JPH01294533A - 超伝導薄膜の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、耐熱性基体上に、ジョセフソン素子、磁気
センサ、スキッド（ＳＱＵＩＤ）素子等として作用する
超伝導薄膜を形成する方法に関する。

［従来の技術］ 発明者らは、先に、基体上に超伝導薄膜を形成する方法
として、特願昭６２−１３１０９３号発明を提案した。

しかしながら、この方法によるものは、臨界温度が、最
高でも９９にと低い。また、この方法においては、原料
として、イツトリウムをはじめとする稀土類金属のアル
コキシドまたはアルコキシアルコレートを用いるが、こ
れらの稀土類金属の化合物は大変高価であり、製造コス
トが高くなるという問題がある。

［発明が解決しようとする課題］ この発明の目的は、従来の方法の上述した問題点を解決
し、基体上に、臨界温度の高い超伝導薄膜を低コストで
形成することができる方法を提供するにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、この発明においては、 （イ）　下記Ａ群から選ばれたビスマスアルコキシドま
たはビスマスアルコキシアルコレートと、下記Ｂ群から
選ばれたカルシウムアルコキシドまたはカルシウムアル
コキシアルコレートと、下記Ｃ群から選ばれたストロン
チウムアルコキシドまたはストロンチウムアルコキシア
ルコレートと、下記り群から選ばれた銅アルコキシドま
たは銅アルコシキアルコレートと、下記Ｅ群から選ばれ
たアルカノールアミンと、下記Ｆ群から選ばれたアルコ
ールまたはアルコキシアルコールとを含む混合溶液を調
製する工程と、 Ａ群：ビスマスメトキシド ビスマスエトキシド ビスマスプロポキシド ビスマスブトキシド ビスマスメトキシエチレート ビスマスエトキシエチレート ビスマスプロボキシエチレート ビスマスブトキシエチレート ８群：カルシウムメトキシド カルシウムエトキシド カルシウムプロポキシド カルシウムブトキシド カルシウムメトキシエチレート カルシウムエトキシエチレート カルシウムプロボキシエチレート カルシウムブトキシエチレート ６群：ストロンチウムメトキシド ストロンチウムエトキシド ストロンチウムプロポキシド ストロンチウムブトキシド ストロンチウムメトキシエチレート ストロンチウムエトキシエチレート ストロンチウムプロポキシエチレート ストロンチウムブトキシエチレート Ｄ群：銅メトキシド 銅エトキシド 銅プロポキシド 銅ブトキシド 銅メトキシエチレート 銅エトキシエチレート 銅プロボキシエチレート 銅ブトキシエチレート ８群：モノエタノールアミン ジェタノールアミン トリエタノールアミン モノ１−プロパノールアミン ジ１−プロパノールアミン トリ１−プロパノールアミン モノ２−プロパノールアミン ジ２−プロパノールアミン トリ２−プロパノールアミン Ｅ群：メタノール エタノール プロパノール ブタノール メトキシエタノール エトキシエタノール プロポキシエタノール ブトキシェタノール （ロ）　耐熱性基体上に上記混合溶液の薄膜を形成する
工程と、 （ハ）　上記薄膜を乾燥し、ゲル化せしめる工程と、 （ニ）　ゲル化せしめた薄膜を焼成し、酸化物超伝導体
に変換せしめる工程と、 を含む、超伝導薄膜の形成方法が提供される。

以下、この発明を工程別にさらに詳しく説明する。

混合溶液の調製工程： この発明においては、まず、下記Ａ群から選ばれたビス
マスアルコキシドまたはビスマスアルコキシアルコレー
トと、下記Ｂ群から選ばれたカルシウムアルコキシドま
たはカルシウムアルコキシアルコレートと、下記Ｃ群か
ら選ばれたストロンチウムアルコキシドまたはストロン
チウムアルコキシアルコレートと、下記り群から選ばれ
た銅アルコキシドまたは銅アルコシキアルコレートと、
下記Ｅ群から選ばれたアルカノールアミンと、下記Ｆ群
から選ばれたアルコールまたはアルコキシアルコールと
を含む混合溶液を調製する。

