JPH01104083A - t−アルキルジメチルハロゲノシランの製造方法 - Google Patents
t−アルキルジメチルハロゲノシランの製造方法Info
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- JPH01104083A JPH01104083A JP62203857A JP20385787A JPH01104083A JP H01104083 A JPH01104083 A JP H01104083A JP 62203857 A JP62203857 A JP 62203857A JP 20385787 A JP20385787 A JP 20385787A JP H01104083 A JPH01104083 A JP H01104083A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、シリル化剤、特に反応制御に用いられる特殊
シリル化剤として有用なt−アルキルジメチルハロゲノ
シランの製造方法に間するものである。
シリル化剤として有用なt−アルキルジメチルハロゲノ
シランの製造方法に間するものである。
[従来の技術]
従来、t−アルキルジメチルハロゲノシランを製造する
方法としては、 (1)t−アルキルリチウム試薬とジメチルジクロロシ
ランを反応させる方法(J、Org、Chem、43.
3649(+978)、J、Amer、Chem、So
c、76.1030(1954)参照)、 (2)ハロゲノシランの立体障害が小さい5i−H基を
有する例えばトリハロゲノシランやメチルジハロゲノシ
ランを用いてt−アルキルグリニヤール試薬と反応し、
次いで残りのハロゲン原子をメチルグリニヤール試薬と
反応させてメチル(ヒし、最後に5i−H基をハロゲン
化して目的とするt−アルキルジメチルハロゲノシラン
を得る方法(特開昭60−222492号公報参照)お
よび (3)ジメチルテトラハロゲノジシランやヘキサハロゲ
ノジシランといったジシランとt−アルキルグリニヤー
ル試薬を反応させてt−ブチルハロゲノシランを得、部
分的にメチル化して、 t−アルキルジメチルハロゲノ
シランを得る方法(特開昭60−237092号公報参
照)が知られている。
方法としては、 (1)t−アルキルリチウム試薬とジメチルジクロロシ
ランを反応させる方法(J、Org、Chem、43.
3649(+978)、J、Amer、Chem、So
c、76.1030(1954)参照)、 (2)ハロゲノシランの立体障害が小さい5i−H基を
有する例えばトリハロゲノシランやメチルジハロゲノシ
ランを用いてt−アルキルグリニヤール試薬と反応し、
次いで残りのハロゲン原子をメチルグリニヤール試薬と
反応させてメチル(ヒし、最後に5i−H基をハロゲン
化して目的とするt−アルキルジメチルハロゲノシラン
を得る方法(特開昭60−222492号公報参照)お
よび (3)ジメチルテトラハロゲノジシランやヘキサハロゲ
ノジシランといったジシランとt−アルキルグリニヤー
ル試薬を反応させてt−ブチルハロゲノシランを得、部
分的にメチル化して、 t−アルキルジメチルハロゲノ
シランを得る方法(特開昭60−237092号公報参
照)が知られている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら(+)の方法は、高活性なリチウム微分散
物を高温(約200℃)で生成させるために、高活性の
金属リチウムの取扱に十分な注意が必要であフたり、特
殊な設備が必要であるという欠点、また生成したt−ア
ルキルリチウムは空気と接触するだけで自然発火するた
め、非常に危険であるという欠点があった。
物を高温(約200℃)で生成させるために、高活性の
金属リチウムの取扱に十分な注意が必要であフたり、特
殊な設備が必要であるという欠点、また生成したt−ア
ルキルリチウムは空気と接触するだけで自然発火するた
め、非常に危険であるという欠点があった。
また(2)の方法は、合成ルートが長いという欠点、(
3)の方法は、特殊なジシランが必要であり、ざらには
けい素の半分しか使用されず効率が悪いという欠点があ
った。
3)の方法は、特殊なジシランが必要であり、ざらには
けい素の半分しか使用されず効率が悪いという欠点があ
った。
本発明は、前記した欠点を解消することを目的とし、危
険な試薬を用いずに、安価に、liJ便に、しかも効率
よくt−フルキルジメチルハロゲノシランを得ることが
できる新規な製造方法を提供するものである。
険な試薬を用いずに、安価に、liJ便に、しかも効率
よくt−フルキルジメチルハロゲノシランを得ることが
できる新規な製造方法を提供するものである。
[発明の構成]
前記した目的は、
一般式
%式%
(式中、Rは、炭素数1〜3のアルキル基、×1は、塩
素原子もしくは臭素原子)で示されるけい素化合物と、
