JP2526982B2 - Icチップリ―ドの接合方法 - Google Patents
Icチップリ―ドの接合方法Info
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- JP2526982B2 JP2526982B2 JP63095448A JP9544888A JP2526982B2 JP 2526982 B2 JP2526982 B2 JP 2526982B2 JP 63095448 A JP63095448 A JP 63095448A JP 9544888 A JP9544888 A JP 9544888A JP 2526982 B2 JP2526982 B2 JP 2526982B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
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- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、ICチップの電極から引き出されたリード
を例えば液晶表示パネルやプリント配線基板等の接続リ
ードに接合する方法に関する。
を例えば液晶表示パネルやプリント配線基板等の接続リ
ードに接合する方法に関する。
[従来の技術] ICチップを樹脂フィルム(キャリアフィルム)の上面
に固着されている金属リード箔にボンディングしたTAB
(Tape Automated Bonding)方式のICユニットが知られ
ている。このようなICユニットは、例えば卓上電子計算
機の液晶表示パネルとプリント配線基板等を電気的に接
続するに用いられている。この液晶表示パネルとプリン
ト配線基板を接続する場合のICチップは液晶駆動用とさ
れる。
に固着されている金属リード箔にボンディングしたTAB
(Tape Automated Bonding)方式のICユニットが知られ
ている。このようなICユニットは、例えば卓上電子計算
機の液晶表示パネルとプリント配線基板等を電気的に接
続するに用いられている。この液晶表示パネルとプリン
ト配線基板を接続する場合のICチップは液晶駆動用とさ
れる。
ところで、上記TAB方式のICユニットは液晶表示パネ
ルとプリント配線基板とを電気的に接続した際、実装時
等の取り扱いにおいて確実な接続状態を維持していなけ
ればならない。そのためにはICチップリードが液晶表示
パネル及びプリント配線基板の接続リードとにおいて高
い接着強度をもって剥れないように接合されていなけれ
ばなない。
ルとプリント配線基板とを電気的に接続した際、実装時
等の取り扱いにおいて確実な接続状態を維持していなけ
ればならない。そのためにはICチップリードが液晶表示
パネル及びプリント配線基板の接続リードとにおいて高
い接着強度をもって剥れないように接合されていなけれ
ばなない。
このようなことから、最近では、ICチップリードの接
合強度を高める方策として、例えばICチップの電極に接
続された多数の金属リード箔が上面に固着された樹脂フ
ィルムに、該樹脂フィルムの一側縁に沿う開口を設け、
前記各金属リード箔を前記開口の上面を橋架させて前記
樹脂フィルムの一側縁まで延出し、前記各金属リード箔
の前記開口から露出する部分を液晶表示パネルやプリン
ト基板等の接続リードに熱圧着する方法が考えられてい
る。
合強度を高める方策として、例えばICチップの電極に接
続された多数の金属リード箔が上面に固着された樹脂フ
ィルムに、該樹脂フィルムの一側縁に沿う開口を設け、
前記各金属リード箔を前記開口の上面を橋架させて前記
樹脂フィルムの一側縁まで延出し、前記各金属リード箔
の前記開口から露出する部分を液晶表示パネルやプリン
ト基板等の接続リードに熱圧着する方法が考えられてい
る。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記のような接合方法では、金属リー
ド箔を接続リードに接合した後に、金属リード箔が橋架
された開口の外側の樹脂フィルムが無駄となり、この部
分が金属リード箔の接着力を弱めるとともに、デッドス
ペースとなり、高密度実装の妨げになるという問題があ
る。
ド箔を接続リードに接合した後に、金属リード箔が橋架
された開口の外側の樹脂フィルムが無駄となり、この部
分が金属リード箔の接着力を弱めるとともに、デッドス
