JP2003258035A - 配線基板、電子デバイス及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

配線基板、電子デバイス及びその製造方法並びに電子機器

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JP2003258035A
JP2003258035A JP2002060890A JP2002060890A JP2003258035A JP 2003258035 A JP2003258035 A JP 2003258035A JP 2002060890 A JP2002060890 A JP 2002060890A JP 2002060890 A JP2002060890 A JP 2002060890A JP 2003258035 A JP2003258035 A JP 2003258035A
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electronic device
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slits
manufacturing
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Nobuaki Hashimoto
伸晃 橋元
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
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    • H01L2224/757Means for aligning
    • H01L2224/75743Suction holding means

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 確実な電気的導通が得られる配線基板、電子
デバイス及びその製造方法並びに電子機器を提供するこ
とにある。 【解決手段】 第1の基板10の端部には、複数のスリ
ット16が形成されている。第1の端子14は、スリッ
ト16の間に形成されている。第1及び第2の端子1
4,24の電気的接続工程は、ツール40の複数の凸部
42を複数のスリット16にはめ込み、第1及び第2の
基板10,20を加熱することを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板、電子デ
バイス及びその製造方法並びに電子機器に関する。
【0002】
【背景技術】液晶パネルに、駆動回路を有するICチッ
プを電気的に接続するのに、TAB(Tape Automated B
onding)又はCOF(Chip On Film)実装が適用されて
いる。従来のTAB(Tape Automated Bonding)又はC
OF(Chip On Film)実装によれば、基板(テープ又は
フィルム)に形成された配線と液晶パネルの配線とを接
合する。液晶パネルには、狭ピッチで多数の配線が形成
されており、基板が膨張・収縮しやすいため、配線の接
合部分の位置ずれが生じやすかった。そのため、電気的
な接続を確保しにくかった。
【0003】本発明は、この問題点を解決するものであ
り、その目的は、確実な電気的導通が得られる配線基
板、電子デバイス及びその製造方法並びに電子機器を提
供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】(1)本発明に係る電子
デバイスの製造方法は、複数のスリットを端部に有する
第1の基板に設けられた複数の第1の端子であって複数
の前記スリットの間に設けられた複数の前記第1の端子
と、第2の基板に設けられた複数の第2の端子と、を位
置合わせし、複数の凸部を有するツールの前記複数の凸
部を前記複数のスリットにはめ込み、前記第1及び第2
の基板を加熱することにより、前記第1の端子と前記第
2の端子とを電気的に接続することを含む。
【0005】本発明によれば、第1の基板の第1の端子
が形成された端部の変形を規制することができるので、
第1及び第2の端子の位置ズレを防いで、確実な電気的
接続を得ることができる。
【0006】(2)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記ツールは、ボンディングツールであり、少なく
とも前記ボンディングツールから前記第1の基板に熱を
供給し、前記ボンディングツールによって、前記第1の
基板を前記第2の基板の方向に加圧してもよい。
【0007】(3)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記ツールによって前記第1の基板を吸着し、前記
第1及び第2の端子の位置を合わせてもよい。
【0008】(4)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記第1の基板は、前記第2の基板よりも熱による
変形率が大きくてもよい。
