JPH0796172A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
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- JPH0796172A JPH0796172A JP5242818A JP24281893A JPH0796172A JP H0796172 A JPH0796172 A JP H0796172A JP 5242818 A JP5242818 A JP 5242818A JP 24281893 A JP24281893 A JP 24281893A JP H0796172 A JPH0796172 A JP H0796172A
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Landscapes
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ群、Ｅ群およびＦ群
を含む混合溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｌａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｂ群：ＳｒまたはＢａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキ
シド Ｃ群：ＣｏまたはＣｕの下記Ｇ群から選ばれるアルコキ
シド Ｄ群：Ｆｅの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｅ群：例えばモノエタノールアミン、エチレングリコー
ル Ｆ群：例えばメタノール、エタノール Ｇ群：例えばメトキシド、エトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて８００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法。 【効果】従来の酸化物法やゾル・ゲル法のように焼成以
前の段階で薄膜中に微粒子が存在することがなく、溶液
から加水分解を抑制しつつ一気に薄膜を形成することが
でき、均質性に優れた薄膜が得られる。
を含む混合溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｌａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｂ群：ＳｒまたはＢａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキ
シド Ｃ群：ＣｏまたはＣｕの下記Ｇ群から選ばれるアルコキ
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ル Ｆ群：例えばメタノール、エタノール Ｇ群：例えばメトキシド、エトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて８００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法。 【効果】従来の酸化物法やゾル・ゲル法のように焼成以
前の段階で薄膜中に微粒子が存在することがなく、溶液
から加水分解を抑制しつつ一気に薄膜を形成することが
でき、均質性に優れた薄膜が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸素などの気体分離
膜、各種酸化触媒、燃焼排気ガス中に含まれる炭酸ガス
（ＣＯ、ＣＯ2 ）窒素酸化物（ＮＯｘ）およびイオウ酸
化物（ＳＯｘ）を分解除去するのに有効な触媒に適した
薄膜の形成方法に関する。
膜、各種酸化触媒、燃焼排気ガス中に含まれる炭酸ガス
（ＣＯ、ＣＯ2 ）窒素酸化物（ＮＯｘ）およびイオウ酸
化物（ＳＯｘ）を分解除去するのに有効な触媒に適した
薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来複合酸化物の薄膜を得るための技術
としては、「触媒」（第２８巻 １９８６年８月号 ５
６５頁〜５７０頁）に記載されているように、別途合成
したペロブスカイト微粉末を担体に塗布後焼き付ける方
法が一般的である。しかしながら、いかに微粉末のもの
であっても、均一に塗布することはきわめて難しく、か
えって粒子どうしの凝集が著しくなるため、効率よく製
膜する方法ではなかった。
としては、「触媒」（第２８巻 １９８６年８月号 ５
６５頁〜５７０頁）に記載されているように、別途合成
したペロブスカイト微粉末を担体に塗布後焼き付ける方
法が一般的である。しかしながら、いかに微粉末のもの
であっても、均一に塗布することはきわめて難しく、か
えって粒子どうしの凝集が著しくなるため、効率よく製
膜する方法ではなかった。
【０００３】そこで、酸化物粉末スラリーを出発原料と
する酸化物混合法や、懸濁液を出発原料とするゾル―ゲ
ル法や、成分元素を含む化合物の気体を出発原料とする
気相合成法等、いろいろな方法が検討されている。しか
しながら、酸化物法やゾル―ゲル法は、いずれも、１つ
１つの粒子の組成以上の均一組成は得られず、また、気
相合成法は、成分元素が２つ以上のとき、目的とする組
成をもつ単一相の化合物を得るのが難しく、そのため、
均一なペロブスカイト薄膜が得られないという問題があ
った。
する酸化物混合法や、懸濁液を出発原料とするゾル―ゲ
ル法や、成分元素を含む化合物の気体を出発原料とする
気相合成法等、いろいろな方法が検討されている。しか
しながら、酸化物法やゾル―ゲル法は、いずれも、１つ
１つの粒子の組成以上の均一組成は得られず、また、気
相合成法は、成分元素が２つ以上のとき、目的とする組
成をもつ単一相の化合物を得るのが難しく、そのため、
均一なペロブスカイト薄膜が得られないという問題があ
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の方法の上述した問題点を解決し、耐熱性基板状に、均
一性にすぐれたペロブスカイト型薄膜を形成する方法を
提供することにある。
の方法の上述した問題点を解決し、耐熱性基板状に、均
一性にすぐれたペロブスカイト型薄膜を形成する方法を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明において、下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ
