JP7367705B2 - 研磨剤の再生方法及び研磨剤リサイクル処理システム - Google Patents
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Description
前記被研磨物が、化学強化ガラスであり、
少なくとも、研磨加工工程、研磨剤スラリー供給工程、研磨剤スラリー回収工程、及び沈降分離濃縮工程をこの順で有し、
前記研磨剤スラリー回収工程又は前記沈降分離濃縮工程で、水による希釈を行った後の前記研磨剤スラリー中のK2O濃度を、0.002~0.2質量%の範囲内とすることを特徴とする研磨剤の再生方法。
前記被研磨物が、化学強化ガラスであり、
研磨加工工程部と
前記研磨加工工程部に研磨剤スラリーを供給するスラリー供給タンクを有する研磨剤スラリー供給工程部と、
加工済み研磨剤スラリーと洗浄水との混合液を貯蔵する回収混合液タンクを有する研磨剤スラリー回収工程部と、
前記混合液を透過液と研磨剤の濃縮液とに分離する分離タンクを有する沈降分離濃縮工程部とを有し、かつ、
前記研磨剤スラリー回収工程部又は前記沈降分離濃縮工程部で、水による希釈を行った後の前記研磨剤スラリー中のK2O濃度を、0.002~0.2質量%の範囲内とする水添加工程部を有することを特徴とする研磨剤リサイクル処理システム。
本発明の研磨剤の再生方法は、研磨物の研磨に用いた研磨剤スラリーから、被研磨物の構成成分を除去し、前記研磨剤を回収・再生する研磨剤の再生方法であって、少なくとも、研磨加工工程、研磨剤スラリー供給工程、研磨剤スラリー回収工程、沈降分離濃縮工程をこの順で有し、前記研磨剤スラリー回収工程又は前記沈降分離濃縮工程で、水による希釈を行った後の前記研磨剤スラリー中のK2O濃度を、0.002~0.2質量%の範囲内とすることを特徴とする。
本発明の研磨剤の再生方法に適用する工程としては、研磨加工工程、研磨剤スラリー供給工程、研磨剤スラリー回収工程、沈降分離濃縮工程をこの順で有することを特徴とするが、更には、沈降分離濃縮工程の後に、研磨剤スラリーの比重を、前記研磨剤スラリー供給工程における水添加前の研磨剤スラリーの比重に調整する比重調整工程、比重調製工程で得られた研磨剤の粒子径を調整する研磨剤粒子径調整工程や、研磨加工工程と沈降分離濃縮工程との間に、研磨剤スラリー中のK2O濃度を自動的に測定するK2O濃度測定部と、得られた前記K2O濃度情報に応じて、希釈する水の添加量を自動的に添加する水添加部を有することが好ましい態様である。
本発明の研磨剤の再生方法及び本発明の研磨剤リサイクル処理システムについて、図1に従い詳細な構成を説明する。
次いで、本発明の研磨剤の再生方法及び研磨剤のリサイクル処理システムに係る各工程(工程部ともいう)について、その詳細を説明する。
研磨加工工程1には、研磨装置12を具備し、被研磨物、例えば、化学強化ガラスを、研磨剤により研磨を行う。
本発明の研磨剤の再生方法は、被研磨物Bとして化学強化ガラスを用いた研磨方法に適用することが、優れた効果を発現する。
一般に、光学ガラスや半導体基板等の研磨剤の構成としては、ベンガラ(αFe2O3)、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、コロイダルシリカ等の微粒子を水や油に分散させてスラリー状にしたものが用いられているが、本発明の研磨剤の再生方法としては、半導体基板の表面やガラスの研磨加工において、高精度に平坦性を維持しつつ、十分な加工速度を得るために、物理的な作用と化学的な作用の両方で研磨を行う、化学機械研磨(CMP)への適用が可能なダイヤモンド、窒化ホウ素、炭化ケイ素、アルミナ、アルミナジルコニア、酸化ジルコニウム及び酸化セリウムから選ばれる少なくとも1種の回収に適用することが好ましい。
研磨パッドP(研磨布)と被研磨物B(例えば、化学強化ガラス基板)を接触させ、接触面に対して研磨剤スラリーを供給しながら、加圧条件下で研磨パッドPとガラス基板を相対運動させる。
研磨された直後のガラス基板B及び研磨機12には大量の研磨剤が付着している。そのため、研磨した後に研磨剤スラリーの代わりに洗浄水タンク11から水等を供給し、ガラス基板及び研磨機に付着した研磨剤の洗浄が行われる。