【0009】(5)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記第2の基板は、ガラス基板であってもよい。
【0010】(6)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記第1の基板は、フレキシブル基板であってもよ
い。
【0011】(7)この電子デバイスの製造方法におい
て、前記第2の基板は、電気光学パネルの一部であって
もよい。
【0012】(8)本発明に係る電子デバイスは、複数
の第1の端子を有する第1の配線パターンが形成されて
いる第1の基板と、複数の第2の端子を有する第2の配
線パターンが形成されている第2の基板と、を有し、前
記第1及び第2の端子は、オーバーラップして電気的に
接続されており、前記第1の基板の端部には、複数のス
リットが形成され、前記第1の端子は、前記スリットを
避けて前記第1の基板の前記端部に形成されてなる。
【0013】本発明によれば、第1及び第2の端子の位
置ズレを防ぐことができ、確実な電気的接続を得ること
ができる。
【0014】(9)この電子デバイスにおいて、前記ス
リットは、前記第1の基板の前記端部の辺から、交差す
る方向に延びる切り込みであってもよい。
【0015】(10)この電子デバイスにおいて、一対
の前記スリットの間に、少なくとも1つの前記第1の端
子が形成されていてもよい。
【0016】(11)この電子デバイスにおいて、前記
複数の第1の端子は、複数グループの端子からなり、隣
同士のグループの端子の間に1つの前記スリットが形成
されていてもよい。
【0017】(12)この電子デバイスにおいて、前記
第1の基板は、前記第2の基板よりも熱による変形率が
大きくてもよい。
【0018】(13)この電子デバイスにおいて、前記
第1の基板は、フレキシブル基板であってもよい。
【0019】(14)この電子デバイスにおいて、前記
第2の基板は、ガラス基板であってもよい。
【0020】(15)この電子デバイスにおいて、前記
第2の基板は、電気光学パネルの一部であってもよい。
【0021】(16)本発明に係る電子機器は、上記電
子デバイスを有する。
【0022】(17)本発明に係る配線基板は、端部に
複数のスリットが形成された基板と、前記基板に形成さ
れ、複数の端子を有する配線パターンと、を有し、前記
端子は、前記スリットを避けて前記基板の前記端部に形
成されてなる。
【0023】本発明によれば、スリットにツールの凸部
をはめ込んで、基板の端部の変形を規制することができ
るので、端子の位置ズレを防いで確実な電気的接続を得
ることができる。
【0024】(18)この配線基板において、前記スリ
ットは、前記基板の前記端部の辺から、交差する方向に
延びる切り込みであってもよい。
【0025】(19)この配線基板において、一対の前
記スリットの間に、少なくとも1つの前記端子が形成さ
れていてもよい。
【0026】(20)この配線基板において、前記複数
の端子は、複数グループの端子からなり、隣同士のグル
ープの端子の間に1つの前記スリットが形成されていて
もよい。
【0027】(21)この配線基板において、前記基板
は、フレキシブル基板であってもよい。
【0028】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形
態に係る電子デバイス及び配線基板を示す図であり、図
2は、電子デバイスの一部を拡大した断面図である。
【0029】電子デバイスは、第1の基板10を有す
る。第1の基板10は例えばフレキシブル基板又はフィ
ルムであってもよい。第1の基板10は、熱膨張率や湿
度膨張率が、第2の基板20よりも大きい材料(例えば
ポリイミド等の樹脂)で形成されていてもよい。第1の
基板10は、第2の基板20よりも薄くなっていてもよ
い。第1の基板10には、第1の配線パターン12が形
成されている。第1の配線パターン12が形成された第
1の基板10は、配線基板である。第1の配線パターン
12は、複数の第1の端子14を有する。第1の端子1
4は、第1の基板10の端部に形成されている。第1の
配線パターン12は、第1の基板10に、直接形成され
ているものでもよいし、接着剤を介して形成されている
ものでもよい。
【0030】第1の基板10(詳しくはその端部)に
は、複数のスリット16が形成されている。スリット1
6は、図1に示すように切り込みであってもよいし、貫
通穴であってもよい。スリット16は、第1の基板10
の端部の辺から、その辺に交差する方向に延びるように
形成されている。この場合、スリット16は、第1の基
板10の端部の辺から、その辺に直行する方向に延びる
ように形成されていてもよい。第1の端子14は、スリ
ット16を避けて形成されている。複数のスリット16
は、それぞれ平行に延びるように形成されていてもよ
い。一対のスリット16の間に、少なくとも1つ(図1
の例では複数)の第1の端子14が形成されている。複
数の第1の端子14は、複数グループの端子からなり、
隣同士のグループの端子の間に1つのスリット16が形
成されている。
【0031】第1の基板10には、図1に示すように、
