JP7375142B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 223
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1119
- 239000010408 film Substances 0.000 description 269
- 230000006870 function Effects 0.000 description 135
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 97
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 description 77
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 60
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 5
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004985 Discotic Liquid Crystal Substance Substances 0.000 description 1
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910005535 GaOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 239000004976 Lyotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 240000005561 Musa balbisiana Species 0.000 description 1
- 235000018290 Musa x paradisiaca Nutrition 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical compound ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910020944 Sn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 241001080526 Vertica Species 0.000 description 1
- 229910009369 Zn Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007573 Zn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007334 memory performance Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
ンポジション・オブ・マター)を含む。)、及び方法(プロセス。単純方法及び生産方法
を含む。)に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、電子
機器、それらの駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明の一態様は
、酸化物半導体を有する半導体装置、表示装置、電子機器、または、発光装置に関する。
画素を駆動させる駆動回路等を含む。なお、表示装置は、別の基板上に配置された制御回
路、電源回路、信号生成回路等を含む。
が進み、量産技術も各段に進歩してきている。今後はより、製造歩留まりの向上を図るこ
とで、低コストを図ることが求められている。
表示ができなくなる。そのため、製造歩留まりが悪化するおそれがある。その対策として
、表示装置には、サージ電圧を別の配線に逃がすための保護回路が設けられている(例え
ば特許文献1乃至7を参照)。
ある。
ことを課題の一とする。または、本発明の一態様では、静電破壊を低減することができる
、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では
、静電気の影響を低減することができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の
一とする。または、本発明の一態様では、壊れにくい、新規な構成の表示装置を提供する
ことを課題の一とする。または、本発明の一態様では、ラビング工程において、トランジ
スタに与える影響を低減することができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題
の一とする。または、本発明の一態様では、検査工程において、トランジスタに与える影
響を低減することができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。ま
たは、本発明の一態様では、タッチセンサを使用したときの不具合の影響を低減すること
ができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一
態様では、トランジスタの特性の変動または劣化を低減することができる、新規な構成の
表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、トランジスタ
のしきい値電圧の変動または劣化を低減することができる、新規な構成の表示装置を提供
することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、トランジスタのノーマリオン
状態を低減することができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様では、トランジスタの製造歩留まりを向上することができる、新
規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、ト
ランジスタをシールドすることができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の
一とする。または、本発明の一態様では、画素電極に溜まった電荷を放電することできる
、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では
、配線に溜まった電荷を放電することできる、新規な構成の表示装置を提供することを課
題の一とする。または、本発明の一態様では、導電率の向上した酸化物半導体層を有する
、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では
、酸化物半導体層の導電率を制御することができる、新規な構成の表示装置を提供するこ
とを課題の一とする。または、本発明の一態様では、ゲート絶縁膜の導電率を制御するこ
とができる、新規な構成の表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の
一態様では、正常な表示が出来やすくすることができる、新規な構成の表示装置を提供す
ることを課題の一とする。
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、上記以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、上記以外の課題を抽出することが可能である。
縁層は、第1の絶縁層、及び前記第1の絶縁層に重畳して設けられた第2の絶縁層を有し
、前記絶縁層は、前記第2の絶縁層の一部が除去された領域を有する保護回路を有する表
示装置である。
縁層は、第1の絶縁層、及び前記第1の絶縁層に重畳して設けられた第2の絶縁層を有し
、前記絶縁層は、前記第2の絶縁層の一部が除去された領域を有する保護回路を有し、前
記絶縁層とトランジスタが有する半導体層とが重畳する領域では、前記第1の絶縁層及び
前記第2の絶縁層を有する表示装置である。
縁層は、第1の絶縁層、及び前記第1の絶縁層に重畳して設けられた第2の絶縁層を有し
、前記絶縁層は、前記第2の絶縁層の一部が除去された領域を有する保護回路を有し、前
記絶縁層とトランジスタが有する半導体層とが重畳する領域では、前記第1の絶縁層及び
前記第2の絶縁層を有し、前記第1の配線と前記第2の配線とを直接接続する領域では、
前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層が除去された領域を有する表示装置である。
Ωcm未満である表示装置が好ましい。
なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態
及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を
模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズ
による信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧
、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイン
領域またはドレイン電極)とソース(ソース端子、ソース領域またはソース電極)の間に
チャネル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すこと
ができるものである。
め、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソー
スとして機能する部分、及びドレインとして機能する部分を、ソース又はドレインと呼ば
ず、ソースとドレインとの一方を第1電極と表記し、ソースとドレインとの他方を第2電
極と表記する場合がある。
同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
いるものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、AとBとが電気
的に接続されているとは、AとBとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在す
るとき、AとBとの電気信号の授受を可能とするものをいう。
関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係
は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した
語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
るものであり、異なる回路ブロックで別々の機能を実現するよう示していても、実際の回
路や領域においては同じ回路や同じ領域内で別々の機能を実現しうるように設けられてい
る場合もある。また図面におけるブロック図の各回路ブロックの機能は、説明のため機能
を特定するものであり、一つの回路ブロックとして示していても、実際の回路や領域にお
いては一つの回路ブロックで行う処理を、複数の回路ブロックで行うよう設けられている
場合もある。
明るさを制御できる表示単位に相当するものとする。従って、カラー表示装置の場合には
、カラー画像の最小表示単位は、Rの画素とGの画素とBの画素との三画素から構成され
るものとする。ただし、カラー画像を表示するための色要素は、三色に限定されず、三色
以上を用いても良いし、RGB以外の色を用いても良い。
各実施の形態での説明は、以下の順序で行う。
1.実施の形態1(本発明の一態様に関する基本構成について)
2.実施の形態2(表示装置の各構成について)
3.実施の形態3(表示装置の各構成の変形例について)
4.実施の形態4(タッチパネルの構成)
5.実施の形態5(タッチパネルの変形例について)
6.実施の形態6(画素回路構成バリエーション)
7.実施の形態7(電子機器)
8.実施の形態8(成膜方法)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図1、図2、図3、図49、
図51及び図52を用いて説明を行う。
う)と、画素を駆動するための回路を有する回路部(以下、駆動回路部104という)と
、素子の保護機能を有する回路(以下、保護回路106という)と、端子部107と、を
有する。
た複数の表示素子を駆動するための回路(以下、画素回路108という)を有し、駆動回
路部104は、画素を選択する信号(走査信号)を出力する回路(以下、ゲートドライバ
104aという)、画素の表示素子を駆動するための信号(データ信号)を供給するため
の回路(以下、ソースドライバ104b)などの駆動回路を有する。
端子部107を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力す
る。例えば、ゲートドライバ104aは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力さ
れ、パルス信号を出力する。ゲートドライバ104aは、走査信号が与えられる配線(以
下、走査線GL_1乃至GL_Xという)の電位を制御する機能を有する。なお、ゲート
ドライバ104aを複数設け、複数のゲートドライバ104aにより、走査線GL_1乃
至GL_Xを分割して制御してもよい。または、ゲートドライバ104aは、初期化信号
を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ゲートドライバ10
4aは、別の信号を供給することも可能である。
端子部107を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元とな
る信号(画像信号)が入力される。ソースドライバ104bは、画像信号を元に画素回路
108に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、ソースドライバ104bは
、スタートパルス信号、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、デー
タ信号の出力を制御する機能を有する。また、ソースドライバ104bは、データ信号が
与えられる配線(以下、データ線DL_1乃至DL_Yという)の電位を制御する機能を
有する。または、ソースドライバ104bは、初期化信号を供給することができる機能を
有する。ただし、これに限定されず、ソースドライバ104bは、別の信号を供給するこ
とも可能である。
ソースドライバ104bは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、
画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。また、シフトレジスタなどを
用いてソースドライバ104bを構成してもよい。
GLという)の一つを介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数の配線
(以下、データ線DLという)の一つを介してデータ信号が入力される。また。複数の画
素回路108のそれぞれは、ゲートドライバ104aによりデータ信号のデータの書き込
み及び保持が制御される。例えば、m行n列目の画素回路108は、走査線GL_m(m
はX以下の自然数)を介してゲートドライバ104aからパルス信号が入力され、走査線
GL_mの電位に応じてデータ線DL_n(nはY以下の自然数)を介してソースドライ
バ104bからデータ信号が入力される。
GLに接続される。または、保護回路106は、ソースドライバ104bと画素回路10
8の間の配線であるデータ線DLに接続される。または、保護回路106は、ゲートドラ
イバ104aと端子部107との間の配線に接続することができる。または、保護回路1
06は、ソースドライバ104bと端子部107との間の配線に接続することができる。
なお端子部107は、外部の回路から表示装置に電源及び制御信号、及び画像信号を入力
するための端子が設けられた部分をいう。
配線と別の配線とを導通状態にする回路である。ただし、これに限定されず、保護回路1
06は、別の信号を供給することも可能である。
を設けることにより、ESD(Electro Static Discharge:静
電気放電)などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。た
だし、保護回路106の構成はこれに限定されず、例えば、ゲートドライバ104aにの
み保護回路106を接続した構成、またはソースドライバ104bにのみ保護回路106
を接続した構成とすることもできる。あるいは、端子部107に保護回路106を接続し
た構成とすることもできる。
って駆動回路部104を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例え
ば、ゲートドライバ104aのみを形成し、別途用意されたソースドライバ回路が形成さ
れた基板(例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板)を実装
する構成としても良い。
に、具体的な保護回路の一例を示す。
4が接続されている。配線110は、例えば、図1(A)に示す走査線GLやデータ線D
L、若しくは端子部107から駆動回路部104に引き回される配線である。
に電源を供給するための電源線の電位(例えば第1の電位(以下、高電源電位VDD)、
第2の電位(以下、低電源電位VSS)、またはグラウンド電位GND)が与えられる配
線である。または、共通電位(コモン電位)が与えられる配線(コモン線)である。一例