金属塩化物または金属臭化物のルイス酸とを反応させる
ことを特徴とする、一般式 %式% (式中、Rは、炭票数1〜3のアルキル基、×2は、塩
素原子もしくは臭素原子)で示されるt−アルキルジメ
チルハロゲノシランの製造方法により達成される。
素原子もしくは臭素原子)で示されるけい素化合物と、
金属塩化物または金属臭化物のルイス酸とを反応させる
ことを特徴とする、一般式 %式% (式中、Rは、炭票数1〜3のアルキル基、×2は、塩
素原子もしくは臭素原子)で示されるt−アルキルジメ
チルハロゲノシランの製造方法により達成される。
これを説明するに、本発明で製造するt−フルキルジメ
チルハロゲノシランは、 一般式 %式% で示されるものであり、前記した式中Rは、炭素数1〜
3のアルキル基であり、これにはメチル基、エチル基、
プロピル基がある。×2は、塩素原子もしくは臭素原子
である。
チルハロゲノシランは、 一般式 %式% で示されるものであり、前記した式中Rは、炭素数1〜
3のアルキル基であり、これにはメチル基、エチル基、
プロピル基がある。×2は、塩素原子もしくは臭素原子
である。
一般式
%式%
で示されるけい素化合物は、本発明の製造方法において
原料となるものである。Rは、前記と同じてあり、×1
は塩素原子もしくは臭素原子である。ここで×1は、前
記した×2と同種であるが、×2が塩素原子の場合、異
種、すなわち臭素原子であってよい。該けい素化合物は
、トリメチルクロロシランと、一般式 %式% (式中、RおよびXlは前記と同じ)で示されるグリニ
ヤール試薬との反応で得られた一般式%式% (式中、Rは前記と同じ)を、塩素もしくは臭素と光照
射下で反応することにより、容易に得られる。
原料となるものである。Rは、前記と同じてあり、×1
は塩素原子もしくは臭素原子である。ここで×1は、前
記した×2と同種であるが、×2が塩素原子の場合、異
種、すなわち臭素原子であってよい。該けい素化合物は
、トリメチルクロロシランと、一般式 %式% (式中、RおよびXlは前記と同じ)で示されるグリニ
ヤール試薬との反応で得られた一般式%式% (式中、Rは前記と同じ)を、塩素もしくは臭素と光照
射下で反応することにより、容易に得られる。
金属塩化物または金属臭化物のルイス酸は本発明の製造
方法において、原料および/または触媒となるものであ
り、これにシヨ塩化アルミニウム、塩化第二鉄、四塩化
チタン、塩化アンチモン、塩化スズのような金属塩化物
のルイス酸、臭化アルミニウム、臭化第二鉄、四臭化チ
タン、臭化アンチモン、臭化スズのような金属臭化物の
ルイス酸が例示される。好ましくは、反応の選択性、反
応速度などの点から、塩化アルミニウムまたは臭化アル
ミニウムである。
方法において、原料および/または触媒となるものであ
り、これにシヨ塩化アルミニウム、塩化第二鉄、四塩化
チタン、塩化アンチモン、塩化スズのような金属塩化物
のルイス酸、臭化アルミニウム、臭化第二鉄、四臭化チ
タン、臭化アンチモン、臭化スズのような金属臭化物の
ルイス酸が例示される。好ましくは、反応の選択性、反
応速度などの点から、塩化アルミニウムまたは臭化アル
ミニウムである。
本成分の使用量としては、前記した一般式%式%
で示されるけい素化合物中の×1が塩素原子であって、
目的とする一般式 H3 X2SiCR2CHz lh で示されるけい素化合物中の×2が塩素原子である場合
、該原料のけい素化合物1モルに対し、金属塩化物また
は金属臭化物のルイス酸が0゜01〜10モル%となる
ような量が好ましく、より好ましくは、0.1〜2モル
%となるような量である。また、原料のけい素化合物中
の、×1が臭素原子であって、目的とするけい素化合物
中の×2が塩素原子である場合、該原料のけい素化合物
1モルに対し、金属塩化物のルイス酸は、その塩素原子
の量が、等モル以上と−なるような型用いることが好ま
しい。より好ましくは、1〜5モルとなるような量であ
る。
目的とする一般式 H3 X2SiCR2CHz lh で示されるけい素化合物中の×2が塩素原子である場合
、該原料のけい素化合物1モルに対し、金属塩化物また
は金属臭化物のルイス酸が0゜01〜10モル%となる
ような量が好ましく、より好ましくは、0.1〜2モル
%となるような量である。また、原料のけい素化合物中
の、×1が臭素原子であって、目的とするけい素化合物
中の×2が塩素原子である場合、該原料のけい素化合物
1モルに対し、金属塩化物のルイス酸は、その塩素原子
の量が、等モル以上と−なるような型用いることが好ま
しい。より好ましくは、1〜5モルとなるような量であ
る。
また、原料のけい素化合物中のx+が臭素原子であって
目的とするけい素化合物中のx2が臭素原子である場合
、原料のけい素化合物1モルに対し、金属塩化物または
金属臭化物のルイス酸が0.01〜10モル%となるよ
うな量が好ましく、より好ましくは、0. 1〜2モル