ペースとなり、高密度実装の妨げになるという問題があ
る。
この発明の課題は、接合部分における樹脂フィルムの
デットスペースをなくし、高密度実装を可能にするとと
もに、不要な樹脂フィルムによる電気的な悪影響を防ぐ
ようにすることである。
デットスペースをなくし、高密度実装を可能にするとと
もに、不要な樹脂フィルムによる電気的な悪影響を防ぐ
ようにすることである。
[課題を解決するための手段] この発明は上記課題を達成するため、一側縁に沿って
隙間をなす開口が形成された樹脂フィルムに、ICチップ
の電極に接続された多数の金属リード箔を前記開口の上
面を橋架させて固着し、前記各金属リード箔の前記開口
から露出する部分を熱圧着ヘッドにより前記開口内へ没
入させて電子部品基板の接続リードに熱圧着し、この熱
圧着された部分の外側部分を切断して前記開口の外側縁
の樹脂フィルムとともに除去するようにしたものであ
る。
隙間をなす開口が形成された樹脂フィルムに、ICチップ
の電極に接続された多数の金属リード箔を前記開口の上
面を橋架させて固着し、前記各金属リード箔の前記開口
から露出する部分を熱圧着ヘッドにより前記開口内へ没
入させて電子部品基板の接続リードに熱圧着し、この熱
圧着された部分の外側部分を切断して前記開口の外側縁
の樹脂フィルムとともに除去するようにしたものであ
る。
[作用] この発明の接合方法によれは、熱圧着ヘッドによって
樹脂フィルムの隙間をなす開口から露出する部分の金属
リード箔を前記開口内へ没入させて電子部品基板の接続
リードに熱圧着する際に、その熱圧着部両側に傾斜面が
形成され、この両傾斜面の立ち上がり部分に溶融した半
田の溜り部が設けられるので、金属リード箔が高い接着
強度をもって接合されるとともに、金属リード箔を前記
接続リードに接合する際に、金属リード箔の先端部の間
隔が不均一にならず、接続リードと位置合わせが容易に
行なえる。また、このように接合された金属リードの外
端側で切断して開口の外側縁の樹脂フィルムを除去する
ことにより、接合部分における樹脂フィルムのデットス
ペースをなくし、高密度実装を可能にするとともに、不
要な樹脂フィルムによる電気的な悪影響を防ぐことがで
きる。
樹脂フィルムの隙間をなす開口から露出する部分の金属
リード箔を前記開口内へ没入させて電子部品基板の接続
リードに熱圧着する際に、その熱圧着部両側に傾斜面が
形成され、この両傾斜面の立ち上がり部分に溶融した半
田の溜り部が設けられるので、金属リード箔が高い接着
強度をもって接合されるとともに、金属リード箔を前記
接続リードに接合する際に、金属リード箔の先端部の間
隔が不均一にならず、接続リードと位置合わせが容易に
行なえる。また、このように接合された金属リードの外
端側で切断して開口の外側縁の樹脂フィルムを除去する
ことにより、接合部分における樹脂フィルムのデットス
ペースをなくし、高密度実装を可能にするとともに、不
要な樹脂フィルムによる電気的な悪影響を防ぐことがで
きる。
[実施例] 以下、第1図から第4図を参照して、この発明の一実
施例を説明する。
施例を説明する。
第4図は通信装置や電子計算機等の液晶表示パネルと
プリント配線基板とをTAB方式のICユニットで接続した
状態を示す。この図において、1はICユニット、2は液
晶表示パネル、3はプリント配線基板であり、ICユニッ
ト1は液晶表示パネル2とプリント配線基板3とに跨っ
て複数個(この実施例では3個)配置され、液晶表示パ
ネル2とプリント配線基板3とを電気的に接続してい
る。これにより、ICユニット1はプリント配線基板3か
らの信号に基づいて液晶表示パネル2を駆動し、この液
晶表示パネル2で所定の情報を電気光学的に表示する。
プリント配線基板とをTAB方式のICユニットで接続した
状態を示す。この図において、1はICユニット、2は液
晶表示パネル、3はプリント配線基板であり、ICユニッ
ト1は液晶表示パネル2とプリント配線基板3とに跨っ
て複数個(この実施例では3個)配置され、液晶表示パ
ネル2とプリント配線基板3とを電気的に接続してい
る。これにより、ICユニット1はプリント配線基板3か
らの信号に基づいて液晶表示パネル2を駆動し、この液
晶表示パネル2で所定の情報を電気光学的に表示する。
このようなICユニット1は第1図および第4図に示す
ように、キャリアフィルム(樹脂フィルム)4の上面に
多数の金属リード箔(ICチップリード)5…をパターン
