JPH01108161A - チタニア薄膜の形成方法 - Google Patents
チタニア薄膜の形成方法Info
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- JPH01108161A JPH01108161A JP62263610A JP26361087A JPH01108161A JP H01108161 A JPH01108161 A JP H01108161A JP 62263610 A JP62263610 A JP 62263610A JP 26361087 A JP26361087 A JP 26361087A JP H01108161 A JPH01108161 A JP H01108161A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、基体上に、保護膜、誘電膜、電気絶縁膜、
高光屈折率膜等として作用するチタニア薄膜を形成する
方法に関する。
高光屈折率膜等として作用するチタニア薄膜を形成する
方法に関する。
[従来の技術]
基体上にチタニア薄膜を形成する方法は、いろいろある
。たとえば、特開昭59−26966号公報には、いわ
ゆるゾル・ゲル法と呼ばれる方法が記載されている。こ
の方法は、チタニアの微粒子を分散相とし、水を分散媒
とするゾルを調製する工程と、水の存在下に上記ゾルに
熱可塑性バインダーを添加してそれらの混合物を調製す
る工程と、基体上に上記混合物の薄膜を形成する工程と
、上記薄膜を乾燥し、ゾルをゲル化させる工程と、ゲル
化薄膜を焼成し、チタニア薄膜に変換する工程と、を含
むものである。ところが、この方法は、ゾルを、いわゆ
る出発原料とするから、チタニアの微粒子が沈降しやす
く、得られる°チタニア薄膜にひび割れや厚みむらなど
ができやすいという問題がある。
。たとえば、特開昭59−26966号公報には、いわ
ゆるゾル・ゲル法と呼ばれる方法が記載されている。こ
の方法は、チタニアの微粒子を分散相とし、水を分散媒
とするゾルを調製する工程と、水の存在下に上記ゾルに
熱可塑性バインダーを添加してそれらの混合物を調製す
る工程と、基体上に上記混合物の薄膜を形成する工程と
、上記薄膜を乾燥し、ゾルをゲル化させる工程と、ゲル
化薄膜を焼成し、チタニア薄膜に変換する工程と、を含
むものである。ところが、この方法は、ゾルを、いわゆ
る出発原料とするから、チタニアの微粒子が沈降しやす
く、得られる°チタニア薄膜にひび割れや厚みむらなど
ができやすいという問題がある。
[発明が解決しようとする問題点]
この発明の目的は、従来の方法の上述した問題点を解決
し、ひび割れや厚みむらの少ない、均質なチタニア薄膜
を得る方法を提供するにある。
し、ひび割れや厚みむらの少ない、均質なチタニア薄膜
を得る方法を提供するにある。
[問題点を解決するための手段]
上述した目的を達成するために、この発明においては、
(イ) 下記A群から選ばれた1種のチタニウムアルコ
キシドと、下記B群から選ばれた1種の加水分解抑制剤
と、下記C群から選ばれた1種の溶媒とを少なくとも含
む混合物を調製する工程と、A群:チタニウムメトキシ
ド チタニウムエトキシド チタニウムプロポキシド チタニウムブトキシド 8群:モノエタノールアミン ジェタノールアミン トリエタノールアミン 0群:メタノール エタノール プロパノール ブタノール (ロ) 基体上に上記混合物の薄膜を形成する工程と、 (ハ) 上記薄膜を乾燥し、ゲル化せしめる工程と、 (ニ) ゲル化薄膜を焼成し、チタニア薄膜に変換する
工程と、 を含むチタニア薄膜の形成方法が提供される。
キシドと、下記B群から選ばれた1種の加水分解抑制剤
