JPH01108161A - チタニア薄膜の形成方法 - Google Patents
チタニア薄膜の形成方法Info
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- JPH01108161A JPH01108161A JP62263610A JP26361087A JPH01108161A JP H01108161 A JPH01108161 A JP H01108161A JP 62263610 A JP62263610 A JP 62263610A JP 26361087 A JP26361087 A JP 26361087A JP H01108161 A JPH01108161 A JP H01108161A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 168
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 282
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- -1 titanium alkoxide Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 14
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 14
- KBQPNUNDWKXURG-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;ethanol;methanol;propan-1-ol Chemical compound OC.CCO.CCCO.CCCCO KBQPNUNDWKXURG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XFIQVAWHIIPESL-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethanol;2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethanol;2-(2-hydroxyethylamino)ethanol Chemical group NCCO.OCCNCCO.OCCN(CCO)CCO XFIQVAWHIIPESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 61
- ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N methanol;titanium Chemical compound [Ti].OC.OC.OC.OC ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 46
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 32
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 16
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 abstract description 16
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N ethoxide Chemical compound CC[O-] HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate Chemical compound CCC[O-] IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 25
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N titanium ethoxide Chemical compound [Ti+4].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 4
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- SDTMFDGELKWGFT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-2-olate Chemical compound CC(C)(C)[O-] SDTMFDGELKWGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150111329 ACE-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001576023 Chikunia Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000209140 Triticum Species 0.000 description 1
- 235000021307 Triticum Nutrition 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N methoxide Chemical compound [O-]C NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、基体上に、保護膜、誘電膜、電気絶縁膜、
高光屈折率膜等として作用するチタニア薄膜を形成する
方法に関する。
高光屈折率膜等として作用するチタニア薄膜を形成する
方法に関する。
［従来の技術］
基体上にチタニア薄膜を形成する方法は、いろいろある
。たとえば、特開昭５９−２６９６６号公報には、いわ
ゆるゾル・ゲル法と呼ばれる方法が記載されている。こ
の方法は、チタニアの微粒子を分散相とし、水を分散媒
とするゾルを調製する工程と、水の存在下に上記ゾルに
熱可塑性バインダーを添加してそれらの混合物を調製す
る工程と、基体上に上記混合物の薄膜を形成する工程と
、上記薄膜を乾燥し、ゾルをゲル化させる工程と、ゲル
化薄膜を焼成し、チタニア薄膜に変換する工程と、を含
むものである。ところが、この方法は、ゾルを、いわゆ
る出発原料とするから、チタニアの微粒子が沈降しやす
く、得られる°チタニア薄膜にひび割れや厚みむらなど
ができやすいという問題がある。
。たとえば、特開昭５９−２６９６６号公報には、いわ
ゆるゾル・ゲル法と呼ばれる方法が記載されている。こ
の方法は、チタニアの微粒子を分散相とし、水を分散媒
とするゾルを調製する工程と、水の存在下に上記ゾルに
熱可塑性バインダーを添加してそれらの混合物を調製す
る工程と、基体上に上記混合物の薄膜を形成する工程と
、上記薄膜を乾燥し、ゾルをゲル化させる工程と、ゲル
化薄膜を焼成し、チタニア薄膜に変換する工程と、を含
むものである。ところが、この方法は、ゾルを、いわゆ
る出発原料とするから、チタニアの微粒子が沈降しやす
く、得られる°チタニア薄膜にひび割れや厚みむらなど
ができやすいという問題がある。
［発明が解決しようとする問題点］
この発明の目的は、従来の方法の上述した問題点を解決
し、ひび割れや厚みむらの少ない、均質なチタニア薄膜
を得る方法を提供するにある。
し、ひび割れや厚みむらの少ない、均質なチタニア薄膜
を得る方法を提供するにある。
［問題点を解決するための手段］
上述した目的を達成するために、この発明においては、
（イ） 下記Ａ群から選ばれた１種のチタニウムアルコ
キシドと、下記Ｂ群から選ばれた１種の加水分解抑制剤
と、下記Ｃ群から選ばれた１種の溶媒とを少なくとも含
む混合物を調製する工程と、Ａ群：チタニウムメトキシ
ド チタニウムエトキシド チタニウムプロポキシド チタニウムブトキシド ８群：モノエタノールアミン ジェタノールアミン トリエタノールアミン ０群：メタノール エタノール プロパノール ブタノール （ロ） 基体上に上記混合物の薄膜を形成する工程と、 （ハ） 上記薄膜を乾燥し、ゲル化せしめる工程と、 （ニ） ゲル化薄膜を焼成し、チタニア薄膜に変換する
工程と、 を含むチタニア薄膜の形成方法が提供される。
キシドと、下記Ｂ群から選ばれた１種の加水分解抑制剤
と、下記Ｃ群から選ばれた１種の溶媒とを少なくとも含
む混合物を調製する工程と、Ａ群：チタニウムメトキシ
ド チタニウムエトキシド チタニウムプロポキシド チタニウムブトキシド ８群：モノエタノールアミン ジェタノールアミン トリエタノールアミン ０群：メタノール エタノール プロパノール ブタノール （ロ） 基体上に上記混合物の薄膜を形成する工程と、 （ハ） 上記薄膜を乾燥し、ゲル化せしめる工程と、 （ニ） ゲル化薄膜を焼成し、チタニア薄膜に変換する
工程と、 を含むチタニア薄膜の形成方法が提供される。
以下、この発明を各工程別にさらに詳細に説明する。
混合物の調製工程二゛
この発明においては、まず、下記Ａｇから選ばれた１種