研磨剤スラリー供給工程20を構成するスラリー供給タンク21では、研磨機12から排出される加工済みの研磨剤スラリーを、配管L2を介して回収する。また、スラリー供給タンク21中の研磨剤スラリー23は、配管L3を介して、研磨機12に供給される。
図1の2で示す研磨剤スラリー回収工程では、上記説明した研磨剤スラリー供給工程20を含む構成で示してある。研磨剤スラリー回収工程2は、スラリー供給タンク21に貯留している研磨剤スラリーを再生するために、配管L4を経由して回収混合液タンク22に送液する他に、研磨機12及び洗浄水タンク11からなる系から排出される加工済みの研磨剤スラリー及び洗浄水を、配管L1を経由して、回収混合液タンク22に回収する。
研磨剤スラリーの濃度調整は、スラリー供給タンク21に投入される、水、再生研磨剤スラリー、及び研磨加工工程から排出される加工済み研磨剤スラリーAの量を、配管L1を通して、その流量を制御することにより行うことができる。研磨機12への供給はスラリー供給タンク21から研磨機12の配管L3に設けられたポンプ(不図示)で行う。制御部では、流量計とポンプを有しており、工程間に研磨剤スラリーを供給するための循環ライン及びその他の添加物等を供給する配管により、その流量を制御する。
本発明では、回収混合液タンク22で調製した希釈水W1により希釈し、K2O濃度が0.002~0.2質量%の範囲内に調整した希釈済み研磨剤スラリー24は、次工程である沈降分離濃縮工程3で処理する。
本発明において、研磨剤の凝集に用いる無機塩としては、アルカリ土類金属塩であることが好ましい態様である。
次いで、本発明に係る無機塩の研磨剤スラリー(母液)に対する添加方法を説明する。
添加する無機塩は、粉体を希釈済み研磨剤スラリー24に直接供給しても良いし、水等の溶媒に溶解させてから希釈済み研磨剤スラリー24に添加してもよいが、希釈済み研磨剤スラリー24に添加した後に均一な状態になるように、溶媒に溶解させた状態で添加することが好ましい。
無機塩を添加する際の温度は、回収した研磨剤スラリーが凍結する温度以上であって、90℃までの範囲であれば適宜選択することができるが、ガラス成分との分離を効率的に行う観点からは、10~40℃の範囲内であることが好ましく、15~35℃の範囲内であることがより好ましい。
無機塩の希釈済み研磨剤スラリー24に対する添加速度としては、回収した研磨剤スラリー中での無機塩濃度として、局部的に高濃度領域が発生することなく、均一になるように添加することが好ましい。1分間当たりの添加量が全添加量の20質量%以下であることが好ましく、10質量%以下であることがより好ましい。
本発明の研磨剤回収・再生方法においては、沈降分離濃縮工程3で無機塩を添加する際に、あらかじめ希釈済み研磨剤スラリー24のpH値を調整しないことが好ましい態様である。一般に、回収した研磨剤スラリーのpH値は、ガラス成分を含有しているためややアルカリ性を示し、8~10未満の範囲であり、あらかじめ回収した研磨剤スラリーのpH値を調整する必要はない。したがって、本発明においては、希釈済み研磨剤スラリー(24)の25℃換算のpH値が10.0未満の条件で分離濃縮を行うことが好ましい。
無機塩を添加した後、少なくとも10分以上撹拌を継続することが好ましく、より好ましくは30分以上である。無機塩を添加すると同時に研磨剤粒子の凝集が開始されるが、撹拌状態を維持することで凝集状態が系全体で均一となり濃縮物の粒度分布が狭くなり、その後の分離が容易となる。
本発明の研磨剤の再生方法においては、上記沈降分離濃縮工程3で、希釈済み研磨剤スラリー24を、上澄み液34と濃縮物33とに分離した後、K2O含有のガラス成分を含む上澄み液の所定量を系外に排出する濃縮処理を行う。
2)上澄み液34をぎりぎりまで排液し、不純物(ガラス成分等)を排液した後、水添加前の研磨剤スラリー23と同じ比重となるように加水する方法。
比重調整工程4は、上記2)項に記載した方法であり、濃縮物33を回収した後、図1の4で示すように、例えば、メンブランフィルター等で構成されている限外濾過装置37を用いて、再生研磨スラリー中に含まれる不要の塩類を系外に排出すると同時に、希釈水W3の添加量や、限外濾過装置37からの排水量36を制御しながら、沈降分離工程3の後の研磨剤スラリーの比重を、前記研磨剤スラリー供給工程20における水添加前の研磨剤スラリー21の比重に合わせる操作を行う。
