JP7192851B2 - 研磨剤リサイクル処理システム及び研磨剤回収・再生方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 93
- 238000004064 recycling Methods 0.000 title claims description 68
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims description 65
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 331
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 189
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 87
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 83
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 83
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 53
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 47
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 44
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 40
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 24
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 21
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 19
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- -1 alkaline earth metal salt Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 15
- JSYPRLVDJYQMAI-ODZAUARKSA-N (z)-but-2-enedioic acid;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)\C=C/C(O)=O JSYPRLVDJYQMAI-ODZAUARKSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 claims description 10
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 7
- 159000000003 magnesium salts Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000008394 flocculating agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 27
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 15
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 9
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 9
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 7
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 7
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 7
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 6
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 3
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WURBVZBTWMNKQT-UHFFFAOYSA-N 1-(4-chlorophenoxy)-3,3-dimethyl-1-(1,2,4-triazol-1-yl)butan-2-one Chemical compound C1=NC=NN1C(C(=O)C(C)(C)C)OC1=CC=C(Cl)C=C1 WURBVZBTWMNKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 2
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008041 alkali metal carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 159000000009 barium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 159000000004 beryllium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013338 boron nitride-based material Substances 0.000 description 1
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002649 leather substitute Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 1
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 159000000008 strontium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
前記研磨剤が、酸化セリウムを含有し、
前記被研磨物が、ケイ素を含有し、かつ
研磨機を用いて研磨加工する研磨加工工程部と
前記研磨機に供給する前記研磨に用いる研磨剤スラリーを貯蔵するスラリー供給タンクを有する研磨剤スラリー回収工程部とを有し、
前記スラリー供給タンク中の酸化セリウムの濃度が、研磨加工工程開始時の初期濃度未満になるよう制御しながら、前記スラリー供給タンク中に再生研磨剤スラリーを供給することを特徴とする研磨剤リサイクル処理システム。
前記分離・濃縮工程部には、前記混合液を透過液と研磨剤の濃縮液とに分離する分離・濃縮タンクを備え、
前記再生研磨剤スラリー調製工程部には、前記被研磨物の構成成分が除去された再生研磨剤を含有する液を貯蔵する再生研磨剤スラリー貯蔵タンクを備え、かつ工程部間に研磨剤スラリーを供給するための循環ラインと、供給量を調整するための制御部を備えることを特徴とする第4項に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
前記研磨剤が、酸化セリウムを含有し、
前記被研磨物が、ケイ素を含有し、かつ
研磨機に供給する前記研磨に用いる研磨剤スラリーを貯蔵するスラリー供給タンク中の前記酸化セリウムの濃度を、研磨加工工程開始時における当該酸化セリウムの初期濃度未満になるよう制御しながら、研磨加工工程部に再生研磨剤スラリーを供給し、かつ加工済みの研磨剤スラリーを回収する工程を有することを特徴とする研磨剤回収・再生方法。
本発明の研磨剤リサイクル処理システムは、研磨に用いる研磨剤スラリー中の研磨剤の構成成分と被研磨物の構成成分の濃度を制御しつつ研磨加工を継続し、加工済みの研磨剤スラリーから、被研磨物の構成成分を除去し、前記研磨剤を回収・再生する研磨剤リサイクル処理システムであって、前記研磨剤が、酸化セリウムを含有し、前記被研磨物が、ケイ素を含有し、かつ研磨機を用いて研磨加工する研磨加工工程部と前記研磨機に供給する前記研磨に用いる研磨剤スラリーを貯蔵するスラリー供給タンクを有する研磨剤スラリー回収工程部とを有し、前記スラリー供給タンク中の酸化セリウムの濃度が、研磨加工工程開始時の初期濃度未満になるよう制御しながら、前記スラリー供給タンク中に再生研磨剤スラリーを供給することを特徴とする。
の濃度を、研磨加工工程開始時の初期濃度未満になるよう制御しながら、再生研磨剤スラリーを研磨機に供給することで解決することができる。
本発明の研磨剤リサイクル処理システムは、研磨機を用いて研磨加工する研磨加工工程部と研磨加工工程部に供給する研磨剤スラリーを貯蔵するスラリー供給タンクを有する研磨剤スラリー回収工程部とを少なくとも有している。研磨剤スラリー回収工程部はさらに加工済みの研磨剤スラリーと洗浄水との混合液を貯蔵する回収混合液タンクを有していることが好ましい。
研磨工程部1においては、研磨機12は、不織布、合成樹脂発泡体、合成皮革などから構成される研磨布を貼付した研磨定盤を有しており、この研磨定盤は回転可能となっている。研磨作業時には、被研磨物(例えば、光学ガラス等)を、保持具を用いて、所定の押圧力Nで上記研磨定盤に押し付けながら、研磨定盤を回転させる。また、研磨機12を洗浄するための洗浄水は、洗浄水タンク11に貯留されており、洗浄水噴射ノズルより、研磨部に吹き付けて洗浄を行う。研磨加工は研磨工程部1で行う工程である。
一般に、光学ガラスや半導体基板等の研磨剤の構成成分としては、ベンガラ(αFe2O3)、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、コロイダルシリカ等の微粒子を水や油に分散させてスラリー状にしたものが用いられているが、本発明の研磨剤回収・再生方法では、半導体基板の表面やガラスの研磨加工において、高精度に平坦性を維持しつつ、十分な加工速度を得るために、物理的な作用と化学的な作用の両方で研磨を行う、化学機械研磨(CMP)への適用が可能な酸化セリウムを用いる。なお、この他、ダイヤモンド、窒化ホウ素、炭化ケイ素、アルミナ、アルミナジルコニア及び酸化ジルコニウムから選ばれる少なくとも1種の回収に適用することが好ましい。