としては、配線112は、ゲートドライバ104aに電源を供給するための電源線、特に
、低い電位を供給する配線と接続されることが好適である。なぜなら、走査線GLは、殆
どの期間において、低い電位となっている。したがって、配線112の電位も低い電位と
なっていると、通常の動作時において、走査線GLから配線112へ漏れてしまう電流を
低減することが出来るからである。
説明を行う。
下、導電層142という)と、基板140及び導電層142上に形成された絶縁性を有す
る層(以下、絶縁層144という)と、絶縁層144上に形成された導電性を有する層(
以下、導電層148という)と、を有する。
140及び導電層142上に形成された絶縁層144と、絶縁層144上に形成された絶
縁層146と、絶縁層144及び絶縁層146上に形成された導電層148と、を有する
。
また図1(B)に示した配線110が、導電層148で形成される配線に相当する。
4を挟持した構造であり、絶縁層144の抵抗率(電気抵抗率、比抵抗ともいう)を制御
することによって、一対の電極の一方に過電流が流れた場合に、他方の電極に過電流の一
部または全部を逃がすことができる。
m以上の絶縁層を用いた場合、一対の電極のいずれか一方に過電流が流れた際に、他方に
過電流を好適に逃がすことができない。
しては、例えば、1010Ωcm以上1018Ωcm未満、好適には1011Ωcm以上
1015Ωcm未満の絶縁膜を用いる。このような抵抗率を有する絶縁膜としては、例え
ば、窒素とシリコンを含む絶縁膜が挙げられる。
う絶縁層146を絶縁層144上に設ける構成としてもよい。絶縁層146は、絶縁層1
44よりも抵抗率が高い材料を用いて形成することができる。絶縁層146としては、例
えば、1018Ωcm以上の絶縁膜を用いるとよい。このような抵抗率を有する絶縁膜と
しては、例えば、酸素と窒素とシリコンを含む絶縁膜が挙げられる。
子114の絶縁層として機能する絶縁層144、146は、図1(A)に示す表示装置の
画素部102、及び駆動回路部104を構成するトランジスタの作製工程と同時に形成す
ることができる。
製することができ、導電層148は、上記トランジスタのソース電極またはドレイン電極
と同一工程で作製することができ、絶縁層144、146は、上記トランジスタのゲート
絶縁層と同一工程で作製することができる。
102、及び駆動回路部104は、ESDなどにより発生する過電流に対する耐性を高め
ることができる。したがって、信頼性を向上しうる新規な表示装置を提供することができ
る。
04aと、ソースドライバ104bと、保護回路106_1と、保護回路106_2と、
保護回路106_3と、保護回路106_4と、を有する。
(A)に示す構成と同様である。
71、172、173と、を有する。また、保護回路106_1は、ゲートドライバ10
4aと、該ゲートドライバ104aに接続される配線181、182、183との間に設
けられる。また、トランジスタ151は、ソース電極としての機能を有する第1端子と、
ゲート電極としての機能を有する第2端子と、が接続され、ドレイン電極としての機能を
有する第3端子と、配線183と、が接続されている。トランジスタ152は、ソース電
極としての機能を有する第1端子と、ゲート電極としての機能を有する第2端子と、が接
続され、ドレイン電極としての機能を有する第3端子と、トランジスタ151の第1端子
と、が接続されている。トランジスタ153は、ソース電極としての機能を有する第1端
子と、ゲート電極としての機能を有する第2端子と、が接続され、ドレイン電極としての
機能を有する第3端子と、トランジスタ152の第1端子と、が接続されている。トラン
ジスタ154は、ソース電極としての機能を有する第1端子と、ゲート電極としての機能
を有する第2端子と、が接続され、ドレイン電極としての機能を有する第3端子と、トラ
ンジスタ153の第1端子と、が接続されている。また、トランジスタ154の第1端子
が配線183及び配線181と接続されている。また、抵抗素子171、173は、配線
183に設けられている。また、抵抗素子172は、配線182と、トランジスタ152
の第1端子及びトランジスタ153の第3端子との間に設けられている。
ができる。また、配線182は、例えば、コモン線として用いることができる。また、配
線183は、例えば、高電源電位VDDが与えられる電源線として用いることができる。
74、175と、を有する。また、保護回路106_2は、ゲートドライバ104aと画
素部102との間に設けられる。また、トランジスタ155は、ソース電極としての機能
を有する第1端子と、ゲート電極としての機能を有する第2端子と、が接続され、ドレイ
ン電極としての機能を有する第3端子と、配線185と、が接続されている。トランジス
タ156は、ソース電極としての機能を有する第1端子と、ゲート電極としての機能を有
する第2端子と、が接続され、ドレイン電極としての機能を有する第3端子と、トランジ
スタ155の第1端子と、が接続されている。トランジスタ157は、ソース電極として
の機能を有する第1端子と、ゲート電極としての機能を有する第2端子と、が接続され、
ドレイン電極としての機能を有する第3端子と、トランジスタ156の第1端子と、が接
続されている。トランジスタ158は、ソース電極としての機能を有する第1端子と、ゲ
ート電極としての機能を有する第2端子と、が接続され、ドレイン電極としての機能を有
する第3端子と、トランジスタ157の第1端子と、が接続されている。また、トランジ
スタ158の第1端子が配線184と接続されている。また、抵抗素子174は、配線1
85と、トランジスタ156の第1端子及びトランジスタ157の第3端子との間に設け
られている。また、抵抗素子175は、配線184と、トランジスタ156の第1端子及
びトランジスタ157の第3端子との間に設けられている。
ができる。また、配線185は、例えば、高電源電位VDDが与えられる電源線として用
いることができる。また、配線186は、例えば、ゲート線として用いることができる。
76、177と、を有する。また、保護回路106_3は、ソースドライバ104bと画
素部102との間に設けられる。また、トランジスタ159は、ソース電極としての機能
を有する第1端子と、ゲート電極としての機能を有する第2端子と、が接続され、ドレイ
ン電極としての機能を有する第3端子と、配線190と、が接続されている。トランジス
タ160は、ソース電極としての機能を有する第1端子と、ゲート電極としての機能を有
する第2端子と、が接続され、ドレイン電極としての機能を有する第3端子と、トランジ
スタ159の第1端子と、が接続されている。トランジスタ161は、ソース電極として
の機能を有する第1端子と、ゲート電極としての機能を有する第2端子と、が接続され、
ドレイン電極としての機能を有する第3端子と、トランジスタ160の第1端子と、が接
続されている。トランジスタ162は、ソース電極としての機能を有する第1端子と、ゲ
ート電極としての機能を有する第2端子と、が接続され、ドレイン電極としての機能を有
する第3端子と、トランジスタ161の第1端子と、が接続されている。また、トランジ
スタ162の第1端子が配線191と接続されている。また、抵抗素子176は、配線1
90と、トランジスタ160の第1端子及びトランジスタ161の第3端子との間に設け
られている。また、抵抗素子177は、配線191と、トランジスタ160の第1端子及
びトランジスタ161の第3端子との間に設けられている。
た、配線189、190は、例えば、高電源電位VDDが与えられる電源線として用いる
ことができる。また、配線191は、例えば、低電源電位VSSが与えられる電源線とし
て用いることができる。
78、179、180と、を有する。また、保護回路106_4は、ソースドライバ10
4bと、ソースドライバ104bに接続される配線187、188、189、190、1
91との間に設けられる。また、トランジスタ163は、ソース電極としての機能を有す
る第1端子と、ゲート電極としての機能を有する第2端子と、が接続され、ドレイン電極
としての機能を有する第3端子と、配線187と、が接続されている。トランジスタ16
4は、ソース電極としての機能を有する第1端子と、ゲート電極としての機能を有する第
2端子と、が接続され、ドレイン電極としての機能を有する第3端子と、トランジスタ1
63の第1端子と、が接続されている。トランジスタ165は、ソース電極としての機能
を有する第1端子と、ゲート電極としての機能を有する第2端子と、が接続され、ドレイ
ン電極としての機能を有する第3端子と、トランジスタ164の第1端子と、が接続され
ている。トランジスタ166は、ソース電極としての機能を有する第1端子と、ゲート電
極としての機能を有する第2端子と、が接続され、ドレイン電極としての機能を有する第
3端子と、トランジスタ165の第1端子と、が接続されている。また、トランジスタ1
66の第1端子が配線189と接続されている。また、抵抗素子178は、配線187と
、配線188との間に設けられている。また、抵抗素子179は、配線188に設けられ
、トランジスタ164の第1端子及びトランジスタ165の第3端子と接続されている。
また、抵抗素子180は、配線188と、配線189との間に設けられている。
いることができる。また、配線188は、例えば、コモン線またはソース線として用いる
ことができる。また、配線189、190は、例えば、高電源電位VDDが与えられる電
源線として用いることができる。
コモン線CLに示す機能のみに限定されず、それぞれ独立して走査線、信号線、電源線、
接地線、容量線またはコモン線等の機能を有していても良い。
ンジスタと、複数の抵抗素子により、構成されている。すなわち、保護回路106_1乃
至106_4は、ダイオード接続されたトランジスタと抵抗素子を並列に組み合わせて用
いることができる。
とゲートドライバ104aと接続される配線との間、画素部102とゲートドライバ10
4aとの間、画素部102とソースドライバ104bとの間、または画素部102とソー
スドライバ104bと接続される配線との間に設けることができる。
として機能する領域の断面図を図49(A)、(B)に示す。図49(A)に示す平面図
において付した符号は、図3で付した符号に対応する。また図49(B)は、図49(A
)の切断線M-Nによる断面図である。図49(A)、(B)に示すように本実施の形態
で説明する保護回路の抵抗素子は、配線に重畳する絶縁層の一部を除去して、配線間の絶
縁層の抵抗率を制御することにより、過電流を好適に逃がす抵抗素子として用いることが
できる。
示す回路図では、トランジスタ155A乃至トランジスタ158A、トランジスタ155
B乃至トランジスタ158B、抵抗素子174A、175A、抵抗素子174B、175
B、抵抗素子199、配線184、配線185及び配線186を示している。なお図51
に示す回路図において付した符号は、図3で説明した保護回路106_2と同じ構成につ
いて、同じ符号を付して対応させている。図51に示す回路図が図3に示した保護回路1
06_2と異なる点は、図3の保護回路106_2に相当する回路を並べて配置し、配線
間に抵抗素子199を設けた点である。
74A、175A、抵抗素子174B、175Bの抵抗率が1010Ωcm以上1018
Ωcm未満とするのに対して、103Ωcm以上106Ωcm未満と、より小さい値とす
ることが好ましい。図51に示す回路図の構成とすることで、配線に与えられる信号の急
峻な変化を抑制することができる。
、及び駆動回路部104(ゲートドライバ104a、ソースドライバ104b)は、ES
Dなどにより発生する過電流に対する耐性を、さらに高めることができる。したがって、
信頼性を向上しうる新規な表示装置を提供することができる。
オード接続されたトランジスタは特に、チャネル形成領域となる半導体層に酸化物半導体
を用いることで保護回路の機能に優れたものとすることができる。
半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタを、保護回路が有するダイオード接続され
たトランジスタとして機能させる場合の利点について説明する。
601、低電源電位HVSSが与えられる配線602、保護回路603を示している。
である。図52(A)、(B)で説明する一例では、信号Sigをクロック信号として説
明する。この場合、配線600が別の素子または配線に与える信号Sig_outは、ゲ
ートドライバ又はソースドライバに与えられるクロック信号となる。
、より高い電位であってもよい。また配線602に与えられる低電源電位HVSSは、低
電源電位VSSと同じ電位でもよいし、より低い電位であってもよい。
タ604A及びトランジスタ604B、並びにトランジスタ605A及びトランジスタ6
05Bを有する。
ダイオード接続されて設けられたトランジスタである。トランジスタ604A及びトラン
ジスタ604Bは、通常動作の際に電流をほとんど流さず、信号Sigをそのまま信号S
ig_outとして与えることができる。またトランジスタ604A及びトランジスタ6
04Bは、サージ電圧が印加された際に過電流を流し、信号Sigが有するサージ電圧を
降圧させた信号を信号Sig_outとして与えることができる。また、過電流がトラン
ジスタ604A及びトランジスタ604Bを流れる方向と逆の向きには、電子が流れる。
ンジスタ604A及びトランジスタ604Bは、図52(B)に示す信号Sigの波形に
おける、高電源電位HVDDよりも高いサージ電圧611が印加された際に過電流及び電
子の流れが生じることで、サージ電圧611を高電源電位まで降圧させることができ、サ
ージ電圧が除去されたクロック信号を信号Sig_outとして与えることができる。そ
のため、信号Sig_outが与えられる回路の絶縁破壊を未然に抑制することができる
。
606で表すことができる。矢印606において、実線矢印Iが過電流の向き、破線矢印
e-が電子の流れを表している。
ダイオード接続されて設けられたトランジスタである。トランジスタ605A及びトラン
ジスタ605Bは、通常動作の際に電流をほとんど流さず、信号Sigをそのまま信号S
ig_outとして与えることができる。またトランジスタ605A及びトランジスタ6
05Bは、サージ電圧が印加された際に過電流を流し、信号Sigが有するサージ電圧を
昇圧させた信号を信号Sig_outとして与えることができる。また、過電流がトラン
ジスタ605A及びトランジスタ605Bを流れる方向と逆の向きには、電子が流れる。
号Sigの波形における、低電源電位HVSSよりも低いサージ電圧612が印加された
際に過電流及び電子の流れが生じることで、サージ電圧612を低電源電位まで昇圧させ
ることができ、サージ電圧が除去されたクロック信号を信号Sig_outとして与える
ことができる。そのため、信号Sig_outが与えられる回路の絶縁破壊を未然に抑制
することができる。
607で表すことができる。矢印607において、実線矢印Iが過電流の向き、破線矢印
e-が電子の流れを表している。
トランジスタ605A及びトランジスタ605Bは特に、チャネル形成領域となる半導体
層に酸化物半導体を用いる。チャネル形成領域となる半導体層に酸化物半導体を用いたト
ランジスタは、オフ状態でのリーク電流が極めて小さいトランジスタである。そのため、
保護回路603の非動作時に流れるリーク電流を極めて小さくすることができる。
にシリコン等を用いるトランジスタと比較し、バンドギャップが1乃至2V程度高いため
、アバランシェブレークダウンが起こりにくく、電界に対する耐性が高い。そのため、チ
ャネル形成領域となる半導体層に酸化物半導体を用いることで保護回路の機能を優れたも
のとすることができる。
を保護回路に設けることで、リーク電流を極めて小さくすること、電界に対する耐性が高
いといった、保護回路の機能に優れたものとすることができる。
実施形態の一態様は、これに限定されない。場合によっては、保護回路を設けないことも
可能である。
ができる。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した保護回路を有する、横電界方式の液晶素
子を用いる表示装置(液晶表示装置ともいう)の構成について説明する。横電界方式の液
晶表示装置は、縦電界方式よりも広い視野角を得ることができるため、近年、モバイル機
器等の表示装置として、様々な画面サイズの液晶表示装置に採用されている。
、複数の画素を駆動させる駆動回路等を含む。なお、液晶表示装置は、別の基板上に配置
された制御回路、電源回路、信号生成回路及びバックライトモジュール等を含み、液晶モ
ジュールと呼ぶこともある。
ード、及びFFS(Fringe Field Switching)モードが代表的で
ある。本実施の形態では、特にFFSモードの液晶表示装置の構成について説明する。
図4は、液晶表示装置500の構成の一例を示す平面模式図である。
01という)、画素を選択する信号(走査信号)を出力する回路(以下、ゲートドライバ
502、503という)、画素の表示素子を駆動するための信号(データ信号)を供給す
るための回路(以下、ソースドライバ504)、端子部505、FPC506(Flex
ible printed circuit)、シール部材512及び素子の保護機能を
有する回路(以下、保護回路511という)を示している。
う)及び配線(以下、データ線DLという)を示している。画素518には、走査線GL
を介して走査信号が与えられる。また画素518には、データ線DLを介してデータ信号
が与えられる。
Lが接続され、他方には偶数行の走査線GLが接続されている。ソースドライバ504は
データ線DLが接続されている。
子部505とFPC506は、異方性導電膜等を介して、電気的に接続される。また図4
に示す端子部505の平面模式図では、ゲートドライバ502、503、ソースドライバ