のチタニウムアルコキシドと、下記Ｂ群から選ばれた１
種の加水分解抑制剤と、下記Ｃ群から選ばれた１種の溶
媒との混合物を調製する。
のチタニウムアルコキシドと、下記Ｂ群から選ばれた１
種の加水分解抑制剤と、下記Ｃ群から選ばれた１種の溶
媒との混合物を調製する。
加水分解抑制剤は、焼成に至るまでの各工程で、加水分
解による、チタニアの、微粒子状の水酸化物等が析出す
るのを防止するものである。なお、Ａ、Ｂ、Ｃ各群から
２種以上を選択、使用することも可能ではあるけれども
、そうしても得られるチタニア薄膜にほとんど優位差は
なく、コスト上昇の不都合のほうがよほど大きい。
解による、チタニアの、微粒子状の水酸化物等が析出す
るのを防止するものである。なお、Ａ、Ｂ、Ｃ各群から
２種以上を選択、使用することも可能ではあるけれども
、そうしても得られるチタニア薄膜にほとんど優位差は
なく、コスト上昇の不都合のほうがよほど大きい。
Ａ群：チタニウムメトキシド
チタニウムエトキシド
チタニウムプロポキシド
チタニウムブトキシド
８群：モノエタノールアミン
ジェタノールアミン
トリエタノールアミン
０群：メタノール
エタノール
プロパノール
ブタノール
上記Ａ群のプロポキシドは、１−プロポキシド、２−プ
ロポキシドのいずれであってもよい。また、ブトキシド
は、１−ブトキシド、２−ブトキシド、イソブトキシド
、ｔ−ブトキシドのいずれであってもよい。
ロポキシドのいずれであってもよい。また、ブトキシド
は、１−ブトキシド、２−ブトキシド、イソブトキシド
、ｔ−ブトキシドのいずれであってもよい。
また、上記０群のプロパツールは、１−プロパツール、
２−プロパツールのいずれであってもよい。ブタノール
は、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール
、ｔ−ブタノールのいずれであってもよい。
２−プロパツールのいずれであってもよい。ブタノール
は、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール
、ｔ−ブタノールのいずれであってもよい。
チタニウムアルコキシド、加水分解抑制剤および溶媒の
混合割合は、それらの種類等によって多少異なるものの
、チタニウムアルコキシドをｍモル、加水分解抑制剤を
ｎモル、溶媒をｐリットルとしたとき、式、 ０．１≦ｎ／ｍ≦１０ ０．０１≦ｍ／ｐ≦１ を満足するように選定するのが好ましい。ｎ／ｍく０．
１では、加水分解を十分に抑制できない場合がある。ま
た、ｎ／ｍ＞１０では、混合物の粘度が高くなり、その
取り扱いが難しくなることがある。さらに、ｍ／ｐ＜０
．０１では、溶媒が多すぎて実用的でない。さらにまた
、ｍ／ｐ＞１では、チタニウムアルコキシドが溶は残る
ことがある。好ましいのは、 ０．５≦ｎ／ｍ≦３ ０．０５≦ｍ／Ｉ）≦０．５ の範囲である。
混合割合は、それらの種類等によって多少異なるものの
、チタニウムアルコキシドをｍモル、加水分解抑制剤を
ｎモル、溶媒をｐリットルとしたとき、式、 ０．１≦ｎ／ｍ≦１０ ０．０１≦ｍ／ｐ≦１ を満足するように選定するのが好ましい。ｎ／ｍく０．
１では、加水分解を十分に抑制できない場合がある。ま
た、ｎ／ｍ＞１０では、混合物の粘度が高くなり、その
取り扱いが難しくなることがある。さらに、ｍ／ｐ＜０
．０１では、溶媒が多すぎて実用的でない。さらにまた
、ｍ／ｐ＞１では、チタニウムアルコキシドが溶は残る
ことがある。好ましいのは、 ０．５≦ｎ／ｍ≦３ ０．０５≦ｍ／Ｉ）≦０．５ の範囲である。
混合操作は、Ａ群のチタニウムアルコキシドと、Ｂ群の
加水分解抑制剤と、０群の溶媒とを同時に混合してもよ
く、また、Ｂ群の加水分解抑制剤と０群の溶媒との混合
物にＡ群のチタニウムアルコキシドを加えて混合するよ
うにしてもよい。このとき、混合操作が完了するまでは
、Ａ群のチタニウムアルコキシドを極力湿気に晒さない
ようにするのが好ましく、乾燥窒素等で置換したグラブ
ボックス内などで行うのが好ましい。しかしながら、そ
れ以）麦の操作は大気中で行うことができる。なお、Ｂ
群の加水分解抑制剤と０群の溶媒は、モレキュラーシー
ブズ等であらかじめ脱水処理しておくのが好ましい。゛ 得られた混合物は、透明またはほとんど透明で、Ａ群の
チタニウムアルコキシドに含まれる不純物の種類と量に
よって、橙色、黄色等を呈する。
加水分解抑制剤と、０群の溶媒とを同時に混合してもよ
く、また、Ｂ群の加水分解抑制剤と０群の溶媒との混合
物にＡ群のチタニウムアルコキシドを加えて混合するよ
うにしてもよい。このとき、混合操作が完了するまでは
、Ａ群のチタニウムアルコキシドを極力湿気に晒さない
ようにするのが好ましく、乾燥窒素等で置換したグラブ
ボックス内などで行うのが好ましい。しかしながら、そ
れ以）麦の操作は大気中で行うことができる。なお、Ｂ
群の加水分解抑制剤と０群の溶媒は、モレキュラーシー
ブズ等であらかじめ脱水処理しておくのが好ましい。゛ 得られた混合物は、透明またはほとんど透明で、Ａ群の
チタニウムアルコキシドに含まれる不純物の種類と量に
よって、橙色、黄色等を呈する。
混合物の薄膜形成工程：
この発明においては、次に、耐熱性基体上に上記混合物
の薄膜を形成する。
の薄膜を形成する。
基体は、後述する焼成温度に耐えるものであればよく、
材料的には、ニッケル、コバルト、クロム、チタン等の
金属またはこれらの金属を主成分とする合金や、炭素、
ケイ素などの無機物や、アルミナ、シリカ、ジルコニア
、チタニア、窒化硼素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化
硼素等のセラミックスや、ガラスなどであればよい。形
状は、繊維状、フィルム状、板状、バルク状など、いず
れであってもよい。これらの基体は、その表面を洗浄し
て油分等を除去しておいたり、研磨して表面を平滑にし
ておいてもよい。
材料的には、ニッケル、コバルト、クロム、チタン等の
金属またはこれらの金属を主成分とする合金や、炭素、
ケイ素などの無機物や、アルミナ、シリカ、ジルコニア
、チタニア、窒化硼素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化
硼素等のセラミックスや、ガラスなどであればよい。形
状は、繊維状、フィルム状、板状、バルク状など、いず
れであってもよい。これらの基体は、その表面を洗浄し
て油分等を除去しておいたり、研磨して表面を平滑にし
ておいてもよい。
薄膜の形成は、刷毛、ローラー等による塗イ［や、スプ
レーによる塗布や、混合物に基体を浸漬して引き上げる
デイツプコート法などによることができる。なかでも、
デイツプコート法によるのが最も好ましい。
レーによる塗布や、混合物に基体を浸漬して引き上げる
デイツプコート法などによることができる。なかでも、
デイツプコート法によるのが最も好ましい。
基体上に形成した薄膜は、触れると濡れ、また基体を傾
けると流動する。
けると流動する。
乾燥、ゲル化工程：
この発明においては、次に、基体上に形成した混合物の
薄膜を乾燥し、０群の溶媒を飛散させてＡ群のチタニウ
ムアルコキシドとＢ群の加水分解抑制剤とからなるゲル
化薄膜とする。
薄膜を乾燥し、０群の溶媒を飛散させてＡ群のチタニウ
ムアルコキシドとＢ群の加水分解抑制剤とからなるゲル
化薄膜とする。
この工程は、常温で行ってもよく、また、５０〜８０’
Ｃ程度の恒温で行ってもよい。さらに、１％以下の湿度
に制御されたグラブボックス内で行ってもよい。ゲル化
薄膜は、基体を傾けても流動することはないが、指で押
すと指紋がつく。わずかに黄色味を帯びていることが多
い。
Ｃ程度の恒温で行ってもよい。さらに、１％以下の湿度
に制御されたグラブボックス内で行ってもよい。ゲル化
薄膜は、基体を傾けても流動することはないが、指で押
すと指紋がつく。わずかに黄色味を帯びていることが多
い。
焼成工程：′
この発明においては、次に、上記ゲル化薄膜を基体ごと
焼成し、チタニア薄膜に変換する。この焼成は、たとえ
ば次のようにして行う。
焼成し、チタニア薄膜に変換する。この焼成は、たとえ
ば次のようにして行う。
すなわち、ゲル化薄膜を基体ごと炉に入れ、１〜ｂ
４００〜１５００℃、好ましくは６００〜８００℃まで
昇温し、その温度に数十分から数時間保持した後、１〜
ｂ 分の速度で室温まで冷却することによって行う。
昇温し、その温度に数十分から数時間保持した後、１〜
ｂ 分の速度で室温まで冷却することによって行う。
昇温や降温の速度があまり大きいと、得られるチタニア
薄膜にひび割れ等ができることがある。また、焼成温度
は、ゲル化薄膜がチタニア薄膜に変換される温度で、そ
れは上述したように４００〜１５００’Ｃ，好ましくは
６００〜ａｏｏ’ｃである。
薄膜にひび割れ等ができることがある。また、焼成温度
は、ゲル化薄膜がチタニア薄膜に変換される温度で、そ
れは上述したように４００〜１５００’Ｃ，好ましくは
６００〜ａｏｏ’ｃである。
次に、実施例に基いてこの発明をざらに詳細に説明する
。
。
実施例１
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのモノエタノールアミンと、０．１リツトル
のメタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのモノエタノールアミンと、０．１リツトル
のメタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
一方、長ざ４Ｑｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み０．５ｍｍの石
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、１分後
、垂直に１０Ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に１０Ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記簿膜を５０’Ｃの恒温炉中で１時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
℃／分の速度で７００’Ｃまで昇温し、その温度に１時
間保持した俊、６°Ｃ／分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
℃／分の速度で７００’Ｃまで昇温し、その温度に１時
間保持した俊、６°Ｃ／分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学類゛微鏡を用いて６００
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例２
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例１と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
用いたほかは実施例１と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
このチタニア薄膜も、実施例１で１ｑられたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例３
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム２−プロボキ
シドを用いたほかは実施例１と全く同様にして、チタニ
アＩｖを１９だ。
シドを用いたほかは実施例１と全く同様にして、チタニ
アＩｖを１９だ。
このチタニア薄膜も、実施例１で１与られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例４
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム１−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例１と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例１と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
このチクニア薄膜も、実施例１で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
実施例５
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのジェタノールアミンと、０．１リツトルの
メタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのジェタノールアミンと、０．１リツトルの
メタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
一方、長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚みＱ、５ｍｍの石
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、１分後
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の簿膜を形成した。
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の簿膜を形成した。
次に、上記薄膜を５０’Ｃの恒温炉中で１時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
°Ｃ／分の速度で７００ ’Ｃまで昇温し、その温度に
１時間保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
°Ｃ／分の速度で７００ ’Ｃまで昇温し、その温度に
１時間保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
）ｑられたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて６００
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例６
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例５と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
用いたほかは実施例５と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
このチタニア薄膜も、実施例５で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
Ｘ旌盟ユ
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例５と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を１ワだ。
シドを用いたほかは実施例５と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を１ワだ。
このチタニア薄膜も、実施例５で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
実施例８ ゛
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム１−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例５と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例５と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例５で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
実施例９
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、ｏ
、ｏｉモルのトリエタノールアミンと、０．１リツトル
のメタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、ｏ
、ｏｉモルのトリエタノールアミンと、０．１リツトル
のメタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
一方、長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み０．５＋ｎｍノ
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、１分後
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を５０°Ｃの恒温炉中で１時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
°Ｃ／分の速度で７００°Ｃまで昇温し、その温度に１
時間保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
°Ｃ／分の速度で７００°Ｃまで昇温し、その温度に１
時間保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
ｊｑられたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて６００
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
火策桝ユ旦
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例９と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
用いたほかは実施例９と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