Ａ群：ビスマスメトキシド ［Ｂ　ｉ　　（ＯＣＨ３）３コ ビスマスエトキシド ［Ｂ　ｊ　　（ＯＣ２Ｈ６）　３　］ ビスマスプロポキシド ［Ｂ　ｉ　　（ＯＣ３Ｈ７）　　３　］ビスマスブトキ
シド ［Ｂ　ｉ　（ＯＣ４Ｈ９）　３　］ ビスマスメトキシエチレート ［Ｂ　ｉ　　（ＯＣ２Ｈ４０ＣＨ３）　３　］ビスマス
エトキシエチレート ［Ｂ　ｉ　　（ＯＣ２Ｈ４０Ｃ２Ｈｓ　）　３　］ビス
マスプロポキシエチレート ［Ｂ　ｉ　　（ＯＣ２Ｈ４０Ｃ３Ｈ７）　３　］ビスマ
スブトキシエチレート ［Ｂ　１　　（ＯＣ２Ｈ４０Ｃ４Ｈ９）　３１Ｂ群：カ
ルシウムメトキシド ［Ｃａ　（ＯＣＨ３）２コ カルシウムエトキシド ［Ｃａ　（ＱＣ２Ｈｓ　）２　］ カルシウムプロポキシド ［Ｃａ　（ＯＣ３Ｈ７）　２　］ カルシウムブトキシド ［Ｃａ　（ＯＣ４Ｈ９）　２　］ カルシウムメトキシエチレート ［Ｃａ　（ＯＣ２Ｈ４０ＣＨ３）２コ カルシウムエトキシエチレート ［Ｃａ　（ＯＣ２Ｈ４０Ｃ２Ｈ５）２コカルシウムプロ
ボキシエチレート ［Ｃａ　（ＯＣ２Ｈ４０Ｃ３Ｈ７）　２コカルシウムブ
トキシエチレート ［Ｃａ　（ＯＣ２Ｈ４０Ｃ４Ｈ９）　２　］Ｃ群ニスト
ロンチウムメトキシド ［Ｓ　ｒ　（ＯＣＨ３）２コ ストロンチウムエトキシド ［Ｓ　ｒ　（ＯＣ２Ｈ５）　２コ ストロンチウムプロポキシド ［Ｓ　ｒ　（ＯＣ３Ｈ７）　２　］ ストロンチウムブトキシド ［Ｓ　ｒ　（ＯＣ４Ｈ９）　２　］ ストロンチウムメトキシエチレート ［Ｓ　ｒ　（ＯＣ２Ｈ４０ＣＨ３）　２　］ストロンチ
ウムエトキシエチレート ［８ｒ　（ＯＣ２Ｈ４０Ｃ２Ｈｓ　）　２　］ストロン
チウムプロポキシエチレート ［Ｓ　ｒ　　（ＯＣ２Ｈ４０Ｃ３Ｈ７）２　］ストロン
チウムブトキシエチレート ［Ｓ　ｒ　（ＱＣ２Ｈ４ＱＣ４Ｈ４）　２コＤ群：銅メ
トキシド ［Ｃｕ　（ＯＣＨ３）２　］ 銅エトキシド ［Ｃｕ　（ＯＣ２Ｈｓ　）　２　］ 銅プロポキシド ［Ｃｕ　（ＯＣ３Ｈ７）　２　］ 銅ブトキシド ［Ｃｕ　（ＯＣ４Ｈ９）　２　］ 銅メトキシエチレート ［Ｃｕ　（ＯＣ２Ｈａ　ＯＣＨ３）　２　］銅エトキシ
エチレート ［Ｃｕ（ＯＣ２Ｈ４０Ｃ２Ｈ５）２コ 銅プロポキシエチレート ［Ｃｕ　（ＯＣ２Ｈ４ＱＣ３Ｈ７）　２］銅ブトキシエ
チレート ［Ｃｕ　（ｏｃ、Ｈ４０ＣＨ３）２　］Ｅ群：モノエタ
ノールアミン ［Ｈ２ＮＣ２Ｈ４０Ｈ］ ジェタノールアミン ［ＨＮ　（Ｃ２Ｈ４０Ｈ）２　］ トリエタノールアミン ［Ｎ　（Ｃ２Ｈａ　ＯＨ）　３　］ ］モノ１−プロパツールアミ ンＨ２ＮＣ３Ｈ６０Ｈコ シ１−プロパノールアミン ［ＨＮ　（Ｃ３Ｈｂ　０Ｈ）２　］ ］トリ１−プロパツールアミ ンＮ　（Ｃ３Ｈ６０Ｈ）３　］ モノ２−プロパノールアミン ［Ｈ２Ｎ　ＣＨ２ＣＨＯＨＣＨ：ｓ　］ジジー−プロパ
ツールアミ ン　ＨＮ　（ＣＨ２ＣＨＯＨＣＨ３）　２コトリ２−プ
ロパノールアミン ［Ｎ　（ＣＨ２ＣＨＯＨＣＨ３）３コ Ｆ群：メタノール［ＣＨ，ＣＨコ エタノール［Ｃ２Ｈ，ＣＨコ プロパツール［Ｃ３Ｈ’ｙ　ＯＨ］ ブタノール［Ｃ４Ｈ７ＯＨコ メトキシエタノール ［ＣＨ３０Ｃ２Ｈ４０Ｈ］ エトキシエタノール ［Ｃ２Ｈ５０Ｃ２Ｈ４０Ｈ］ プロポキシエタノール ［Ｃ９Ｈ７０Ｃ２Ｈ４０Ｈコ ブトキシエタノール ［ＣＨ４Ｈ９０Ｃ２Ｈ４０Ｈ］ 上記ＡＳＢ、Ｃ，Ｄ各群におけるプロポキシドは、１−
プロポキシド、２−プロポキシドのいずれであってもよ
い。また、ブトキシドは、１−ブトキシド、２−ブトキ
シド、イソブトキシド、を−ブトキシドのいずれであっ
てもよい。さらに、Ｆ群のプロパツールは、１−プロパ
ツール、２−プロパツールのいずれであってもよい。さ
らにまた、ブタノールは、１−ブタノール、２−ブタノ
ール、イソブタノール、ｔ−ブタノールのいずれであっ
てもよい。

