JPH01290533A - リチウム系複合酸化物薄膜の形成方法 - Google Patents

リチウム系複合酸化物薄膜の形成方法

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JPH01290533A
JPH01290533A JP12283688A JP12283688A JPH01290533A JP H01290533 A JPH01290533 A JP H01290533A JP 12283688 A JP12283688 A JP 12283688A JP 12283688 A JP12283688 A JP 12283688A JP H01290533 A JPH01290533 A JP H01290533A
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JP
Japan
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thin film
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lithium
mixed solution
ethoxide
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JP12283688A
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Tatsuhiko Suzuki
達彦 鈴木
Yoshio Matsuda
松田 良夫
Keisuke Kobayashi
小林 啓佑
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Toray Industries Inc
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Toray Industries Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、表面弾性波素子や集積回路素子、焦電素子
、先導波路用材料等として好適なニオブ酸リチウムまた
はタンタル酸リチウムの薄膜を基体上に形成する方法に
関する。
従来の技術 ニオブ酸リチウム(L i Nb03)ヤタンタル酸リ
チウム(LiTaO3)は、単結晶として表可弾性波素
子や集積回路素子、焦電素子等として広く使用され、近
年、光導波路用材料としても有望視されているが、単結
晶の製造工程は複雑で、製造コストが高いため、そのよ
うな不都合のない薄膜化についての検討が盛んに行われ
ている。
たとえば、窯業協会、昭和62年年会講演予稿集、第7
17頁(1987年)には、l−iやNbのアルコキシ
ドのエタノール溶液を用い、デイツプコーテング法によ
って基体上にニオブ酸リチウムの薄膜を形成する方法が
記載されている。ところが、この方法は、l−iヤNb
のアルコキシドが容易に加水分解されて微粒子として析
出するため、均質性に優れた薄膜とするためには、全工
程のほとんどを、乾燥したグラブボックス内等で行わな
ければならず、操作がやっかいであるという問題がある
発明が解決しようとする課題 この発明の目的は、従来の方法の上述した問題点を解決
し、基体上に、均質性に優れたリチウム系複合酸化物薄
膜を容易に形成する方法を提供するにおる。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するために、この発明においては、下記
A群、Bu、0群およびD群からそれぞれ選ばれた化合
物を含む混合溶液を調製する工程と、 A群:NbまたはTaの、メトキシド、エトキシド、プ
ロポキシド、ブトキシド、メトキシエトキシドまたはエ
トキシエトキシド 8群:Liの、メトキシド、エトキシド、プロポキシド
、ブトキシド、メトキシエトキシドまたはエトキシエト
キシド 0群:モノエタノールアミン、ジェタノールアミン、ト
リエタノールアミン、七ノ2−プロパノールアミン、ジ
2−プロパツールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ール、ジプロピレングリコール °D群:メタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール、メトキシエタノール、エトキシエタノール 耐熱性基体上に上記混合溶液の薄膜を形成する工程と、 上記薄膜を乾燥する工程と、 上記乾燥薄膜を酸化性雰囲気中で焼成し、リチウム系複
合酸化物薄膜に変換する工程と、を含むことを特徴とす
る、リチウム系複合酸化物薄膜の形成方法が提供される
以下、この発明を各工程別にざらに詳しく説明する。
混合溶液の調製工程: この発明においては、まず、下記のA、B、C。
D各群から選ばれた化合物を含む混合溶液を調製する。
A群:NbまたはHaの、メトキシド、エトキシド、プ
ロポキシド、ブトキシド、メトキシエトキシドまたはエ
トキシエトキシド 8群:Liの、メトキシド、エトキシド、プロポキシド
、ブトキシド、メトキシエトキシドまたはエトキシエト
キシド 0群:モノエタノールアミン、ジェタノールアミン、ト
リエタノールアミン、七ノ2−プロパノールアミン、ジ