504との間には、制御するための信号(制御信号)を与えるための配線、電源を与える
ための配線(電源線)を示している。
。またシール部材512は、外部からの水分をブロックし、液晶層を挟持する基板間の間
隔を一定にするために設けられる。
の電気的な接続を図る配線間、ゲートドライバ503と端子部505との電気的な接続を
図る配線間、ゲートドライバ502と画素部501との電気的な接続を図る配線間、ゲー
トドライバ503と画素部501との電気的な接続を図る配線間、及びソースドライバ5
04と画素部501との電気的な接続を図る配線間に、設けられている。
)が与えられる配線(コモン線)と別の配線とを接続するためのコモンコンタクト部や、
異なる層に設けられた配線間の接続を図る接続部等を有する。
次いで画素518の構成例について説明する。図5(A)は画素の構成例を示す平面図
であり、図5(B)は平面図の一部に対応する回路図である。
、図5(A)の切断線A3-A4による断面図である。
電層519)、導電性を有する層(以下、導電層520)、半導体層523、導電性を有
する層(以下、導電層524)、導電性を有する層(以下、導電層525)、及び導電性
を有する層(以下、導電層526)、スペーサ515を示している。
タ522のゲート電極としての機能を有する。また導電層519は、高電源電位VDD、
低電源電位VSS、グラウンド電位又はコモン電位等の定電位の信号が与えられる配線と
しての機能を有する。また導電層519は、異なる層に設けられる配線間の電気的な接続
を図るために引き回される配線としての機能を有する。導電層519としては、アルミニ
ウム、チタン、クロム、コバルト、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブ
デン、ルテニウム、銀、タンタル及びタングステンを一種以上含む導電性材料でなる膜を
1層又は2層以上で形成するとよい。
スタ522のソース及びドレインの一方の電極としての機能を有する。また導電層520
は、高電源電位VDD、低電源電位VSS、グラウンド電位又はコモン電位等の定電位の
信号が与えられる配線としての機能を有する。また導電層520は、異なる層に設けられ
る配線間の電気的な接続を図るために引き回される配線としての機能を有する。導電層5
20としては、導電層519と同様に形成することができる。
素(Si)を主成分とする半導体層、有機材料を主成分とする半導体層、或いは金属酸化
物を主成分とする半導体層を用いることができる。金属酸化物を主成分とする半導体膜と
しては、一例として、酸化物半導体層を形成することができる。
る電極である。また導電層524は、異なる層に設けられる配線間の電気的な接続を図る
ために引き回される配線としての機能を有する。導電層524としては、導電層520と
同様に形成することができる。
異なる層に設けられる配線間の電気的な接続を図るために引き回される配線としての機能
を有する。導電層525としては、一例として、酸化タングステンを含むインジウム酸化
物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物
、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、
及び酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物等でなる膜を用いることができる。なお共
通電極及び画素電極の一方は櫛歯状の形状とし、他方は平面状の形状とする。
異なる層に設けられる配線間の電気的な接続を図るために引き回される配線としての機能
を有する。導電層526としては、導電層525と同様に形成することができる。
て機能する導電層525が画素電極として機能する導電層526の下側(基板521側)
に設けられている例を示しているが、共通電極として機能する導電層525を画素電極と
して機能する導電層526の上側に設けることもできる。
ように、スペーサ515は、走査線として機能する導電層519及びデータ線として機能
する導電層520が重なる領域に形成されている。このような領域は、液晶材料の配向が
乱れる領域であり表示に寄与しない。このような領域に形成することで、画素518の開
口率を高くすることがでる。
トランジスタ522、容量素子CAP、及び液晶素子LCを示している。
素子としての機能を有する。トランジスタ522は、走査線GLを介して、そのゲートか
ら入力される走査信号によりオン、オフが制御される。
て、形成される素子である。そのため、画素518に容量線を別途作製することが不要で
ある。
。共通電極と画素電極間に形成される電界の作用により液晶層の液晶材料の配向が変化さ
れる。
521、導電層519、絶縁性を有する層(以下、絶縁層532)、絶縁性を有する層(
以下、絶縁層533)、半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁性を有する
層(以下、絶縁層534)、絶縁性を有する層(以下、絶縁層535)、絶縁性を有する
層(以下、絶縁層536)、絶縁性を有する層(以下、絶縁層537)、導電層525、
導電層526、絶縁性を有する層(以下、絶縁層538)、液晶に配向性を付与する膜(
以下、配向膜539)、液晶層540、基板541、遮光性を有する膜(以下、ブラック
マトリクス542)、カラーフィルタ543、オーバーコート544、液晶に配向性を付
与する膜(以下、配向膜545)を示している。また図5(B)では、トランジスタ52
2を図示している。
等が用いられる。基板541についても、同様である。
縁層532は、保護回路における抵抗素子として機能する層である。絶縁層532として
は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化
シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジ
ルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、及び酸化タンタルを一種以
上含む絶縁膜を、単層で、又は積層して用いればよい。絶縁層532は、絶縁層533よ
りも抵抗率の小さい材料である。
533としては、絶縁層532と同様に形成することができる。絶縁層533は、絶縁層
532よりも抵抗率の大きい材料であることが好適である。
ウム膜などを、積層または単層で設ける。絶縁層533としては、酸化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜などを、積層または単層で設ける。例えば、絶縁層532として厚さ30
0nmの窒化シリコン膜を適用し、絶縁層533として厚さ50nmの酸化窒化シリコン
膜を適用することができる。
酸化窒化シリコンとは、酸素の含有量が窒素より大きな絶縁材料のことをいう。
び絶縁層535は酸化物膜とし、絶縁層536は窒化物膜とすることが好ましい。また、
絶縁層536を窒化物絶縁膜とすることで外部から水素や水等の不純物が半導体層523
に入ることを抑制できる。なお、絶縁層534は設けない構造であってもよい。
成される層または膜の平坦性を付与する機能を有することが好ましい。絶縁層537には
、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができ
る。
成される。また、絶縁層538は、導電層525と導電層526が重なった領域に形成さ
れる容量の誘電体を構成する。絶縁層538は、絶縁層536と同様に、窒化物又は窒化
酸化物でなる絶縁膜が好ましく、例えば、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等を形成
すればよい。
ましい。配向膜545についても、同様である。
法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ
所望の位置に形成する。
帯域の光を透過するカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなど
を用いることができる。各カラーフィルタは、公知の材料を用いて、印刷法、インクジェ
ット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形
成する。
する機能を有する層を形成する。オーバーコート544としては、例えば、アクリル系樹
脂等の絶縁層を用いることができる。
(A)で説明した層が積層し、セルギャップを維持するためのスペーサ515が設けられ
ている箇所を示している。
次いで保護回路511の構成例について説明する。図7(A)は画素の構成例を示す平
面図であり、図7(B)は平面図に対応する回路図である。
、導電層551)、導電性を有する層(以下、導電層552)、開口部553を示してい
る。
1は、一例として、グラウンド電位(GND)に固定されている。導電層551としては
、導電層519と同様に形成することができる。
、導電層520と同様に形成することができる。
縁層533のうち、絶縁層533を除去して設けられる開口部である。
した構造であり、絶縁層532の抵抗率を制御することによって、一対の電極の一方に過
電流が流れた場合に、他方の電極に過電流の一部または全部を逃がすことができる。
例えば、1010Ωcm以上1018Ωcm未満、好適には1011Ωcm以上1015
Ωcm未満の絶縁膜を用いる。このような抵抗率を有する絶縁膜としては、例えば、窒素
とシリコンを含む絶縁膜が挙げられる。
置は、ESDなどにより発生する過電流に対する耐性を高めることができる。したがって
、信頼性を向上しうる新規な表示装置を提供することができる。
552Lを示している。
機能を有する。
552Lは、サージ電圧が印加された場合に生じる過電流を配線551Lにリークし、走
査信号及びデータ信号等の信号を配線551Lにリークしない機能を有する。
は、グラウンド電位に固定された配線551L側に、サージ電圧により生じた過電流をリ
ークする。また保護回路511は、配線552Lに与えられる走査信号及びデータ信号等
の信号の電位が変動しない程度の抵抗率を有する。
21、導電層551、絶縁層532、絶縁層533、導電層552、絶縁層534、絶縁
層535、絶縁層536、絶縁層537、絶縁層538、配向膜539、液晶層540、
基板541、ブラックマトリクス542、オーバーコート544、配向膜545を示して
いる。
る絶縁層532及び絶縁層533のうち、絶縁層533を除去している。そのため、開口
部553の大きさを変えることで、絶縁層532による抵抗率を制御することができ、一
対の電極の一方に過電流が流れた場合に、他方の電極に過電流の一部または全部を逃がす
ことができる。
次いで異なる層に設けられる導電層同士を接続する接続部の構成例について説明する。
図9(A)は導電層571と導電層572との接続部についての構成例を示す断面図であ
る。また、図9(B)は導電層572と導電層573との接続部についての構成例を示す
断面図である。
層532、絶縁層533、導電層572、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層536、
絶縁層537、絶縁層538、配向膜539、液晶層540、基板541、ブラックマト
リクス542、オーバーコート544、配向膜545を示している。
導電層571としては、導電層519及び導電層551と同様に形成することができる。
導電層である。導電層572としては、導電層520、導電層524及び導電層552と
同様に形成することができる。
けられる絶縁層532及び絶縁層533を除去している。そのため、導電層571と導電
層572とを直接接続することができる。
層533、導電層572、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層536、絶縁層537、
導電層573、絶縁層538、配向膜539、液晶層540、基板541、ブラックマト
リクス542、オーバーコート544、配向膜545を示している。
ては、導電層525と同様に形成することができる。
けられる絶縁層534、絶縁層535、絶縁層536及び絶縁層537を除去している。
そのため、導電層572と導電層573とを直接接続することができる。
次いで端子部505の構成例について説明する。図10は端子部505とFPC506
との接続部についての構成例を示す断面図である。
33、トランジスタ522、導電層572、導電層574、絶縁層537、配向膜539
、液晶層540、基板541、ブラックマトリクス542、オーバーコート544、配向
膜545、導電層561、FPC506を示している。
ては、導電層526と同様に形成することができる。
めのものである。導電層561としては、一例として、異方性導電膜を設ける構成とすれ
ばよい。異方性導電膜は、熱硬化性、又は熱硬化性及び光硬化性の樹脂に導電性粒子を混
ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を硬化させたものである。異方性導電膜は、光
照射や熱圧着によって異方性の導電性を示す材料となる。異方性導電膜に用いられる導電
性粒子としては、例えば球状の有機樹脂をAuやNi、Co等の薄膜状の金属で被覆した
粒子を用いることができる。
除去することで直接接続する構成とすることができる。
以下、上述したトランジスタ522を含む、表示装置のトランジスタの作製方法を示す
。
図11(A)乃至図12(C)は、画素518のトランジスタ522の作製方法の一例を
示す断面図であるが、ゲートドライバ502、503及びソースドライバ504が有する
トランジスタも同様の構成で同時に基板上に作製することができる。
(A)乃至図12(C)では、基板400、導電膜401、ゲート電極402、第1の絶
縁膜403、第2の絶縁層404、酸化物半導体膜405、島状の酸化物半導体層406
、導電膜407、ソース電極408、ドレイン電極409、絶縁層410、絶縁層411
、絶縁層412の各構成を順に説明していく。なお基板400は、図6(A)で説明した
基板521と同じ構成である。なおゲート電極402は、図6(A)で説明した導電層5
19と同じ構成である。なお第1の絶縁膜403は、図6(A)で説明した絶縁層532
と同じ構成である。なお第2の絶縁層404は、図6(A)で説明した絶縁層533と同
じ構成である。なお島状の酸化物半導体層406は、図6(A)で説明した半導体層52
3と同じ構成である。なおソース電極408は、図6(A)で説明した導電層520と同
じ構成である。なおドレイン電極409は、図6(A)で説明した導電層524と同じ構
成である。なお絶縁層410は、図6(A)で説明した絶縁層534と同じ構成である。
なお絶縁層411は、図6(A)で説明した絶縁層535と同じ構成である。なお絶縁層
412は、図6(A)で説明した絶縁層536と同じ構成である。
膜401を形成する。
タングステン単層膜を形成することができる。
02を形成する。
03上に2層目の第2の絶縁層404を形成する。
機能を有する。
ばよい。2層目の酸化シリコン膜は酸化窒化シリコン膜にすることができる。また、1層
目の窒化シリコン膜を窒化酸化シリコン膜とすることができる。
、電子スピン共鳴(ESR:Electron Spin Resonance)にてg
値が2.001の信号に由来するスピンのスピン密度が3×1017spins/cm3
以下、好ましくは5×1016spins/cm3以下である酸化シリコン膜を用いる。
酸化シリコン膜は、過剰酸素を有する酸化シリコン膜を用いると好ましい。窒化シリコン
膜は水素及びアンモニアの放出量が少ない窒化シリコン膜を用いる。水素、アンモニアの
放出量は、TDS(Thermal Desorption Spectroscopy
:昇温脱離ガス分光法)分析にて測定すればよい。
1011Ωcm以上1015Ωcm未満である。そのため、第1層目の絶縁膜403を窒
化シリコン膜とすることが好適である。
成する。ここでは、酸化物半導体膜405として、スパッタリング法によりIn-Ga-
Zn酸化物膜を形成する。
ウム、酸化スズ、酸化亜鉛、In-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸
化物、Zn-Mg系酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物、In-Ga系酸
化物、In-Ga-Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In-Al-Zn系酸化物
、In-Sn-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、
Sn-Al-Zn系酸化物、In-Hf-Zn系酸化物、In-Zr-Zn系酸化物、I
n-Ti-Zn系酸化物、In-Sc-Zn系酸化物、In-Y-Zn系酸化物、In-
La-Zn系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化物、In-N
d-Zn系酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物、In-Gd
-Zn系酸化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、In-Ho-
Zn系酸化物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、In-Yb-Z
n系酸化物、In-Lu-Zn系酸化物、In-Sn-Ga-Zn系酸化物、In-Hf
-Ga-Zn系酸化物、In-Al-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-Al-Zn系酸