群、Ｅ群およびＦ群を含む混合溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｌａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｂ群：ＳｒまたはＢａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキ
シド Ｃ群：ＣｏまたはＣｕの下記Ｇ群から選ばれるアルコキ
シド Ｄ群：Ｆｅの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｅ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｆ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて８００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法が提供さ
れる。以下においては、便宜上これを第１発明というこ
とにする。しかして、この第１発明によれば、次の一般
式で表されるペロブスカイト型薄膜を得ることができ
る。
ために、本発明において、下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ
群、Ｅ群およびＦ群を含む混合溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｌａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｂ群：ＳｒまたはＢａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキ
シド Ｃ群：ＣｏまたはＣｕの下記Ｇ群から選ばれるアルコキ
シド Ｄ群：Ｆｅの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｅ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｆ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて８００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法が提供さ
れる。以下においては、便宜上これを第１発明というこ
とにする。しかして、この第１発明によれば、次の一般
式で表されるペロブスカイト型薄膜を得ることができ
る。
【０００６】Ｌａ1-x （Ｓｒ1-u Ｂａu ） x（Ｃｏ1-v
Ｃｕv ）1-y Ｆｅ yＯ3-z ただし、０．１≦ｘ≦１．０ ０．０５≦ｙ≦１．０ ０．１≦ｚ≦０．５ ０≦ｕ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ また、上述した目的を達成するために、本発明におい
て、下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ群およびＥ群を含む混合
溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｃａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｂ群：Ｔｉの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｃ群：Ｆｅの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｄ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｅ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて８００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法が提供さ
れる。以下においては、便宜上これを第２発明というこ
とにする。しかして、この第２発明によれば、次の一般
式で表されるペロブスカイト型薄膜を得ることができ
る。
Ｃｕv ）1-y Ｆｅ yＯ3-z ただし、０．１≦ｘ≦１．０ ０．０５≦ｙ≦１．０ ０．１≦ｚ≦０．５ ０≦ｕ≦１．０ ０≦ｖ≦１．０ また、上述した目的を達成するために、本発明におい
て、下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ群およびＥ群を含む混合
溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｃａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｂ群：Ｔｉの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｃ群：Ｆｅの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｄ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｅ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて８００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法が提供さ
れる。以下においては、便宜上これを第２発明というこ
とにする。しかして、この第２発明によれば、次の一般
式で表されるペロブスカイト型薄膜を得ることができ
る。
【０００７】ＣａＴｉ1-x Ｆｅx Ｏ3-y ただし、０．２≦ｘ≦０．６ ０≦ｙ≦０．２ また、上述した目的を達成するために、本発明におい
て、下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ群およびＥ群を含む混合
溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｓｒの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｂ群：Ｂｉの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｃ群：Ｆｅの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｄ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｅ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて８００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法が提供さ