2−プロパツールアミン、アセチルアセトン、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
ール、ジプロピレングリコール D群:メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、メトキシエタノール、工I〜キシエタノール 上記A、[3各群におけるプロポキシドは、1−プロポ
キシド、2−プロポキシドのいずれで必ってもよい。ま
た、ブトキシドは、1−ブトキシド、2−ブトキシド、
イソブトキシド、↑−ブトキシドのいずれでおってもよ
い。さらに、D群のプロパノールは、1−プロパノール
、2−プロパノールのいずれであってもよい。ざらにま
た、ブタノ−ルは、1−ブタノール、2−ブタノール、
イソブタノール、↑−ブタノールのいずれであってもよ
い。
上記△、B各群の化合物は、リチウム系複合酸化物薄膜
の主成分となるものである。また、Cuの化合物は、焼
成に至るまでの各工程で、加水分解によってA、B各群
の化合物が微粒子状の水酸化物や酸化物として析出する
のを抑制するものである。ざらに、D群の化合物は、溶
媒として作用するものである。
A、B、C,Dの各群からは、1種を選択、使用する。
2種以上を選択、使用することも可能ではあるが、そう
しても得られる薄膜に特性上の有意差はほとんど認めら
れず、工程の複雑化等によるコス1へ上昇など、不都合
のほうがよほど大きい。
また、A、B各群からは、どの化合物を選択、使用して
も、得られる薄膜に特性上の有意差はほとんど認められ
ない。すなわち、アルコキシ基やアルコキシアルコキシ
基の相異による、得られる薄膜の特性上の有意差はほと
んど認められない。
同様に、C,D各群からどの化合物を選択しても、jq
られる薄膜の特性上の有意差はほとんど認められない。
A、B、C,D各群の化合物の混合割合は、それらの種
類によって多少異なるものの、A群の化合物をaモル、
8群の化合物をbモル、0群の化合物Cモル、D群の化
合物をdリットルとしたとき、式、 0.1≦[c/ (a十b)]≦10 0.02≦[(a+b)/d]≦2 を同時に満足するようにするのが好ましい。
すなわち、[c/ (a+b)] <0.1では、A、
B各群の化合物の加水分解を十分に抑制できないことが
ある。また、[C/ (a+b)’J >10では、混
合溶液の粘度が高くなりすぎて装膜てきないことがある
。さらに、[(a+b)/d]<0.02では、溶媒が
多すぎて実用的でない。
マタ、[(a十b)/d] >2では、A、B各群の化
合物が溶は残ることがある。なあ、A、B各群の化合物
は、通常、等しいモル吊とする。
混合操作は、0群の化合物とD群の化合物との混合溶液
にA、B各群の化合物を同時に添加、混合することであ
ってもよく、また、0群の化合物とD群の化合物との混
合溶液にA、B各群の化合物を添加してなる溶液を別々
に調製し、各溶液から所定槽を採取して混合することで
あってもよい。
なあ、混合操作が完了するまでは、A、B各群の化合物
を極力湿気に晒さないよにするのが好まく、乾燥窒素な
どで置換したグラブボックス内等で行うのが好ましい。
しかしながら、それ以後の操作は大気中で行うことがで
きる。
混合溶液の薄膜形成工程: この発明においては、次に、耐熱性基体上に上記混合溶
液の薄膜を形成する。つまり、製膜する。
基体は、後)ホする焼成温度に耐えるもので必ればよく
、ニッケル、コバルト、クロム、チタン、金、銀、白金
などの金属や、これら金属の少なくも1種を主成分とす
る合金や、ガラス、炭素、ケイ素、シリカ、アルミナ、
マグネシア、ジルコニア、チタニア、窒化ホウ素、窒化
ケイ素、炭化ホウ素などの無機質材料を使用することが
できる。
形状は、繊維状、フィルム状、板状、バルク状など、い
ずれであってもよい。これらの基体は、その表面を研磨
して平滑にしたり、洗浄して油分などによる汚れを除去
したりしてあくのが好ましい。
薄膜の形成は、刷毛、ローラー等による塗イHや、スプ
レーによる塗布や、混合溶液に基体を浸漬した後引き上
げるデイツプコーティング法等によることが出来る。な
かでも、比較的簡単で、しかも引上速度を変えることで
膜厚を容易に変えることができるデイツプコーティング
法によるのが好ましい。
乾燥工程: この発明においては、次に、基体上に形成した薄膜を乾
燥し、D群の化合物、つまり溶媒を蒸発させてA、B、
C各群の化合物からなるゲル化薄膜とする。この工程は
、常温で行ってもよく、50〜100’C程度の恒温下
で行ってもよい。
焼成工程: この発明においては、次に、上記乾燥薄膜を賭化性雰囲
気中にて基体ごと焼成し、有機成分を分解して飛ばすと
ともに、A、B各群の化合物を酸化さける。かくして、
ArJからNbを選択した場合にはニオブ酸リチウム薄
膜が19られ、Taを選択した場合にはタンタル酸リチ
ウム薄膜が得られる。この焼成は、たとえば次のように
して行う。
すなわち、薄膜を基体ごと加熱炉に入れ、酸化性雰囲気
中で焼成温度まで昇温し、その温度に一定時間保持した
後、室温まで冷却する。焼成雰囲気は、空気か、20〜
100%の濃度の酸素とする。昇温速度は、1〜500
’C/分であるのが好ましい。1°C/分未満では、昇
温に時間がかかりすぎて実用的でない。500℃/分を
越えると、薄膜に亀裂等ができることがある。焼成温度
は、300〜10oo’cが好ましい。300’C未満
では薄膜が十分に酸化されないことがある。1000℃
