾斜部分７ｂ２．７ｂ３の立ち
上り部を形成する。この場合、金属リード箔７の全面に
は半田メッキ７Ｃが施されているので、半田メツ＋７ｃ
が熱圧着ヘッド２２の加熱により溶け、この溶けた半田
が外側端７ｂの中央部分７ｂｌ と液晶表示パネル２の
接続リード２ａとの間から流れ出し、中央部分７ｂｌ
の両側に形成される傾斜部分７ｂ２，７ｂ３の立ち上り
部に流れ込み、この立ち上り部に流れ込んだ半［ｌは外
側端７ｂの上面が熱圧着ヘッド２２によって加熱される
ことによって傾斜部分７ｂ２．７ｂａに上昇して三角状
のＬ［′ｒ＋′！ｆＩす９．９となる。従って、中央部
分７ｂ＋ と傾到部７ｂ２，７ｂ３の立ち上り部に流れ
込んでｐｒｎ溜り９．９となった半［Ｔ］によって金属
リード箔７の外側端７ｂは接続リード２ａに強固に接着
される。また、金属リード箔７の幅よりも接続リード２
ａの幅が広く形成されているので、熱圧着ヘッド２２に
よって加熱されて溶けた半田メッキ７Ｃの半田は第１図
に示すように巾方向にあっては接続リード２ａｌｚを広
がって金属リード箔７の両側部において三角状の半田溜
り１０．１０となる。従って、金属リード箔７は巾方向
の剥れもなく接続リード２ａに対して強固に接着される
。このようにして金属リード箔７が接続リード２ａに接
合された後その接合部がシリコンゴム１１にて被覆され
る。
なお、上記熱圧着ヘッド２２は、キャリアフィルム４の
開口部４ａｃ７）開口１１１（１〜２ｍｍ）の５０〜８
０％の巾を有し、２００〜４００℃の加熱温度と３０〜
３６０ｇ／ｍｍ２の加圧力で１〜５ｓｅｃ間処理するこ
とにより金属リード箔７を接続リート２ａに接合する。
開口部４ａｃ７）開口１１１（１〜２ｍｍ）の５０〜８
０％の巾を有し、２００〜４００℃の加熱温度と３０〜
３６０ｇ／ｍｍ２の加圧力で１〜５ｓｅｃ間処理するこ
とにより金属リード箔７を接続リート２ａに接合する。
この発明は実施例で示した東−ト電子計算機等の液晶表
示パネル２とプリント配線基板３とを電気的に接続する
ＴＡＢ方式のＩＣユニッ）１に限らず、他に用いられる
ＴＡＢ方式のＩＣユニットにも広く適用することができ
る。
示パネル２とプリント配線基板３とを電気的に接続する
ＴＡＢ方式のＩＣユニッ）１に限らず、他に用いられる
ＴＡＢ方式のＩＣユニットにも広く適用することができ
る。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明のＩＣチップリードの接
合方法によれば、゛ト田メッキが施された金属リード箔
の幅よりも接続端子部の幅を広く形成することにより、
接続端子部に対する金属リード箔の接合時における位を
合わせを容易にすることができるとともに、金属リード
箔を接続端子部に熱圧着して金属リード箔の側壁に半田
メッキの溜り部を形成することにより、確実かつ強固に
接合することができ、しかも半田メッキの側方への流出
によって隣接する接合部分とのショートを防ぐこともで
きる。
合方法によれば、゛ト田メッキが施された金属リード箔
の幅よりも接続端子部の幅を広く形成することにより、
接続端子部に対する金属リード箔の接合時における位を
合わせを容易にすることができるとともに、金属リード
箔を接続端子部に熱圧着して金属リード箔の側壁に半田
メッキの溜り部を形成することにより、確実かつ強固に
接合することができ、しかも半田メッキの側方への流出
によって隣接する接合部分とのショートを防ぐこともで
きる。
図面はそれぞれこの発明の一実施例を示し、第１図はＩ
Ｃユニットと液晶表示パネルとの接続部を示した拡大断
面図、第２図はこの発明が適用されたＴＡＢ方式のＩＣ
ユニットによって電気的に接続された卓上′１ヒ子計算
４１等の液晶表示パネルとプリント回路基板を示した斜
視図、第３図は第１図のＩＩ −ＩＩ線断面図、第４図
はＩＣユニットのＩＣチッズボンディング部を示した拡
大断面図、第５図は第１図のｍ−ｍ線断面図、第６図は
液晶表示パネルの接続リードを示した断面図、第７図は
この発明の接合方法で用いた装置を示した断面図、第８
図は液晶表示パネルの接続リードを示した断面図である
。 ２ａ・・・・・・接続リード、４・・・・・・キャリア
フィルム（樹脂フィルム）、４ａ・・・・・・開口部、
５・・・・・・ＩＣチップ、５ｄ・・・・・・電極、７
・・・・・・金属リード箔（ＩＣチップリード）、７ａ
・・・・・・内側端、７ｂ・・・・・・外側端、７ｂｌ
・・・・・・中央部分、７ｂ２．７ｂ３・・・・・・傾
斜部分、７Ｃ・・・・・・半田メッキ、２２・・・・・
・熱圧着ヘッド。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 代理人 弁理士 町 １）俊 正 第１図
Ｃユニットと液晶表示パネルとの接続部を示した拡大断
面図、第２図はこの発明が適用されたＴＡＢ方式のＩＣ
ユニットによって電気的に接続された卓上′１ヒ子計算
４１等の液晶表示パネルとプリント回路基板を示した斜
視図、第３図は第１図のＩＩ −ＩＩ線断面図、第４図
はＩＣユニットのＩＣチッズボンディング部を示した拡
大断面図、第５図は第１図のｍ−ｍ線断面図、第６図は
液晶表示パネルの接続リードを示した断面図、第７図は
この発明の接合方法で用いた装置を示した断面図、第８
図は液晶表示パネルの接続リードを示した断面図である
。 ２ａ・・・・・・接続リード、４・・・・・・キャリア
フィルム（樹脂フィルム）、４ａ・・・・・・開口部、
５・・・・・・ＩＣチップ、５ｄ・・・・・・電極、７
・・・・・・金属リード箔（ＩＣチップリード）、７ａ
・・・・・・内側端、７ｂ・・・・・・外側端、７ｂｌ
・・・・・・中央部分、７ｂ２．７ｂ３・・・・・・傾
斜部分、７Ｃ・・・・・・半田メッキ、２２・・・・・
・熱圧着ヘッド。 特許出願人 カシオ計算機株式会社 代理人 弁理士 町 １）俊 正 第１図
Claims (1)
- 半田メッキが施された金属リード箔を、該金属リード箔
よりも幅広に形成された接続端子部に熱圧着して、前記
金属リード箔の側壁に半田メッッキの溜り部を形成する