ホウ素BN(例えば、昭和電工社製)が挙げられる。窒化ホウ素系は、ダイヤモンドに次ぐ硬度を有する。また、炭化ケイ素系としては、炭化ケイ素、緑色炭化ケイ素、黒色炭化ケイ素(例えば、Mipox社製等)等を挙げることができる。また、アルミナ系としては、アルミナのほかに、褐色アルミナ、白色アルミナ、淡紅色アルミナ、解砕型アルミナ、アルミナジルコニア系(例えば、サンゴバン社製)等を挙げることができる。また、酸化ジルコニウムとしては、例えば、第1稀元素化学工業社製の研磨剤用のBRシリーズ酸化ジルコニウム、中国HZ社製酸化ジルコニウムを挙げることができる。
研磨パッド(研磨布)と被研磨物(例えば、ガラス基板)を接触させ、接触面に対して研磨剤スラリーを供給しながら、加圧条件下でパッドとガラス基板を相対運動させる。
研磨された直後のガラス基板及び、研磨機には大量の研磨剤が付着している。そのため、研磨した後に研磨剤スラリーの代わりに洗浄水タンク11から水等を供給し、ガラス基板及び研磨機に付着した研磨剤の洗浄が行われる。
研磨剤スラリー回収工程部は、研磨に用いる研磨剤スラリーを貯蔵するスラリー供給タンク21を有しており、また、研磨剤スラリー回収工程部で研磨機12及び洗浄水タンク11からなる系から排出される加工済みの研磨剤スラリーを回収する。
濃度の調整は、スラリー供給タンク21に投入される、水、再生研磨剤スラリー、及び研磨加工工程から排出される加工済み研磨剤スラリーの量を配管を通して、その流量を制御することにより行うことができる。研磨機12への供給はスラリー供給タンク21から研磨機12の配管に設けられたポンプ(図示していない)で行う。制御部では、流量計とポンプを有しており、工程部間に研磨剤スラリーを供給するための循環ライン及びその他の添加物等を供給する配管により、その流量を制御する。
次いで、分離・濃縮工程部3では、スラリー回収工程部で回収された加工済み研磨剤スラリーと洗浄水の混合液に対し、研磨剤のみを分離濃縮する。
分離のためには、上記のように無機塩としてアルカリ土類金属塩を添加し、研磨剤のみを凝集させ、被研磨成分を凝集させない状態で、該研磨剤を母液より分離することが好ましい。
本発明においては、研磨剤の凝集に用いる無機塩が、アルカリ土類金属塩であることが好ましい態様である。
次いで、本発明に係る無機塩の研磨剤スラリー(母液)に対する添加方法を説明する。
添加する無機塩は、粉体を研磨剤スラリー(母液)に直接供給しても良いし、水等の溶媒に溶解させてから研磨剤スラリー(母液)に添加してもよいが、研磨剤スラリーに添加した後に均一な状態になるように、溶媒に溶解させた状態で添加することが好ましい。
無機塩を添加する際の温度は、回収した研磨剤スラリーが凍結する温度以上であって、90℃までの範囲であれば適宜選択することができるが、ガラス成分との分離を効率的に行う観点からは、10~40℃の範囲内であることが好ましく、15~35℃の範囲内であることがより好ましい。
無機塩の研磨剤スラリー(母液)に対する添加速度としては、回収した研磨剤スラリー中での無機塩濃度として、局部的に高濃度領域が発生することなく、均一になるように添加することが好ましい。1分間当たりの添加量が全添加量の20質量%以下であることが好ましく、10質量%以下であることがより好ましい。
本発明の研磨剤回収・再生方法においては、分離・濃縮工程部3で無機塩を添加する際に、あらかじめ回収した研磨剤スラリーのpH値を調整しないことが好ましい態様である。一般に、回収した研磨剤スラリーのpH値は、ガラス成分を含有しているためややアルカリ性を示し、8~10未満の範囲であり、あらかじめ回収した研磨剤スラリーのpH値を調整する必要はない。したがって、本発明においては、母液の25℃換算のpH値が10.0未満の条件で分離濃縮を行うことが好ましい。
無機塩を添加した後、少なくとも10分以上撹拌を継続することが好ましく、より好ましくは30分以上である。無機塩を添加すると同時に研磨剤粒子の凝集が開始されるが、撹拌状態を維持することで凝集状態が系全体で均一となり濃縮物の粒度分布が狭くなり、その後の分離が容易となる。
本発明においては、下部に沈降する濃縮物に不純物(例えば、研磨したガラス粗粒子等)を極力混入させることなく、高純度の再生研磨剤を得る観点からからは、一次濃縮方法としては、自然沈降を適用することが好ましい。
(4-1)研磨剤粒子径調整工程部
研磨剤粒子径調整工程部4は、凝集した研磨剤を再分散させて、所望の粒度分布にする。例えば、未使用(研磨前)の研磨剤と近似の粒度分布レベルに調整する。本発明では、濃縮・分離した研磨剤スラリーに対し、研磨剤粒子の粒子径制御処置を施すことが好ましい。
分散剤としては、公知の分散剤を用いることができる。添加量としては、再生研磨材スラリーに対して0.01~5.0g/Lの範囲内であることができる。
分散機能を有する添加剤として、(a)アクリル酸と(b)(無水)マレイン酸とのモル比が(a)/(b)=50/50~95/5である共重合物の水溶性塩からなり、その分子量分布(Mw/Mn)が3.5~10であるアクリル酸-マレイン酸の共重合体が好
ましい。
体の数平均分子量は1000~20000、好ましくは1000~10000の範囲内である。必要に応じ他の共重合モノマーを共重合させても良い。
再生研磨剤スラリー調製工程部5ではこのようにして必要な添加材を加え、所定の濃度にして再生研磨剤スラリーを、再生研磨剤スラリー貯蔵タンク51に貯蔵する。
《再生研磨剤の調製》
まず、図2で示した研磨剤リサイクル処理システムを用いて再生研磨剤スラリーを調製した。