Ａ、ＢＳＣ，Ｄ各群のアルコキシドまたはアルコキシア
ルコレートは、いわゆる原料の主成分をなすものである
。

また、Ｅ群のアルカノールアミンは、焼成に至るまでの
各工程で、加水分解によってビスマス、カルシウム、ス
トロンチウムや銅が微粒子状の水酸化物や酸化物等とし
て析出するのを抑制するものである。Ｅ群のアルカノー
ルアミンは、また、Ｆ群のアルコールまたはアルコキシ
アルコールに対する溶解度が低いＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ各群の
アルコキシドまたはアルコキシアルコレートの溶解度を
上げる作用をもつ。溶解度が向上する結果、透明か、透
明に近い溶液が得られるようになる。

さらに、Ｆ群のアルコールやアルコキシアルコールは、
溶媒として作用するものである。これらは、あらかじめ
モレキュラシーブズ等で脱水処理をしておくのが好まし
い。

Ａ、ＢＳＣ，Ｄ、Ｅ、Ｆの各群からは、通常、１種を選
択、使用する。２種以上を選択、使用することも可能で
はあるが、そうしても得られる超伝導薄膜の特性にほと
んど有意差はなく、工程の複雑化によるコストの上昇な
ど、不都合のほうがよほど大きい。

また、Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ各群からは、いずれを選
択、使用しても後の工程、条件等を変える必要はなく、
得られる超伝導薄膜の特性にも有意差は認められない。

しかしながら、操作の容易性等を考慮すると、Ａ群から
はビスマスプロポキシドまたはビスマスブトキシドを、
Ｂ群からはカルシウムメトキシドまたはカルシウムエト
キシドを、０群からはストロンチウムメトキシドまたは
ストロンチウムプロポキシドを、Ｄ群からは銅エトキシ
ドまたは銅エトキシエチレートを、Ｅ群からはジェタノ
ールアミンまたはトリエタノールアミンを、Ｆ群からは
エタノールまたはプロパツールを、それぞれ選択、使用
するのが好ましい。