れる。以下においては、便宜上これを第３発明というこ
とにする。しかして、この第３発明によれば、次の一般
式で表されるペロブスカイト型薄膜を得ることができ
る。
て、下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ群およびＥ群を含む混合
溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｓｒの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｂ群：Ｂｉの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｃ群：Ｆｅの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｄ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｅ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて８００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法が提供さ
れる。以下においては、便宜上これを第３発明というこ
とにする。しかして、この第３発明によれば、次の一般
式で表されるペロブスカイト型薄膜を得ることができ
る。
【０００８】Ｓｒ1-x ｘＢｉx ＦｅＯ3-y ただし、０．１≦ｘ≦０．９ ０≦ｙ≦０．１ さらに、この発明においては、上述した目的を達成する
ために、下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ群およびＥ群を含む
混合溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｎ、ＹｂまたはＬｕの下記Ｇ群から選ばれ
るアルコキシド Ｂ群：Ｂａ、ＳｒまたはＫの下記Ｇ群から選ばれるアル
コキシド Ｃ群：Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕまたはＭｎの下記Ｇ群から選ば
れるアルコキシド Ｄ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｅ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて８００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法が提供さ
れる。以下においては、便宜上これを第４発明というこ
とにする。しかして、この第４発明によれば、次の一般
式で表されるペロブスカイト型触媒薄膜を得ることがで
きる。
ために、下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ群およびＥ群を含む
混合溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｎ、ＹｂまたはＬｕの下記Ｇ群から選ばれ
るアルコキシド Ｂ群：Ｂａ、ＳｒまたはＫの下記Ｇ群から選ばれるアル
コキシド Ｃ群：Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕまたはＭｎの下記Ｇ群から選ば
れるアルコキシド Ｄ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｅ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて８００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法が提供さ
れる。以下においては、便宜上これを第４発明というこ
とにする。しかして、この第４発明によれば、次の一般
式で表されるペロブスカイト型触媒薄膜を得ることがで
きる。
【０００９】α（Ｂａ1-u Ｓｒu ）x Ｃｕy Ｏ8-z ただし、α：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂまたはＬｕ ０≦ｕ≦１ １．９≦ｘ≦２．１ ２．９≦ｙ≦３．１ ０．８≦ｚ≦１．８ 以下、まず第１発明を工程別にさらに詳しく説明する。
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂまたはＬｕ ０≦ｕ≦１ １．９≦ｘ≦２．１ ２．９≦ｙ≦３．１ ０．８≦ｚ≦１．８ 以下、まず第１発明を工程別にさらに詳しく説明する。
【００１０】混合液の調整方法 第１発明においては、まず、前記のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅ、Ｆ各群から選ばれた化合物を含む混合溶液を調整す
る。
Ｅ、Ｆ各群から選ばれた化合物を含む混合溶液を調整す
る。
【００１１】上記、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ各群におけるメトキ
シエトキシドは、メトキシエチレートとも呼ばれるもの
である。また、エトキシエトキシドは、エトキシエチレ
ートとも呼ばれるものである。
シエトキシドは、メトキシエチレートとも呼ばれるもの
である。また、エトキシエトキシドは、エトキシエチレ
ートとも呼ばれるものである。
【００１２】上記、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ各群におけるプロポ
キシドは、１―プロポキシド、２―プロポキシドのいず
れであってもよい。また、ブトキシドは、１―ブトキシ
ド、２―ブトキシド、イソブトキシド、ｔ―ブトキシド
のいずれであってもよい。さらに、Ｅ群のプロパノール
は、１―プロパノール、２―プロパノールのいずれであ
ってもよい。さらにまた、ブタノールは、１―ブタノー
ル、２―ブタノール、イソブタノール、ｔ―ブタノール
のいずれであってもよい。
キシドは、１―プロポキシド、２―プロポキシドのいず
れであってもよい。また、ブトキシドは、１―ブトキシ
ド、２―ブトキシド、イソブトキシド、ｔ―ブトキシド
のいずれであってもよい。さらに、Ｅ群のプロパノール
は、１―プロパノール、２―プロパノールのいずれであ
ってもよい。さらにまた、ブタノールは、１―ブタノー
ル、２―ブタノール、イソブタノール、ｔ―ブタノール
のいずれであってもよい。
【００１３】Ｅ群の化合物は、後述する焼成に至るまで
の各工程で、加水分解によってＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ各群の化
合物を構成している金属原子が、微粒子状の水酸化物や