と、下記C群から選ばれた1種の溶媒とを少なくとも含
む混合物を調製する工程と、A群:チタニウムメトキシ
ド チタニウムエトキシド チタニウムプロポキシド チタニウムブトキシド 8群:モノエタノールアミン ジェタノールアミン トリエタノールアミン 0群:メタノール エタノール プロパノール ブタノール (ロ) 基体上に上記混合物の薄膜を形成する工程と、 (ハ) 上記薄膜を乾燥し、ゲル化せしめる工程と、 (ニ) ゲル化薄膜を焼成し、チタニア薄膜に変換する
工程と、 を含むチタニア薄膜の形成方法が提供される。
以下、この発明を各工程別にさらに詳細に説明する。
混合物の調製工程二゛
この発明においては、まず、下記Agから選ばれた1種
のチタニウムアルコキシドと、下記B群から選ばれた1
種の加水分解抑制剤と、下記C群から選ばれた1種の溶
媒との混合物を調製する。
のチタニウムアルコキシドと、下記B群から選ばれた1
種の加水分解抑制剤と、下記C群から選ばれた1種の溶
媒との混合物を調製する。
加水分解抑制剤は、焼成に至るまでの各工程で、加水分
解による、チタニアの、微粒子状の水酸化物等が析出す
るのを防止するものである。なお、A、B、C各群から
2種以上を選択、使用することも可能ではあるけれども
、そうしても得られるチタニア薄膜にほとんど優位差は
なく、コスト上昇の不都合のほうがよほど大きい。
解による、チタニアの、微粒子状の水酸化物等が析出す
るのを防止するものである。なお、A、B、C各群から
2種以上を選択、使用することも可能ではあるけれども
、そうしても得られるチタニア薄膜にほとんど優位差は
なく、コスト上昇の不都合のほうがよほど大きい。
A群:チタニウムメトキシド
チタニウムエトキシド
チタニウムプロポキシド
チタニウムブトキシド
8群:モノエタノールアミン
ジェタノールアミン
トリエタノールアミン
0群:メタノール
エタノール
プロパノール
ブタノール
上記A群のプロポキシドは、1−プロポキシド、2−プ
ロポキシドのいずれであってもよい。また、ブトキシド
は、1−ブトキシド、2−ブトキシド、イソブトキシド
、t−ブトキシドのいずれであってもよい。
ロポキシドのいずれであってもよい。また、ブトキシド
は、1−ブトキシド、2−ブトキシド、イソブトキシド
、t−ブトキシドのいずれであってもよい。
また、上記0群のプロパツールは、1−プロパツール、
2−プロパツールのいずれであってもよい。ブタノール
は、1−ブタノール、2−ブタノール、イソブタノール
、t−ブタノールのいずれであってもよい。
2−プロパツールのいずれであってもよい。ブタノール
は、1−ブタノール、2−ブタノール、イソブタノール
、t−ブタノールのいずれであってもよい。
チタニウムアルコキシド、加水分解抑制剤および溶媒の
混合割合は、それらの種類等によって多少異なるものの
、チタニウムアルコキシドをmモル、加水分解抑制剤を
nモル、溶媒をpリットルとしたとき、式、 0.1≦n/m≦10 0.01≦m/p≦1 を満足するように選定するのが好ましい。n/mく0.
1では、加水分解を十分に抑制できない場合がある。ま
た、n/m>10では、混合物の粘度が高くなり、その
取り扱いが難しくなることがある。さらに、m/p<0
.01では、溶媒が多すぎて実用的でない。さらにまた
、m/p>1では、チタニウムアルコキシドが溶は残る
ことがある。好ましいのは、 0.5≦n/m≦3 0.05≦m/I)≦0.5 の範囲である。
混合割合は、それらの種類等によって多少異なるものの
、チタニウムアルコキシドをmモル、加水分解抑制剤を
nモル、溶媒をpリットルとしたとき、式、 0.1≦n/m≦10 0.01≦m/p≦1 を満足するように選定するのが好ましい。n/mく0.