を越えると、薄膜の一部が蒸発することがおる。さらに
好ましい焼成温度は、400〜800°Cである。焼成
時間は、数十分から数時間程度でよい。冷却速度もまた
、昇温の場合と同様の理由で1〜500’C/分である
のが好ましい。
実施例 実施例 1 乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、Nbのエト
キシドを0.01モル、[iのエトキシドを0.01モ
ル計り取り、これにモノエタノールアミンを0.02モ
ル添加し、さらにエタノールを100m1加え、スター
クを用いて30分攪拌し、透明な混合溶液を得た。
一方、厚みがQ、5mmの白金板を、トリクロルエチレ
ン、アセトン、エタノール、純水を順次用いてそれぞれ
3分づつ超音波洗浄した後、高純度乾燥窒素を吹きイ」
けて乾燥した。
次に、上記混合溶液に上記白金板を浸漬し、1分後、垂
直に10cm/分の速度で引き上げ、白金板上に混合溶
液の薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を50’Cの恒温槽中に30分入れ、乾
燥した。
次に、上記乾燥薄膜を、白金板ごと電気炉に入れ、10
’C/分の速度で600 ’Cまで昇温し、その温度に
1時間保持した後、7°C/分の速度で室温まで冷却し
た。
かくして得られた薄膜をX線回折法で同定したところ、
ニオブ酸リチウムの回折ピークが現われた。また、薄膜
は淡黄の干渉色を示し、光沢があり、厚みは2Qnmで
あった。ざらに、600倍の顕微鏡による観察でも異物
や亀裂等は認められず、極めて均質であった。
実施例2 乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、Nbの2−
プロポキシドを0.01モル、liの2−プロポキシド
を0.01モル計り取り、これにジェタノールアミンを
0.02モル添加し、ざらにイソプロパノールを100
m1加え、スタークを用いて30分攪拌し、透明な混合
溶液を得た。
以下、実施例1と同様にして白金板上にニオブ酸リチウ
ムの薄膜を1rIだ。この薄膜もまた、実施例1で得ら
れたものと同様、極めて均質であった。
実施例3 乾燥窒素を流しているグラブボックス内で、laのエト
キシドを0.01モル、1−iのエトキシドを0.01
モル計り取り、これにモノエタノールアミンを0.02
モル添加し、ざらにエタノールを100m1加え、スタ
ークを用いて30分攪拌し、透明な混合溶液を得た。以
下、実施例1と同様にして白金板上に薄膜を得た。
この薄膜をX線回折法で同定したところ、タンタル酸リ
チウムの回折ピークが現われた。また、実施例1で得ら
れたものと同様、極めて均質であった。
発明の効果 この発明の方法は、0群の化合物によってA、B各群の
化合物の加水分解を抑制しつつ混合溶液から一気に耐熱
性基体上にN膜を形成し、乾燥し、酸化性雰囲気中で焼
成するので、実施例にも示したように、均質性に優れた
リチウム系複合酸化物薄膜を容易に1qることかできる
ようになる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (イ)下記A群、B群、C群およびD群からそれぞれ選
    ばれた化合物を含む混合溶液を調製する工程と、 A群:NbまたはTaの、メトキシド、エトキシド、プ
    ロポキシド、ブトキシド、メトキシエトキシドまたはエ
    トキシエトキシド B群:Liの、メトキシド、エトキシド、プロポキシド
    、ブトキシド、メトキシエトキシドまたはエトキシエト
    キシド C群:モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
    リエタノールアミン、モノ2−プロパノールアミン、ジ
    2−プロパノールアミン、アセチルアセトン、エチレン
    グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコ
    ール、ジプロピレングリコール D群:メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
    ール、メトキシエタノール、エトキシエタノール (ロ)耐熱性基体上に上記混合溶液の薄膜を形成する工
    程と、 (ハ)上記薄膜を乾燥する工程と、 (ニ)上記乾燥薄膜を酸化性雰囲気中で焼成し、リチウ
    ム系複合酸化物薄膜に変換する工程と、を含むことを特
    徴とする、リチウム系複合酸化物薄膜の形成方法。
JP12283688A 1988-05-19 1988-05-19 リチウム系複合酸化物薄膜の形成方法 Pending JPH01290533A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04202018A (ja) * 1990-11-30 1992-07-22 Nec Corp ニオブ酸リチウム薄膜の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04202018A (ja) * 1990-11-30 1992-07-22 Nec Corp ニオブ酸リチウム薄膜の製造方法

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