酸化物などとして析出するのを抑制するものである。ま
た、Ｆ群の化合物は溶媒として作用するものである。こ
れらは、あらかじめモレキュラーシーブスなどで脱水処
理しておくのが望ましい。
の各工程で、加水分解によってＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ各群の化
合物を構成している金属原子が、微粒子状の水酸化物や
酸化物などとして析出するのを抑制するものである。ま
た、Ｆ群の化合物は溶媒として作用するものである。こ
れらは、あらかじめモレキュラーシーブスなどで脱水処
理しておくのが望ましい。
【００１４】Ｂ、Ｃ、Ｅ、Ｆ各群からは、通常１種を選
択、使用する。２種以上を選択、使用することも可能で
はあるが、そうしても得られるペロブスカイト膜には、
ほとんど有意差はない。しかして、いずれを選択、採用
しても、以下の工程を変える必要はない。また、いずれ
を選択、使用しても得られるペロブスカイト膜の特性に
有意差は認められない。
択、使用する。２種以上を選択、使用することも可能で
はあるが、そうしても得られるペロブスカイト膜には、
ほとんど有意差はない。しかして、いずれを選択、採用
しても、以下の工程を変える必要はない。また、いずれ
を選択、使用しても得られるペロブスカイト膜の特性に
有意差は認められない。
【００１５】Ｂ群からは、１種または２種以上を選択、
使用することができる。２種以上を選択、使用する場合
には、金属元素の異なるものとする。すなわち、アルコ
キシ基やアルコキシアルコキシ基の相違によって、得ら
れるペロブスカイト膜の特性に有意差を生ずることはほ
とんどない。
使用することができる。２種以上を選択、使用する場合
には、金属元素の異なるものとする。すなわち、アルコ
キシ基やアルコキシアルコキシ基の相違によって、得ら
れるペロブスカイト膜の特性に有意差を生ずることはほ
とんどない。
【００１６】Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ各群の化合物の混
合割合は、それらの種類によって多少は異なるものの、
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ各群の化合物をそれぞれａモル、ｂ
モル、ｃモル、ｄモル、ｅモルとし、Ｆ群の化合物をｆ
リットルとしたとき、式、 ０．１×（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦ｅ≦３×（ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ） ０．０１≦［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）／ｆ］≦３ を同時に満足する範囲であることが好ましい。ｅ＜０．
１×（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の範囲では加水分解を十分に抑
制することができない傾向があり、また、ｅ＞３×（ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の範囲では混合溶液の粘度が高くなり、
製膜性が不充分となる傾向がある。また、［（ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ）／ｆ］＞３では、Ａ、Ｂ、Ｃ各群の化合物が溶
け残る可能性がある。より好ましいのは、 ０．５×（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦ｅ≦２×（ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ） ０．１≦［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）／ｆ］≦１ の範囲である。さらに好ましいのは、上記条件に加え
て、さらに、式、 ａ：ｂ：ｃ：ｄ＝（１―ｘ）：ｘ：（１−ｙ）：ｙ ただし、０≦ｘ≦０．３ ０≦ｙ≦０．５ を満足する範囲にすることである。
合割合は、それらの種類によって多少は異なるものの、
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ各群の化合物をそれぞれａモル、ｂ
モル、ｃモル、ｄモル、ｅモルとし、Ｆ群の化合物をｆ
リットルとしたとき、式、 ０．１×（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦ｅ≦３×（ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ） ０．０１≦［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）／ｆ］≦３ を同時に満足する範囲であることが好ましい。ｅ＜０．
１×（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の範囲では加水分解を十分に抑
制することができない傾向があり、また、ｅ＞３×（ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の範囲では混合溶液の粘度が高くなり、
製膜性が不充分となる傾向がある。また、［（ａ＋ｂ＋
ｃ＋ｄ）／ｆ］＞３では、Ａ、Ｂ、Ｃ各群の化合物が溶
け残る可能性がある。より好ましいのは、 ０．５×（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦ｅ≦２×（ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ） ０．１≦［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）／ｆ］≦１ の範囲である。さらに好ましいのは、上記条件に加え
て、さらに、式、 ａ：ｂ：ｃ：ｄ＝（１―ｘ）：ｘ：（１−ｙ）：ｙ ただし、０≦ｘ≦０．３ ０≦ｙ≦０．５ を満足する範囲にすることである。
【００１７】混合操作は、Ｅ、Ｆ各群の化合物の混合溶
液にＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ各群の化合物を同時に加えて混合し
てもよく、また、Ｅ、Ｆ各群の化合物の混合溶液に、
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ各群の化合物をそれぞれ加えてなる混合
溶液から所定量を採取してさらに混合するようにしても
よい。なお、混合操作が終了するまでには、Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ各群の化合物を極力湿気に晒さないようにするの