化物、In-Sn-Hf-Zn系酸化物、In-Hf-Al-Zn系酸化物等がある。
n:Ga:Zn=2:1:3の原子数比のIn-Ga-Zn系酸化物やその組成の近傍の
酸化物を用いるとよい。
ることによって、水素の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。これ
により、トランジスタのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、酸
化物半導体膜の形成後において、脱水化処理(脱水素化処理)を行い酸化物半導体膜から
、水素、又は水分を除去して不純物が極力含まれないように高純度化することが好ましい
。
酸素が減少してしまうことがある。よって、酸化物半導体膜への脱水化処理(脱水素化処
理)によって増加した酸素欠損を補填するため酸素を酸化物半導体膜に加える処理を行う
ことが好ましい。本明細書等において、酸化物半導体膜に酸素を供給する場合を、加酸素
化処理と記す場合がある、または酸化物半導体膜に含まれる酸素を化学量論的組成よりも
多くする場合を過酸素化処理記す場合がある。
が除去され、加酸素化処理により酸素欠損を補填することによって、i型(真性)化また
はi型に限りなく近く実質的にi型(真性)である酸化物半導体膜とすることができる。
なお、実質的に真性とは、酸化物半導体膜中にドナーに由来するキャリアが極めて少なく
(ゼロに近く)、キャリア密度が1×1017/cm3以下、1×1016/cm3以下
、1×1015/cm3以下、1×1014/cm3以下、1×1013/cm3以下で
あることをいう。
は、極めて優れたオフ電流特性を実現できる。例えば、酸化物半導体膜を用いたトランジ
スタがオフ状態のときのドレイン電流を、室温(25℃程度)にて1×10-18A以下
、好ましくは1×10-21A以下、さらに好ましくは1×10-24A以下、または8
5℃にて1×10-15A以下、好ましくは1×10-18A以下、さらに好ましくは1
×10-21A以下とすることができる。なお、トランジスタがオフ状態とは、nチャネ
ル型のトランジスタの場合、ゲート電圧がしきい値電圧よりも十分小さい状態をいう。具
体的には、ゲート電圧がしきい値電圧よりも1V以上、2V以上または3V以上小さけれ
ば、トランジスタはオフ状態となる。
たは単結晶構造を有していてもよい。
gned Crystalline Oxide Semiconductorともいう
。)膜を用いてもよい。
は、一辺が100nm未満の立方体内に収まる大きさであることが多い。また、透過型電
子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscop
e)による観察像では、CAAC-OS膜に含まれる非晶質部と結晶部との境界は明確で
はない。また、TEMによってCAAC-OS膜には粒界(グレインバウンダリーともい
う。)は確認できない。そのため、CAAC-OS膜は、粒界に起因する電子移動度の低
下が抑制される。
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃い、かつab面に垂直な方向から見て三角
形状または六角形状の原子配列を有し、c軸に垂直な方向から見て金属原子が層状または
金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞれa軸及
びb軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する場合、85
°以上95°以下の範囲も含まれることとする。また、単に平行と記載する場合、-5°
以上5°以下の範囲も含まれることとする。なお、酸化物半導体膜を構成する酸素の一部
は窒素で置換されてもよい。
C-OS膜の形成過程において、酸化物半導体膜の表面側から結晶成長させる場合、被形
成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、CA
AC-OS膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域において結晶部が非晶
質化することもある。
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃うため、CAAC-OS膜の形状(被形成
面の断面形状または表面の断面形状)によっては互いに異なる方向を向くことがある。な
お、結晶部のc軸の方向は、CAAC-OS膜が形成されたときの被形成面の法線ベクト
ルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向となる。結晶部は、成膜することにより、また
は成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行うことにより形成される。
動を低減することが可能である。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
導体層406を形成する。
ータ線としての機能を有する導電膜407を形成する。導電膜407は、導電膜401と
同様に形成することができる。一例としては、導電膜407を3層構造とする。1層目、
3層目をチタン膜で形成し、2層目をアルミニウム膜で形成する。チタン膜、アルミニウ
ム膜はスパッタリング法で形成する。
イン電極409を形成する。
的組成よりも多くの酸素を含むことが好ましい。このようにすることで、島状の酸化物半
導体層406からの酸素の脱離を防止するとともに、酸素過剰領域に含まれる該酸素を酸
化物半導体膜に移動させ、酸素欠損を補填することが可能となる。
10は、酸素を透過する酸化物膜であることが好ましい。なお、絶縁層411において、
外部から絶縁層411に入った酸素の一部は膜中にとどまる。また、予め絶縁層411に
含まれている酸素が外部へ拡散する場合もある。そのため、絶縁層411は酸素の拡散係
数が大きい酸化絶縁膜であることが好ましい。
方が窒素に対するバリア性を有する絶縁膜であることが好ましい。例えば、緻密な酸化物
膜とすることで窒素に対するバリア性を有することができ、具体的には、25℃において
0.5重量%のフッ酸を用いた場合のエッチング速度が10nm/分以下である酸化物膜
とすることが好ましい。
用いて形成することができる。また絶縁層410乃至412は真空中で連続して形成する
ことが好ましい。このようにすることで、絶縁層410、絶縁層411、及び絶縁層41
2のそれぞれの界面に不純物が混入することを抑制することができる。絶縁層410と絶
縁層411に用いる材料が同種の組成である場合、絶縁層410と絶縁層411の界面が
明確に分からない場合がある。
窒化シリコン膜を形成する場合は、以下の成膜条件で成膜することができる。基板を18
0℃以上400℃以下、さらに好ましくは200℃以上370℃以下に保持し、処理室に
原料ガスのシリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を導入して処理室内における圧力を
20Pa以上250Pa以下、さらに好ましくは40Pa以上200Pa以下とし、処理
室内に設けられた電極に高周波電力を供給する条件である。
で形成する場合、次の条件で成膜することができる。基板を80℃以上400℃以下、さ
らに好ましくは200℃以上370℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室
内における圧力を100Pa以上250Pa以下とし、好ましくは100Pa以上200
Pa以下とし、処理室内に設けられた電極に高周波電力を供給する。
まれる過剰酸素を島状の酸化物半導体層406に移動させ、島状の酸化物半導体層406
の酸素欠損を補填することが好ましい。なお、該加熱処理は、島状の酸化物半導体層40
6の脱水素化又は脱水化を行う加熱処理として行えばよい。
の構造として示したが、2層以上の多層膜の酸化物半導体層とすることもできる。
14の2層による島状の酸化物半導体層406とする構成としてもよい。
体層414、及び酸化物半導体層415の3層による島状の酸化物半導体層406とする
構成としてもよい。
至(C)を用いて詳細に説明を行う。なお酸化物積層の例としてここでは、図13(A)
で図示した2層の酸化物半導体層を積層する場合についての説明を行う。なお以下では、
図13(A)で説明した島状の酸化物半導体層406を、説明のため、酸化物積層406
sと読み替え、酸化物半導体層414を酸化物層414sと読み替えて説明を行う。
半導体層413と、酸化物層414sと、を有する。
、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)を含むIn-M-Zn
酸化物で表記される層を含むことが好ましい。
伝導帯下端のエネルギーが酸化物半導体層413よりも0.05eV以上、0.07eV
以上、0.1eV以上又は0.15eV以上、かつ2eV以下、1eV以下、0.5eV
以下又は0.4eV以下真空準位に近い酸化物膜である。このとき、ゲート電極402に
電界を印加すると、酸化物積層406sのうち、伝導帯下端のエネルギーが小さい酸化物
半導体層413にチャネルが形成される。すなわち、酸化物半導体層413と絶縁層41
0との間に酸化物層414sを有することによって、トランジスタのチャネルを絶縁層4
10と接しない酸化物半導体層413を形成することができる。また、酸化物半導体層4
13を構成する元素の一種以上から酸化物層414sが構成されるため、酸化物半導体層
413と酸化物層414sとの間において、界面散乱が起こりにくい。したがって、酸化
物半導体層413と酸化物層414sとの間において、キャリアの動きが阻害されないた
め、トランジスタの電界効果移動度が高くなる。また、酸化物半導体層413と酸化物層
414sとの間に界面準位を形成しにくい。酸化物半導体層413と酸化物層414sと
の間に界面準位があると、該界面をチャネルとした、しきい値電圧の異なる第2のトラン
ジスタが形成され、トランジスタの見かけ上のしきい値電圧が変動することがある。した
がって、酸化物層414sを設けることにより、トランジスタのしきい値電圧などの電気
特性のばらつきを低減することができる。
Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)で表記され、酸化物半導体層413よりも
Mの原子数比が高い酸化物層を含む。具体的には、酸化物層414sとして、酸化物半導
体層413よりも前述の元素を1.5倍以上、好ましくは2倍以上、さらに好ましくは3
倍以上高い原子数比で含む酸化物層を用いる。前述の元素はインジウムよりも酸素と強く
結合するため、酸素欠損が酸化物層に生じることを抑制する機能を有する。即ち、酸化物
層414sは酸化物半導体層413よりもよりも酸素欠損が生じにくい酸化物層である。
びM(Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)を含
むIn-M-Zn酸化物であるとき酸化物層414sをIn:M:Zn=x1:y1:z
1[原子数比]、酸化物半導体層413をIn:M:Zn=x2:y2:z2[原子数比
]、とすると、y1/x1がy2/x2よりも大きくなることが好ましい。y1/x1は
y2/x2よりも1.5倍以上、好ましくは2倍以上、さらに好ましくは3倍以上とする
。このとき、酸化物半導体層413において、y2がx2以上であるとトランジスタの電
気特性を安定させることができる。ただし、y2がx2の3倍以上になると、トランジス
タの電界効果移動度が低下してしまうため、y2はx2以上x2の3倍未満であることが
好ましい。
率は好ましくはInが25atomic%以上、Mが75atomic%未満、さらに好
ましくはInが34atomic%以上、Mが66atomic%未満とする。また、酸
化物層414sがIn-M-Zn酸化物であるとき、InとMの原子数比率は好ましくは
Inが50atomic%未満、Mが50atomic%以上、さらに好ましくはInが
25atomic%未満、Mが75atomic%以上とする。
リウムを含んだ酸化物半導体を用いることができる。具体的には、酸化物半導体層413
としては、In:Ga:Zn=1:1:1[原子数比]のIn-Ga-Zn酸化物、In
:Ga:Zn=3:1:2[原子数比]のIn-Ga-Zn酸化物、又はその近傍の組成
を有する酸化物を用いることができ、酸化物層414sとしては、In:Ga:Zn=1
:3:2[原子数比]のIn-Ga-Zn酸化物、In:Ga:Zn=1:6:4[原子
数比]のIn-Ga-Zn酸化物、In:Ga:Zn=1:9:6[原子数比]のIn-
Ga-Zn酸化物、又はその近傍の組成を有する酸化物を用いることができる。
以上100nm以下、さらに好ましくは3nm以上50nm以下とする。また、酸化物層
414sの厚さは、3nm以上100nm以下、好ましくは3nm以上50nm以下とす
る。
する。
-Ga-Zn酸化物を用い、酸化物層414sとしてエネルギーギャップが3.5eVで
あるIn-Ga-Zn酸化物とする。エネルギーギャップは、分光エリプソメータ(HO
RIBA JOBIN YVON社 UT-300)を用いて測定した。
(イオン化ポテンシャルともいう。)は、それぞれ8eV及び8.2eVであった。なお
、真空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光分析(UPS:Ultr
aviolet Photoelectron Spectroscopy)装置(PH
I社 VersaProbe)を用いて測定した。
ネルギー差(電子親和力ともいう。)は、それぞれ4.85eV及び4.7eVであった
。
では、酸化物積層406sに酸化シリコン膜を接して設けた場合について説明する。なお
、図50(B)に表すEcI1は酸化シリコン膜の伝導帯下端のエネルギーを示し、Ec
S1は酸化物半導体層413の伝導帯下端のエネルギーを示し、EcS2は酸化物層41
4sの伝導帯下端のエネルギーを示し、EcI2は酸化シリコン膜の伝導帯下端のエネル
ギーを示す。また、EcI1は、図13(A)において、第2の絶縁層404に相当し、
EcI2は、図13(A)において、絶縁層410に相当する。
導帯下端のエネルギーは障壁が無くなだらかに変化する。換言すると、連続的に変化する
ともいうことができる。これは、酸化物層414sは、酸化物半導体層413と共通の元
素を含み、酸化物半導体層413及び酸化物層414sの間で、酸素が相互に移動するこ
とで混合層が形成されるためであるということができる。
り、酸化物積層406sを用いたトランジスタにおいて、チャネル領域が酸化物半導体層
413に形成されることがわかる。なお、酸化物積層406sは伝導帯下端のエネルギー
が連続的に変化しているため、酸化物半導体層413と酸化物層414sとが連続接合し
ている、ともいえる。
は、不純物や欠陥に起因したトラップ準位が形成され得るものの、酸化物層414sが設
けられることにより、酸化物半導体層413と該トラップ準位とを遠ざけることができる
。ただし、EcS1とEcS2とのエネルギー差が小さい場合、酸化物半導体層413の
電子が該エネルギー差を超えてトラップ準位に達することがある。トラップ準位に電子が
捕獲されることで、絶縁層との界面近傍にマイナスの電荷が生じ、トランジスタのしきい
値電圧はプラス方向にシフトしてしまう。したがって、EcS1とEcS2とのエネルギ
ー差を、0.1eV以上、好ましくは0.15eV以上とすると、トランジスタのしきい
値電圧の変動が低減され、安定した電気特性となるため好適である。
)に示すバンド構造の変形例である。ここでは、酸化物積層406sに酸化シリコン膜を
接して設けた場合について説明する。なお、図50(C)に表すEcI1は酸化シリコン
膜の伝導帯下端のエネルギーを示し、EcS1は酸化物半導体層413の伝導帯下端のエ
ネルギーを示し、EcI2は酸化シリコン膜の伝導帯下端のエネルギーを示す。また、E
cI1は、図13(A)において、第2の絶縁層404に相当し、EcI2は、図13(
A)において、絶縁層410に相当する。
形成時に酸化物積層406sの上方、すなわち酸化物層414sがエッチングされる場合
がある。しかし、酸化物半導体層413の上面は、酸化物層414sの成膜時に酸化物半
導体層413と酸化物層414sの混合層が形成される場合がある。
-Ga-Zn酸化物、またはIn:Ga:Zn=3:1:2[原子数比]のIn-Ga-
Zn酸化物であり、酸化物層414sが、In:Ga:Zn=1:3:2[原子数比]の
In-Ga-Zn酸化物、またはIn:Ga:Zn=1:6:4[原子数比]のIn-G
a-Zn酸化物である場合、酸化物半導体層413よりも酸化物層414sのGaの含有
量が多いため、酸化物半導体層413の上面には、GaOx層または酸化物半導体層41
3よりもGaを多く含む混合層が形成されうる。
2側の伝導帯下端のエネルギーが高くなり、図50(C)に示すバンド構造のようになる
場合がある。
次に、図14(A)乃至図17(B)を参照して、基板521上に、画素部581、保
護回路582及び接続部583を作製する工程を説明する。
板521上に、導電層519、導電層551及び導電層571を形成する。導電層519
、導電層551及び導電層571は、第1のフォトマスクを用いて、レジストからなるマ
スク(以下、レジストマスクと呼ぶ。)を導電膜上に形成し、該導電膜をエッチングして
、形成される。そして導電層519、導電層551及び導電層571の形成後、レジスト
マスクを除去する。
3を形成する。そして図14(B)に示すように、フォトリソグラフィ工程とエッチング
工程により、絶縁層533上に、半導体層523を形成する。半導体層523は、第2の
フォトマスクを用いて、レジストマスクを半導体膜上に形成し、該半導体膜をエッチング