集積回路チップ(ICチップ)30が実装されていても
よい。集積回路チップ30は、半導体チップである。集
積回路チップ30は直方体(平面において長方形)にな
っていてもよい。集積回路チップ30は、第1の配線パ
ターン12と電気的に接続されている。集積回路チップ
10における平行な二辺(例えば平面において長方形の
長辺)のうち一方の辺に沿って第1列の電極(図示せ
ず)が並び、他方の辺に沿って第2列の電極(図示せ
ず)が並んでいてもよい。例えば、この場合の電極配列
について、集積回路チップ30はペリフェラル型であ
る。第1列の電極と第2列の電極のそれぞれは、例え
ば、アルミニウム等で形成されたパッドと、その上に金
等で形成されたバンプ等を含んでもよい。このパッドと
バンプ等の間にさらにアンダーバンプメタル等の金属膜
または金属化合物膜を含んでもよい。集積回路チップ3
0は、ドライバ(例えば電気光学パネル(液晶パネル・
エレクトロルミネッセンスパネル等)の駆動回路)を内
部に有するものでもよい。この場合、第1列の電極(外
部端子18側の電極)は、ドライバに対する入力端子で
あり、第2列の電極(第1の端子14側の電極)は、ド
ライバからの出力端子である。
【0032】第1の基板10において、第1の端子14
が形成された端部とは反対側の端部に、外部(例えば図
示しない回路基板(マザーボード)等)に電気的に接続
するための外部端子(アウターリード)18が形成され
ていてもよい。第1の基板10には、集積回路チップ3
0以外の図示しない電子部品(例えば表面実装部品)が
搭載されていてもよい。
【0033】電子デバイスは、第2の基板20を有す
る。第2の基板20は例えばガラス基板であってもよ
い。第2の基板20は、電気光学パネル(液晶パネル・
エレクトロルミネッセンスパネル等)の一部であっても
よい。第2の基板20には、第2の配線パターン22が
形成されている。なお、液晶パネルの場合、第2の配線
パターン22は、液晶を駆動する電極(走査電極、信号
電極、対向電極等)に電気的に接続されている。第2の
配線パターン22は、ITO(Indium Tin Oxide)、C
r、Al、Taなどの金属膜や金属化合物膜によって形
成されていてもよい。第2の配線パターン22は、複数
の第2の端子24を有する。第2の端子24は、第2の
基板20の端部に形成されている。
【0034】図2に示すように、第1及び第2の端子1
4,24は、オーバーラップして電気的に接続されてい
る。その電気的接続には、絶縁樹脂接合(例えばNCP
(Non Conductive Paste)やNCF(Non Conductive F
ilm)等を使用した接合)、異方性導電材料接合(例え
ばACF(Anisotoropic Conductive Film)等を使用し
た接合)、合金接合(例えばAu-Au又はAu-Sn接合等)、
はんだ接合等の既知の接合方法のいずれを適用してもよ
い。第1及び第2の基板10,20は、接着剤32によ
って固定してもよい。NCP、NCF、ACFが接着剤
32であってもよい。接着剤32は、第1の配線パター
ン12の先端面を覆っていてもよい。
【0035】本実施の形態に係る電子デバイスは、上記
のように構成されており、以下その製造方法を説明す
る。電子デバイスの製造方法では、第1及び第2の端子
14,24を電気的に接続する。
【0036】図3(A)〜図3(B)は、本実施の形態
に係る電子デバイスの製造方法を説明する図である。図
3(A)に示すように、本実施の形態では、ツール40
を使用する。ツール40は、ボンディングツールであ
る。ツール40は、図示しないヒータを内蔵しており熱
を供給することができる。なお、ツール40におけるボ
ンディング面(凸部42が形成された面)には、フッ素
系樹脂等の表面張力の低い物質からなる層を、メッキや
コーティング等によって形成してもよい。あるいは、フ
ッ素系樹脂等の表面張力の低い物質からなるのシート
を、ボンディング面と第1の基板10との間に配置して
もよい。こうすることで、ボンディング面に第1の基板
10や接着剤32が付着することを防止することができ
る。ツール40の熱膨張率は、第1の基板10の熱膨張
率よりも小さい。すなわち、ツール40は、低膨張率の
材料からなるものが好ましい。例えば、ツール40は、
AlN、SiCなどのセラミクスや合金からなる。ツー
ル40は、複数の凸部42を有する。凸部42は、第1
の基板10のスリット16にはまる形状及び配置で形成
されている。ツール40は、第1の基板10における前
記スリット16が形成された端部の両側のエッジに接触
する凸部46をさらに有する。
【0037】ツール40は、第1の基板10を吸着する
機能を有する。例えば、ツール40内に空気の流路44
が形成されており、流路44の開口内を負圧にすること
で第1の基板10を吸着することができる。流路44
は、凸部42の間の領域に開口する。第1の基板10の
スリット16は、パンチングによって形成することがで
きる。その場合、複数のスリット16を、相対的位置が
正確になるように形成することができる。また、ツール
