JP7647100B2 - 不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法 - Google Patents

不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法 Download PDF

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115148848A (zh) * 2022-06-27 2022-10-04 常州时创能源股份有限公司 链式吸杂用磷源及其制备方法和应用
WO2024057722A1 (ja) * 2022-09-16 2024-03-21 東レ株式会社 不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法
JP7782635B1 (ja) * 2024-09-19 2025-12-09 栗田工業株式会社 半導体基板のドーピング処理方法およびドーピング処理装置
JP7782636B1 (ja) * 2024-09-19 2025-12-09 栗田工業株式会社 調整水の製造装置および調整水の製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006310373A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
JP2010062334A (ja) 2008-09-03 2010-03-18 Japan Vam & Poval Co Ltd リン拡散用塗布液
JP2013008953A (ja) 2011-05-20 2013-01-10 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The 不純物拡散用塗布液
JP2013153052A (ja) 2012-01-25 2013-08-08 Naoetsu Electronics Co Ltd P型拡散層用塗布液
JP2014030011A (ja) 2012-07-04 2014-02-13 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The ドーパント拡散用塗布液、およびその塗布方法、並びにそれを用いた半導体の製法、半導体
JP2014103232A (ja) 2012-11-20 2014-06-05 Toray Ind Inc 非感光性組成物およびこれを用いた不純物拡散層の製造方法
JP2016195203A (ja) 2015-04-01 2016-11-17 東レ株式会社 p型不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池。
JP2017103379A (ja) 2015-12-03 2017-06-08 東レ株式会社 不純物拡散組成物、およびそれを用いた半導体素子の製造方法
WO2019176716A1 (ja) 2018-03-16 2019-09-19 東レ株式会社 不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法
WO2020116340A1 (ja) 2018-12-07 2020-06-11 東レ株式会社 半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120020073A (ko) * 2010-08-27 2012-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 설계 방법
JP6203496B2 (ja) * 2010-11-17 2017-09-27 日立化成株式会社 太陽電池の製造方法
KR101529778B1 (ko) * 2012-08-07 2015-06-17 주식회사 엘지화학 인쇄물 및 인쇄물의 제조방법
JP2014071306A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujifilm Corp 硬化性樹脂組成物、転写材料、硬化物及びその製造方法、樹脂パターン製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機el表示装置並びにタッチパネル表示装置
CN108028188B (zh) * 2015-09-29 2022-03-22 东丽株式会社 p型杂质扩散组合物、使用其的半导体元件的制造方法及太阳能电池的制造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006310373A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
JP2010062334A (ja) 2008-09-03 2010-03-18 Japan Vam & Poval Co Ltd リン拡散用塗布液
JP2013008953A (ja) 2011-05-20 2013-01-10 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The 不純物拡散用塗布液
JP2013153052A (ja) 2012-01-25 2013-08-08 Naoetsu Electronics Co Ltd P型拡散層用塗布液
JP2014030011A (ja) 2012-07-04 2014-02-13 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The ドーパント拡散用塗布液、およびその塗布方法、並びにそれを用いた半導体の製法、半導体
JP2014103232A (ja) 2012-11-20 2014-06-05 Toray Ind Inc 非感光性組成物およびこれを用いた不純物拡散層の製造方法
JP2016195203A (ja) 2015-04-01 2016-11-17 東レ株式会社 p型不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池。
JP2017103379A (ja) 2015-12-03 2017-06-08 東レ株式会社 不純物拡散組成物、およびそれを用いた半導体素子の製造方法
WO2019176716A1 (ja) 2018-03-16 2019-09-19 東レ株式会社 不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法
WO2020116340A1 (ja) 2018-12-07 2020-06-11 東レ株式会社 半導体素子の製造方法、および、太陽電池の製造方法

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