がよく、乾燥窒素などで置換したグローブボックス内で
行うことが好ましい。しかしながら、それ以後の操作は
大気中で行うことができる。
液にＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ各群の化合物を同時に加えて混合し
てもよく、また、Ｅ、Ｆ各群の化合物の混合溶液に、
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ各群の化合物をそれぞれ加えてなる混合
溶液から所定量を採取してさらに混合するようにしても
よい。なお、混合操作が終了するまでには、Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ各群の化合物を極力湿気に晒さないようにするの
がよく、乾燥窒素などで置換したグローブボックス内で
行うことが好ましい。しかしながら、それ以後の操作は
大気中で行うことができる。
【００１８】薄膜形成工程：第１発明においては、次
に、上記混合溶液の薄膜を耐熱性基体上に形成する。つ
まり製膜する。
に、上記混合溶液の薄膜を耐熱性基体上に形成する。つ
まり製膜する。
【００１９】基体は、後述する焼成温度に耐えるもので
あればよく、金、銀、白金などの金属や、これら金属の
少なくとも１種を主成分とする合金や、ガラス、炭素、
ケイ素、シリカ、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、
チタニア、チタン酸ストロンチウム、窒化ホウ素、窒化
ケイ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素などのセラミックスを
使用することができる。形状は、環状、繊維状、フィル
ム状、板状、バルク状など、いずれであってもよい。こ
れらの基体は、その表面を研磨して平滑にし、さらに洗
浄して油分などによる汚染を除去しておくのが好まし
い。
あればよく、金、銀、白金などの金属や、これら金属の
少なくとも１種を主成分とする合金や、ガラス、炭素、
ケイ素、シリカ、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、
チタニア、チタン酸ストロンチウム、窒化ホウ素、窒化
ケイ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素などのセラミックスを
使用することができる。形状は、環状、繊維状、フィル
ム状、板状、バルク状など、いずれであってもよい。こ
れらの基体は、その表面を研磨して平滑にし、さらに洗
浄して油分などによる汚染を除去しておくのが好まし
い。
【００２０】薄膜の形式は、刷毛、ローラーなどによる
塗布や、スプレーによる塗布や、混合物に基体を浸漬し
た後に引き上げるディップコーティング法によることが
できる。中でも、ディップコーティング法は簡便であ
り、また、基体の浸漬時間、引き上げ速度を変えること
やディップ回数によって膜厚の調整が容易に行えるので
好ましい。特に、環状の基体については、ディップコー
ティングする際に管内を吸引により減圧させることで、
より均一で緻密な製膜が可能である。
塗布や、スプレーによる塗布や、混合物に基体を浸漬し
た後に引き上げるディップコーティング法によることが
できる。中でも、ディップコーティング法は簡便であ
り、また、基体の浸漬時間、引き上げ速度を変えること
やディップ回数によって膜厚の調整が容易に行えるので
好ましい。特に、環状の基体については、ディップコー
ティングする際に管内を吸引により減圧させることで、
より均一で緻密な製膜が可能である。
【００２１】乾燥工程 第１発明については、次に、基体上に形成した混合溶液
の薄膜を乾燥し、Ｆ群の化合物を蒸発させて、Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ、Ｅ各群の化合物からなる薄膜とする。この工程
は、常温で行ってもよく、５０〜１００℃程度の範囲の
恒温で行ってもよい。さらに、湿度が１％以下に制御さ
れた雰囲気下で行ってもよい。
の薄膜を乾燥し、Ｆ群の化合物を蒸発させて、Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄ、Ｅ各群の化合物からなる薄膜とする。この工程
は、常温で行ってもよく、５０〜１００℃程度の範囲の
恒温で行ってもよい。さらに、湿度が１％以下に制御さ
れた雰囲気下で行ってもよい。
【００２２】さらに、好ましくは、恒温乾燥を行う場合
には、予め基体に滲み込んだ余分な水分を常温風乾して
除去しておくことのがよい。
には、予め基体に滲み込んだ余分な水分を常温風乾して
除去しておくことのがよい。
【００２３】焼成工程 第１発明においては、次に、上記乾燥薄膜を基体ごと焼
成する。すると、上述した式で表されるペロブスカイト
薄膜が得られる。この焼成は、次のようにして行う。
成する。すると、上述した式で表されるペロブスカイト
薄膜が得られる。この焼成は、次のようにして行う。
【００２４】すなわち、乾燥薄膜を基体ごと加熱炉に入
れ、酸化性雰囲気下で、焼成温度まで昇温し、その温度
に一定時間保持した後、室温まで降温する。雰囲気は、
大気でもよく、また、２０〜１００％濃度の酸素でもよ
い。昇温速度は、１〜１０００℃／分程度で、焼成温度
は５００〜１４００℃、焼成時間は５〜３０分程度、降
温速度は１〜１０００℃／分程度である。昇温速度が１
℃／分未満では、昇温に時間がかかりすぎて実用的では
なく、また、１０００℃／分を超えると薄膜に亀裂が生
じやすい。焼成温度が８００℃未満では、膜内の有機物
を完全に取除くことができず、また、１４００℃を超え
ると薄膜が一部溶解したり、蒸発してしまう。降温速度
が１℃未満では、降温に時間がかかりすぎて実用的では
なく、また、１０００℃／分を超えると薄膜に亀裂が生
じやすい。
れ、酸化性雰囲気下で、焼成温度まで昇温し、その温度
に一定時間保持した後、室温まで降温する。雰囲気は、
大気でもよく、また、２０〜１００％濃度の酸素でもよ
い。昇温速度は、１〜１０００℃／分程度で、焼成温度
は５００〜１４００℃、焼成時間は５〜３０分程度、降
温速度は１〜１０００℃／分程度である。昇温速度が１
℃／分未満では、昇温に時間がかかりすぎて実用的では
なく、また、１０００℃／分を超えると薄膜に亀裂が生
じやすい。焼成温度が８００℃未満では、膜内の有機物
を完全に取除くことができず、また、１４００℃を超え
ると薄膜が一部溶解したり、蒸発してしまう。降温速度
が１℃未満では、降温に時間がかかりすぎて実用的では
なく、また、１０００℃／分を超えると薄膜に亀裂が生