(5-1)研磨剤粒子径調整工程
研磨剤粒子径調整工程5は、凝集した研磨剤に、添加剤タンク41により、分散剤等の各種添加剤を添加した後、研磨剤を再分散させて、所望の粒度分布にする工程で、未使用(研磨前)の研磨剤と近似の粒度分布レベルに調整する工程である。本発明では、沈降・分離・濃縮及び比重調整した研磨剤スラリーに対し、研磨剤粒子の粒子径制御処置を施すことが好ましい。
分散剤としては、公知の分散剤を用いることができる。添加量としては、再生研磨剤スラリーに対して0.01~5.0g/Lの範囲内であることができる。
再生研磨剤スラリー調製工程6では、所望の添加剤を加え、所定の濃度にして調製した再生研磨剤スラリー52を、再生研磨剤スラリー貯蔵タンク51に貯蔵し、配管L12を経由して、スラリー供給タンク21に送液される。
《再生研磨剤の調製》
〔再生研磨剤スラリー1の調製:比較例〕
図1で示した研磨剤の再生方法の工程に従って、再生研磨剤スラリー1を調製した。
図1で示す研磨加工工程1において、研磨機12を用い、上記研磨剤粒子を含む再生した研磨剤スラリー23を研磨対象面に供給しながら、研磨対象面を研磨布Pで研磨した。研磨剤スラリー23は5L/minの流量で、配管L2、スラリー供給タンク21及び配管L3を循環供給させて、研磨加工を行った。研磨対象物として、65mmΦの化学強化ガラス基板(コーニング社製)を使用し、研磨布Pは、スエード製の布を使用した。研磨面に対する研磨時の圧力は、9.8kPa(100g/cm2)とし、研磨試験機の回転速度は100min-1(rpm)に設定し、研磨剤スラリー23を循環させながら、化学強化ガラス基板を随時交換しながら連続研磨を行い、スラリー供給タンク21内に設置したイオンメーターMで、研磨剤スラリー23のK2O濃度をモニターし、濃度が0.05質量%となった時点で研磨を完了した。この研磨加工条件を、研磨加工条件1という。次いで、研磨剤スラリー23の100Lを、配管L4を経由して、研磨剤スラリー回収工程2内に設置してあるスラリー供給タンク21に移送した。
研磨剤スラリーを、沈降分離濃縮工程3に具備されている分離濃縮タンク32に移送した後、研磨剤スラリーの液温度を20±1℃の範囲内で制御し、酸化セリウムが沈降しない程度に撹拌しながら、硫酸マグネシウム10質量%水溶液2.5リットルを、添加剤タンクより10分間かけて添加した。塩化マグネシウムを添加した直後の25℃換算のpH値は8.60で、この条件を維持した。
再生研磨剤スラリー1の調製においては、比重調整工程4による比重の調整は行わなかった。
分離した濃縮物33を研磨剤分離液貯蔵タンク42に移し、水30リットルを添加した。さらに、分散剤として分散機能を有する添加剤であるマイティ21HP(花王(株)製)を、添加剤タンク41により300g添加し、30分撹拌した後、超音波分散機(44)を用いて、粒子径測定機45で研磨剤粒子の粒子径分布をモニターしながら濃縮物を分散して解きほぐし、所定の粒子径の研磨剤を含有する再生研磨剤を得た。
再生研磨剤を、再生研磨剤スラリー貯蔵タンク51に移し、濃度を調整して、再生酸化セリウムを含有する再生研磨剤スラリー60リットルを得た。酸化セリウム濃度は、10質量%で、粒度(D90<2.0μm)、マグネシウム含有量は0.01質量%であった。
上記再生研磨剤スラリー1の調製において、2)研磨加工工程における研磨加工条件1を、下記の研磨加工条件2に変更した以外は同様にして、再生研磨剤スラリー2を調製した。
再生研磨剤スラリー1の調製に適用した条件に対し、研磨剤スラリーを循環させながら、化学強化ガラス基板を随時交換しながら連続研磨を行い、スラリー供給タンク21内に設置したイオンメーターMで、研磨剤スラリーのK2O濃度をモニターし、濃度が1.0質量%となった時点で研磨を完了し、研磨剤スラリーを、配管L4を経由して、研磨剤スラリー回収工程2内に設置してあるスラリー供給タンク21に移送した。この研磨加工条件を、研磨加工条件2とする。