40には、複数の凸部42を、相対的位置が正確になる
ように形成しておく。
【0038】本実施の形態では、図3(A)に示すよう
に、凸部42をスリット16にはめ込んで、ツール40
によって第1の基板10を吸着する。そして、画像認識
等の手段によって、第1及び第2の端子14,16の位
置合わせを行う。詳しくは、第1及び第2の端子14,
24をオーバーラップするように配置する。
【0039】図3(B)に示すように、ツール40によ
って、第1の基板10を第2の基板20の方向に加圧す
る。少なくとも加圧中に、あるいは加圧の開始前から、
第1及び第2の基板10,20を加熱する。ツール40
から第1の基板10に熱を供給する。また、第2の基板
20が載せられる図示しない台から第2の基板20に熱
を供給してもよい。熱及び圧力によって、第1及び第2
の端子14,24を電気的に接続する。第1及び第2の
端子14,24は、設計段階において、熱圧着の際にお
ける熱膨張率や湿度膨張率による接続位置のズレを考慮
して、第1及び第2の端子14,24の少なくとも一方
の端子間のピッチを補正をすることが好ましい。
【0040】電気的な接続工程には、COF実装を行う
装置を使用することができる。その電気的接続には、絶
縁樹脂接合(例えばNCP(Non Conductive Paste)や
NCF(Non Conductive Film)等を使用した接合)、
異方性導電材料接合(例えばACF(Anisotoropic Con
ductive Film)等を使用した接合)、合金接合(例えば
Au-Au又はAu-Sn接合)、はんだ接合等の既知の接合方式
のいずれを適用してもよい。NCP、NCF、ACF
は、熱硬化性樹脂を含んでいれば、供給される熱によっ
て硬化する。
【0041】本実施の形態によれば、隣同士のスリット
16の間には、全部の第1の端子14のうち1グループ
の端子のみが配置されている。したがって、隣同士のス
リット16の間では、熱または湿度の影響によって第1
の端子14間のピッチが変化したしても、その変化量は
小さい。また、それぞれの凸部42がスリット16には
め込まれているので、第1の基板10におけるスリット
16及び第1の端子14が形成された端部の変形を規制
することができる。したがって、全部の第1の端子14
の累積的な位置ズレが小さい。このように、本実施の形
態によれば、累積的な位置ズレを防止することができる
ため、第1及び第2の端子14,24の位置ズレを防い
で、確実な電気的接続を得ることができる。
【0042】なお、第1及び第2の基板10,20は、
第1及び第2の端子14,24の電気的な接続の手段に
よって連結してもよい。例えば、NCP、NCF、AC
Fを接着剤32として使用してもよい。こうして電子デ
バイスを製造することができる。
【0043】上述した電子デバイスを有する電子機器と
して、図4にはノート型パーソナルコンピュータ100
0が示され、図5には携帯電話2000が示されてい
る。
【0044】本発明は、上述した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の実施の形態に係る電子デバイ
ス及び配線基板を示す図である。
【図2】図2は、図1のII−II線断面の一部を拡大した
断面図である。
【図3】図3(A)〜図3(B)は、本発明の実施の形
態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図である。
【図4】図4は、本発明の実施の形態に係る電子機器を
示す図である。
【図5】図5は、本発明の実施の形態に係る電子機器を
示す図である。
【符号の説明】
10 第1の基板 12 第1の配線パターン 14 第1の端子 16 スリット 20 第2の基板 22 第2の配線パターン 24 第2の端子 40 ツール 42 凸部
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/36 H05K 3/36 A Fターム(参考) 2H092 GA50 GA55 HA18 NA11 RA10 5E317 AA04 BB03 BB11 CD31 CD34 GG16 5E338 AA12 AA16 BB02 BB12 BB63 BB65 CC01 CD13 CD33 DD01 EE21 EE32 EE33 5E344 AA02 AA12 AA22 BB02 BB04 BB07 BB12 BB13 CC05 CC11 CC13 CC21 DD10 DD16 EE24 5F044 LL07 LL09 MM42 NN13 PP16

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のスリットを端部に有する第1の基
    板に設けられた複数の第1の端子であって複数の前記ス
    リットの間に設けられた複数の前記第1の端子と、第2
    の基板に設けられた複数の第2の端子と、を位置合わせ
    し、 複数の凸部を有するツールの前記複数の凸部を前記複数
    のスリットにはめ込み、前記第1及び第2の基板を加熱
    することにより、前記第1の端子と前記第2の端子とを