じやすい。
【００２５】以上においては、第１発明について説明し
たが、第２、第３および第４発明も、基本的には第１発
明と変らない。
たが、第２、第３および第４発明も、基本的には第１発
明と変らない。
【００２６】すなわち、混合溶液の調整工程に関して
は、第２発明は、第１発明におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅ、Ｆ各群の化合物のうち、Ａ、Ｂ各群の化合物とし
て、前記の化合物を用いる点が異なる。
は、第２発明は、第１発明におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅ、Ｆ各群の化合物のうち、Ａ、Ｂ各群の化合物とし
て、前記の化合物を用いる点が異なる。
【００２７】また、第３発明の混合溶液の調整工程に関
しては、第２発明におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ各群の化
合物のうち、Ａ、Ｂ、Ｃ各群の化合物として、前記の化
合物を用いる点が異なる。
しては、第２発明におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ各群の化
合物のうち、Ａ、Ｂ、Ｃ各群の化合物として、前記の化
合物を用いる点が異なる。
【００２８】さらに、第４発明の混合溶液の調整工程に
関しては、第３発明におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ各
群の化合物のうち、Ａ、Ｂ、Ｃ各群の化合物として、前
記の化合物を用いる点が異なる。
関しては、第３発明におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ各
群の化合物のうち、Ａ、Ｂ、Ｃ各群の化合物として、前
記の化合物を用いる点が異なる。
【００２９】第２、第３および第４発明におけるＡ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ各群の化合物の混合割合もまた、第１発
明と同じである。ただ、第１発明おいては、好ましく
は、 ａ：ｂ：ｃ：ｄ＝（１―ｘ）：ｘ：（１―ｙ）：ｙ ただし、０≦ｘ≦０．３ ａ：ｂ：ｃ：ｄ＝（１―ｘ）：ｘ：（１―ｙ）：ｙ ただし、０≦ｘ≦０．３ ０≦ｙ≦０．５ であるが、第２発明では、 ｂ：ｃ＝（１―ｘ）：ｘ ただし、０．２≦ｘ≦０．６ 第３発明では、 ａ：ｂ＝（１―ｘ）：ｘ ただし、０．１≦ｘ≦０．９ 第４発明では、 α（Ｂａ１−ｕＳｒｕ）ｘＣｕｙＯ8 −ｚ ただし、α：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂまたはＬｕ ａ：ｂ：ｃ＝（１±ｘ）：（２±ｙ）：３ ０≦ｘ≦０．１ ０≦ｙ≦０．１ とするのが好ましい。
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ各群の化合物の混合割合もまた、第１発
明と同じである。ただ、第１発明おいては、好ましく
は、 ａ：ｂ：ｃ：ｄ＝（１―ｘ）：ｘ：（１―ｙ）：ｙ ただし、０≦ｘ≦０．３ ａ：ｂ：ｃ：ｄ＝（１―ｘ）：ｘ：（１―ｙ）：ｙ ただし、０≦ｘ≦０．３ ０≦ｙ≦０．５ であるが、第２発明では、 ｂ：ｃ＝（１―ｘ）：ｘ ただし、０．２≦ｘ≦０．６ 第３発明では、 ａ：ｂ＝（１―ｘ）：ｘ ただし、０．１≦ｘ≦０．９ 第４発明では、 α（Ｂａ１−ｕＳｒｕ）ｘＣｕｙＯ8 −ｚ ただし、α：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂまたはＬｕ ａ：ｂ：ｃ＝（１±ｘ）：（２±ｙ）：３ ０≦ｘ≦０．１ ０≦ｙ≦０．１ とするのが好ましい。
【００３０】第２、第３および第４発明における薄膜形
成工程と乾燥工程は、第１発明におけるそれらの工程と
全く同じである。
成工程と乾燥工程は、第１発明におけるそれらの工程と
全く同じである。
【００３１】第４発明の焼成工程は、第１、第２および
第３発明のそれとはやや異なる。
第３発明のそれとはやや異なる。
【００３２】すなわち、第４発明においては、昇温速度
は、１〜１０００℃／分程度で、焼成温度は８００〜１
４００℃、焼成時間は５〜３０分程度、降温速度は１〜
１０００℃／分程度の速度で５００℃程度まで降温し、
その後に０．１〜２℃／分程度の速度で室温まで降温す
るようにする。また、第４発明においては、１〜１００
０℃／分程度の速度で室温まで降温した後、酸化性雰囲
気中にて３００〜７００℃で１０時間以上の熱処理を行
い、ペロブスカイト薄膜を形成することも可能である。
は、１〜１０００℃／分程度で、焼成温度は８００〜１
４００℃、焼成時間は５〜３０分程度、降温速度は１〜
１０００℃／分程度の速度で５００℃程度まで降温し、
その後に０．１〜２℃／分程度の速度で室温まで降温す
るようにする。また、第４発明においては、１〜１００
０℃／分程度の速度で室温まで降温した後、酸化性雰囲
気中にて３００〜７００℃で１０時間以上の熱処理を行
い、ペロブスカイト薄膜を形成することも可能である。
【００３３】
実施例１ 乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、Ｌａのメト
キシドを０．００８モル、Ｓｒのメトキシドを０．００
２モル、Ｃｏのメトキシドを０．００９モル、Ｆｅのメ
トキシドを０．００１計量し、これにモノエタノールア
ミンを０．０３モル添加し、さらにメタノールを１００
ｍｌ加え、スターラを用いて３０分撹拌し、混合溶液を
得た。
キシドを０．００８モル、Ｓｒのメトキシドを０．００
２モル、Ｃｏのメトキシドを０．００９モル、Ｆｅのメ
トキシドを０．００１計量し、これにモノエタノールア
ミンを０．０３モル添加し、さらにメタノールを１００
ｍｌ加え、スターラを用いて３０分撹拌し、混合溶液を
得た。
【００３４】一方、厚みが１ｍｍのジルコニア板をトリ
クロルエチレン、アセトン、エタノール、純水を順次用
いて、それぞれ３分づつ超音波洗浄した後、高純度乾燥
窒素を吹きつけて乾燥させた。
クロルエチレン、アセトン、エタノール、純水を順次用
いて、それぞれ３分づつ超音波洗浄した後、高純度乾燥
窒素を吹きつけて乾燥させた。
【００３５】次に、上記混合溶液に上記ジルコニア板を
浸漬し、１分後、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上
げ、ジルコニア板上に混合溶液の薄膜を形成した。
浸漬し、１分後、垂直に１０ｃｍ／分の速度で引き上
げ、ジルコニア板上に混合溶液の薄膜を形成した。
【００３６】次に、上記薄膜を５０℃の恒温炉中で３０
分保持し、乾燥させた。