ＡＸＢ、Ｃ，Ｄ各群のアルコキシドまたはアルコキシア
ルコレートと、Ｅ群のアルカノールアミンと、Ｆ群のア
ルコールまたはアルコキシアルコールとの混合割合は、
それらの種類によって多少異なるものの、Ａ群のアルコ
キシドまたはアルコキシアルコレートをａモル、Ｂ群の
アルコキシドまたはアルコキシアルコレートをｂモル、
０群のアルコキシドまたはアルコキシアルコレートをＣ
モル、Ｄ群のアルコキシドまたはアルコキシアルコレー
トをｄモル、Ｅ群のアルカノールアミンをｅモル、Ｆ群
のアルコールまたはアルコキシアルコールをｆリットル
とした時、式、 １≦（ａ／ｄ）≦３ １≦（ｂ／ｄ）≦３ １≦（ｃ／ｄ）≦３ ０、２≦　［ｅ　／　　（ａ　＋　ｂ　＋　ｃ　＋　ｄ
　）　　コ　≦３０．０１≦［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）／ｆ
］≦５を同時に満足するようにするのが好ましい。（ａ
／ｄ）＜１、（ａ／ｄ）＞３、（ｂ／ｄ）　＜１、（ｂ
／ｄ）＞３、（ｃ／ｄ）＜１、（ｃ／ｄ）＞３の範囲で
は、得られる薄膜が超伝導特性を示さなくなることがあ
る。また、［ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）］　＜０．２では
、Ａ、Ｂ、ＣＳＤ各群のアルコキシドまたはアルコキシ
アルコレートの加水分解を十分に抑制できないことがあ
る。さらに、［ｅ／　（ａ＋ｂ十ｃ＋ｄ）］　＞３では
、混合溶液の粘度が高くなりすぎて製膜できないことが
ある。

さらにまた、［（ａ＋ｂ＋Ｃ＋ａ）／ｆ］　＜０゜０１
では、溶媒が多すぎて実用的でない。また。

［（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）／ｆ］　＞５では、Ａ、Ｂ。

ＣＳＤ各群のアルコキシドまたはアルコキシドアルコレ
ートが溶は残ることがある。

混合操作は、Ｅ群のアルカノールアミンとＦ群のアルコ
ールまたはアルコキシアルコールとの混合溶液にＡ、Ｂ
、Ｃ，Ｄ各群のアルコキシドまたはアルコキシアルコレ
ートを同時に添加、混合してもよく、また、Ｅ群のアル
カノールアミンとＦ群のアルコールまたはアルコキシア
ルコールとの混合溶液にＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ各群のアルコキ
シドまたはアルコキシアルコレートを加えて混合した溶
液を別々に調製し、各溶液から所定量を採取して混合す
るようにしてもよい。なお、混合操作が終了するまでは
、Ａ、Ｂ、ＣＳＤ各群のアルコキシドまたはアルコキシ
アルコレートを極力湿気に晒さないようにするのが好ま
しく、乾燥窒素などで置換したグラブボックス内などで
行なうのが好ましい。しかしながら、それ以後の操作は
大気中で行なうことができる。

混合溶液の薄膜形成工程： この発明においては、次に、耐熱性基体上に上記混合溶
液の薄膜を形成する。つまり、製膜する。

基体は、後述する焼成温度に耐えるものであればよく、
材質は、ニッケル、クロム、チタン、金、銀、白金など
の金属や、これら金属の少なくとも１種を主成分とする
合金や、ガラス、炭素、ケイ素、シリカ、アルミナ、マ
グネシア、ジルコニア、チタニア、窒化ホウ素、窒化ケ
イ素、炭化ケイ素、炭化ホウ素などの無機材料であれば
よい。形状は、繊維状、フィルム状、板状、バルク状な
ど、いずれであってもよい。これらの基体は、その表面
を研磨して平滑にし、さらに洗浄して油分などによる汚
れを除去してお（のが望ましい。

薄膜の形成は、刷毛、ローラなどによる塗布や、スプレ
ーによる塗布や、混合物に基体を浸漬した後、引き上げ
るデイツプコーティング法などによることができる。な
かでも、デイツプコーティング法は、操作が簡単である
うえに、複雑な形状の基体上にも容易に薄膜を形成する
ことができ、しかも、溶液の濃度、溶液への浸漬回数、
溶液からの引上速度を変えることによって膜厚を容易に
変更することができるので好ましい。