1では、加水分解を十分に抑制できない場合がある。ま
た、n/m>10では、混合物の粘度が高くなり、その
取り扱いが難しくなることがある。さらに、m/p<0
.01では、溶媒が多すぎて実用的でない。さらにまた
、m/p>1では、チタニウムアルコキシドが溶は残る
ことがある。好ましいのは、 0.5≦n/m≦3 0.05≦m/I)≦0.5 の範囲である。
混合操作は、A群のチタニウムアルコキシドと、B群の
加水分解抑制剤と、0群の溶媒とを同時に混合してもよ
く、また、B群の加水分解抑制剤と0群の溶媒との混合
物にA群のチタニウムアルコキシドを加えて混合するよ
うにしてもよい。このとき、混合操作が完了するまでは
、A群のチタニウムアルコキシドを極力湿気に晒さない
ようにするのが好ましく、乾燥窒素等で置換したグラブ
ボックス内などで行うのが好ましい。しかしながら、そ
れ以)麦の操作は大気中で行うことができる。なお、B
群の加水分解抑制剤と0群の溶媒は、モレキュラーシー
ブズ等であらかじめ脱水処理しておくのが好ましい。゛ 得られた混合物は、透明またはほとんど透明で、A群の
チタニウムアルコキシドに含まれる不純物の種類と量に
よって、橙色、黄色等を呈する。
加水分解抑制剤と、0群の溶媒とを同時に混合してもよ
く、また、B群の加水分解抑制剤と0群の溶媒との混合
物にA群のチタニウムアルコキシドを加えて混合するよ
うにしてもよい。このとき、混合操作が完了するまでは
、A群のチタニウムアルコキシドを極力湿気に晒さない
ようにするのが好ましく、乾燥窒素等で置換したグラブ
ボックス内などで行うのが好ましい。しかしながら、そ
れ以)麦の操作は大気中で行うことができる。なお、B
群の加水分解抑制剤と0群の溶媒は、モレキュラーシー
ブズ等であらかじめ脱水処理しておくのが好ましい。゛ 得られた混合物は、透明またはほとんど透明で、A群の
チタニウムアルコキシドに含まれる不純物の種類と量に
よって、橙色、黄色等を呈する。
混合物の薄膜形成工程:
この発明においては、次に、耐熱性基体上に上記混合物
の薄膜を形成する。
の薄膜を形成する。
基体は、後述する焼成温度に耐えるものであればよく、
材料的には、ニッケル、コバルト、クロム、チタン等の
金属またはこれらの金属を主成分とする合金や、炭素、
ケイ素などの無機物や、アルミナ、シリカ、ジルコニア
、チタニア、窒化硼素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化
硼素等のセラミックスや、ガラスなどであればよい。形
状は、繊維状、フィルム状、板状、バルク状など、いず
れであってもよい。これらの基体は、その表面を洗浄し
て油分等を除去しておいたり、研磨して表面を平滑にし
ておいてもよい。
材料的には、ニッケル、コバルト、クロム、チタン等の
金属またはこれらの金属を主成分とする合金や、炭素、
ケイ素などの無機物や、アルミナ、シリカ、ジルコニア
、チタニア、窒化硼素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化
硼素等のセラミックスや、ガラスなどであればよい。形
状は、繊維状、フィルム状、板状、バルク状など、いず
れであってもよい。これらの基体は、その表面を洗浄し
て油分等を除去しておいたり、研磨して表面を平滑にし
ておいてもよい。
薄膜の形成は、刷毛、ローラー等による塗イ[や、スプ
レーによる塗布や、混合物に基体を浸漬して引き上げる
デイツプコート法などによることができる。なかでも、
デイツプコート法によるのが最も好ましい。
レーによる塗布や、混合物に基体を浸漬して引き上げる
デイツプコート法などによることができる。なかでも、
デイツプコート法によるのが最も好ましい。
基体上に形成した薄膜は、触れると濡れ、また基体を傾
けると流動する。
けると流動する。
乾燥、ゲル化工程:
この発明においては、次に、基体上に形成した混合物の
薄膜を乾燥し、0群の溶媒を飛散させてA群のチタニウ
ムアルコキシドとB群の加水分解抑制剤とからなるゲル
化薄膜とする。
薄膜を乾燥し、0群の溶媒を飛散させてA群のチタニウ
ムアルコキシドとB群の加水分解抑制剤とからなるゲル
化薄膜とする。
この工程は、常温で行ってもよく、また、50〜80’
C程度の恒温で行ってもよい。さらに、1%以下の湿度
に制御されたグラブボックス内で行ってもよい。ゲル化
薄膜は、基体を傾けても流動することはないが、指で押
すと指紋がつく。わずかに黄色味を帯びていることが多
い。
C程度の恒温で行ってもよい。さらに、1%以下の湿度
に制御されたグラブボックス内で行ってもよい。ゲル化
薄膜は、基体を傾けても流動することはないが、指で押
すと指紋がつく。わずかに黄色味を帯びていることが多
い。
焼成工程:′
この発明においては、次に、上記ゲル化薄膜を基体ごと
焼成し、チタニア薄膜に変換する。この焼成は、たとえ
ば次のようにして行う。
焼成し、チタニア薄膜に変換する。この焼成は、たとえ
ば次のようにして行う。
すなわち、ゲル化薄膜を基体ごと炉に入れ、1〜b
400〜1500℃、好ましくは600〜800℃まで
昇温し、その温度に数十分から数時間保持した後、1〜
b 分の速度で室温まで冷却することによって行う。
昇温し、その温度に数十分から数時間保持した後、1〜
b 分の速度で室温まで冷却することによって行う。
昇温や降温の速度があまり大きいと、得られるチタニア
薄膜にひび割れ等ができることがある。また、焼成温度
は、ゲル化薄膜がチタニア薄膜に変換される温度で、そ
れは上述したように400〜1500’C,好ましくは
600〜aoo’cである。
薄膜にひび割れ等ができることがある。また、焼成温度
は、ゲル化薄膜がチタニア薄膜に変換される温度で、そ
れは上述したように400〜1500’C,好ましくは
600〜aoo’cである。
次に、実施例に基いてこの発明をざらに詳細に説明する
。
。
実施例1
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのモノエタノールアミンと、0.1リツトル
のメタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのモノエタノールアミンと、0.1リツトル
のメタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
一方、長ざ4Qmm、幅10mm、厚み0.5mmの石
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、1分後
、垂直に10Cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に10Cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記簿膜を50’Cの恒温炉中で1時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
℃/分の速度で700’Cまで昇温し、その温度に1時
間保持した俊、6°C/分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
℃/分の速度で700’Cまで昇温し、その温度に1時
間保持した俊、6°C/分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学類゛微鏡を用いて600
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例2
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例1と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
用いたほかは実施例1と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
このチタニア薄膜も、実施例1で1qられたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例3
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム2−プロボキ
シドを用いたほかは実施例1と全く同様にして、チタニ
アIvを19だ。
シドを用いたほかは実施例1と全く同様にして、チタニ
アIvを19だ。
このチタニア薄膜も、実施例1で1与られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例4
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム1−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例1と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例1と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
このチクニア薄膜も、実施例1で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
実施例5
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのジェタノールアミンと、0.1リツトルの
メタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのジェタノールアミンと、0.1リツトルの
メタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
一方、長さ40mm、幅10mm、厚みQ、5mmの石
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、1分後
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の簿膜を形成した。
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の簿膜を形成した。