このチタニア薄膜も、実施例９で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
Ｘ鳳五ユニ
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例９と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例９と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例９で得られたものと同様、
極めて均質でめった。
極めて均質でめった。
実施例１２
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム１−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例９と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例９と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例９で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
実施例１３
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのモノエタノールアミンと、０．１リツトル
のエタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのモノエタノールアミンと、０．１リツトル
のエタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
一方、長さ４０ｍｍ、幅’ｌＱｍｍ、厚み０．５ｍｍノ
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に石英ガラス板を浸漬し、１分後、垂
直に１０Ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板上に
混合物の薄膜を形成した。
直に１０Ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板上に
混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を５０℃の恒温炉中で１時間乾燥し、ゲ
ル化させた。
ル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
°Ｃ／分の速度で７００℃まで昇温し、その温度に１時
間保持した俊、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
°Ｃ／分の速度で７００℃まで昇温し、その温度に１時
間保持した俊、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
１ｑられたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて６００
倍で観察したところ、ひび割れ笠は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、：１＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ笠は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、：１＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
衷癒皿ユＡ
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例１３と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例１３と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例１３で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例１５
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例１３と全く同様にして、チタ
ニア簿膜を１ｑた。
シドを用いたほかは実施例１３と全く同様にして、チタ
ニア簿膜を１ｑた。
このチタニア薄膜も、実施例１３で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
亙血叢ユｌ
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム１−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例１３と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例１３と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例１３で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
衷旌叢ユニ
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのジェタノールアミンと、０．１リツトルの
エタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのジェタノールアミンと、０．１リツトルの
エタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
一方、長さ４０ｍｍ、幅１Ｑｍｍ、厚みＱ、５ｍｍの石
英ガラス板を、１〜リクレン、アセ１〜ン、エタノール
、純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最
後に高純度乾燥窒素を吹き付Ｃブで乾燥した。
英ガラス板を、１〜リクレン、アセ１〜ン、エタノール
、純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最
後に高純度乾燥窒素を吹き付Ｃブで乾燥した。
次に、上記混合物に石英ガラス板を浸漬し、１分後、垂
直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板上に
混合物の薄膜を形成した。
直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板上に
混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を５０℃の恒温炉中で１時間乾燥し、ゲ
ル化させた。
ル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
°Ｃ／分の速度で７００ ’Ｃまで界温し、その温度に
１時間保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
°Ｃ／分の速度で７００ ’Ｃまで界温し、その温度に
１時間保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて６００倍
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝２
５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝２
５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
衷塵叢ユ旦
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例１７と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例１７と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例１７で１ｑられたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
衷塵烈ユ３
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例１７と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例１７と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例１７で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例２０
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム１−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例１７と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例１７と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例１７で１ｑられたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