乾燥、ゲル化工程： この発明においては、次に、基体上に形成した混合溶液
の薄膜を乾燥し、Ｆ群のアルコールまたはアルコキシア
ルコールを蒸発させて、Ａ、Ｂ。

ＣＳＤ各群のアルコキシドまたはアルコキシアルコレー
トと、Ｅ群のアルカノールアミンとからなるゲル化薄膜
とする。

この工程は、常温で行なってもよく、また、５０〜１０
０℃程度の恒温下で行なってもよい。さらに、１％以下
の湿度に制御されたグラブボックス内で行なってもよい
。

焼成工程： この発明においては、次に、上記ゲル化薄膜を基体ごと
焼成し、酸化物超伝導体に変換する。この焼成は、たと
えば次のようにして行なう。

すなわち、ゲル化薄膜を基体ごと加熱炉に入れ、酸化性
雰囲気下で、一定の昇温速度で焼成温度まで昇温し、そ
の温度に一定時間保持した後、一定の降温速度で室温ま
で冷却する。雰囲気は、空気でもよいし、２０〜１００
％の濃度の酸素でもよい。昇温速度は、１〜２０°Ｃ／
分であるのが好ましい。２０℃／分を超えると、薄膜に
亀裂を生じることがある。また、１℃／分未満では、昇
温に時間がかかりすぎて実用的でない。焼成温度は、４
００〜９００℃であるのが好ましい。４００°Ｃ未満で
は、薄膜が十分に酸化しないことがある。

また、９００℃を超えると、膜の一部が溶解したり、蒸
発したりすることがある。焼成温度に保持する時間は、
薄膜が超伝導体に変換されて超伝導特性を示すようにな
る時間であり、通常、１時間程度である。降温速度は、
１〜ｂ のが好ましい。１０℃／分を超えると、薄膜に亀裂を生
じることがある。また１℃／分未満では、降温に時間が
かかりすぎて実用的でない。

［実施例コ 実施例１ 乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、ビスマス１
−ブトキシドを０．００２モル、カルシウムエトキシド
を０．００２モル、ストロンチウム２−プロポキシドを
０．００２モル、銅エトキシエチレートを０．００４モ
ル計り取り、これにジェタノールアミンを０．０１モル
添加し、これにエタノールをアルコキシドの濃度が０．
　１ｍｏｌ／１になるように加え、スタークを用いて３
０分撹拌し、混合溶液を得た。

一方、厚みが０．５ｍｍのマグネシア単結晶板を、トリ
クロルエチレン、アセトン、エタノール、純水を順次用
いてそれぞれ３分ずつ超音波洗浄した後、高純度乾燥窒
素を吹き付けて乾燥した。

次に、上記混合溶液に上記マグネシア単結晶板を浸漬し
、１分後、垂直に１０’ｃｍ／分の速度で引き上げ、マ
グネシア単結晶板上に混合溶液の薄膜を形成した。

次に、上記薄膜を５０°Ｃの恒温炉内で３０分乾燥し、
ゲル化させた。

次に、ゲル化薄膜をマグネシア単結晶板ごと電気炉に入
れ、１０℃／分で８５０℃まで昇温し、その温度に１時
間保持した後、７℃／分で室温まで冷却し、超伝導体に
変換した。