形成し、この金属リード箔5…の内側端(チップ取付端
子)5a…にICチップ6をILB(Inner Lead Bonding)に
より接合してなり、金属リード箔5…の外側端5b…が液
晶表示パネル2およびプリント配線基板3にOLB(Outer
Lead Bonding)により接合され、これにて液晶表示パ
ネル2とプリント配線基板3とを電気的に接続する。こ
の場合、キャリアフィルム4はポリエステル、ポリイミ
ド等の高分子材料よりなる50〜200μmの厚みをもった
可撓絶縁性のフィルムであり、その中央にはICチップ6
の外形よりも大きな開口部4aが形成され、両側には細長
い開口部4b、4bが側縁に沿って形成されている。この両
側の細長い開口部4b、4bはキャリアフィルム4の側縁と
の間に隙間を構成するもので、例えば第1図に示すよう
に開口部4b、4bの挟む両側のキャリアフィルムが切り離
されていても良く、また開口部4b、4bの両側において連
結されていても良い。また、金属リード箔5…はキャリ
アフィルム4の上面に金属箔(例えば厚さ35μmの電解
銅箔)を接着剤でラミネートし、このラミネートされた
金属箔をマスクしてエッチングすることにより所定形状
にパターン形成されている。したがって、この金属リー
ド箔5…はその内端部5a…が中央の開口部4a内へ突出
し、外端部5b…が両側の開口部4b、4bの上を橋架した状
態でそれぞれ設けられる。また、このようにパターン形
成された金属リード箔5…の露出する表裏面には半田メ
ッキ5cが施されている。この半田メッキ5cは錫(Sn)と
鉛(Pb)との混合物(Sn:Pb=8:2)で、厚さは0.2〜0.6
μm程度である。
ように、キャリアフィルム(樹脂フィルム)4の上面に
多数の金属リード箔(ICチップリード)5…をパターン
形成し、この金属リード箔5…の内側端(チップ取付端
子)5a…にICチップ6をILB(Inner Lead Bonding)に
より接合してなり、金属リード箔5…の外側端5b…が液
晶表示パネル2およびプリント配線基板3にOLB(Outer
Lead Bonding)により接合され、これにて液晶表示パ
ネル2とプリント配線基板3とを電気的に接続する。こ
の場合、キャリアフィルム4はポリエステル、ポリイミ
ド等の高分子材料よりなる50〜200μmの厚みをもった
可撓絶縁性のフィルムであり、その中央にはICチップ6
の外形よりも大きな開口部4aが形成され、両側には細長
い開口部4b、4bが側縁に沿って形成されている。この両
側の細長い開口部4b、4bはキャリアフィルム4の側縁と
の間に隙間を構成するもので、例えば第1図に示すよう
に開口部4b、4bの挟む両側のキャリアフィルムが切り離
されていても良く、また開口部4b、4bの両側において連
結されていても良い。また、金属リード箔5…はキャリ
アフィルム4の上面に金属箔(例えば厚さ35μmの電解
銅箔)を接着剤でラミネートし、このラミネートされた
金属箔をマスクしてエッチングすることにより所定形状
にパターン形成されている。したがって、この金属リー
ド箔5…はその内端部5a…が中央の開口部4a内へ突出
し、外端部5b…が両側の開口部4b、4bの上を橋架した状
態でそれぞれ設けられる。また、このようにパターン形
成された金属リード箔5…の露出する表裏面には半田メ
ッキ5cが施されている。この半田メッキ5cは錫(Sn)と
鉛(Pb)との混合物(Sn:Pb=8:2)で、厚さは0.2〜0.6
μm程度である。
このような金属リード箔5…の内側端5a…にはICチッ
プ6の外部電極6a…が上述した半田メッキ5cを介して熱
圧着により接合され、その接合部分はポッティングされ
た樹脂(レジン)7により被覆される。この場合、熱圧
着による接合は温度400℃程度、熱圧着時間1〜0.5秒間
程度で行なわれる。
プ6の外部電極6a…が上述した半田メッキ5cを介して熱
圧着により接合され、その接合部分はポッティングされ
た樹脂(レジン)7により被覆される。この場合、熱圧
着による接合は温度400℃程度、熱圧着時間1〜0.5秒間
程度で行なわれる。
一方、上記金属リード箔5…の外側端5b…は上述した
ようにキャリアフィルム4の両側に形成された細長い開
口部4b、4b上に金属リード箔5…が橋架された構成とな
っており、これら外端部5b…のうち、液晶表示パネル2
に接合される外側端5b…は第1図および第2図に示すよ
うに、開口部4bに対向する中央部分5b1が開口部4b内に