上記再生研磨剤スラリー1の調製に用いた研磨剤スラリー回収工程において、下記の方法で希釈水W1による希釈水の添加を行い、次いで下記に記載の沈降分離濃縮工程による処理を行った以外は同様にして、再生研磨剤スラリー3を調製した。
研磨加工工程で、K2Oが0.05質量%含む研磨剤スラリーの50Lを、配管L4を経由して、研磨剤スラリー回収工程2内に設置してあるスラリー供給タンク21に移送した。
希釈済み研磨剤スラリーの2500Lを、沈降分離濃縮工程3に具備されている分離濃縮タンク32に移送した後、希釈済み研磨剤スラリーの液温度を20±1℃の範囲内で制御し、酸化セリウムが沈降しない程度に撹拌しながら、塩化マグネシウム10質量%水溶液2.5リットルを、添加剤タンク31より10分間かけて添加した。塩化マグネシウムを添加した直後の25℃換算のpH値は8.60で、この条件を維持した。
上記再生研磨剤スラリー2の調製に用いた研磨剤スラリー回収工程において、下記の方法で希釈水W1による希釈水の添加を行い、次いで下記に記載の沈降分離濃縮工程による処理を行った以外は同様にして、再生研磨剤スラリー4を調製した。
研磨加工工程で調製したK2Oを1.0質量%含む研磨剤スラリーの100Lを、配管L4を経由して、研磨剤スラリー回収工程2内に設置してあるスラリー供給タンク21に移送した。
希釈済み研磨剤スラリーの400Lを、沈降分離濃縮工程3に具備されている分離濃縮タンク32に移送した後、希釈済み研磨剤スラリーの液温度を20±1℃の範囲内で制御し、酸化セリウムが沈降しない程度に撹拌しながら、塩化マグネシウム10質量%水溶液2.5リットルを、添加剤タンク31より10分間かけて添加した。塩化マグネシウムを添加した直後の25℃換算のpH値は8.60で、この条件を維持した。
上記再生研磨剤スラリー3の調製において、研磨加工工程で調製した研磨剤スラリーのK2Oの濃度を0.1質量%とし、かつ、研磨剤スラリー回収工程における希釈後の研磨剤スラリーのK2O濃度を0.002質量%に変更した以外は同様にして、再生研磨剤スラリー5を調製した。
上記K2O濃度が1.0質量%の研磨剤スラリーを用いた再生研磨剤スラリー4の調製において、研磨剤スラリー回収工程における希釈倍率を5倍とし、希釈後の研磨剤スラリーのK2O濃度を0.20質量%に変更した以外は同様にして、再生研磨剤スラリー6を調製した。
上記K2O濃度が0.1質量%の研磨剤スラリーを用いた再生研磨剤スラリー5の調製において、研磨剤スラリー回収工程における希釈倍率を10倍とし、希釈後の研磨剤スラリーのK2O濃度を0.01質量%に変更した以外は同様にして、再生研磨剤スラリー7を調製した。
上記K2O濃度が1.0質量%の研磨剤スラリーを用いた再生研磨剤スラリー4の調製において、研磨剤スラリー回収工程における希釈倍率を20倍とし、希釈後の研磨剤スラリーのK2O濃度を0.05質量%に変更した以外は同様にして、再生研磨剤スラリー8を調製した。
上記K2O濃度が1.0質量%の研磨剤スラリーを用いた再生研磨剤スラリー4の調製において、研磨剤スラリー回収工程における希釈倍率を100倍とし、希釈後の研磨剤スラリーのK2O濃度を0.01質量%に変更した以外は同様にして、再生研磨剤スラリー9を調製した。
上記再生研磨剤スラリー7の調製において、研磨加工工程で調製した研磨剤スラリーのK2Oの濃度を0.5質量%とし、かつ、研磨剤スラリー回収工程における希釈後の研磨剤スラリーのK2O濃度を0.05質量%に変更した以外は同様にして、再生研磨剤スラリー10を調製した。
上記再生研磨剤スラリー7及び8の調製において、沈降分離濃縮工程3と研磨剤粒子径調整工程5との間に、比重調整工程4を設けた以外は同様にして、再生研磨剤スラリー11及び12を調製した。
沈降分離濃縮工程3で濃縮物33を回収した後、図1の4で示すように、メンブランフィルターで構成されている限外濾過装置37を用いて、再生研磨スラリー中に含まれる不要の塩類を系外に排出すると同時に、希釈水W3の添加量と、限外濾過装置37からの排水量36を制御しながら、沈降分離工程処理後の研磨剤スラリーの比重を、研磨剤スラリー供給工程20における水添加前の研磨剤スラリー21の比重に合わせる操作を行った。
〔沈降分離濃縮工程における分離性の評価〕