%となるような量である。
目的とするけい素化合物中のx2が臭素原子である場合
、原料のけい素化合物1モルに対し、金属塩化物または
金属臭化物のルイス酸が0.01〜10モル%となるよ
うな量が好ましく、より好ましくは、0. 1〜2モル
%となるような量である。
本発明の製造方法における反応の雰囲気としては、特に
制限されず、空気中、不活性気体中で行ってよく、また
常圧下、加圧下または減圧下で行ってよい、また、反応
は、有機溶媒の存在下で行ってよく、有機溶媒としては
、塩1ヒメチレン、クロロホルム、四塩化炭素のような
塩素化炭化水素または臭化メチレンのような臭素化炭化
水素等のハロゲン化炭化水素溶媒、トルエン、キシレン
のような芳香族系炭化水素溶媒が例示され、反応速度の
制御や攪拌効率の点から有W溶媒を用いることが好まし
く、ハロゲン化炭化水素溶媒を用いることがより好まし
い。
制限されず、空気中、不活性気体中で行ってよく、また
常圧下、加圧下または減圧下で行ってよい、また、反応
は、有機溶媒の存在下で行ってよく、有機溶媒としては
、塩1ヒメチレン、クロロホルム、四塩化炭素のような
塩素化炭化水素または臭化メチレンのような臭素化炭化
水素等のハロゲン化炭化水素溶媒、トルエン、キシレン
のような芳香族系炭化水素溶媒が例示され、反応速度の
制御や攪拌効率の点から有W溶媒を用いることが好まし
く、ハロゲン化炭化水素溶媒を用いることがより好まし
い。
なお、目的とするけい素化合物中の×2が塩素原子であ
り、原料となるけい素化合物中のXIが臭素原子であり
、反応溶媒として塩素化炭化水素溶媒を用いる場合、該
溶媒中の塩素原子の量が、原料の−め式 %式% で示されるけい素化合物と等モル以上であると、該溶媒
中の塩素原子が反応に閏年するので、金属塩化物または
金属臭化物のルイス酸の使用量は、該けい素化合物1モ
ルに対し、少なくとも0.01モル%の量であってよい
。
り、原料となるけい素化合物中のXIが臭素原子であり
、反応溶媒として塩素化炭化水素溶媒を用いる場合、該
溶媒中の塩素原子の量が、原料の−め式 %式% で示されるけい素化合物と等モル以上であると、該溶媒
中の塩素原子が反応に閏年するので、金属塩化物または
金属臭化物のルイス酸の使用量は、該けい素化合物1モ
ルに対し、少なくとも0.01モル%の量であってよい
。
反応温度は10〜150℃が好ましく、より好ましくは
20〜120℃である。
20〜120℃である。
[実施例]
次に、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例1
塩化アルミニウム0. 5g (3,75mn+ol)
および塩化メチレン100gからなる懸濁液に、α−ク
ロロ−α−メチルエチルトリメチルシラン150.7g
(Imol)および塩化メチレン100gの混合溶液を
ゆっくりと滴下した0発熱反応が起こり塩化メチレンが
還流した。
および塩化メチレン100gからなる懸濁液に、α−ク
ロロ−α−メチルエチルトリメチルシラン150.7g
(Imol)および塩化メチレン100gの混合溶液を
ゆっくりと滴下した0発熱反応が起こり塩化メチレンが
還流した。
滴下終了後、1時間42℃で、攪拌して、塩化メチレン
を還流させて反応を完結し、反応液をろ過してから反応
液を常圧蒸留して塩化メチレンを留去し、引き続いて常
圧蒸留してt−ブチルジメチルクロロシランを147g
(0,975mol)得た。沸点124〜126℃、収
率97、 5%。
を還流させて反応を完結し、反応液をろ過してから反応
液を常圧蒸留して塩化メチレンを留去し、引き続いて常
圧蒸留してt−ブチルジメチルクロロシランを147g
(0,975mol)得た。沸点124〜126℃、収
率97、 5%。
実施例2
塩化アルミニウム 0. 5 g (3,75veol
)および塩化メチレン200gからなる懸濁液に、α−
プロモーα−メチルエチルトリメチルシラン195g(
lIlol)および塩化メチレン200gの混合溶液を
ゆっくりと滴下した0発熱反応が起こり塩化メチレンが
還流した。
)および塩化メチレン200gからなる懸濁液に、α−
プロモーα−メチルエチルトリメチルシラン195g(
lIlol)および塩化メチレン200gの混合溶液を
ゆっくりと滴下した0発熱反応が起こり塩化メチレンが
還流した。
滴下耕了後3時間42℃で攪拌して反応を完結した後、
反応液をろ過し、臭化アルミニウムを除去して、塩化メ
チレンと反応で生成した臭化塩化メタンを留去し、その
まま常圧で蒸留を続け、目的とするt−ブチルジメチル
クロロシラン142g (0,94io1)を得た。沸
点124〜126℃、収率94%。
反応液をろ過し、臭化アルミニウムを除去して、塩化メ
チレンと反応で生成した臭化塩化メタンを留去し、その
まま常圧で蒸留を続け、目的とするt−ブチルジメチル
クロロシラン142g (0,94io1)を得た。沸
