JP7458532B2 - ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本開示の課題は、塗布後に形状の変化が起こるペースト状接着剤の外観検査が可能な技術を提供することにある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、ダイボンダは、量産前の登録動作において、量産時におけるペースト状接着剤を金属フレームに塗布する動作からペースト状接着剤を撮像する動作までの時間を測定し、ペースト状接着剤を金属フレームに塗布してから当該測定した時間を待って、当該金属フレームに塗布したペースト状接着剤を撮像して参照検査画像を取得するよう構成される。
ブリードには溶剤の染み出しと、ペースト自体の染み出しがある。ペースト自体の染み出しの場合はブリードBOの変化があるときに不良と判定する。この場合、塗布後所定時間経過後の図2(e)の二値化画像と予め登録しておいた塗布直後である図2(d)の二値化画像により検出することができる。
第一実施形態におけるペースト状接着剤の検査方法について図5、6を用いて説明する。図5は参照検査画像の取得方法を説明するフローチャートである。図6(a)はリードフレームの表面にペースト状接着剤を塗布した直後の撮像画像を示す図であり、図6(b)は図6(a)からA分経過した状態の撮像画像を示す図であり、図6(c)は図6(a)からB分経過した状態の撮像画像を示す図であり、図6(d)は図6(a)の二値化画像を示す図であり、図6(e)は図6(b)の二値化画像を示す図であり、図6(f)は図6(c)の二値化画像を示す図である。
(ステップS1:量産条件(認識タイミング)の取得)
実際には塗布せず空動作(ステップS11)し、量産時の連続動作での塗布から認識カメラで撮像する外観検査(認識)までのタイミング(時間)を測定する(ステップS12)。図3で説明したように、リードフレームLFの複数のタブTBにペースト状接着剤PAを塗布した後、最初に塗布されたペースト状接着剤PASから最後に塗布されたペースト状接着剤PAEまで順次、外観検査する場合は、それぞれの塗布から外観検査までの時間を測定する。これにより、量産時の外観検査タイミングが取得される。
実際に一回のペースト状接着剤PAの第一基板としてのリードフレームLFのタブTBへの塗布を実施し、照明など設定を確定する(ステップS21)。塗布と同時に経過時間の測定を開始する。測定している経過時間がステップS12で測定した時間(実測時間)になるまで待って(ステップS22)、すなわち、量産での外観検査タイミングである実際の認識タイミングで認識カメラを用いてペースト状接着剤PAの参照検査画像を取得し、制御装置が備える記憶装置に格納して登録する(ステップS23)。例えば、ステップS12で測定した時間がA分である場合、図6(b)の撮像画像が参照検査画像として登録され、ステップS12で測定した時間がB分である場合、図6(c)の撮像画像が参照検査画像として登録される。ステップS11で測定した時間が一つである場合は、一つの検査画像を取得し、ステップS11で測定した時間が複数ある場合は、それぞれの時間における複数の参照検査画像を取得する。これにより、量産時の外観検査タイミングにおける参照検査画像が取得される。
ペースト状接着剤PAの塗布後の時間による変化を検出するようにしてもよい。第一実施形態の変形例(第一変形例)における基準検査画像の取得方法について図7を用いて説明する。図7は基準検査画像の取得方法を説明するフローチャートである。
第二実施形態におけるペースト状接着剤の検査方法について図8~11を用いて説明する。図8はブリードの広がりの登録を説明するフローチャートである。図9は着工時の外観検査を説明するフローチャートである。図10は塗布直後のペースト状接着剤の塗布量(形状)の予測を説明する図である。図10(a)はリードフレームの表面にペースト状接着剤を塗布した直後の撮像画像を示す図であり、図10(b)は図10(a)からA分経過した状態の撮像画像を示す図であり、図10(c)は図10(a)からB分経過した状態の撮像画像を示す図である。図10(d)は図10(a)からA分経過した状態の撮像画像を示す図であり、図10(e)は図10(d)の二値化画像を示す図であり、図10(f)は図10(d)の二値化画像から塗布直後を算出した二値化画像である。図10(g)は図10(a)からB分経過した状態の撮像画像を示す図であり、図10(h)は図10(g)の二値化画像を示す図であり、図10(i)は図10(h)の二値化画像から塗布直後を算出した二値化画像である。図11は形状の予測方法の一例について説明する図である。
第二実施形態の変形例(第二変形例)におけるペースト状接着剤の検査方法について図8、12を用いて説明する。図12は着工時の外観検査を説明するフローチャートである。