各再生研磨剤スラリーの調製において、沈降分離濃縮工程3での上澄み液34と、沈降分離前の母液として、図1の23で示す研磨剤スラリー(母液)を用い、下記の方法に従って、上澄み液と研磨剤スラリー(母液)中のガラス成分(Si成分)量を、ICP発光分光プラズマ分析装置を用いて分析した。
研磨剤スラリー(母液)としては、再生研磨剤スラリー1、3、4、7、8、11の評価では、母液として、研磨加工条件1で調製したK2O濃度が0.05質量%の研磨剤スラリーを用いた。
沈降分離濃縮工程3でサンプリングした上澄み液として、下記の濃度調整を行った。
〈試料液Aの調製〉
(a)試料(研磨剤スラリー液(母液)及び上澄み液)を、スターラーなどで撹拌しながら1ml採取した
(b)原子吸光用フッ化水素酸を5ml加えた
(c)超音波分散してシリカを溶出させた
(d)室温で30分静置した
(e)超純水で、総量を50mlに仕上げた
以上の手順に従って調製した検体液を、試料液Aと称する。
(a)各試料液Aをメンブレンフィルター(親水性PTFE)で濾過した
(b)濾液を誘導結合プラズマ発光分光分析装置(ICP-AES、エスアイアイナノテクノロジー社製)で測定した
(c)Siを標準添加法の検量線法により定量した。
上記方法により求めた上澄み液中のSi濃度と研磨剤スラリー液(母液)中のSi濃度により、下記の基準に従って分離性の評価を行った。
○:上澄み液中のSi濃度が1200mg/L以上であり、上澄み液中のSi濃度/母液中のSi濃度の比率が80%以上、85%未満
×:上澄み液中のSi濃度が1100mg/L以上、1200mg/L未満であり、上澄み液中のSi濃度/母液中のSi濃度の比率が75%以上、80%未満
××:上澄み液中のSi濃度が1100mg/L未満であり、上澄み液中のSi濃度/母液中のSi濃度の比率が75%未満
図1に記載の研磨機を用い、上記調製した各再生研磨材スラリーを研磨対象面に供給しながら、研磨対象面を研磨布で研磨した。研磨材スラリーを5L/minの流量で循環供給させて研磨加工を行った。研磨対象物として、65mmΦの化学強化ガラス基板(コーニングジャパン社製)を使用し、研磨布は、スエード製の物を使用した。研磨面に対する研磨時の圧力は、9.8kPa(100g/cm2)とし、研磨試験機の回転速度は100min-1(rpm)に設定し、30分間研磨加工を行った。研磨前後の厚さをNikon社製のDigimicro(MF501)にて測定し、厚さ変位から1分間当たりの研磨量(μm)を算出して研磨速度(μm/分)を測定した。
◎:研磨速度の低下率が、10%未満である
○:研磨速度の低下率が、10%以上、20%未満である
△:研磨速度の低下率が、20%以上、30%未満である
×:研磨速度の低下率が、30%以上である
再生した研磨剤スラリーを用いて、上記研磨速度安定度の評価と同様の方法で連続300回の研磨加工を行い、100回目、200回目及び300回目の研磨加工品表面の傷の有無を目視で確認し、下記の評価ランクに従って、研磨品質の評価を行った。
○:250回目の研磨加工品では傷の発生は認められないが、300回目の研磨加工品ではごく弱い研磨傷が発生しているが、良好な品質である
△:100回目の研磨加工品では傷の発生は認められないが、250回目の研磨加工品では弱い研磨傷が発生しているが、実用上問題はない
×:100回目の研磨加工品でも明らかな傷の発生が認められる
以上により得られた結果を、表Iに示す。
2 研磨剤スラリー回収工程
3 沈降分離濃縮工程
4 比重調整工程
5 研磨剤粒子径調整工程
6 再生研磨剤スラリー調製工程
11 洗浄水タンク
12 研磨機
20 研磨剤スラリー供給工程
21 スラリー供給タンク
22 回収混合液タンク
23 研磨剤スラリー
24 希釈済み研磨剤スラリー
31 添加剤タンク
32 分離・濃縮タンク
33 濃縮物
34 上澄み液
35 排出
36 排水量
37 限界濾過装置
41 添加剤タンク
42 研磨剤分離液貯蔵タンク
44 超音波分散機
45 粒子径測定器
51 再生研磨剤スラリー貯蔵タンク
A 研磨定盤
B 被研磨物(化学強化ガラス)
C 被研磨物保持部
F 押圧
L1~L12 配管
M イオンメーター
P 研磨布
W1、W2、W3 希釈水
Claims (12)
- 研磨剤スラリーから、被研磨物の構成成分を除去し、研磨剤を回収・再生する研磨剤の再生方法であって、