没入して液晶表示パネル2の接続リード2aに半田メッキ
5cを介して熱圧着にて接合され、この没入した中央部分
5b1の両端側に傾斜部分5b2、5b3が開口部4bの上端縁に
向けて斜めに立ち上り、これにより三角状の半田溜り
8、8が形成され、この半田溜り8、8により接続リー
ド2aに強固に接着される。このように接続リード2aに接
合された金属リード箔5…の外端部5b…およびその開口
4bの外側におけるキャリアフィルム4は、第3図に示す
ように半田溜り8の外側で鋏等により切断されて除去さ
れる。そして、金属リード箔5…の外側端5b…は第1図
に示すように、液晶表示パネル2の接続リード2aに接合
された状態でシリコンゴム9にて被覆される。
ようにキャリアフィルム4の両側に形成された細長い開
口部4b、4b上に金属リード箔5…が橋架された構成とな
っており、これら外端部5b…のうち、液晶表示パネル2
に接合される外側端5b…は第1図および第2図に示すよ
うに、開口部4bに対向する中央部分5b1が開口部4b内に
没入して液晶表示パネル2の接続リード2aに半田メッキ
5cを介して熱圧着にて接合され、この没入した中央部分
5b1の両端側に傾斜部分5b2、5b3が開口部4bの上端縁に
向けて斜めに立ち上り、これにより三角状の半田溜り
8、8が形成され、この半田溜り8、8により接続リー
ド2aに強固に接着される。このように接続リード2aに接
合された金属リード箔5…の外端部5b…およびその開口
4bの外側におけるキャリアフィルム4は、第3図に示す
ように半田溜り8の外側で鋏等により切断されて除去さ
れる。そして、金属リード箔5…の外側端5b…は第1図
に示すように、液晶表示パネル2の接続リード2aに接合
された状態でシリコンゴム9にて被覆される。
ところで、上記金属リード箔5に施される半田メッキ
5cは内側端5aと外側端5bとではその層厚を異にしてい
る。すなわち、外側端5bでは半田量が多すぎると隣りの
金属リード箔5にショートするので、この点からは少な
い量であることが好ましいが、反面強固な接着強度を有
していなければならない。しかし、外側端5bの接合構造
において、半田メッキ5cから溶けた半田は中央部分5b1
のみならず傾斜部分5b2、5b3の立ち上り部にも流れ込ん
で半田溜り8、8となるので十分な接着力が確保され
る。このような配慮のため、実施例としては、外側端5b
の半田メッキ5cの層厚は0.8〜2.0μmとされている。一
方、内側端5aにICチップ6をボンディングするとき、内
側端5aにICチップ6の外部電極6aを400℃の温度で、1
〜0.5秒間、熱を与えて熱圧着するが、このときに金−
錫共晶の接着強度が最大となるように、その半田メッキ
5cの層厚は上述したように0.2〜0.6μmに設定されてい
る。
5cは内側端5aと外側端5bとではその層厚を異にしてい
る。すなわち、外側端5bでは半田量が多すぎると隣りの
金属リード箔5にショートするので、この点からは少な
い量であることが好ましいが、反面強固な接着強度を有
していなければならない。しかし、外側端5bの接合構造
において、半田メッキ5cから溶けた半田は中央部分5b1
のみならず傾斜部分5b2、5b3の立ち上り部にも流れ込ん
で半田溜り8、8となるので十分な接着力が確保され
る。このような配慮のため、実施例としては、外側端5b
の半田メッキ5cの層厚は0.8〜2.0μmとされている。一
方、内側端5aにICチップ6をボンディングするとき、内
側端5aにICチップ6の外部電極6aを400℃の温度で、1
〜0.5秒間、熱を与えて熱圧着するが、このときに金−
錫共晶の接着強度が最大となるように、その半田メッキ
5cの層厚は上述したように0.2〜0.6μmに設定されてい
る。
なお、上述のように金属リード箔5の外側端5bが接合
される液晶表示パネル2の接続リード2aは、液晶表示パ
ネル2の端部に等間隔で多数配列形成されており、その
構成は液晶表示パネル2の上面に形成された厚さ1000Å
程度の酸化シリコン層と、この上面に形成された350Å
程度のITO(Indium Tin Oxide)層と、この上面に形成
された2000Å程度のニッケル(Ni)層(無電解メッキ)
と、この上面に形成された500Å程度の金(Au)層(無
電解メッキ)とを積層してなる。
される液晶表示パネル2の接続リード2aは、液晶表示パ
ネル2の端部に等間隔で多数配列形成されており、その