分保持し、乾燥させた。
【００３７】次に、上記乾燥薄膜を、ジルコニア板ごと
電気炉に入れ、１０℃／分の速度で１１３０℃まで昇温
し、その温度に１０分保持した後、５０℃／分の速度で
室温まで降温し、ジルコニア板上に、単一相のＬａ０．
８Ｓｒ０．２Ｃｏ０．９Ｆｅ０．１Ｏ３のペロブスカイ
ト型触媒薄膜を得た。この触媒薄膜は、淡水色で光沢が
あり、光学顕微鏡で観察しても異物や亀裂は見られなか
った。
電気炉に入れ、１０℃／分の速度で１１３０℃まで昇温
し、その温度に１０分保持した後、５０℃／分の速度で
室温まで降温し、ジルコニア板上に、単一相のＬａ０．
８Ｓｒ０．２Ｃｏ０．９Ｆｅ０．１Ｏ３のペロブスカイ
ト型触媒薄膜を得た。この触媒薄膜は、淡水色で光沢が
あり、光学顕微鏡で観察しても異物や亀裂は見られなか
った。
【００３８】実施例２ 乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、Ｃａの２―
プロポキシドを０．０１モル、Ｔｉの２―プロポキシド
を０．００８モル、Ｆｅの２―プロポキシドを０．００
２モルを計量し、これにジエタノールアミンを０．０６
モル添加し、さらにイソプロパノールを１００ｍｌ加
え、スターラを用いて３０分撹拌し、混合溶液を得た。
プロポキシドを０．０１モル、Ｔｉの２―プロポキシド
を０．００８モル、Ｆｅの２―プロポキシドを０．００
２モルを計量し、これにジエタノールアミンを０．０６
モル添加し、さらにイソプロパノールを１００ｍｌ加
え、スターラを用いて３０分撹拌し、混合溶液を得た。
【００３９】以下、実施例１と同様にして、ジルコニア
板上に、単一相のＣａＴｉ０．８Ｆｅ０．２Ｏ３のペロ
ブスカイト型触媒薄膜を得た。この触媒薄膜は、実施例
１と同様に、光学顕微鏡で観察しても異物や亀裂は見ら
れなかった。
板上に、単一相のＣａＴｉ０．８Ｆｅ０．２Ｏ３のペロ
ブスカイト型触媒薄膜を得た。この触媒薄膜は、実施例
１と同様に、光学顕微鏡で観察しても異物や亀裂は見ら
れなかった。
【００４０】実施例３ 乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、Ｓｒの２―
プロポキシドを０．００２モル、Ｂｉの２―プロポキシ
ドを０．００８モル、Ｆｅのエトキシエトキシドを０．
０１モルを計量し、これにジプロピレングリコールを
０．０６モル添加し、さらにエトキシエタノールを１０
０ｍｌ加え、スターラを用いて３０分撹拌し、混合溶液
を得た。
プロポキシドを０．００２モル、Ｂｉの２―プロポキシ
ドを０．００８モル、Ｆｅのエトキシエトキシドを０．
０１モルを計量し、これにジプロピレングリコールを
０．０６モル添加し、さらにエトキシエタノールを１０
０ｍｌ加え、スターラを用いて３０分撹拌し、混合溶液
を得た。
【００４１】以下、実施例１と同様にして、ジルコニア
板上に、単一相のＳｒ0.2 Ｂｉ0.8ＦｅＯ3 のペロブス
カイト型触媒薄膜を得た。この触媒薄膜は、実施例１と
同様に、光学顕微鏡で観察しても異物や亀裂は見られな
かった。
板上に、単一相のＳｒ0.2 Ｂｉ0.8ＦｅＯ3 のペロブス
カイト型触媒薄膜を得た。この触媒薄膜は、実施例１と
同様に、光学顕微鏡で観察しても異物や亀裂は見られな
かった。
【００４２】実施例４ 乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、Ｙの２―プ
ロポキシドを０．０１モル、Ｂａの２―プロポキシドを
０．０１モル、Ｓｒの２―プロポキシドを０．０１モ
ル、Ｃｕのエトキシエトキシドを０．０３モルを計量
し、これにジプロピレングリコールを０．０６モル添加
し、さらにエトキシエタノールを１００ｍｌ加え、スタ
ーラを用いて３０分撹拌し、混合溶液を得た。
ロポキシドを０．０１モル、Ｂａの２―プロポキシドを
０．０１モル、Ｓｒの２―プロポキシドを０．０１モ
ル、Ｃｕのエトキシエトキシドを０．０３モルを計量
し、これにジプロピレングリコールを０．０６モル添加
し、さらにエトキシエタノールを１００ｍｌ加え、スタ
ーラを用いて３０分撹拌し、混合溶液を得た。
【００４３】以下、実施例１と同様にして、ジルコニア
板上に、単一相のＹ（Ｂａ０．５Ｓｒ０．５）２Ｃｕ３
Ｏ６．９のペロブスカイト型触媒薄膜を得た。この触媒
薄膜は、実施例１と同様に、光学顕微鏡で観察しても異
物や亀裂は見られなかった。
板上に、単一相のＹ（Ｂａ０．５Ｓｒ０．５）２Ｃｕ３
Ｏ６．９のペロブスカイト型触媒薄膜を得た。この触媒
薄膜は、実施例１と同様に、光学顕微鏡で観察しても異
物や亀裂は見られなかった。
【００４４】
【発明の効果】この発明の方法は、従来の酸化物法やゾ
ル・ゲル法のように焼成以前の段階で薄膜中に微粒子が
存在することがなく、溶液から加水分解を抑制しつつ一
気に薄膜を形成することができ、また、気相合成法のよ
うに薄膜の組成や結晶構造がばらつくことが少ないの
で、実施例にも示したように、均質性に優れた薄膜が得
られる。
ル・ゲル法のように焼成以前の段階で薄膜中に微粒子が
存在することがなく、溶液から加水分解を抑制しつつ一
気に薄膜を形成することができ、また、気相合成法のよ
うに薄膜の組成や結晶構造がばらつくことが少ないの
で、実施例にも示したように、均質性に優れた薄膜が得
られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｊ 23/78 ＺＡＢ Ａ 8017−4Ｇ
Claims (8)
- 【請求項１】下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ群、Ｅ群および
Ｆ群を含む混合溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｌａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｂ群：ＳｒまたはＢａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキ
シド Ｃ群：ＣｏまたはＣｕの下記Ｇ群から選ばれるアルコキ
シド Ｄ群：Ｆｅの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｅ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｆ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該混合溶液の薄膜を形成する工程と、該
薄膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気
中にて５００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブ
スカイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法。 - 【請求項２】下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ群およびＥ群を
含む混合溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｃａの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｂ群：Ｔｉの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｃ群：Ｆｅの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｄ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｅ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて５００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法。 - 【請求項３】下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ群およびＥ群を
含む混合溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｓｒの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｂ群：Ｂｉの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｃ群：Ｆｅの下記Ｇ群から選ばれるアルコキシド Ｄ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｅ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて５００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法。 - 【請求項４】下記Ａ群、Ｂ群、Ｃ群、Ｄ群およびＥ群を
含む混合溶液を調整する工程と、 Ａ群：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｎ、ＹｂまたはＬｕの下記Ｇ群から選ばれ
るアルコキシド Ｂ群：Ｂａ、ＳｒまたはＫの下記Ｇ群から選ばれるアル
コキシド Ｃ群：Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｕまたはＭｎの下記Ｇ群から選ば
れるアルコキシド Ｄ群：モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン、モノ２―プロパノールアミン、ジ
２―プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ールまたはジプロピレングリコール Ｅ群：メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノールまたはエトキシエタノール Ｇ群：メトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキ
シド、メトキシエトキシドまたはエトキシエトキシド 耐熱性基板上に該合溶液の薄膜を形成する工程と、該薄
膜を乾燥する工程と、乾燥した該薄膜を酸化性雰囲気中
にて５００℃以上、１４００℃以下で焼成し、ペロブス
カイト型薄膜とする工程を含む薄膜の形成方法。 - 【請求項５】該Ａ群をａモル、該Ｂ群をｂモル、該Ｃ群
をｃモル、該Ｄ群をｄモル、該Ｅ群をｅリットル、該Ｆ
群をｆリットル含み、かつ、式、 ０．１×（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦ｅ≦３×（ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ） ０．０１≦［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）／ｆ］≦３ を満たすことを特徴とする請求項１記載の薄膜の形成方
法。 - 【請求項６】該Ａ群をａモル、該Ｂ群をｂモル、該Ｃ群
をｃモル、該Ｄ群をｄリットル、該Ｅ群をｅリットル含
み、かつ、式、 ０．１×（ａ＋ｂ＋ｃ）≦ｄ≦３×（ａ＋ｂ＋ｃ） ０．０１≦［（ａ＋ｂ＋ｃ）／ｅ］≦３ を満たすことを特徴とする請求項２記載の薄膜の形成方
法。 - 【請求項７】該Ａ群をａモル、該Ｂ群をｂモル、該Ｃ群
をｃモル、該Ｄ群をｄリットル、該Ｅ群をｅリットル含
み、かつ、式、 ０．１×（ａ＋ｂ＋ｃ）≦ｅ≦３×（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ） ０．０１≦［（ａ＋ｂ＋ｃ）／ｅ］≦３ を満たすことを特徴とする請求項３記載の薄膜の形成方
法。 - 【請求項８】該Ａ群をａモル、該Ｂ群をｂモル、該Ｃ群
をｃモル、該Ｄ群をｄリットル、該Ｅ群をｅリットル含
み、かつ、式、 ０．１×（ａ＋ｂ＋ｃ）≦ｄ≦３×（ａ＋ｂ＋ｃ） ０．０１≦［（ａ＋ｂ＋ｃ）／ｅ］≦３ を満たすことを特徴とする請求項４記載の薄膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5242818A JPH0796172A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5242818A JPH0796172A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0796172A true JPH0796172A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17094753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5242818A Pending JPH0796172A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0796172A (ja) |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP5242818A patent/JPH0796172A/ja active Pending
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