前記被研磨物が、化学強化ガラスであり、
少なくとも、研磨加工工程、研磨剤スラリー供給工程、研磨剤スラリー回収工程、及び沈降分離濃縮工程をこの順で有し、
前記研磨剤スラリー回収工程又は前記沈降分離濃縮工程で、水による希釈を行った後の前記研磨剤スラリー中のK2O濃度を、0.002~0.2質量%の範囲内とすることを特徴とする研磨剤の再生方法。 - 前記研磨剤スラリー回収工程又は前記沈降分離濃縮工程で水による希釈を行った後の研磨剤スラリー中のK2O濃度を、0.01~0.05質量%の範囲内とすることを特徴とする請求項1に記載の研磨剤の再生方法。
- 前記研磨剤スラリー供給工程において、K2O濃度が0.1~1.0質量%の範囲内にある研磨剤スラリーを用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨剤の再生方法。
- 前記沈降分離濃縮工程の後の研磨剤スラリーの比重を、前記研磨剤スラリー供給工程における水添加前の研磨剤スラリーの比重に合わせる比重調整工程を有することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の研磨剤の再生方法。
- 前記比重調整工程後に、研磨剤の粒子径を調整する工程を有することを特徴とする請求項4に記載の研磨剤の再生方法。
- 前記研磨加工工程と沈降分離濃縮工程との間に、研磨剤スラリー中のK2O濃度を自動的に測定するK2O濃度測定部と、得られた前記K2O濃度情報に応じて、希釈する水の添加量を自動的に添加する水添加部を有することを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の研磨剤の再生方法。
- 研磨剤スラリーから、被研磨物の構成成分を除去し、研磨剤を回収・再生する研磨剤リサイクル処理システムであって、
前記被研磨物が、化学強化ガラスであり、
研磨加工工程部と
前記研磨加工工程部に研磨剤スラリーを供給するスラリー供給タンクを有する研磨剤スラリー供給工程部と、
加工済み研磨剤スラリーと洗浄水との混合液を貯蔵する回収混合液タンクを有する研磨剤スラリー回収工程部と、
前記混合液を透過液と研磨剤の濃縮液とに分離する分離タンクを有する沈降分離濃縮工程部とを有し、かつ、
前記研磨剤スラリー回収工程部又は前記沈降分離濃縮工程部で、水による希釈を行った後の前記研磨剤スラリー中のK2O濃度を、0.002~0.2質量%の範囲内とする水添加工程部を有することを特徴とする研磨剤リサイクル処理システム。 - 前記水添加工程部で、水による希釈を行った後の研磨剤スラリー中のK2O濃度を、0.01~0.05質量%の範囲内とすることを特徴とする請求項7に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
- 前記研磨剤スラリー供給工程部において、K2O濃度が0.1~1.0質量%の範囲内にある研磨剤スラリーを用いることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
- 前記沈降分離濃縮工程部の後に、研磨剤スラリーの比重を、前記研磨剤スラリー供給工程部における水添加前の研磨剤スラリーの比重に合わせる比重調整工程部を有することを特徴とする請求項7から請求項9までのいずれか一項に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
- 前記比重調整工程部で得られた研磨剤の粒子径を調整する工程部を有することを特徴とする請求項10に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
- 前記研磨加工工程部と沈降分離濃縮工程部との間に、研磨剤スラリー中のK2O濃度を自動的に測定するK2O濃度測定部と、得られた前記K2O濃度情報に応じて、希釈する水の添加量を自動的に添加する水添加部を有することを特徴とする請求項7から請求項11までのいずれか一項に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
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