ことを特徴とするＩＣチップリードの接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63096810A JP2617203B2 (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Ｉｃチップリードの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63096810A JP2617203B2 (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Ｉｃチップリードの接合方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62292151A Division JPH01135093A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | Ｉｃチップリードの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137581A true JPH01137581A (ja) | 1989-05-30 |
| JP2617203B2 JP2617203B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=14174955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63096810A Expired - Lifetime JP2617203B2 (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Ｉｃチップリードの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2617203B2 (ja) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5436574A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-17 | Nippon Aviotronics Kk | Refloww soldering process |
| JPS54124675A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its mounting method |
| JPS5588258A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-03 | Toshiba Corp | High tension discharge lamp |
| JPS56114341A (en) * | 1980-02-13 | 1981-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | Bonding method |
| JPS5753997A (ja) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Bondeingusochi |
| JPS58951A (ja) * | 1981-06-19 | 1983-01-06 | デグツサ・アクチエンゲゼルシヤフト | Ｎα↓−（３↓−シアノ↓−プロパノイル）↓−アミノカルボン酸誘導体 |
| JPS5977483A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-02 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPS6066897A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | 株式会社東芝 | 電気部品のリ−ドピンはんだ付け装置 |
| JPS6183080U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 | ||
| JPS62238684A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-19 | 松下電器産業株式会社 | リ−ド接続方法 |
-
1988
- 1988-04-21 JP JP63096810A patent/JP2617203B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5436574A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-17 | Nippon Aviotronics Kk | Refloww soldering process |
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| JPS58951A (ja) * | 1981-06-19 | 1983-01-06 | デグツサ・アクチエンゲゼルシヤフト | Ｎα↓−（３↓−シアノ↓−プロパノイル）↓−アミノカルボン酸誘導体 |
| JPS5977483A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-02 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPS6066897A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | 株式会社東芝 | 電気部品のリ−ドピンはんだ付け装置 |
| JPS6183080U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 | ||
| JPS62238684A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-19 | 松下電器産業株式会社 | リ−ド接続方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2617203B2 (ja) | 1997-06-04 |
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Legal Events
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