点124〜126℃、収率94%。
実施例3
塩化アルミニウム 50g (0,375i+ol)お
よび臭化メチレン200gからなる懸濁液に、α−プロ
モーα−メチルエチルトリメチルシラン195g(Im
ol)および臭化メチレン200gの混合溶液をゆっく
りと滴下した1発熱反応が起こり臭化メチレンが還流し
た。
よび臭化メチレン200gからなる懸濁液に、α−プロ
モーα−メチルエチルトリメチルシラン195g(Im
ol)および臭化メチレン200gの混合溶液をゆっく
りと滴下した1発熱反応が起こり臭化メチレンが還流し
た。
滴下終了後、30分間100℃で攪拌して反応を完結し
た後、反応液をろ過して臭素化アルミニウムを除去し、
臭化メチレンを留去して、そのまま常圧で蒸留を続け、
目的とするt−ブチルジメチルクロロシラン140g(
0,93mol)を得た。沸点124〜126℃、収率
93%。
た後、反応液をろ過して臭素化アルミニウムを除去し、
臭化メチレンを留去して、そのまま常圧で蒸留を続け、
目的とするt−ブチルジメチルクロロシラン140g(
0,93mol)を得た。沸点124〜126℃、収率
93%。
実施例4
臭化アルミニウム2. 0g (7,6mmol)およ
び臭化メチレン200gからなる懸濁液に、α−ブロモ
−α−メチルエチルトリメチルシラン195g(1mo
l)の臭化メチレン200gに溶かした溶液をゆっくり
と滴下した0発熱反応が起こり臭化メチレンが環流した
0滴下終了後1時間加熱攪拌して反応を完結した後、反
応液を常圧蒸留して臭化メチレンを留去し、引き続いて
常圧蒸留して143℃〜144℃の留分をとったところ
、192gの目的とするt−ブチルジメチルブロモシラ
、ンが得られた(収率98%)。
び臭化メチレン200gからなる懸濁液に、α−ブロモ
−α−メチルエチルトリメチルシラン195g(1mo
l)の臭化メチレン200gに溶かした溶液をゆっくり
と滴下した0発熱反応が起こり臭化メチレンが環流した
0滴下終了後1時間加熱攪拌して反応を完結した後、反
応液を常圧蒸留して臭化メチレンを留去し、引き続いて
常圧蒸留して143℃〜144℃の留分をとったところ
、192gの目的とするt−ブチルジメチルブロモシラ
、ンが得られた(収率98%)。
実施例6
トリメチルイソプロとルシラン44.8g(0,385
モル)をジブロモテトラフルオロエタン50gに溶解し
た溶液を一20’Cで100Wの白色光を照射しながら
臭1j61.5g(0゜385モル)を滴下した0滴下
終了後溶媒を加熱還流して臭化水素を除去し、α−ブロ
モ−α−メチルエチルトリメチルシランを生成させた。
モル)をジブロモテトラフルオロエタン50gに溶解し
た溶液を一20’Cで100Wの白色光を照射しながら
臭1j61.5g(0゜385モル)を滴下した0滴下
終了後溶媒を加熱還流して臭化水素を除去し、α−ブロ
モ−α−メチルエチルトリメチルシランを生成させた。
引き続いて臭化アルミニウム1.0gのジブロモテトラ
フルオロエタン10gの溶液をゆっくりと滴下した1滴
下終了後、反応液を常圧蒸留して溶媒を留去し、そのま
ま蒸留を続けて143〜144℃の留分を採取した。6
7.6gのt−ブチルジメチルブロモシランが得られた
く収率90%)、この目的物の同定は、以下のスペクト
ルデータによって行なった。
フルオロエタン10gの溶液をゆっくりと滴下した1滴
下終了後、反応液を常圧蒸留して溶媒を留去し、そのま
ま蒸留を続けて143〜144℃の留分を採取した。6
7.6gのt−ブチルジメチルブロモシランが得られた
く収率90%)、この目的物の同定は、以下のスペクト
ルデータによって行なった。
NMR: δ(ppm)
0.4!5. −重線、6H1
0、96,−11JA、 9g
MS: m/e (スペクトル強度比)、70eV19
6(8,L)、 194(7,9)。
6(8,L)、 194(7,9)。
139 (80,1)、 137 (79,8)
。
。
1 1 1 (5,0)、 109 (10,5
)。
)。
107 (6,0)、 73 (17,5)。
57 (69,4)、 56 (100)[発明
の効果] 本発明のt−アルキルジメチルハロゲノシランの製造方
法は、−殺伐 %式% (式中、Rは、炭素数1〜3のアルキル基、xlは、埋
置原子もしくは臭素原子)で示されるけい素化合物と、
金属塩化物または金属臭化物のルイス酸とを反応させて
いるので、危険な試薬を用いずに、安価に、簡便に、し
かも効率よく目的物を得ることができるという特徴があ
る。
の効果] 本発明のt−アルキルジメチルハロゲノシランの製造方
法は、−殺伐 %式% (式中、Rは、炭素数1〜3のアルキル基、xlは、埋
置原子もしくは臭素原子)で示されるけい素化合物と、
金属塩化物または金属臭化物のルイス酸とを反応させて
いるので、危険な試薬を用いずに、安価に、簡便に、し
かも効率よく目的物を得ることができるという特徴があ
る。