して、形成される。そして半導体層523の形成後、レジストマスクを除去する。
形成する。具体的には、図14(C)に示すように、フォトリソグラフィ工程とエッチン
グ工程により、保護回路582に絶縁層532は残存した開口部584、接続部583に
絶縁層532及び絶縁層533が除去された開口部585を形成することができる。開口
部584及び開口部585は、第3のフォトマスクを用いて、異なる厚さを有するレジス
トマスクを絶縁層533上に形成し、絶縁層533及び/又は絶縁層532をエッチング
して、形成される。そして開口部584及び開口部585の形成後、レジストマスクを除
去する。
とができる。多階調マスクとは、露光部分、中間露光部分、及び未露光部分に3つの露光
レベルを行うことが可能なマスクであり、透過した光が複数の強度となる露光マスクであ
る。一度の露光及び現像工程により、複数(代表的には二種類)の厚さの領域を有するレ
ジストマスクを形成することが可能である。このため、多階調マスクを用いることで、露
光マスクの枚数を削減することが可能である。多階調マスクとしては、例えばハーフトー
ンマスク、またはグレートーンマスク等が挙げられる。
う開口部とすることができる。これにより、開口部584は、絶縁層532が露出し、開
口部585は、導電層519が露出した構造とすることができる。なお、開口部584、
585の形成方法は、これに限定されず、例えば、異なるマスクを用いて行っても良い。
として機能することができる。また、保護回路582に形成された絶縁層532は、抵抗
素子として機能することができる。また、接続部583の絶縁層532、533は、導電
層同士を直接接続するために除去する構成とすることができる。つまり本実施の形態に示
す表示装置は、画素部581、及び保護回路582及び接続部583を同じ工程内で形成
することができる。したがって、製造コスト等を増やさずに表示装置を形成することが可
能となる。
成する。そして図15(A)に示すように、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程に
より、半導体層523、導電層571、絶縁層532及び絶縁層533上に、導電層52
0、導電層524、導電層552及び導電層571を形成する。導電層520、導電層5
24、導電層552及び導電層571は、第4のフォトマスクを用いて、レジストマスク
を導電膜上に形成し、該導電膜をエッチングして、形成される。そして導電層520、導
電層524、導電層552及び導電層571の形成後、レジストマスクを除去する。
に、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層536及び絶縁層537を形成する。そして図
15(B)に示すように、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程により、画素部58
1において、導電層524に達する開口部585を形成する。開口部585は、第5のフ
ォトマスクを用いて、レジストマスクを絶縁層537上に形成し、絶縁層534、絶縁層
535、絶縁層536及び絶縁層537をエッチングして、形成される。そして開口部5
85の形成後、レジストマスクを除去する。
のフォトマスクと、絶縁層534、絶縁層535及び絶縁層536にコンタクトホールを
形成するためのフォトマスクを別のマスクにすることもできる。
すように、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程により、絶縁層537上に、導電層
525を形成する。導電層525は、第6のフォトマスクを用いて、レジストマスクを導
電膜上に形成し、該導電膜をエッチングして、形成される。そして導電層525の形成後
、レジストマスクを除去する。
の層に形成される導電層とを直接接続するために接続部を形成する構成としてもよい。こ
の場合、第5のフォトマスクによって所定の場所に予め開口部を設けておく構成とするこ
とが好適である。または、導電層525の形成によって、異なる層に形成された複数の導
電層同士と、互いに直接接続される構成としてもよい。この場合、同じフォトマスクを用
いて一括開口した開口部を用いて異なる導電層同士を電気的に接続する構成とすることが
できるため、使用するフォトマスクの数を削減することができる。
して図16(B)に示すように、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程により、画素
部581において、導電層524に達する開口部586を形成する。開口部586は、第
7のフォトマスクを用いて、レジストマスクを絶縁層538上に形成し、絶縁層538を
エッチングして、形成される。そして開口部586の形成後、レジストマスクを除去する
。
すように、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程により、導電層524及び絶縁層5
38上に、導電層526を形成する。導電層526は、第8のフォトマスクを用いて、レ
ジストマスクを導電膜上に形成し、該導電膜をエッチングして、形成される。そして導電
層526の形成後、レジストマスクを除去する。
の層に形成される導電層とを直接接続するために接続部を形成する構成としてもよい。こ
の場合、第7のフォトマスクによって所定の場所に予め開口部を設けておく構成とするこ
とが好適である。または、導電層526の形成によって、異なる層に形成された複数の導
電層同士と、互いに直接接続される構成としてもよい。この場合、同じフォトマスクを用
いて一括開口した開口部を用いて異なる導電層同士を電気的に接続する構成とすることが
できるため、使用するフォトマスクの数を削減することができる。
る。配向膜539は、ポリイミド樹脂を印刷法等により、導電層526及び絶縁層538
上に塗布し、焼成して形成する。配向膜539にラビングや光照射により配向処理をする
ことができる。
を形成する。スペーサは、配向膜539上に、感光性硬化樹脂剤を塗布し、第9のフォト
マスクを介して樹脂剤を露光し、現像処理して、樹脂でなるスペーサを各画素に形成する
。
を省略しているが、ここで簡単に説明を行う。
544を作製する。なおブラックマトリクス542及びカラーフィルタ543は、基板5
21側に形成することもできる。オーバーコート544には、配向膜545が形成される
。
成方法としては、ディスペンサ法(滴下法)や、基板521と基板541とを貼り合わせ
てから毛細管現象を用いて液晶を注入する注入法を用いることができる。
本実施の形態では、上記実施の形態2で説明した、横電界方式の液晶表示装置の各構成
についての変形例について説明する。
図18に示すように導電層526がトランジスタ522に重畳するよう設ける構成とし
てもよい。
次いで保護回路511の変形例について説明する。図19(A)は保護回路の構成例を
示す平面図であり、図19(B)は図19(A)の切断線B3-B4による断面図である
。
を有する層(以下、導電層554)、半導体層555を示している。
4は、一例として、グラウンド電位(GND)に固定されている。導電層554としては
、導電層520と同様に形成することができる。
523と同様に形成することができる。
挟持した構造であり、半導体層555の抵抗率を制御することによって、一対の電極の一
方に過電流が流れた場合に、他方の電極に過電流の一部または全部を逃がすことができる
。
ゲートドライバ502、503及びソースドライバ504は、ESDなどにより発生する
過電流に対する耐性を高めることができる。したがって、信頼性を向上しうる新規な表示
装置を提供することができる。
、基板521、絶縁層532、絶縁層533、半導体層555、導電層552、導電層5
54、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層536、絶縁層537、絶縁層538、配向
膜539、液晶層540、基板541、ブラックマトリクス542、オーバーコート54
4、配向膜545を示している。
555を設ける構成としている。そのため、画素部501、ゲートドライバ502、50
3及びソースドライバ504は、ESDなどにより発生する過電流に対する耐性を高める
ことができる。したがって、信頼性を向上しうる新規な表示装置を提供することができる
。
例を示す平面図であり、図20(B)は図20(A)の切断線B5-B6による断面図で
ある。
554、半導体層555、導電層556、導電層557を示している。
と半導体層555とを接続するための配線である。導電層556及び導電層557として
は、導電層525と同様に形成することができる。
導体層555及び導電層557を挟持した構造であり、半導体層555の抵抗率を制御す
ることによって、一対の電極の一方に過電流が流れた場合に、他方の電極に過電流の一部
または全部を逃がすことができる。
ゲートドライバ502、503及びソースドライバ504は、ESDなどにより発生する
過電流に対する耐性を高めることができる。したがって、信頼性を向上しうる新規な表示
装置を提供することができる。
、基板521、絶縁層532、絶縁層533、半導体層555、導電層552、導電層5
54、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層536、絶縁層537、導電層556、導電
層557、絶縁層538、配向膜539、液晶層540、基板541、ブラックマトリク
ス542、オーバーコート544、配向膜545を示している。
56、導電層557及び半導体層555を設ける構成としている。そのため、画素部50
1、ゲートドライバ502、503及びソースドライバ504は、ESDなどにより発生
する過電流に対する耐性を高めることができる。したがって、信頼性を向上しうる新規な
表示装置を提供することができる。
例を示す平面図であり、図21(B)は図21(A)の切断線B7-B8による断面図で
ある。
554、半導体層555、導電層558、導電層559を示している。
と半導体層555とを接続するための配線である。導電層558及び導電層559として
は、導電層526と同様に形成することができる。
導体層555及び導電層559を挟持した構造であり、半導体層555の抵抗率を制御す
ることによって、一対の電極の一方に過電流が流れた場合に、他方の電極に過電流の一部
または全部を逃がすことができる。
ゲートドライバ502、503及びソースドライバ504は、ESDなどにより発生する
過電流に対する耐性を高めることができる。したがって、信頼性を向上しうる新規な表示
装置を提供することができる。
、基板521、絶縁層532、絶縁層533、半導体層555、導電層552、導電層5
54、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層536、絶縁層537、導電層558、導電
層559、絶縁層538、配向膜539、液晶層540、基板541、ブラックマトリク
ス542、オーバーコート544、配向膜545を示している。
58、導電層559及び半導体層555を設ける構成としている。そのため、画素部50
1、ゲートドライバ502、503及びソースドライバ504は、ESDなどにより発生
する過電流に対する耐性を高めることができる。したがって、信頼性を向上しうる新規な
表示装置を提供することができる。
、半導体層の形状は、図22(A)、図22(B)に示すようなメアンダ形状とすること
もできる。
路の構成例を示す断面図である。
32、絶縁層533、導電層551、導電層552、半導体層555、絶縁層534、絶
縁層535、絶縁層536、絶縁層537、導電層525、導電層558、導電層559
、絶縁層538、配向膜539、液晶層540、基板541、ブラックマトリクス542
、オーバーコート544、配向膜545を示している。
555及び導電層525を設ける構成としている。そのため、画素部501、ゲートドラ
イバ502、503及びソースドライバ504は、ESDなどにより発生する過電流に対
する耐性を高めることができる。したがって、信頼性を向上しうる新規な表示装置を提供
することができる。
32、絶縁層533、導電層551、導電層552、半導体層555、絶縁層534、絶
縁層535、絶縁層536、絶縁層537、導電層526、導電層558、導電層559
、絶縁層538、配向膜539、液晶層540、基板541、ブラックマトリクス542
、オーバーコート544、配向膜545を示している。
555及び導電層526を設ける構成としている。そのため画素部501、ゲートドライ
バ502、503及びソースドライバ504は、ESDなどにより発生する過電流に対す
る耐性を高めることができる。したがって、信頼性を向上しうる新規な表示装置を提供す
ることができる。
路構成の一例を示している。
304と、を有する構成である。
る第2端子と接続されており、ドレイン電極として機能する第3端子が配線351と接続
されている。また、トランジスタ302の第1端子は、配線381と接続されている。ト
ランジスタ304は、ソース電極として機能する第1端子がゲート電極として機能する第
2端子と接続されており、ドレイン電極として機能する第3端子が配線352と接続され
ている。また、トランジスタ304の第1端子は、配線381と接続されている。
ランジスタ306、308、310、312と、を有する構成である。
る第2端子と接続されており、ドレイン電極として機能する第3端子が配線383と接続
されている。また、トランジスタ306の第1端子は、配線382と接続されている。
る第2端子と接続されており、ドレイン電極として機能する第3端子が配線384と接続
されている。また、トランジスタ308の第1端子は、配線383と接続されている。
る第2端子と接続されており、ドレイン電極として機能する第3端子が配線382と接続
されている。また、トランジスタ310の第1端子は、配線383と接続されている。
る第2端子と接続されており、ドレイン電極として機能する第3端子が配線383と接続
されている。また、トランジスタ312の第1端子は、配線384と接続されている。
タ314、316と、を有する構成である。
る第2端子と接続されており、ドレイン電極として機能する第3端子が配線385と接続
されている。また、トランジスタ314の第1端子は、配線386と接続されている。
る第2端子と接続されており、ドレイン電極として機能する第3端子が配線386と接続
されている。また、トランジスタ316の第1端子は、配線385と接続されている。
)に示す回路構成のようにダイオード接続されたトランジスタを使用することもできる。
する第1端子と、ゲート電極として機能する第2端子との接続は、図25に示す断面模式
図の構成とすることで、任意に抵抗率を制御することが可能となる。
た、図25(A)に示す抵抗素子の断面図では、基板521、導電層551、絶縁層53
2、絶縁層533、半導体層555、導電層552、絶縁層534、絶縁層535、絶縁
層536、絶縁層537及び導電層556を示している。
た、図25(B)に示す抵抗素子の断面図では、基板521、導電層551、絶縁層53
2、絶縁層533、半導体層555、導電層552、絶縁層534、絶縁層535、絶縁
層536、絶縁層537、導電層556及び導電層557を示している。
た、図25(C)に示す抵抗素子の断面図では、基板521、導電層551、絶縁層53
2、絶縁層533、半導体層555、導電層552、導電層554、絶縁層534、絶縁
層535、絶縁層536、絶縁層537、導電層556及び導電層557を示している。
る。
次いでトランジスタ522の変形例について説明する。
。
す作製方法と異なる点は、ゲート電極402のチャネル長方向の長さL1を酸化物半導体
層のチャネル長方向の長さL2よりも大きくする点(L1>L2)、及び島状の酸化物半
導体層406を形成する工程において、第2の絶縁層404を同時に加工して第2の絶縁
層416とする点、にある。当該構成とすることで、ソース電極408(またはドレイン
電極409)とゲート電極402との間に保護回路となる抵抗素子を形成することができ
る。
導体層のチャネル長方向の長さL2よりも大きくする場合、予めゲート電極402を加工
する時点で、チャネル長方向の長さL1を大きくとって加工を行えばよい。
とする場合、島状の酸化物半導体層406を加工する際のレジストマスクを残存した状態
で等方性エッチングを施し、第2の絶縁層416の一部を除去する構成とすればよい。こ
の場合、第2の絶縁層416のエッチングと共に、島状の酸化物半導体層406の端部が
エッチングされ、島状の酸化物半導体層406の設計による寸法より小さくなることにな
る。
具備する画素518の構成は、図28(A)、(B)のようになる。図28(A)は画素
の構成例を示す平面図であり、図28(B)は図28(A)の切断線A7-A8による断
面図である。
次いで、横電界方式の液晶表示装置の断面図の変形例について説明する。
変形例である。図29(A)、(B)では、画素部の断面図の他、接続部の断面図の構成
をあわせて示している。なお図29(A)に示す断面図の構成は、半導体層523の形成
後に、導電層526を形成する構成である。
5及び導電層573において、導電性を補助するための導電層576を積層して設ける構
成について示している。また図29(A)、(B)では、接続部における導電層と直接接
続する導電層として、導電層571及び導電層572を異ならせて示している。
33、半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層535、絶
縁層536、導電層525、導電層526、配向膜539、液晶層540、基板541、
ブラックマトリクス542、カラーフィルタ543、オーバーコート544、配向膜54