構成は液晶表示パネル2の上面に形成された厚さ1000Å
程度の酸化シリコン層と、この上面に形成された350Å
程度のITO(Indium Tin Oxide)層と、この上面に形成
された2000Å程度のニッケル(Ni)層(無電解メッキ)
と、この上面に形成された500Å程度の金(Au)層(無
電解メッキ)とを積層してなる。
次に、上記のようなICユニット1を製造する場合につ
いて述べる。
いて述べる。
まず、キャリアフィルム4に開口部4a、4b、4bを形成
し、その表面に金属箔をラミネートし、これをエッチン
グにより所定形状の金属リード箔5…にパターン形成す
る。この後、金属リード箔5…の全面に内側端5a側の層
厚が0.2〜0.6μm程度の半田メッキ5cを施す。次に、金
属リード箔5…の内側端5aにICチップ6をボンディング
し、ICチップ6の外部電極6aを有する面に樹脂(レジ
ン)7をポッティング塗布し、この樹脂7を150℃の温
度で3時間程度乾燥する。この後、金属リード箔5に外
側端5b側の層厚が0.2〜2.0μmとなるように再度半田メ
ッキ5cを施す。このように半田メッキ5cを外側端5bの層
厚にするのは、樹脂7の乾燥中において予め施された半
田メッキ5cの錫が金属リード箔5の銅と共晶を起して半
田メッキ5cの層厚が0.1〜0.2μm程度に減少してしまう
ためである。なお、最後に、半田フラックスを金属リー
ド箔5…の外側端5bにポッティング塗布する。
し、その表面に金属箔をラミネートし、これをエッチン
グにより所定形状の金属リード箔5…にパターン形成す
る。この後、金属リード箔5…の全面に内側端5a側の層
厚が0.2〜0.6μm程度の半田メッキ5cを施す。次に、金
属リード箔5…の内側端5aにICチップ6をボンディング
し、ICチップ6の外部電極6aを有する面に樹脂(レジ
ン)7をポッティング塗布し、この樹脂7を150℃の温
度で3時間程度乾燥する。この後、金属リード箔5に外
側端5b側の層厚が0.2〜2.0μmとなるように再度半田メ
ッキ5cを施す。このように半田メッキ5cを外側端5bの層
厚にするのは、樹脂7の乾燥中において予め施された半
田メッキ5cの錫が金属リード箔5の銅と共晶を起して半
田メッキ5cの層厚が0.1〜0.2μm程度に減少してしまう
ためである。なお、最後に、半田フラックスを金属リー
ド箔5…の外側端5bにポッティング塗布する。
次に、上記の如くして製造されたICユニット1を液晶
表示パネル2に接合する場合について述べる。
表示パネル2に接合する場合について述べる。
この場合には、まず、液晶表示パネル2の各接続リー
ド2a上にICユニット1の各金属リード箔5…の外側端5b
…が重なるように配置し、バキュームヘッド等でテーブ
ル上に吸着固定する。この場合、金属リード箔5…の外
端部5b…はキャリアフィルム4に固定されているので、
各金属リード箔5…の外端部5b…はバラバラにならず、
所定の間隔に保持される。この後、テーブルの上方より
熱圧着ヘッド10を降下させて、第2図に示すように金属
リード箔5の開口部4bに対向する外側端5bの中央部分5b
1を液晶表示パネル2の接続リード2aに接合する。この
熱圧着ヘッド10によって行なわれる熱圧着は、まず、熱
圧着ヘッド10が外側端5bの中央部分5b1を加圧して、キ
ャリアフィルム4の開口部4b内に没入させ、この没入し
た中央部分5b1を接続リード2aに圧接させ、その両側に
傾斜部分5b2、5b3の立ち上り部を形成する。この場合、
金属リード箔5の全面には半田メッキ5cが施されている
ので、半田メッキ5cが熱圧着ヘッド10の加熱により溶
け、この溶けた半田が外側端5bの中央部分5b1と液晶表
示パネル2の接続リード2aとの間から流れ出し、中央部
分5b1の両側に形成される傾斜部分5b2、5b3の立ち上り
部に流れ込み、この立ち上り部に流れ込んだ半田は外側
端5bの上面が熱圧着ヘッド10によって加熱されることに
より、傾斜部分5b2、5b3に上昇して三角状の半田溜り
8、8となる。従って、中央部分5b1と傾斜部5b2、5b3
の立ち上り部に流れ込んで半田溜り8、8となった半田
によって金属リード箔5の外側端5bは接続リード2aに強
固に接着される。このように接続リード2aに金属リード
箔5が接合された後は、第3図に示すように、金属リー
ド箔5…の外端部5b…およびその開口4bの外側における
キャリアフィルム4を半田溜り8の外側において鋏等に