第二実施形態では、ブリードの広がりから元の塗布量(形状)を予測し、ブリードの変化を除去して検査判定を行うが、第三実施形態では、照明によってブリードをペースト部から分離する。第三実施形態におけるペースト状接着剤の検査方法図13を用いて説明する。図13は第三実施形態における撮像装置および照明装置を示す図である。
ウェハ14から分割されたダイDが貼付されたダイシングテープ17を保持したウェハリング16をウェハカセット(不図示)に格納し、ダイボンダ10に搬入する。制御装置8はウェハリング16が充填されたウェハカセットからウェハリング16をウェハ供給部1に供給する。また、リードフレームLFを準備し、ダイボンダ10に搬入する。制御装置8はスタックローダ21よりリードフレームLFをフレームフィーダ22に供給する。
制御装置8は、ピックアップ装置12に、所望するダイDをウェハリング16からピックアップできるように、ウェハリング16を移動し、ダイDを突き上げさせ、剥離したダイDをボンディングヘッド35によりウェハ14からピックアップする。
制御装置8は接着剤認識カメラ33により塗布前のリードフレームLFの表面の画像を取得してペースト状接着剤PAを塗布すべき面を確認する。塗布すべき面に問題なければ、制御装置8はフレームフィーダ22により搬送されたリードフレームLFにシリンジ36からペースト状接着剤PAを塗布する。リードフレームLFが多連リードフレームの場合はすべてのタブにペースト状接着剤PAを塗布する。制御装置8は、塗布後ペースト状接着剤PAが正確に塗布されているかを第一実施形態、第二実施形態および第三実施形態、並びにそれらの変形例の何れかの検査方法により接着剤認識カメラ33で再度確認し、塗布されたペースト状接着剤PAを検査する。塗布に問題なければ、制御装置8はボンディングヘッド35でピックアップしたダイDをペースト状接着剤PAが塗布されたリードフレームLFにボンディングする。
制御装置8はフレームフィーダ22によりダイDがボンディングされたリードフレームLFをアンローダ23に供給する。ダイボンダ10からリードフレームLFを搬出する。
10:ダイボンダ(ダイボンディング装置)
33:接着剤認識カメラ(撮像装置)
35:ボンディングヘッド
D:ダイ
LF:リードフレーム(基板)
PA:ペースト状接着剤
Claims (4)
- 基板の上に塗布されたペースト状接着剤を撮像する撮像装置と、
前記ペースト状接着剤に斜め方向から光を照射する斜光照明装置と、
前記ペースト状接着剤に上方向から光を照射する落射照明装置と、
前記ペースト状接着剤が塗布された前記基板の上にダイを搭載するボンディングヘッドと、
前記撮像装置が撮像した前記ペースト状接着剤の画像に基づいて外観検査を行う制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、
前記ペースト状接着剤が塗布されていない前記基板を撮像して第一画像を取得し、
前記ペースト状接着剤が塗布された前記基板を前記斜光照明装置および前記落射照明装置の両方により照明して撮像して第二画像を取得し、
前記第一画像から前記第二画像の差分処理を行って差分データを算出し、
前記差分データから負数を除いて検査データを取得し、
前記検査データに基づいて外観検査を行うよう構成されるダイボンディング装置。 - 請求項1のダイボンディング装置において、さらに、
前記ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダと、
前記基板の上に前記ペースト状接着剤を塗布するシリンジと、
を備えるダイボンディング装置。 - 基板の上に塗布されたペースト状接着剤を撮像する撮像装置と、前記ペースト状接着剤に斜め方向から光を照射する斜光照明装置と、前記ペースト状接着剤が塗布された前記基板の上にダイを搭載するボンディングヘッドと、前記撮像装置が撮像した前記ペースト状接着剤の画像に基づいて外観検査を行う制御装置と、を備えるダイボンディング装置に、基板を搬入する工程と、
前記基板の上に前記ペースト状接着剤を塗布する工程と、
前記ペースト状接着剤が塗布されていない前記基板を撮像して第一画像を取得し、前記ペースト状接着剤が塗布された前記基板を撮像して第二画像を取得し、前記第一画像から前記第二画像の差分処理を行って差分データを算出し、前記差分データから負数を除いて検査データを取得し、前記検査データに基づいて外観検査を行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 請求項3の半導体装置の製造方法において、さらに、
前記ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを搬入する工程と、
前記ダイを前記ダイシングテープからピックアップする工程と、
ピックアップされたダイを前記基板に載置する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
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