    電気的に接続することを含む、電子デバイスの製造方
    法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の電子デバイスの製造方法
    において、 前記ツールは、ボンディングツールであり、 少なくとも前記ボンディングツールから前記第1の基板
    に熱を供給し、 前記ボンディングツールによって、前記第1の基板を前
    記第2の基板の方向に加圧する電子デバイスの製造方
    法。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2記載の電子デバイ
    スの製造方法において、 前記ツールによって前記第1の基板を吸着し、前記第1
    及び第2の端子の位置を合わせる電子デバイスの製造方
    法。
  4. 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
    の電子デバイスの製造方法において、 前記第1の基板は、前記第2の基板よりも熱による変形
    率が大きい電子デバイスの製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項4記載の電子デバイスの製造方法
    において、 前記第2の基板は、ガラス基板である電子デバイスの製
    造方法。
  6. 【請求項6】 請求項4記載の電子デバイスの製造方法
    において、 前記第1の基板は、フレキシブル基板である電子デバイ
    スの製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項1から請求項6のいずれかに記載
    の電子デバイスの製造方法において、 前記第2の基板は、電気光学パネルの一部である電子デ
    バイスの製造方法。
  8. 【請求項8】 複数の第1の端子を有する第1の配線パ
    ターンが形成されている第1の基板と、 複数の第2の端子を有する第2の配線パターンが形成さ
    れている第2の基板と、 を有し、 前記第1及び第2の端子は、オーバーラップして電気的
    に接続されており、 前記第1の基板の端部には、複数のスリットが形成さ
    れ、 前記第1の端子は、前記スリットを避けて前記第1の基
    板の前記端部に形成されてなる電子デバイス。
  9. 【請求項9】 請求項8記載の電子デバイスにおいて、 前記スリットは、前記第1の基板の前記端部の辺から、
    交差する方向に延びる切り込みである電子デバイス。
  10. 【請求項10】 請求項8又は請求項9記載の電子デバ
    イスにおいて、 一対の前記スリットの間に、少なくとも1つの前記第1
    の端子が形成されてなる電子デバイス。
  11. 【請求項11】 請求項8から請求項10のいずれかに
    記載の電子デバイスにおいて、 前記複数の第1の端子は、複数グループの端子からな
    り、隣同士のグループの端子の間に1つの前記スリット
    が形成されてなる電子デバイス。
  12. 【請求項12】 請求項8から請求項11のいずれかに
    記載の電子デバイスにおいて、 前記第1の基板は、前記第2の基板よりも熱による変形
    率が大きい電子デバイス。
  13. 【請求項13】 請求項12記載の電子デバイスにおい
    て、 前記第1の基板は、フレキシブル基板である電子デバイ
    ス。
  14. 【請求項14】 請求項12記載の電子デバイスにおい
    て、 前記第2の基板は、ガラス基板である電子デバイス。
  15. 【請求項15】 請求項8から請求項14のいずれかに
    記載の電子デバイスにおいて、 前記第2の基板は、電気光学パネルの一部である電子デ
    バイス。
  16. 【請求項16】 請求項8から請求項15のいずれかに
    記載された電子デバイスを有する電子機器。
  17. 【請求項17】 端部に複数のスリットが形成された基
    板と、 前記基板に形成され、複数の端子を有する配線パターン
    と、 を有し、 前記端子は、前記スリットを避けて前記基板の前記端部
    に形成されてなる配線基板。
  18. 【請求項18】 請求項17記載の配線基板において、 前記スリットは、前記基板の前記端部の辺から、交差す
    る方向に延びる切り込みである配線基板。
  19. 【請求項19】 請求項17又は請求項18記載の配線
    基板において、 一対の前記スリットの間に、少なくとも1つの前記端子
    が形成されてなる配線基板。
  20. 【請求項20】 請求項17から請求項19のいずれか
    に記載の配線基板において、 前記複数の端子は、複数グループの端子からなり、隣同
    士のグループの端子の間に1つの前記スリットが形成さ
    れてなる配線基板。
  21. 【請求項21】 請求項17から請求項20のいずれか
    に記載の配線基板において、 前記基板は、フレキシブル基板である配線基板。
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