次に、上記薄膜を50’Cの恒温炉中で1時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
°C/分の速度で700 ’Cまで昇温し、その温度に
1時間保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
°C/分の速度で700 ’Cまで昇温し、その温度に
1時間保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
)qられたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて600
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例6
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例5と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
用いたほかは実施例5と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
このチタニア薄膜も、実施例5で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
X旌盟ユ
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム2−プロポキ
シドを用いたほかは実施例5と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を1ワだ。
シドを用いたほかは実施例5と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を1ワだ。
このチタニア薄膜も、実施例5で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
実施例8 ゛
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム1−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例5と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例5と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例5で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
実施例9
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、o
、oiモルのトリエタノールアミンと、0.1リツトル
のメタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、o
、oiモルのトリエタノールアミンと、0.1リツトル
のメタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
一方、長さ40mm、幅10mm、厚み0.5+nmノ
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、1分後
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を50°Cの恒温炉中で1時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
°C/分の速度で700°Cまで昇温し、その温度に1
時間保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
°C/分の速度で700°Cまで昇温し、その温度に1
時間保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
jqられたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて600
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
火策桝ユ旦
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例9と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
用いたほかは実施例9と全く同様にして、チタニア薄膜
を得た。
このチタニア薄膜も、実施例9で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
X鳳五ユニ
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム2−プロポキ
シドを用いたほかは実施例9と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例9と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例9で得られたものと同様、
極めて均質でめった。
極めて均質でめった。
実施例12
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム1−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例9と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例9と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例9で得られたものと同様、
極めて均質であった。
極めて均質であった。
実施例13
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのモノエタノールアミンと、0.1リツトル
のエタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのモノエタノールアミンと、0.1リツトル
のエタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
一方、長さ40mm、幅’lQmm、厚み0.5mmノ
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に石英ガラス板を浸漬し、1分後、垂
直に10Cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板上に
混合物の薄膜を形成した。
直に10Cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板上に
混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を50℃の恒温炉中で1時間乾燥し、ゲ
ル化させた。
ル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
°C/分の速度で700℃まで昇温し、その温度に1時
間保持した俊、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
°C/分の速度で700℃まで昇温し、その温度に1時
間保持した俊、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
1qられたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて600
倍で観察したところ、ひび割れ笠は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、:1=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ笠は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、:1=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
衷癒皿ユA
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例13と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例13と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例13で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例15
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム2−プロポキ
シドを用いたほかは実施例13と全く同様にして、チタ
ニア簿膜を1qた。
シドを用いたほかは実施例13と全く同様にして、チタ
ニア簿膜を1qた。
このチタニア薄膜も、実施例13で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
亙血叢ユl
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム1−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例13と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例13と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例13で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
衷旌叢ユニ
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのジェタノールアミンと、0.1リツトルの
エタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのジェタノールアミンと、0.1リツトルの
エタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
一方、長さ40mm、幅1Qmm、厚みQ、5mmの石
英ガラス板を、1〜リクレン、アセ1〜ン、エタノール
、純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最
後に高純度乾燥窒素を吹き付Cブで乾燥した。
英ガラス板を、1〜リクレン、アセ1〜ン、エタノール
、純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最
後に高純度乾燥窒素を吹き付Cブで乾燥した。
次に、上記混合物に石英ガラス板を浸漬し、1分後、垂
直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板上に
混合物の薄膜を形成した。
直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板上に
混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を50℃の恒温炉中で1時間乾燥し、ゲ
ル化させた。
ル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
°C/分の速度で700 ’Cまで界温し、その温度に
1時間保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
°C/分の速度で700 ’Cまで界温し、その温度に
1時間保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて600倍
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=2
5°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=2
5°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
衷塵叢ユ旦
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例17と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例17と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例17で1qられたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
衷塵烈ユ3
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム2−プロポキ
シドを用いたほかは実施例17と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例17と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例17で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例20
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム1−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例17と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例17と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例17で1qられたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
実施例21
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのトリエタノールアミンと、0.1リツトル
のエタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのトリエタノールアミンと、0.1リツトル
のエタノールとを1時間混合し、混合物を調製した。
一方、長さ4Qmm、幅1Qmm、厚みQ、5mmの石
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、1分後
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を50℃の恒温炉中で1時間乾燥し、ゲ
ル化させた。
ル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
℃/分の速度で700’Cまで昇温し、その温度に1時
間保持した後、6°C/分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
℃/分の速度で700’Cまで昇温し、その温度に1時
間保持した後、6°C/分の速度で室温まで降温し、石
英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア
薄膜を得た。
17られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて600
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例22
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例21と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例21と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例21で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例23
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム2−プロポキ
シドを用いたほかは実施例21と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例21と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例21で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例24
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム1−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例21と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例21と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例21で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
X匹叢l互
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターク−
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのモノエタノールアミンと、0.1リツトル
の2−プロパツールとを1時間混合し、混合物を調製し
た。
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのモノエタノールアミンと、0.1リツトル
の2−プロパツールとを1時間混合し、混合物を調製し
た。
一方、長ざ4Qm、m、幅10mm、厚み0.5mmの
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、1分蜜
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のU膜を形成した。
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のU膜を形成した。
次に、上記薄膜を50″Cの恒温炉中で1時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
℃/分の速度で700℃まで昇温し、その温度に1時間
保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
℃/分の速度で700℃まで昇温し、その温度に1時間
保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
得られたチタニア簿膜を、光学顕微鏡を用いて600倍
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、X線回折法を用いて分析したところ、20=2
5°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、X線回折法を用いて分析したところ、20=2
5°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
実施例26
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例25と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例25と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例25で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例27
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム2−プロポキ
シドを用いたほかは実施例25と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を)qた。