実施例２１
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのトリエタノールアミンと、０．１リツトル
のエタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのトリエタノールアミンと、０．１リツトル
のエタノールとを１時間混合し、混合物を調製した。
一方、長さ４Ｑｍｍ、幅１Ｑｍｍ、厚みＱ、５ｍｍの石
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、１分後
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を５０℃の恒温炉中で１時間乾燥し、ゲ
ル化させた。
ル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
℃／分の速度で７００’Ｃまで昇温し、その温度に１時
間保持した後、６°Ｃ／分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
℃／分の速度で７００’Ｃまで昇温し、その温度に１時
間保持した後、６°Ｃ／分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
１７られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて６００
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例２２
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例２１と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例２１と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例２１で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例２３
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例２１と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例２１と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例２１で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例２４
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム１−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例２１と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例２１と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例２１で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
Ｘ匹叢ｌ互
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターク−
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのモノエタノールアミンと、０．１リツトル
の２−プロパツールとを１時間混合し、混合物を調製し
た。
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのモノエタノールアミンと、０．１リツトル
の２−プロパツールとを１時間混合し、混合物を調製し
た。
一方、長ざ４Ｑｍ、ｍ、幅１０ｍｍ、厚み０．５ｍｍの
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、１分蜜
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のＵ膜を形成した。
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のＵ膜を形成した。
次に、上記薄膜を５０″Ｃの恒温炉中で１時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
℃／分の速度で７００℃まで昇温し、その温度に１時間
保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
℃／分の速度で７００℃まで昇温し、その温度に１時間
保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
得られたチタニア簿膜を、光学顕微鏡を用いて６００倍
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２０＝２
５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２０＝２
５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
実施例２６
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例２５と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例２５と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例２５で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例２７
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例２５と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を）ｑた。
シドを用いたほかは実施例２５と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を）ｑた。
このチタニア薄膜も、実施例２５で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
大塵ｆＰＪ ２旦
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム１−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例２５と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例２５と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例２５で１７られたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
実施例２９
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのジェタノールアミンと、０．１リツトルの
２−プロパツールとを１時間混合し、混合物を調製した
。
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのジェタノールアミンと、０．１リツトルの
２−プロパツールとを１時間混合し、混合物を調製した
。
一方、長さ４Ｑｍｍ、幅’ｌＱｍｍ、厚み０．５ｍｍの
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、１分後
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を５０’Ｃの恒温炉中で１時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
°Ｃ／分の速度で７００℃まで昇温し、その温度に１時
間保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
°Ｃ／分の速度で７００℃まで昇温し、その温度に１時
間保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて６００倍
で１２察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
で１２察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例３０