より切断して除去する。これにより、液晶表示パネル2
とICユニット1との接合部分において、キャリアフィル
ム4によるデッドスペースをなくすことができ、高密度
実装を可能にするとともに、不要なキャリアフィルム4
による電気的な悪影響を防ぐことができる。なお、金属
リード箔5…の外側端5b…と液晶表示パネル2の接続リ
ード2aとの接合部分は、第1図に示すようにシリコンゴ
ム9にて被覆される。
ド2a上にICユニット1の各金属リード箔5…の外側端5b
…が重なるように配置し、バキュームヘッド等でテーブ
ル上に吸着固定する。この場合、金属リード箔5…の外
端部5b…はキャリアフィルム4に固定されているので、
各金属リード箔5…の外端部5b…はバラバラにならず、
所定の間隔に保持される。この後、テーブルの上方より
熱圧着ヘッド10を降下させて、第2図に示すように金属
リード箔5の開口部4bに対向する外側端5bの中央部分5b
1を液晶表示パネル2の接続リード2aに接合する。この
熱圧着ヘッド10によって行なわれる熱圧着は、まず、熱
圧着ヘッド10が外側端5bの中央部分5b1を加圧して、キ
ャリアフィルム4の開口部4b内に没入させ、この没入し
た中央部分5b1を接続リード2aに圧接させ、その両側に
傾斜部分5b2、5b3の立ち上り部を形成する。この場合、
金属リード箔5の全面には半田メッキ5cが施されている
ので、半田メッキ5cが熱圧着ヘッド10の加熱により溶
け、この溶けた半田が外側端5bの中央部分5b1と液晶表
示パネル2の接続リード2aとの間から流れ出し、中央部
分5b1の両側に形成される傾斜部分5b2、5b3の立ち上り
部に流れ込み、この立ち上り部に流れ込んだ半田は外側
端5bの上面が熱圧着ヘッド10によって加熱されることに
より、傾斜部分5b2、5b3に上昇して三角状の半田溜り
8、8となる。従って、中央部分5b1と傾斜部5b2、5b3
の立ち上り部に流れ込んで半田溜り8、8となった半田
によって金属リード箔5の外側端5bは接続リード2aに強
固に接着される。このように接続リード2aに金属リード
箔5が接合された後は、第3図に示すように、金属リー
ド箔5…の外端部5b…およびその開口4bの外側における
キャリアフィルム4を半田溜り8の外側において鋏等に
より切断して除去する。これにより、液晶表示パネル2
とICユニット1との接合部分において、キャリアフィル
ム4によるデッドスペースをなくすことができ、高密度
実装を可能にするとともに、不要なキャリアフィルム4
による電気的な悪影響を防ぐことができる。なお、金属
リード箔5…の外側端5b…と液晶表示パネル2の接続リ
ード2aとの接合部分は、第1図に示すようにシリコンゴ
ム9にて被覆される。
なお、この発明は実施例で示した液晶表示パネルやプ
リント配線基板とを電気的に接続するTAB方式のICユニ
ット1に限らず、サーマル印字ヘッド基板等他の電子部
品にも広く適用することができる。
リント配線基板とを電気的に接続するTAB方式のICユニ
ット1に限らず、サーマル印字ヘッド基板等他の電子部
品にも広く適用することができる。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明のICチップリードの接
合方法によれば、一側縁に沿って隙間をなす開口が形成
された樹脂フィルムに、ICチップの電極に接続された多
数の金属リード箔を前記開口の上面を橋架させて固着
し、前記各金属リード箔の前記開口から露出する部分を
熱圧着ヘッドにより前記開口内へ没入させて電子部品基
板の接続リードに熱圧着し、この熱圧着された部分の外
側部分を切断して前記開口の外側縁の樹脂フィルムとと
もに除去するようにしたので、接合部分における樹脂フ
ィルムのデットスペースをなくし、高密度実装を可能に
するとともに、不要な樹脂フィルムによる電気的な悪影
響を防ぐことができる。
合方法によれば、一側縁に沿って隙間をなす開口が形成
された樹脂フィルムに、ICチップの電極に接続された多
数の金属リード箔を前記開口の上面を橋架させて固着
し、前記各金属リード箔の前記開口から露出する部分を
熱圧着ヘッドにより前記開口内へ没入させて電子部品基
板の接続リードに熱圧着し、この熱圧着された部分の外
側部分を切断して前記開口の外側縁の樹脂フィルムとと
もに除去するようにしたので、接合部分における樹脂フ
ィルムのデットスペースをなくし、高密度実装を可能に
するとともに、不要な樹脂フィルムによる電気的な悪影