シドを用いたほかは実施例25と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を)qた。
このチタニア薄膜も、実施例25で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
大塵fPJ 2旦
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム1−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例25と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例25と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例25で17られたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
実施例29
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのジェタノールアミンと、0.1リツトルの
2−プロパツールとを1時間混合し、混合物を調製した
。
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのジェタノールアミンと、0.1リツトルの
2−プロパツールとを1時間混合し、混合物を調製した
。
一方、長さ4Qmm、幅’lQmm、厚み0.5mmの
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、
純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後
に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、1分後
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を50’Cの恒温炉中で1時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
°C/分の速度で700℃まで昇温し、その温度に1時
間保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
°C/分の速度で700℃まで昇温し、その温度に1時
間保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて600倍
で12察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
で12察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例30
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例29と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例29と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このデクニア薄膜も、実施例29で17られたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
実施例31
チタニウムエトキシドに代えてチタニウム2−プロポキ
シドを用いたほかは実施例29と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例29と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例29で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例32
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム1−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例29と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
ドを用いたほかは実施例29と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例29で1qられたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
実施例33
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのトリエタノールアミンと、0.1リツトル
の2−プロパツールとを1時間混合し、混合物を調製し
た。
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのトリエタノールアミンと、0.1リツトル
の2−プロパツールとを1時間混合し、混合物を調製し
た。
一方、長さ40mm、幅10mm、厚み0.5mm(7
)石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール
、純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最
後に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
)石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール
、純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最
後に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、1分後
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のFa膜を形成した。
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のFa膜を形成した。
次に、上記薄膜を50’Cの恒温炉中で1時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
℃/分の速度で700’Cまで昇温し、その温度に1時
間保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
℃/分の速度で700’Cまで昇温し、その温度に1時
間保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英
ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄
膜を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて600倍
で観察したところ、ひびvjれ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
で観察したところ、ひびvjれ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例34
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例33と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例33と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例33で1qられたものと同
様、極めて均質でめった。
様、極めて均質でめった。
宋塵叢旦支
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム2−プロポキ
シドを用いたほかは実施例33と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を1qた。
シドを用いたほかは実施例33と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を1qた。
このチタニア薄膜も、実施例33で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例36
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム1−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例33と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を1qた。
ドを用いたほかは実施例33と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を1qた。
このチタニア薄膜も、実施例33で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例37
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのモノエタノールアミンと、0.1リツトル
の1−ブタノールとを1時間混合し、混合物を調製した
。
を用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、0
.01モルのモノエタノールアミンと、0.1リツトル
の1−ブタノールとを1時間混合し、混合物を調製した
。
一方、長さ4Qmm、幅10mm、厚み0.51111
11(7)石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エ
タノール、純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗
浄し、最後に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
11(7)石英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エ