本発明の製造方法により得られたt−アルキルジメチル
ハロゲノシランは、t−アルキル基という、かさ高い置
換基を有するので、シリル化剤としてステロイド、プロ
スタグランデインなどの合成上、有用とされる。
ハロゲノシランは、t−アルキル基という、かさ高い置
換基を有するので、シリル化剤としてステロイド、プロ
スタグランデインなどの合成上、有用とされる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (CH_3)_3SiCR_2X^1 (式中、Rは、炭素数1〜3のアルキル基、X^1は、
塩素原子もしくは臭素原子)で示されるけい素化合物と
、金属塩化物または金属臭化物のルイス酸とを反応させ
ることを特徴とする、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは、炭素数1〜3のアルキル基、X^2は、
塩素原子もしくは臭素原子)で示されるt−アルキルジ
メチルハロゲノシランの製造方法。 2 金属塩化物のルイス酸が塩化アルミニウムである、
特許請求の範囲第1項に記載の製造方法。 3 金属臭化物のルイス酸が臭化アルミニウムである、
特許請求の範囲第1項に記載の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62203857A JPH0637503B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-08-17 | t−アルキルジメチルハロゲノシランの製造方法 |
US07/212,461 US4814474A (en) | 1987-07-09 | 1988-06-28 | Method for the production of tertiary-alkyldimethylhalosilane |
DE3850177T DE3850177T2 (de) | 1987-07-09 | 1988-07-07 | Verfahren zur Herstellung von tertiären Alkyldimethylhalosilanen. |
EP88110891A EP0298487B1 (en) | 1987-07-09 | 1988-07-07 | Method for the production of tertiary-alkyldimethylhalosilane |
CA000571540A CA1317304C (en) | 1987-07-09 | 1988-07-08 | Method for the production of tertiary-alkyldimethylhalosilane |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-171700 | 1987-07-09 | ||
JP17170087 | 1987-07-09 | ||
JP62203857A JPH0637503B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-08-17 | t−アルキルジメチルハロゲノシランの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01104083A true JPH01104083A (ja) | 1989-04-21 |
JPH0637503B2 JPH0637503B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=26494336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62203857A Expired - Lifetime JPH0637503B2 (ja) | 1987-07-09 | 1987-08-17 | t−アルキルジメチルハロゲノシランの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4814474A (ja) |
EP (1) | EP0298487B1 (ja) |
JP (1) | JPH0637503B2 (ja) |
CA (1) | CA1317304C (ja) |
DE (1) | DE3850177T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4814259A (en) * | 1987-11-09 | 1989-03-21 | Rockwell International Corporation | Laser generated electrically conductive pattern |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5340507A (en) * | 1991-07-26 | 1994-08-23 | Fmc Corporation | Catalyzed hydrocarbyllithium process |