5、導電層571、導電層573を示している。また図29(A)では、トランジスタ5
22を図示している。
33、半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層535、絶
縁層536、導電層525、導電層526、配向膜539、液晶層540、基板541、
ブラックマトリクス542、カラーフィルタ543、オーバーコート544、配向膜54
5、導電層571、導電層573、導電層576を示している。また図29(B)では、
トランジスタ522を図示している。
の機能を有する。導電層576としては、アルミニウム、チタン、クロム、コバルト、ニ
ッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、タンタル及び
タングステンを一種以上含む導電性材料でなる膜を1層又は2層以上で形成するとよい。
526を形成した後に、半導体層523の形成を形成する構成である。そのため、図30
の構成では、導電層526に重畳して、絶縁層533が残る構成となる。
半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層5
36、導電層525、導電層526、配向膜539、液晶層540、基板541、ブラッ
クマトリクス542、カラーフィルタ543、オーバーコート544、配向膜545、導
電層572、導電層573、導電層576を示している。また図30では、トランジスタ
522を図示している。
31では、画素部の断面図の他、接続部の断面図の構成をあわせて示している。なお図3
1に示す断面図の構成は、画素電極として機能する導電層526の形成後に、共通電極と
して機能する導電層525を形成する構成である。
半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層5
36、絶縁層537、導電層525、導電層526、絶縁層538、配向膜539、液晶
層540、基板541、ブラックマトリクス542、カラーフィルタ543、オーバーコ
ート544、配向膜545、導電層571、導電層573、導電層575を示している。
また図31では、トランジスタ522を図示している。
32では、画素部の断面図の他、接続部の断面図の構成をあわせて示している。なお図3
2に示す断面図の構成は、画素電極として機能する導電層526が、トランジスタ522
を構成する半導体層523と重畳して設ける構成である。
半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層5
36、絶縁層537、導電層525、導電層526、絶縁層538、配向膜539、液晶
層540、基板541、ブラックマトリクス542、カラーフィルタ543、オーバーコ
ート544、配向膜545、導電層571、導電層573を示している。また図32では
、トランジスタ522を図示している。
33では、画素部の断面図の他、接続部の断面図の構成をあわせて示している。なお図3
3に示す断面図の構成は、トランジスタのバックゲート電極として機能する導電層576
を導電層526に重畳して設け、トランジスタ522上に設ける構成である。
半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層5
36、絶縁層537、導電層525、導電層526、絶縁層538、配向膜539、液晶
層540、基板541、ブラックマトリクス542、カラーフィルタ543、オーバーコ
ート544、配向膜545、導電層571、導電層573、導電層576を示している。
また図33では、トランジスタ522を図示している。
576としては、導電層575と同様に形成することができる。
では、画素部の断面図の他、接続部の断面図の構成をあわせて示している。なお図34に
示す断面図の構成は、トランジスタのバックゲート電極として機能する導電層576を、
導電層519に直接接続された導電層526に重畳して設け、トランジスタ522上に設
ける構成である。
半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層5
36、絶縁層537、導電層525、導電層526、絶縁層538、配向膜539、液晶
層540、基板541、ブラックマトリクス542、カラーフィルタ543、オーバーコ
ート544、配向膜545、導電層571、導電層573、導電層576を示している。
また図34では、トランジスタ522を図示している。
35では、画素部の断面図の他、接続部の断面図の構成をあわせて示している。なお図3
5に示す断面図の構成は、トランジスタ522と画素電極として機能する導電層526と
の接続箇所に導電層525を重畳して設ける構成である。
半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層5
36、絶縁層537、導電層525、導電層526、絶縁層538、配向膜539、液晶
層540、基板541、ブラックマトリクス542、カラーフィルタ543、オーバーコ
ート544、配向膜545、導電層571、導電層573、導電層575を示している。
また図35では、トランジスタ522を図示している。
画素部の断面図の他、図8に示した保護回路部の断面図の構成をあわせて示している。な
お図36に示す断面図の構成は、絶縁層538を保護回路部における半導体層555に直
接接して設ける構成である。
半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層5
36、絶縁層537、導電層525、導電層526、絶縁層538、配向膜539、液晶
層540、基板541、ブラックマトリクス542、カラーフィルタ543、オーバーコ
ート544、配向膜545、導電層552、導電層554、半導体層555を示している
。また図36では、トランジスタ522を図示している。
画素部の断面図の他、図8に示した保護回路部の断面図の構成をあわせて示している。な
お図37に示す断面図の構成は、絶縁層538を保護回路部における半導体層555に直
接接して設ける構成である。
半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層5
36、絶縁層537、導電層525、導電層526、絶縁層538、配向膜539、液晶
層540、基板541、ブラックマトリクス542、カラーフィルタ543、オーバーコ
ート544、配向膜545、導電層552、導電層554、半導体層555を示している
。また図37では、トランジスタ522を図示している。
は、画素部の断面図の他、図8に示した保護回路部の断面図の構成をあわせて示している
。なお図38に示す断面図の構成は、絶縁層538を保護回路部における半導体層555
に直接接して設ける構成である。
半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層535、絶縁層5
36、絶縁層537、導電層525、導電層526、絶縁層538、配向膜539、液晶
層540、基板541、ブラックマトリクス542、カラーフィルタ543、オーバーコ
ート544、配向膜545、導電層552、導電層554、半導体層555を示している
。また図38では、トランジスタ522を図示している。
本実施の形態では、上記実施の形態1で説明した、横電界方式の表示装置にタッチセン
サ(接触検出装置)を設けることで、タッチパネルとして機能させる構成について説明す
る。
ある。また図40は、タッチセンサの静電容量が形成される電極として機能する導電層の
構成例を示す平面図である。また図41(A)は、図40の切断線C1-C2による断面
図であり、図41(B)は、図40の領域430における平面図である。
の構成例を示す断面図では、一例として、基板521、導電層519、絶縁層532、絶
縁層533、半導体層523、導電層520、導電層524、絶縁層534、絶縁層53
5、絶縁層536、絶縁層537、導電層525、導電層526、絶縁層538、配向膜
539、液晶層540、基板541、ブラックマトリクス542、カラーフィルタ543
、オーバーコート544、配向膜545、偏光する機能を有する部材(以下、偏光板42
1という)、偏光する機能を有する部材(以下、偏光板422という)、導電性を有する
層(以下、導電層423という)を示している。また図39では、トランジスタ522を
図示している。
21の外側に偏光板421が取り付けられ、基板541の外側に偏光板422が取り付け
られている。
に限定されないが、例えば、二色性の物質を一定方向にそろえて配置することで、光学的
な異方性を持たせたものを用いることができる。このような偏光板は、例えば、ヨウ素系
の化合物などをポリビニルアルコールなどのフィルムに吸着させ、これを一方向に延伸す
ることで作製することができる。なお、二色性の物質としては、ヨウ素系の化合物のほか
、染料系の化合物などが用いられる。偏光板422についても、同様である。
の電極として機能する層である。導電層423としては、導電層525と同様に形成する
ことができる。
機能する導電層525、及び導電層423の構成例を示す平面図では、一例として、基板
521、基板541、FPC461、FPC462、配線431、配線432、導電層5
25、及び導電層423を示している。また図40では、画素部501に相当する領域を
点線で図示している。
、導電層525及び導電層423は平面において直交するように配置されている。導電層
525は、配線431により、基板521に取り付けられたFPC461に接続される。
導電層423は、配線432により基板541に取り付けられたFPC462に接続され
る。
ンジスタ522、導電層525、導電層526、液晶層540、基板541及び導電層4
23を示している。
22に接続されている。
層525及び導電層423を示している。
れる。導電層525及び導電層423を一対の電極とする容量素子において、導電層52
5はこの容量素子に電位を与えるための電極である。他方、導電層423は、容量素子を
流れる電流を取り出すための電極である。
センシング動作に大別できる。表示動作時は、導電層525の電位はローレベルに固定さ
れている。センシング期間には、各導電層525にパルス信号が順次印加され、その電位
がハイレベルとされる。このとき、指がタッチパネル420に接触していると、指による
容量がタッチセンサの容量素子に付加されるため、容量素子を流れる電流が変化し、導電
層423の電位が変化する。導電層525のパルス信号を順次走査して、導電層423の
電位の変化を検出することで、指の接触位置が検出される。
420の静電容量を構成する電極として、FFSモードの液晶表示装置500に元々設け
られていた帯電防止用の導電体と、画素の共通電極を用いることができるため、軽量、薄
型で、かつ高表示品位のタッチパネルを提供することが可能である。
本実施の形態では、上記実施の形態4で説明した、表示装置をタッチパネルとして機能
させる構成についての変形例及びその応用例について説明する。
タッチパネルの構造は、静電容量を形成するタッチパネル基板を液晶表示装置500の
基板541側に取り付ける構成、または液晶表示装置500の基板541の外側に取り付
ける帯電防止用の導電膜を用いて、表面容量(surface capacitive)
型のタッチセンサとする構成、といった外付け方式のタッチパネルとすることもできる。
以下、図42(A)乃至図43を用いて、外付け方式のタッチパネルに適用されるタッチ
センサの構成例を説明する。
ッチセンサの電極の構成例を示す平面図である。図43は、タッチセンサ450の構成例
を示す断面図である。
1と、複数の電極452の平面図に相当する。図42(A)及び図42(B)に示すタッ
チセンサ450は、基板491上に、X軸方向に配列された複数の電極451と、X軸方
向と交差するY軸方向に配列された複数の電極452とが形成されている。
数の電極451及び複数の電極452は、導電膜の四辺形状の部分の位置が重ならないよ
うに、配置されている。電極451と電極452の交差する部分には、電極451と電極
452が接触しないように間に絶縁膜が設けられている。
451と452が交差する部分の断面図を一例として示す。また、図44は、電極451
と電極452との交差部分の等価回路図である。図44に示すように、電極451と電極
452の交差する部分には、容量素子454が形成される。
ならびに、絶縁膜481上の2層目の導電膜451cにより構成される。導電膜451a
と導電膜451bは、導電膜451cにより接続されている。電極452は、1層目の導
電膜により形成される。電極451、452及び471を覆って絶縁膜482が形成され
ている。絶縁膜481、482として、例えば、酸化窒化シリコン膜を形成すればよい。
なお、基板491と電極451及び電極471の間に絶縁膜でなる下地膜を形成してもよ
い、下地膜としては、例えば、酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
えば、透光性を有する導電材料として、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ、酸化インジ
ウムスズ、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等がある。
子を構成する。電極452も、電極451と同様、他の電極471に接続される。電極4
71は、例えばタングステン膜から形成することができる。
FPCとを電気的に接続するために、電極471上の絶縁膜481及び絶縁膜482には
開口が形成されている。絶縁膜482上には、基板492が接着剤又は接着フィルム等に
より貼り付けられている。接着剤又は接着フィルムにより基板491側を液晶表示装置5
00の基板541に取り付けることで、タッチパネルが構成される。
次に、本発明の一態様の表示装置を用いることのできる表示モジュールについて、図4
6を用いて説明を行う。
の間に、FPC8003に接続されたタッチパネル8004、FPC8005に接続され
た表示パネルセル8006、バックライトユニット8007、フレーム8009、プリン
ト基板8010、バッテリー8011を有する。
セル8006のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
セル8006に重畳して用いることができる。また、表示パネルセル8006の対向基板
(封止基板)に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示
パネルセル8006の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可
能である。
イトユニット8007の端部に設け、光拡散板を用いる構成としてもよい。
の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。また
フレーム8009は、放熱板としての機能を有していてもよい。
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリー8011による電源であってもよい。バッテリー801
1は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
加して設けてもよい。
用いることができる。
本実施の形態においては、図1(A)に示す表示装置の画素回路108に用いることの
できる構成について、図45を用いて説明を行う。本発明の表示装置は、画素回路108
が有する表示素子を変えることで様々な表示装置として適用可能である。
発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な素子を有
することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置の一例としては、EL(
エレクトロルミネッセンス)素子(有機物及び無機物を含むEL素子、有機EL素子、無
機EL素子)、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)、トラ
ンジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、電子放出素子、液晶素子、電子インク
、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)、プラズマディスプレイパネル
(PDP)、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、圧電セラミックディスプレイ
、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、
透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。EL素子を用いた表示装置の一例と
しては、ELディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、
フィールドエミッションディスプレイ(FED)又はSED方式平面型ディスプレイ(S
ED:Surface-conduction Electron-emitter D
isplay)などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレ
イ(透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直
視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ)などがある。電子インク又は電気泳動