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例２９と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例２９と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このデクニア薄膜も、実施例２９で１７られたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
実施例３１
チタニウムエトキシドに代えてチタニウム２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例２９と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例２９と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例２９で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例３２
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム１−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例２９と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例２９と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例２９で１ｑられたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
実施例３３
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのトリエタノールアミンと、０．１リツトル
の２−プロパツールとを１時間混合し、混合物を調製し
た。
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのトリエタノールアミンと、０．１リツトル
の２−プロパツールとを１時間混合し、混合物を調製し
た。
一方、長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み０．５ｍｍ（７
）石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール
、純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最
後に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
）石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール
、純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最
後に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、１分後
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のＦａ膜を形成した。
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のＦａ膜を形成した。
次に、上記薄膜を５０’Ｃの恒温炉中で１時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
℃／分の速度で７００’Ｃまで昇温し、その温度に１時
間保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
℃／分の速度で７００’Ｃまで昇温し、その温度に１時
間保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて６００倍
で観察したところ、ひびｖｊれ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
で観察したところ、ひびｖｊれ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例３４
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例３３と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例３３と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例３３で１ｑられたものと同
様、極めて均質でめった。
様、極めて均質でめった。
宋塵叢旦支
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例３３と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を１ｑた。
シドを用いたほかは実施例３３と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を１ｑた。
このチタニア薄膜も、実施例３３で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例３６
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム１−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例３３と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を１ｑた。
ドを用いたほかは実施例３３と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を１ｑた。
このチタニア薄膜も、実施例３３で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例３７
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのモノエタノールアミンと、０．１リツトル
の１−ブタノールとを１時間混合し、混合物を調製した
。
を用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、０
．０１モルのモノエタノールアミンと、０．１リツトル
の１−ブタノールとを１時間混合し、混合物を調製した
。
一方、長さ４Ｑｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み０．５１１１１
１１（７）石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エ
タノール、純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗
浄し、最後に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
１１（７）石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エ
タノール、純水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗
浄し、最後に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸潤し、１分後
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を５０°Ｃの恒温炉中で１時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
℃／分の速度で７００℃まで昇温し、その温度に１時間
保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
℃／分の速度で７００℃まで昇温し、その温度に１時間
保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
１７られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて６００
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２０＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２０＝
２５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例３８
チタニウムエトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例３７と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例３７と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例３７で１７られたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