かくして得られた超伝導薄膜は、光沢のある黒色で、亀
裂などは認められなかった。厚みは８０ｎｍであった。

また、超伝導開始温度（Ｔｃｏ）は１２０に１超伝導終
了温度（ＴＣＥ）は１０５にであった。

実施例２ ビスマス１−ブトキシドに代えてビスマス２−プロポキ
シドを用いたほかは実施例１と同様にして、超伝導薄膜
を得た。

この薄膜の厚みは８２ｎｍであり、Ｔｏｏは１１８に、
Ｔｃｅは１０４にであった。

実施例３ カルシウムエトキシドに代えてカルシウムメトキシドを
用いたほかは実施例１と同様にして、超伝導薄膜を得た
。

この薄膜の厚みは８３ｎｍであり、Ｔｃｏは１１５に、
ＴＣＥは１０１にであった。

実施例４ ストロンチウム２−プロポキシドに代えてストロンチウ
ムメトキシドを用いたほかは実施例１と同様にして、超
伝導薄膜を得た。

この薄膜の厚みは２０ｎｍであり、Ｔｃｏは１１９ＫＳ
ＴｃＥは１０５にであった。

実施例５ 銅エトキシエチレートに代えて銅エトキシドを用いたほ
かは実施例１と同様にして、超伝導薄膜を得た。

この薄膜の厚みは８５ｎｍであり、Ｔｏｏは１２５に、
Ｔｃｇは１０９にであった。

実施例６ ジェタノールアミンに代えてトリエタノールアミンを用
いたほかは実施例１と同様にして、超伝導薄膜を得た。

この薄膜の厚みは８８ｎｍであり、Ｔｃｏは１２１ＫＳ
ＴＣＥは１０８にであった。

実施例７ エタノールに代えて２−プロパツールを用いたほかは実
施例１と同様にして、超伝導薄膜を得た。

この薄膜の厚みは８９ｎｍであり、Ｔ、ｏは１１１Ｋ　
ＳＴ　ｃ　ｅは１０１にであった。

実施例８ ビスマス１−ブトキシドに代えてビスマス２−プロポキ
シエチレートを、カルシウムエトキシドに代えてカルシ
ウムメトキシドを、ストロンチウム２−プロポキシドに
代えてストロンチウムメトキシドを、銅エトキシエチレ
ートに代えて銅エトキシドを、ジェタノールアミンに代
えてエタノールアミンを、エタノールに代えて２−プロ
パツールをそれぞれ用いたほかは実施例１と同様にして
、超伝導薄膜を得た。

この薄膜の厚みは９２ｎｍであり、ＴＣｏは１１７に、
Ｔ、Ｅは１０３にであった。

［発明の効果コ この発明は、ビスマスアルコキシドまたはビスマスアル
コキシアルコレートと、カルシウムアルコキシドまたは
カルシウムアルコキシアルコレートと、ストロンチウム
アルコキシドまたはストロンチウムアルコキシアルコレ
ートと、銅アルコキシドまたはアルコキシアルコレート
と、アルカノールアミンと、アルコールまたはアルコキ
シアルコールとを含む混合溶液を調製し、基体上にその
混合溶液の薄膜を形成し、ゲル化せしめた後、焼成して
基体上に超伝導薄膜を形成するものであり、実施例にも
示したように、超伝導終了温度が１００に以上であるよ
うな超伝導薄膜を容易に得ることができるようになる。

また、上述した従来の方法のようにイツトリウム等の高
価な稀土類金属を含む化合物を使用しないので、低コス
トで製造できる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （イ）下記Ａ群から選ばれたビスマスアルコキシドまた
   はビスマスアルコキシアルコレートと、下記Ｂ群から選
   ばれたカルシウムアルコキシドまたはカルシウムアルコ
   キシアルコレートと、下記Ｃ群から選ばれたストロンチ
   ウムアルコキシドまたはストロンチウムアルコキシアル
   コレートと、下記Ｄ群から選ばれた銅アルコキシドまた
   は銅アルコシキアルコレートと、下記Ｅ群から選ばれた
   アルカノールアミンと、下記Ｆ群から選ばれたアルコー
   ルまたはアルコキシアルコールとを含む混合溶液を調製
   する工程と、 Ａ群：ビスマスメトキシド ビスマスエトキシド ビスマスプロポキシド ビスマスブトキシド ビスマスメトキシエチレート ビスマスエトキシエチレート ビスマスプロポキシエチレート ビスマスブトキシエチレート Ｂ群：カルシウムメトキシド カルシウムエトキシド カルシウムプロポキシド カルシウムブトキシド カルシウムメトキシエチレート カルシウムエトキシエチレート カルシウムプロポキシエチレート カルシウムブトキシエチレート Ｃ群：ストロンチウムメトキシド ストロンチウムエトキシド ストロンチウムプロポキシド ストロンチウムブトキシド ストロンチウムメトキシエチレート ストロンチウムエトキシエチレート ストロンチウムプロポキシエチレート ストロンチウムブトキシエチレート Ｄ群：銅メトキシド 銅エトキシド 銅プロポキシド 銅ブトキシド 銅メトキシエチレート 銅エトキシエチレート 銅プロポキシエチレート 銅プトキシエチレート Ｅ群：モノエタノールアミン ジエタノールアミン トリエタノールアミン モノ１−プロパノールアミン ジ１−プロパノールアミン トリ１−プロパノールアミン モノ２−プロパノールアミン ジ２−プロパノールアミン トリ２−プロパノールアミン Ｆ群：メタノール エタノール プロパノール ブタノール メトキシエタノール エトキシエタノール プロポキシエタノール ブトキシエタノール （ロ）耐熱性基体上に上記混合溶液の薄膜を形成する工
   程と、 （ハ）上記薄膜を乾燥し、ゲル化せしめる工程と、 （ニ）ゲル化せしめた薄膜を焼成し、酸化物超伝導体に
   変換せしめる工程と、 を含む、超伝導薄膜の形成方法。