響を防ぐことができる。
図面はそれぞれこの発明の一実施例を示し、第1図はTA
B方式のICユニットを液晶表示パネルに接合した状態を
示す第4図のII−II線断面図、第2図および第3図はそ
の接合過程を示す要部拡大断面図、第4図はICユニット
により液晶表示パネルとプリント基板とを電気的に接続
した状態を示す外観斜視図である。 1……ICユニット、2……液晶表示パネル、2a……接続
リード、3……プリント配線基板、4……キャリアフィ
ルム(樹脂フィルム)、4b……開口部、5……金属リー
ド箔、5a……内端部、5b……外端部、6……ICチップ、
6a……外部電極、10……熱圧着ヘッド。
B方式のICユニットを液晶表示パネルに接合した状態を
示す第4図のII−II線断面図、第2図および第3図はそ
の接合過程を示す要部拡大断面図、第4図はICユニット
により液晶表示パネルとプリント基板とを電気的に接続
した状態を示す外観斜視図である。 1……ICユニット、2……液晶表示パネル、2a……接続
リード、3……プリント配線基板、4……キャリアフィ
ルム(樹脂フィルム)、4b……開口部、5……金属リー
ド箔、5a……内端部、5b……外端部、6……ICチップ、
6a……外部電極、10……熱圧着ヘッド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠崎 栄一 東京都八王子市石川町2951番地の5 カ シオ計算機株式会社八王寺研究所内 (56)参考文献 実開 昭62−158836(JP,U)
Claims (1)
- 【請求項1】ICチップの電極に接続された多数の金属リ
ード箔が上面に固着された樹脂フィルムに、該樹脂フィ
ルムの一側縁に沿う隙間をなす開口を設け、前記各金属
リード箔を前記開口の上面を橋架させて前記樹脂フィル
ムの一側縁まで延出し、前記各金属リード箔の前記開口
から露出する部分を熱圧着ヘッドにより前記開口内へ没
入させて電子部品基板の接続リードに熱圧着し、この熱
圧着された部分の外側部分を切断して前記開口の外側縁
の樹脂フィルムとともに除去したことを特徴とするICチ
ップリードの接合方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63095448A JP2526982B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | Icチップリ―ドの接合方法 |
US07/272,136 US5025348A (en) | 1987-11-20 | 1988-11-14 | Bonding structure of an electronic device and a method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63095448A JP2526982B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | Icチップリ―ドの接合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01268037A JPH01268037A (ja) | 1989-10-25 |
JP2526982B2 true JP2526982B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=14137976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63095448A Expired - Lifetime JP2526982B2 (ja) | 1987-11-20 | 1988-04-20 | Icチップリ―ドの接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2526982B2 (ja) |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63095448A patent/JP2526982B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01268037A (ja) | 1989-10-25 |
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