実施例１ユ
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例３７と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例３７と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例３７で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例４０
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム１−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例３７と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を１１だ。
ドを用いたほかは実施例３７と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を１１だ。
このチタニア薄膜も、実施例３７で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例４１
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、・スターラ
ーを用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、
０．０１モルのジェタノールアミンと、０．１リツトル
の１−ブタノールとを１時間混合し、混合物を調製した
。
ーを用いて、０．０１モルのチタニウムメトキシドと、
０．０１モルのジェタノールアミンと、０．１リツトル
の１−ブタノールとを１時間混合し、混合物を調製した
。
一方、長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚み０．５ｍｍの石
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、１分後
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のＫｇ膜を形成した。
、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のＫｇ膜を形成した。
次に、上記薄膜を５０℃の恒温炉中で１時間乾燥し、ゲ
ル化させた。
ル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
℃／分の速度で７００℃まで昇温し、その温度に１時間
保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
℃／分の速度で７００℃まで昇温し、その温度に１時間
保持した後、６℃／分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて６００倍
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝２
５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２θ＝２
５°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
Ｘ塵拠Ａユ
ヂタニウムメ１−キシドに代えてチタニウムエトキシド
を用いたほかは実施例４１と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
を用いたほかは実施例４１と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例４１で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例４３
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例４１と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例４１と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例４１で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例４４
ヂタニ「ジムメトキシドに代えてチタニウム１−ブトキ
シドを用いたほかは実施例４１と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例４１と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例４１で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例４５
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、０．０１モルのチタニウムアルコキシドと、
０．０１モルの１〜リエタノールアミンと、０．１リツ
トルの１−ブタノールとを１時間混合し、混合物を調製
した。
を用いて、０．０１モルのチタニウムアルコキシドと、
０．０１モルの１〜リエタノールアミンと、０．１リツ
トルの１−ブタノールとを１時間混合し、混合物を調製
した。
一方、長さ４０ｍｍ１幅１Ｑｍｍ、厚み０．５ｍｍノ石
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ３分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記５英カラス板を浸漬し、１分後
、垂直に１０Ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に１０Ｃｍ／分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を５０’Ｃの恒温炉中で１時間※２燥し
、ゲル化させた。
、ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、６
°Ｃ／分の速度で７００’Ｃまで昇温し、その温度に１
時間保持した後、６°Ｃ／分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
°Ｃ／分の速度で７００’Ｃまで昇温し、その温度に１
時間保持した後、６°Ｃ／分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて６００倍
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２０＝２
５’の位置にチタニアのピークか認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、Ｘ線回折法を用いて分析したところ、２０＝２
５’の位置にチタニアのピークか認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
実施例４６
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例４５と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例４５と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例４５で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例４７
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例４５と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を１７だ。
シドを用いたほかは実施例４５と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を１７だ。
このチタニア薄膜も、実施例４５で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例４８
ヂタニウムメ］ヘキシドに代えてチタニウム１−ブトキ
シドを用いたほかは実施例４５と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を１″Ｉた。
シドを用いたほかは実施例４５と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を１″Ｉた。
このチタニア薄膜も、実施例４５で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
［発明の効果］
この発明は、チタニウムアルコキシドと、加水分解抑制
剤と、溶媒とを含む混合物、すなわら液体を出発原料と
するもので必り、上述した従来の方法のようなゾルを出