素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。
有する素子などがある。EL層の一例としては、1重項励起子からの発光(蛍光)を利用
するもの、3重項励起子からの発光(燐光)を利用するもの、1重項励起子からの発光(
蛍光)を利用するものと3重項励起子からの発光(燐光)を利用するものとを含むもの、
有機物によって形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成さ
れたものと無機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料を含むもの、低分
子の材料を含むもの、又は高分子の材料と低分子の材料とを含むもの、などがある。ただ
し、これに限定されず、EL素子として様々なものを用いることができる。
る素子がある。その素子は一対の電極と液晶層により構造されることが可能である。なお
、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界(横方向の電界、縦方向の電界又は斜め方
向の電界を含む)によって制御される。なお、具体的には、液晶素子の一例としては、ネ
マチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、ディスコチック液晶、サーモト
ロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PD
LC)、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高分子液晶、バナナ型液晶など
を挙げることができる。また液晶の駆動方法としては、TN(Twisted Nema
tic)モード、STN(Super Twisted Nematic)モード、IP
S(In-Plane-Switching)モード、FFS(Fringe Fiel
d Switching)モード、MVA(Multi-domain Vertica
l Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical A
lignment)モード、ASV(Advanced Super View)モード
、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cel
l)モード、OCB(Optically Compensated Birefrin
gence)モード、ECB(Electrically Controlled Bi
refringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid
Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liqu
id Crystal)モード、PDLC(Polymer Dispersed Li
quid Crystal)モード、PNLC(Polymer Network Li
quid Crystal)モード、ゲストホストモード、ブルー相(Blue Pha
se)モードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子及びその駆動方式として
様々なものを用いることができる。
分子配向など)、粒子により表示されるもの(電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化な
ど)、フィルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色/相変化により
表示されるもの、分子の光吸収により表示されるもの、又は電子とホールが結合して自発
光により表示されるものなどを用いることができる。具体的には、電子ペーパーの表示方
法の一例としては、マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気
泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナー
、電子粉流体、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッテイング、光散乱(透明/白
濁変化)、コレステリック液晶/光導電層、コレステリック液晶、双安定性ネマチック液
晶、強誘電性液晶、2色性色素・液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料による発消色、
フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブル有機
ELなどがある。ただし、これに限定されず、電子ペーパー及びその表示方法として様々
なものを用いることができる。ここで、マイクロカプセル型電気泳動を用いることによっ
て、泳動粒子の凝集、沈殿を解決することができる。電子粉流体は、高速応答性、高反射
率、広視野角、低消費電力、メモリ性などのメリットを有する。
成とすることができる。
、容量素子133_1と、を有する。
33_2と、トランジスタ134と、発光素子135と、を有する。
る。
本実施の形態においては、電子機器の例について説明する。
である。これらの電子機器は、筐体5000、表示部5001、スピーカ5003、LE
Dランプ5004、操作キー5005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続
端子5006、センサ5007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離
、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線
、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフ
ォン5008、等を有することができる。
、赤外線ポート5010、等を有することができる。図47(B)は記録媒体を備えた携
帯型の画像再生装置(たとえば、DVD再生装置)であり、上述したものの他に、第2表
示部5002、記録媒体読込部5011、等を有することができる。図47(C)はゴー
グル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第2表示部5002、支持部5012
、イヤホン5013、等を有することができる。図47(D)は携帯型遊技機であり、上
述したものの他に、記録媒体読込部5011、等を有することができる。図47(E)は
テレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ5014、シ
ャッターボタン5015、受像部5016、等を有することができる。図47(F)は携
帯型遊技機であり、上述したものの他に、第2表示部5002、記録媒体読込部5011
、等を有することができる。図47(G)はテレビ受像器であり、上述したものの他に、
チューナ、画像処理部、等を有することができる。図47(H)は持ち運び型テレビ受像
器であり、上述したものの他に、信号の送受信が可能な充電器5017、等を有すること
ができる。図48(A)はディスプレイであり、上述したものの他に、支持台5018、
等を有することができる。図48(B)はカメラであり、上述したものの他に、外部接続
ポート5019、シャッターボタン5015、受像部5016、等を有することができる
。図48(C)はコンピュータであり、上述したものの他に、ポインティングデバイス5
020、外部接続ポート5019、リーダ/ライタ5021、等を有することができる。
図48(D)は携帯電話機であり、上述したものの他に、送信部、受信部、携帯電話・移
動端末向けの1セグメント部分受信サービス用チューナ、等を有することができる。
々な機能を有することができる。例えば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など
)を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示す
る機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、無線通信機能
、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能
を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム
又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数
の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の
一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮し
た画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに
、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮
影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体(外部又はカメラ
に内蔵)に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができ
る。なお、図47(A)乃至図47(H)、図48(A)乃至図48(D)に示す電子機
器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
ることを特徴とする。
)は、筐体5022、表示部5023、操作部であるリモコン装置5024、スピーカ5
025等を含む。表示装置は、壁かけ型として建物と一体となっており、設置するスペー
スを広く必要とすることなく設置可能である。
す。表示モジュール5026は、ユニットバス5027と一体に取り付けられており、入
浴者は表示モジュール5026の視聴が可能になる。
形態はこれに限定されず、様々な建造物に表示装置を設置することができる。
ール5028は、自動車の車体5029に取り付けられており、車体の動作又は車体内外
から入力される情報をオンデマンドに表示することができる。なお、ナビゲーション機能
を有していてもよい。
ある。図48(H)は、旅客用飛行機の座席上部の天井5030に表示モジュール503
1を設けたときの、使用時の形状について示した図である。表示モジュール5031は、
天井5030とヒンジ部5032を介して一体に取り付けられており、ヒンジ部5032
の伸縮により乗客は表示モジュール5031の視聴が可能になる。表示モジュール503
1は乗客が操作することで情報を表示する機能を有する。
たがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車(自動車、バス等を含む)、電車(モノ
レール、鉄道等を含む)、船舶等、様々なものに設置することができる。
なお、上記実施の形態で開示された、導電膜や半導体膜はスパッタ法やプラズマCVD法
により形成することができるが、他の方法、例えば、熱CVD(Chemical Va
por Deposition)法により形成してもよい。熱CVD法の例としてMOC
VD(Metal Organic Chemical Vapor Depositi
on)法やALD(Atomic Layer Deposition)法を使っても良
い。
されることが無いという利点を有する。
たは減圧下とし、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を行
ってもよい。
次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行ってもよい。
例えば、それぞれのスイッチングバルブ(高速バルブとも呼ぶ)を切り替えて2種類以上
の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第1の原
料ガスと同時またはその後に不活性ガス(アルゴン、或いは窒素など)などを導入し、第
2の原料ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスはキ
ャリアガスとなり、また、第2の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入してもよ
い。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第1の原料ガスを排出した後
、第2の原料ガスを導入してもよい。第1の原料ガスが基板の表面に吸着して第1の層を
成膜し、後から導入される第2の原料ガスと反応して、第2の層が第1の層上に積層され
て薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるまで複数回繰り返
すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入順
序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微
細なFETを作製する場合に適している。
導電膜や半導体膜を形成することができ、例えば、In-Ga-Zn-O膜を成膜する場
合には、トリメチルインジウム、トリメチルガリウム、及びジメチル亜鉛を用いる。なお
、トリメチルインジウムの化学式は、In(CH3)3である。また、トリメチルガリウ
ムの化学式は、Ga(CH3)3である。また、ジメチル亜鉛の化学式は、Zn(CH3
)2である。また、これらの組み合わせに限定されず、トリメチルガリウムに代えてトリ
エチルガリウム(化学式Ga(C2H5)3)を用いることもでき、ジメチル亜鉛に代え
てジエチル亜鉛(化学式Zn(C2H5)2)を用いることもできる。
スとB2H6ガスを順次繰り返し導入して初期タングステン膜を形成し、その後、WF6
ガスとH2ガスを同時に導入してタングステン膜を形成する。なお、B2H6ガスに代え
てSiH4ガスを用いてもよい。
膜を成膜する場合には、In(CH3)3ガスとO3ガスを順次繰り返し導入してIn-
O層を形成し、その後、Ga(CH3)3ガスとO3ガスを同時に導入してGaO層を形
成し、更にその後Zn(CH3)2とO3ガスを同時に導入してZnO層を形成する。な
お、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを混ぜてIn-Ga-O
層やIn-Zn-O層、Ga-Zn-O層などの混合化合物層を形成しても良い。なお、
O3ガスに変えてAr等の不活性ガスでバブリングして得られたH2Oガスを用いても良
いが、Hを含まないO3ガスを用いる方が好ましい。また、In(CH3)3ガスにかえ
て、In(C2H5)3ガスを用いても良い。また、Ga(CH3)3ガスにかえて、G
a(C2H5)3ガスを用いても良い。また、In(CH3)3ガスにかえて、In(C
2H5)3ガスを用いても良い。また、Zn(CH3)2ガスを用いても良い。
いて、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって
、ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取
り出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成す
ることが可能であるものとする。そのため、例えば、能動素子(トランジスタ、ダイオー
ドなど)、配線、受動素子(容量素子、抵抗素子など)、導電層、絶縁層、半導体層、有
機材料、無機材料、部品、装置、動作方法、製造方法などが単数又は複数記載された図面
または文章において、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することが可能であ
るものとする。例えば、N個(Nは整数)の回路素子(トランジスタ、容量素子等)を有
して構成される回路図から、M個(Mは整数で、M<N)の回路素子(トランジスタ、容
量素子等)を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。別の例としては、
N個(Nは整数)の層を有して構成される断面図から、M個(Mは整数で、M<N)の層
を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。さらに別の例としては、N個
(Nは整数)の要素を有して構成されるフローチャートから、M個(Mは整数で、M<N
)の要素を抜き出して、発明の一態様を構成することは可能である。
いて、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すこと
は、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べ
る図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位
概念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが
可能である。
は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能
である。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べてい
なくても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を
構成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様