JP2551901B2 (ja) * | 1991-07-26 | 1996-11-06 | エフ エム シー コーポレーション | 接触アルキル化方法 |
US5211888A (en) * | 1991-07-26 | 1993-05-18 | Fmc Corporation | Catalyzed hydrocarbyllithium process |
JPH07157491A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | α位に3級炭化水素基を有するシランの製造方法 |
US6429327B1 (en) | 1999-01-21 | 2002-08-06 | Fmc Corporation | Organometallic catalysts |
JP2002145888A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | テキシル基を有するクロロシラン化合物及びその製造方法 |
CN115010746A (zh) * | 2022-07-20 | 2022-09-06 | 江苏八巨药业有限公司 | 一种叔丁基二甲基氯硅烷的制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2496419A (en) * | 1949-06-03 | 1950-02-07 | Dow Corning | Production of cyclopropane |
US2802852A (en) * | 1955-03-24 | 1957-08-13 | Gen Electric | Processes of cleaving silicon-to-carbon bonds |
DE2546919A1 (de) * | 1975-10-20 | 1977-04-28 | Consortium Elektrochem Ind | Verfahren zum herstellen von methylchlorsilanen |
JPS60222492A (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 第3級炭化水素シリル化合物の製造方法 |
JPS60237092A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 第3級炭化水素シリル化合物の製造方法 |
-
1987
- 1987-08-17 JP JP62203857A patent/JPH0637503B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-06-28 US US07/212,461 patent/US4814474A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-07 EP EP88110891A patent/EP0298487B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-07 DE DE3850177T patent/DE3850177T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-08 CA CA000571540A patent/CA1317304C/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4814259A (en) * | 1987-11-09 | 1989-03-21 | Rockwell International Corporation | Laser generated electrically conductive pattern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0298487A2 (en) | 1989-01-11 |
US4814474A (en) | 1989-03-21 |
CA1317304C (en) | 1993-05-04 |
DE3850177D1 (de) | 1994-07-21 |
JPH0637503B2 (ja) | 1994-05-18 |
EP0298487B1 (en) | 1994-06-15 |
DE3850177T2 (de) | 1994-11-03 |
EP0298487A3 (en) | 1991-02-27 |
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