タノール、純水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗
浄し、最後に高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸潤し、1分後
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を50°Cの恒温炉中で1時間乾燥し、
ゲル化させた。
ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
℃/分の速度で700℃まで昇温し、その温度に1時間
保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
℃/分の速度で700℃まで昇温し、その温度に1時間
保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
17られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて600
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、20=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
倍で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかっ
た。また、X線回折法を用いて分析したところ、20=
25°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニア
に変換されていることが確認された。
実施例38
チタニウムエトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例37と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例37と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例37で17られたものと同
様、極めて均質であった。
様、極めて均質であった。
実施例1ユ
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム2−プロポキ
シドを用いたほかは実施例37と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例37と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例37で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例40
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム1−ブトキシ
ドを用いたほかは実施例37と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を11だ。
ドを用いたほかは実施例37と全く同様にして、チタニ
ア薄膜を11だ。
このチタニア薄膜も、実施例37で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例41
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、・スターラ
ーを用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、
0.01モルのジェタノールアミンと、0.1リツトル
の1−ブタノールとを1時間混合し、混合物を調製した
。
ーを用いて、0.01モルのチタニウムメトキシドと、
0.01モルのジェタノールアミンと、0.1リツトル
の1−ブタノールとを1時間混合し、混合物を調製した
。
一方、長さ40mm、幅10mm、厚み0.5mmの石
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記石英ガラス板を浸漬し、1分後
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のKg膜を形成した。
、垂直に10cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物のKg膜を形成した。
次に、上記薄膜を50℃の恒温炉中で1時間乾燥し、ゲ
ル化させた。
ル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
℃/分の速度で700℃まで昇温し、その温度に1時間
保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
℃/分の速度で700℃まで昇温し、その温度に1時間
保持した後、6℃/分の速度で室温まで降温し、石英ガ
ラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニア薄膜
を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて600倍
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=2
5°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、X線回折法を用いて分析したところ、2θ=2
5°の位置にチタニアのピークが認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
X塵拠Aユ
ヂタニウムメ1−キシドに代えてチタニウムエトキシド
を用いたほかは実施例41と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
を用いたほかは実施例41と全く同様にして、チタニア
薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例41で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例43
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム2−プロポキ
シドを用いたほかは実施例41と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例41と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例41で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例44
ヂタニ「ジムメトキシドに代えてチタニウム1−ブトキ
シドを用いたほかは実施例41と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
シドを用いたほかは実施例41と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例41で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例45
乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、スターラー
を用いて、0.01モルのチタニウムアルコキシドと、
0.01モルの1〜リエタノールアミンと、0.1リツ
トルの1−ブタノールとを1時間混合し、混合物を調製
した。
を用いて、0.01モルのチタニウムアルコキシドと、
0.01モルの1〜リエタノールアミンと、0.1リツ
トルの1−ブタノールとを1時間混合し、混合物を調製
した。
一方、長さ40mm1幅1Qmm、厚み0.5mmノ石
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
英ガラス板を、トリクレン、アセトン、エタノール、純
水を順次用いてそれぞれ3分づつ超音波洗浄し、最後に
高純度乾燥窒素を吹き付けて乾燥した。
次に、上記混合物に上記5英カラス板を浸漬し、1分後
、垂直に10Cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
、垂直に10Cm/分の速度で引き上げ、石英ガラス板
上に混合物の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を50’Cの恒温炉中で1時間※2燥し
、ゲル化させた。
、ゲル化させた。
次に、ゲル化薄膜を石英ガラス板ごと電気炉に入れ、6
°C/分の速度で700’Cまで昇温し、その温度に1
時間保持した後、6°C/分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
°C/分の速度で700’Cまで昇温し、その温度に1
時間保持した後、6°C/分の速度で室温まで降温し、
石英ガラス上に、透明で、わずかに灰色がかったチタニ
ア薄膜を得た。
得られたチタニア薄膜を、光学顕微鏡を用いて600倍
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、X線回折法を用いて分析したところ、20=2
5’の位置にチタニアのピークか認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
で観察したところ、ひび割れ等は全く認められなかった
。また、X線回折法を用いて分析したところ、20=2
5’の位置にチタニアのピークか認められ、チタニアに
変換されていることが確認された。
実施例46
チタニウムメトキシドに代えてチタニウムエトキシドを
用いたほかは実施例45と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
用いたほかは実施例45と全く同様にして、チタニア薄
膜を得た。
このチタニア薄膜も、実施例45で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例47