として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
DL データ線
LC 液晶素子
CAP 容量素子
DL_Y データ線
DL_n データ線
DL_1 データ線
GL_X 走査線
GL_m 走査線
GL_1 走査線
102 画素部
104 駆動回路部
104a ゲートドライバ
104b ソースドライバ
106 保護回路
106_1 保護回路
106_2 保護回路
106_3 保護回路
106_4 保護回路
107 端子部
108 画素回路
110 配線
112 配線
114 抵抗素子
130 液晶素子
131_1 トランジスタ
131_2 トランジスタ
133_1 容量素子
133_2 容量素子
134 トランジスタ
135 発光素子
140 基板
142 導電層
144 絶縁層
146 絶縁層
148 導電層
151 トランジスタ
152 トランジスタ
153 トランジスタ
154 トランジスタ
155 トランジスタ
156 トランジスタ
157 トランジスタ
158 トランジスタ
159 トランジスタ
160 トランジスタ
161 トランジスタ
162 トランジスタ
163 トランジスタ
164 トランジスタ
165 トランジスタ
166 トランジスタ
171 抵抗素子
172 抵抗素子
173 抵抗素子
174 抵抗素子
175 抵抗素子
176 抵抗素子
177 抵抗素子
178 抵抗素子
179 抵抗素子
180 抵抗素子
181 配線
182 配線
183 配線
184 配線
185 配線
186 配線
187 配線
188 配線
189 配線
190 配線
191 配線
199 抵抗素子
301 導電膜
302 トランジスタ
304 トランジスタ
306 トランジスタ
308 トランジスタ
310 トランジスタ
312 トランジスタ
314 トランジスタ
316 トランジスタ
351 配線
352 配線
353 配線
354 配線
355 配線
356 配線
381 配線
382 配線
383 配線
384 配線
385 配線
386 配線
400 基板
401 導電膜
402 ゲート電極
403 絶縁膜
404 第2の絶縁層
405 酸化物半導体膜
406 島状の酸化物半導体層
406s 酸化物積層
407 導電膜
408 ソース電極
409 ドレイン電極
410 絶縁層
411 絶縁層
412 絶縁層
413 酸化物半導体層
414 酸化物半導体層
414s 酸化物層
415 酸化物半導体層
416 絶縁層
420 タッチパネル
421 偏光板
422 偏光板
423 導電層
430 領域
431 配線
432 配線
450 タッチセンサ
451 電極
451a 導電膜
451b 導電膜
451c 導電膜
452 電極
454 容量素子
461 FPC
462 FPC
471 電極
481 絶縁膜
482 絶縁膜
486 配線
491 基板
492 基板
500 液晶表示装置
501 画素部
502 ゲートドライバ
503 ゲートドライバ
504 ソースドライバ
505 端子部
506 FPC
511 保護回路
512 シール部材
515 スペーサ
518 画素
519 導電層
520 導電層
521 基板
522 トランジスタ
523 半導体層
524 導電層
525 導電層
526 導電層
528 開口部
532 絶縁層
533 絶縁層
534 絶縁層
535 絶縁層
536 絶縁層
537 絶縁層
538 絶縁層
539 配向膜
540 液晶層
541 基板
542 ブラックマトリクス
543 カラーフィルタ
544 オーバーコート
545 配向膜
551 導電層
551L 配線
552 導電層
552L 配線
553 開口部
554 導電層
555 半導体層
556 導電層
557 導電層
558 導電層
559 導電層
561 導電層
571 導電層
572 導電層
573 導電層
574 導電層
575 導電層
576 導電層
581 画素部
582 保護回路
583 接続部
584 開口部
585 開口部
586 開口部
600 配線
601 配線
602 配線
603 保護回路
604A トランジスタ
604B トランジスタ
605A トランジスタ
605B トランジスタ
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
5018 支持台
5019 外部接続ポート
5020 ポインティングデバイス
5021 リーダ/ライタ
5022 筐体
5023 表示部
5024 リモコン装置
5025 スピーカ
5026 表示モジュール
5027 ユニットバス
5028 表示モジュール
5029 車体
5030 天井
5031 表示モジュール
5032 ヒンジ部
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネルセル
8007 バックライトユニット
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリー
Claims (3)
- 第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層と、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接する第1の絶縁層と、前記酸化物半導体層と接する第2の絶縁層と、を有する保護回路を有し、
前記第1の絶縁層は、前記酸化物半導体層上及び前記第3の導電層上に配置された領域を有し、
前記第1の導電層は、前記第1の絶縁層上に配置された領域を有し、
前記第2の導電層は、前記第1の絶縁層上に配置された領域を有し、
前記第1の導電層と前記第2の導電層とは、前記第1の絶縁層上において離間して配置され、
前記第1の導電層は、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第2の導電層は、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第2の導電層は、前記第3の導電層と電気的に接続され、
前記第3の導電層は、前記酸化物半導体層と重ならず、
前記第2の絶縁層は、前記酸化物半導体層下に配置された領域を有し、
平面視において、前記酸化物半導体層は、メアンダ形状を有する、半導体装置。 - 第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層と、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接する第1の絶縁層と、前記酸化物半導体層と接する第2の絶縁層と、を有する保護回路を有し、
前記第1の絶縁層は、前記酸化物半導体層上及び前記第3の導電層上に配置された領域を有し、
前記第1の導電層は、前記第1の絶縁層上に配置された領域を有し、
前記第2の導電層は、前記第1の絶縁層上に配置された領域を有し、
前記第1の導電層と前記第2の導電層とは、前記第1の絶縁層上において離間して配置され、
前記第1の導電層は、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第2の導電層は、前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第2の導電層は、前記第3の導電層と電気的に接続され、
前記第3の導電層は、前記酸化物半導体層と重ならず、
前記第2の絶縁層は、前記酸化物半導体層下に配置された領域を有し、
平面視において、前記酸化物半導体層は、第1の方向に沿うように延在した領域と、前記第1の方向に垂直な第2の方向に沿うように延在した領域と、を有する半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記酸化物半導体層は、In、Ga、及びZnを含む、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023182965A JP2024008954A (ja) | 2012-11-28 | 2023-10-25 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012260210 | 2012-11-28 | ||
JP2012260210 | 2012-11-28 | ||
JP2013157232 | 2013-07-30 | ||
JP2013157232 | 2013-07-30 | ||
JP2021010156A JP2021076860A (ja) | 2012-11-28 | 2021-01-26 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021010156A Division JP2021076860A (ja) | 2012-11-28 | 2021-01-26 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023182965A Division JP2024008954A (ja) | 2012-11-28 | 2023-10-25 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022183150A JP2022183150A (ja) | 2022-12-08 |
JP7375142B2 true JP7375142B2 (ja) | 2023-11-07 |
Family
ID=50772466
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013244466A Active JP6347940B2 (ja) | 2012-11-28 | 2013-11-27 | 半導体装置及び表示装置 |
JP2018102965A Active JP6553771B2 (ja) | 2012-11-28 | 2018-05-30 | 半導体装置 |
JP2019125027A Withdrawn JP2019185054A (ja) | 2012-11-28 | 2019-07-04 | 表示装置 |
JP2021010156A Withdrawn JP2021076860A (ja) | 2012-11-28 | 2021-01-26 | 半導体装置 |
JP2022145927A Active JP7375142B2 (ja) | 2012-11-28 | 2022-09-14 | 半導体装置 |
JP2023182965A Pending JP2024008954A (ja) | 2012-11-28 | 2023-10-25 | 表示装置 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013244466A Active JP6347940B2 (ja) | 2012-11-28 | 2013-11-27 | 半導体装置及び表示装置 |
JP2018102965A Active JP6553771B2 (ja) | 2012-11-28 | 2018-05-30 | 半導体装置 |
JP2019125027A Withdrawn JP2019185054A (ja) | 2012-11-28 | 2019-07-04 | 表示装置 |
JP2021010156A Withdrawn JP2021076860A (ja) | 2012-11-28 | 2021-01-26 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023182965A Pending JP2024008954A (ja) | 2012-11-28 | 2023-10-25 | 表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9130367B2 (ja) |
JP (6) | JP6347940B2 (ja) |
KR (3) | KR102282651B1 (ja) |
CN (2) | CN103855169B (ja) |
TW (5) | TWI820614B (ja) |
Families Citing this family (16)
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---|---|---|---|---|
CN104113053B (zh) * | 2014-04-21 | 2017-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 静电放电保护电路、显示基板和显示装置 |
TWI726843B (zh) * | 2014-05-30 | 2021-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 觸控面板 |
JP5993496B2 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-09-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 酸化物半導体薄膜、及び前記酸化物半導体薄膜の表面に保護膜を有する積層体の品質評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法 |
KR102224457B1 (ko) * | 2014-08-06 | 2021-03-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그 제조 방법 |
CN110544436B (zh) * | 2014-09-12 | 2021-12-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
US9785339B2 (en) * | 2014-12-04 | 2017-10-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Touch input device in a circuit board |
KR102425836B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JPWO2016181261A1 (ja) * | 2015-05-14 | 2018-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、電子機器 |
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JP2004341186A (ja) | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタパネルおよびその製造方法 |
JP2010113346A (ja) | 2008-10-08 | 2010-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2010171394A5 (ja) | 2009-12-15 | 2013-01-17 | 半導体装置 | |
WO2012121255A1 (ja) | 2011-03-09 | 2012-09-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230012092A (ko) | 2023-01-25 |
KR102282651B1 (ko) | 2021-07-27 |
TW202243240A (zh) | 2022-11-01 |
CN103855169A (zh) | 2014-06-11 |
TW201820612A (zh) | 2018-06-01 |
KR20140068762A (ko) | 2014-06-09 |
KR20210094506A (ko) | 2021-07-29 |
JP2018174331A (ja) | 2018-11-08 |
JP2021076860A (ja) | 2021-05-20 |
JP2019185054A (ja) | 2019-10-24 |
CN109449170A (zh) | 2019-03-08 |
TWI703723B (zh) | 2020-09-01 |
TWI662698B (zh) | 2019-06-11 |
TW202114208A (zh) | 2021-04-01 |
JP2024008954A (ja) | 2024-01-19 |
US20140145181A1 (en) | 2014-05-29 |
JP2015046561A (ja) | 2015-03-12 |
JP6347940B2 (ja) | 2018-06-27 |
JP2022183150A (ja) | 2022-12-08 |
TW201941421A (zh) | 2019-10-16 |
TWI820614B (zh) | 2023-11-01 |
US9130367B2 (en) | 2015-09-08 |
TWI757837B (zh) | 2022-03-11 |
JP6553771B2 (ja) | 2019-07-31 |
TW201423910A (zh) | 2014-06-16 |
TWI613759B (zh) | 2018-02-01 |
CN109449170B (zh) | 2023-10-31 |
KR102489234B1 (ko) | 2023-01-18 |
CN103855169B (zh) | 2019-01-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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