発原料とするものではなく、しかも、加水分解抑制剤の
使用によって、チタニウムアルコキシドが加水分解され
て、チタニウムの、微粒子状の水酸化物等が析出してく
るのを防止することができるから、得られるチタニア薄
膜にひび割れや厚みむらができにくい。しかも、チタニ
アの特長でおる耐熱性、耐食性、耐摩耗性、表面平滑性
、電気絶縁性、誘電性、高光屈折率性といった特性が損
われることもない。
剤と、溶媒とを含む混合物、すなわら液体を出発原料と
するもので必り、上述した従来の方法のようなゾルを出
発原料とするものではなく、しかも、加水分解抑制剤の
使用によって、チタニウムアルコキシドが加水分解され
て、チタニウムの、微粒子状の水酸化物等が析出してく
るのを防止することができるから、得られるチタニア薄
膜にひび割れや厚みむらができにくい。しかも、チタニ
アの特長でおる耐熱性、耐食性、耐摩耗性、表面平滑性
、電気絶縁性、誘電性、高光屈折率性といった特性が損
われることもない。
この発明の方法は、上）ホした特長から、たとえば、Ｉ
Ｃ回路に電気絶縁性や誘電性を付与する目的でチタニア
薄膜を形成したり、電気絶縁性の薄板にチタニア薄膜を
形成してそれて積層型コンデンサーを構成したり、電気
絶縁性の薄板にチタニア薄膜を形成し、それを積層して
、落雷なとの瞬間的な大電流を吸収する、いわゆるサー
ジアブソーバ−として使用したり、種々の基体上にチタ
ニア薄膜を形成してそれを先導波路における高屈折率膜
として使用したり、レンズ、プリズム、その他の光学部
品を保護する目的でそれらの表面にチタニア薄膜を形成
したりするような場合に適用することができる。
Ｃ回路に電気絶縁性や誘電性を付与する目的でチタニア
薄膜を形成したり、電気絶縁性の薄板にチタニア薄膜を
形成してそれて積層型コンデンサーを構成したり、電気
絶縁性の薄板にチタニア薄膜を形成し、それを積層して
、落雷なとの瞬間的な大電流を吸収する、いわゆるサー
ジアブソーバ−として使用したり、種々の基体上にチタ
ニア薄膜を形成してそれを先導波路における高屈折率膜
として使用したり、レンズ、プリズム、その他の光学部
品を保護する目的でそれらの表面にチタニア薄膜を形成
したりするような場合に適用することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （イ）下記Ａ群から選ばれた１種のチタニウムアルコキ
シドと、下記Ｂ群から選ばれた１種の加水分解抑制剤と
、下記Ｃ群から選ばれた１種の溶媒とを少なくとも含む
混合物を調製する工程と、Ａ群：チタニウムメトキシド チタニウムエトキシド チタニウムプロポキシド チタニウムブトキシド Ｂ群：モノエタノールアミン ジエタノールアミン トリエタノールアミン Ｃ群：メタノール エタノール プロパノール ブタノール （ロ）基体上に前記混合物の薄膜を形成する工程と、 （ハ）前記薄膜を乾燥し、ゲル化せしめる工程と、 （ニ）ゲル化薄膜を焼成し、チタニア薄膜に変換する工
程と、 を含むチタニア薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263610A JPH0714834B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | チタニア薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263610A JPH0714834B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | チタニア薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108161A true JPH01108161A (ja) | 1989-04-25 |
| JPH0714834B2 JPH0714834B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=17391932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62263610A Expired - Fee Related JPH0714834B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | チタニア薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714834B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001233615A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti | 三次元構造を有するメソポーラスＴｉＯ２薄膜及びその製造法 |
| WO2006109705A1 (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-19 | Kao Corporation | 光学器材用コーティング剤 |
| JP2008270804A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
| CN113372109A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-09-10 | 景德镇陶瓷大学 | 一种大面积无缺陷纳米量级厚度致密陶瓷薄膜的制备方法及其制得的陶瓷薄膜 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008297537A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-12-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物及びこれを用いた膜状光学部材、並びに樹脂組成物製造方法 |
| WO2009051023A1 (ja) * | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 樹脂組成物及びこれを用いた膜状光学部材並びに樹脂組成物の製造方法 |
| JPWO2009075287A1 (ja) * | 2007-12-11 | 2011-04-28 | 日立化成工業株式会社 | 高屈折樹脂組成物及びこれを用いた膜状光学部材並びに高屈折樹脂組成物の製造方法 |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP62263610A patent/JPH0714834B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001233615A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti | 三次元構造を有するメソポーラスＴｉＯ２薄膜及びその製造法 |
| WO2006109705A1 (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-19 | Kao Corporation | 光学器材用コーティング剤 |
| AU2006234416B2 (en) * | 2005-04-07 | 2010-01-28 | Kao Corporation | Coating agent for optical instrument |
| JP2008270804A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
| JP4734369B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2011-07-27 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | キャパシタ及びその製造方法 |
| US8199456B2 (en) | 2007-04-18 | 2012-06-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor and manufacturing method thereof |
| CN113372109A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-09-10 | 景德镇陶瓷大学 | 一种大面积无缺陷纳米量级厚度致密陶瓷薄膜的制备方法及其制得的陶瓷薄膜 |
| CN113372109B (zh) * | 2021-05-18 | 2022-12-13 | 景德镇陶瓷大学 | 一种大面积无缺陷纳米量级厚度致密陶瓷薄膜的制备方法及其制得的陶瓷薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714834B2 (ja) | 1995-02-22 |
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