チタニウムメトキシドに代えてチタニウム2−プロポキ
シドを用いたほかは実施例45と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を17だ。
シドを用いたほかは実施例45と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を17だ。
このチタニア薄膜も、実施例45で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
実施例48
ヂタニウムメ]ヘキシドに代えてチタニウム1−ブトキ
シドを用いたほかは実施例45と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を1″Iた。
シドを用いたほかは実施例45と全く同様にして、チタ
ニア薄膜を1″Iた。
このチタニア薄膜も、実施例45で得られたものと同様
、極めて均質であった。
、極めて均質であった。
[発明の効果]
この発明は、チタニウムアルコキシドと、加水分解抑制
剤と、溶媒とを含む混合物、すなわら液体を出発原料と
するもので必り、上述した従来の方法のようなゾルを出
発原料とするものではなく、しかも、加水分解抑制剤の
使用によって、チタニウムアルコキシドが加水分解され
て、チタニウムの、微粒子状の水酸化物等が析出してく
るのを防止することができるから、得られるチタニア薄
膜にひび割れや厚みむらができにくい。しかも、チタニ
アの特長でおる耐熱性、耐食性、耐摩耗性、表面平滑性
、電気絶縁性、誘電性、高光屈折率性といった特性が損
われることもない。
剤と、溶媒とを含む混合物、すなわら液体を出発原料と
するもので必り、上述した従来の方法のようなゾルを出
発原料とするものではなく、しかも、加水分解抑制剤の
使用によって、チタニウムアルコキシドが加水分解され
て、チタニウムの、微粒子状の水酸化物等が析出してく
るのを防止することができるから、得られるチタニア薄
膜にひび割れや厚みむらができにくい。しかも、チタニ
アの特長でおる耐熱性、耐食性、耐摩耗性、表面平滑性
、電気絶縁性、誘電性、高光屈折率性といった特性が損
われることもない。
この発明の方法は、上)ホした特長から、たとえば、I
C回路に電気絶縁性や誘電性を付与する目的でチタニア
薄膜を形成したり、電気絶縁性の薄板にチタニア薄膜を
形成してそれて積層型コンデンサーを構成したり、電気
絶縁性の薄板にチタニア薄膜を形成し、それを積層して
、落雷なとの瞬間的な大電流を吸収する、いわゆるサー
ジアブソーバ−として使用したり、種々の基体上にチタ
ニア薄膜を形成してそれを先導波路における高屈折率膜
として使用したり、レンズ、プリズム、その他の光学部
品を保護する目的でそれらの表面にチタニア薄膜を形成
したりするような場合に適用することができる。
C回路に電気絶縁性や誘電性を付与する目的でチタニア
薄膜を形成したり、電気絶縁性の薄板にチタニア薄膜を
形成してそれて積層型コンデンサーを構成したり、電気
絶縁性の薄板にチタニア薄膜を形成し、それを積層して
、落雷なとの瞬間的な大電流を吸収する、いわゆるサー
ジアブソーバ−として使用したり、種々の基体上にチタ
ニア薄膜を形成してそれを先導波路における高屈折率膜
として使用したり、レンズ、プリズム、その他の光学部
品を保護する目的でそれらの表面にチタニア薄膜を形成
したりするような場合に適用することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (イ)下記A群から選ばれた1種のチタニウムアルコキ
シドと、下記B群から選ばれた1種の加水分解抑制剤と
、下記C群から選ばれた1種の溶媒とを少なくとも含む
混合物を調製する工程と、A群:チタニウムメトキシド チタニウムエトキシド チタニウムプロポキシド チタニウムブトキシド B群:モノエタノールアミン ジエタノールアミン トリエタノールアミン C群:メタノール エタノール プロパノール ブタノール (ロ)基体上に前記混合物の薄膜を形成する工程と、 (ハ)前記薄膜を乾燥し、ゲル化せしめる工程と、 (ニ)ゲル化薄膜を焼成し、チタニア薄膜に変換する工
程と、 を含むチタニア薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62263610A JPH0714834B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | チタニア薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62263610A JPH0714834B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | チタニア薄膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01108161A true JPH01108161A (ja) | 1989-04-25 |
JPH0714834B2 JPH0714834B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=17391932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62263610A Expired - Fee Related JPH0714834B2 (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | チタニア薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0714834B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001233615A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti | 三次元構造を有するメソポーラスTiO2薄膜及びその製造法 |
WO2006109705A1 (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-19 | Kao Corporation | 光学器材用コーティング剤 |
JP2008270804A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
CN113372109A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-09-10 | 景德镇陶瓷大学 | 一种大面积无缺陷纳米量级厚度致密陶瓷薄膜的制备方法及其制得的陶瓷薄膜 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008297537A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-12-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物及びこれを用いた膜状光学部材、並びに樹脂組成物製造方法 |
WO2009051023A1 (ja) * | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 樹脂組成物及びこれを用いた膜状光学部材並びに樹脂組成物の製造方法 |
WO2009075287A1 (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | 高屈折樹脂組成物及びこれを用いた膜状光学部材並びに高屈折樹脂組成物の製造方法 |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP62263610A patent/JPH0714834B2/ja not_active Expired - Fee Related
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WO2006109705A1 (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-19 | Kao Corporation | 光学器材用コーティング剤 |
AU2006234416B2 (en) * | 2005-04-07 | 2010-01-28 | Kao Corporation | Coating agent for optical instrument |
JP2008270804A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | キャパシタ及びその製造方法 |
JP4734369B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2011-07-27 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | キャパシタ及びその製造方法 |
US8199456B2 (en) | 2007-04-18 | 2012-06-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor and manufacturing method thereof |
CN113372109A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-09-10 | 景德镇陶瓷大学 | 一种大面积无缺陷纳米量级厚度致密陶瓷薄膜的制备方法及其制得的陶瓷薄膜 |
CN113372109B (zh) * | 2021-05-18 | 2022-12-13 | 景德镇陶瓷大学 | 一种大面积无缺陷纳米量级厚度致密陶瓷薄膜的制备方法及其制得的陶瓷薄膜 |
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---|---|
JPH0714834B2 (ja) | 1995-02-22 |
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