図2に記載の研磨加工工程部1で、ガラス基板の研磨加工を行った後、回収混合液タンク22へ洗浄水を含む研磨剤スラリー1を210リットル、及びスラリー供給タンク21より加工済みの研磨剤を含む研磨剤スラリー2を30リットル回収し、回収スラリー液として240リットルとした。回収混合液タンク22中のこの回収スラリー液は比重1.03であり、8.5kgの酸化セリウムが含まれている。
次いで、この回収スラリー液を分離・濃縮タンク32に移送し、回収スラリー液の液温度を20±1℃の範囲内で制御し、酸化セリウムが沈降しない程度に撹拌しながら、塩化マグネシウム10質量%水溶液2.5リットルを10分間かけて添加した。塩化マグネシウムを添加した直後の25℃換算のpH値は8.60で、この条件を維持した。
分離した凝集物を研磨剤分離液貯蔵タンク42に移し、水22.5リットルを添加した。さらに、分散剤として分散機能を有する添加剤であるポリティA-550(ライオン(株)製)を300g添加し、30分撹拌した後、10ミクロンのメンブレンフィルター43で濾過を行い、さらに超音波分散機44を用いて、凝集物を分散して解きほぐし、所定の粒子径の研磨剤を含有する再生研磨剤を得た。
再生研磨剤を、再生研磨剤スラリー貯蔵タンク51に移し、濃度を調整して、再生酸化セリウムを含有する再生研磨剤スラリー80リットルを得た。酸化セリウム濃度は、10質量%で、粒度(D90<2.0μm)、マグネシウム含有量は0.01質量%であった。再生研磨剤スラリー中における分散機能を有する添加剤であるポリティA-550の濃度は、再生研磨剤スラリーに対して0.50g/Lであった。
スラリー供給タンク21に初期濃度10.0質量%の酸化セリウムを含有する再生研磨剤スラリーを充填し、研磨加工工程部において以下のようにしてガラス基板を200バッチ研磨加工を行った。研磨剤スラリー回収工程部2では、ガラス基板の研磨加工を行った都度、洗浄水にて研磨加工工程部に残留する研磨剤スラリーを洗浄除去する。この洗浄水を含む研磨剤スラリー1は、回収混合液タンク22に回収した。また、200バッチ加工終了後に研磨剤スラリー供給タンク21から加工済研磨剤スラリーを回収混合液タンク22に回収した。その後、分離・濃縮工程部3、研磨剤粒子径調整工程部4及び再生研磨剤スラリー調製工程部5で、上記再生研磨剤の調製と同様にして再生研磨剤を、再生研磨剤スラリーとして調製した。
研磨中は、研磨に用いる研磨剤スラリーを貯蔵するスラリー供給タンク21中の研磨剤の濃度を、研磨加工工程開始時における初期濃度(10.0質量%)以下になるよう制御し、かつ、研磨加工工程終了時点でのスラリー供給タンク中の濃度は、初期濃度の50%(5.0質量%)となるようスラリー供給タンク21中の酸化セリウムの濃度を制御しながら、1バッチ(1加工)の加工を終了ごとに、再生研磨剤スラリー及び必要に応じて水を前記スラリー供給タンク中に供給した。
ガラス基板の研磨加工を行った後、洗浄水にて研磨加工工程部に残留する研磨剤スラリーを洗浄除去する。この洗浄水を含む研磨剤スラリー1は、回収混合液タンク22に回収した。また、200バッチ加工終了後に研磨剤スラリー供給タンク21から加工済研磨剤スラリーを回収混合液タンク22に回収した。
スラリー温度:30℃
スラリー流体圧力:0.2MPa
酸化セリウム濃度の検出:酸化セリウム含有量と酸化ケイ素含有量を把握している研磨剤スラリーを計測し、検量線を作成し、酸化セリウム含有量が把握できるようにした。
研磨後の研磨剤の回収率、ガラス基板の良品率、研磨パッド寿命及びバッチ間の研磨時間の変化幅の4項目で研磨剤リサイクル処理システムを評価した。なお、研磨パッドの寿命については、200バッチの研磨を終了したあと、更に研磨を続けて評価を行った。
回収率は、以下の式によって算出し、以下の評価基準で評価した。回収率は、少なくとも50%以上あることが必要である。
◎:回収率90%以上
○:回収率70%以上、90%未満
△:回収率50%以上、70%未満
×:回収率50%未満
〔ガラス基板の良品率〕
ガラス基板を目視観察して、傷が認められないものを良品として以下の評価基準で評価した。評価ランク△以上を合格とした。
○:良品率60%以上、80%未満
△:良品率50%以上、60%未満
×:良品率50%未満
〔研磨パッドの寿命〕
研磨パッドを外してSEM(走査型電子顕微鏡)写真観察を実施した。研磨中に酸化ケイ素が析出すると研磨パッドの発泡部に酸化ケイ素が析出してSEM観察で白く観察される。例えば、図3Aでは析出は観察されないが、図3Bでは研磨パッドの発泡部を満たすように白く酸化ケイ素の析出が観察される。200加工バッチで研磨パッドに残存する析出物を除去する方法及び研磨パッドの表面物性の回復度合いで評価した。評価ランク△以上を合格とした。
○研磨パッドをブラッシングすると研磨パッド表面の物性が回復する。なお、加工回数250バッチ以上で析出が観察された。(研磨パッドの削り出しを行わずに析出物が除去できる。)
△:研磨パッドをドレッシングすると研磨パッド表面の物性が回復するが、ブラッシングでは回復しない。(析出物を除去するために研磨パッドの削り出しを行う。)
×:研磨パッドをドレッシングしても研磨パッド表面の物性が回復しない。(析出物を除去するための研磨パッドの削り出し量が多く、研磨パッド表面の物性変化が大きい。)
〔加工時間の変化幅〕
前バッチに対する次バッチのバッチあたりの加工時間の変化幅を測定して、200バッチ研磨加工を行った時の、前バッチに対する次バッチのバッチあたりの加工時間の最大の変化幅を評価した。評価ランク△以上を合格とした。
○:前バッチに対する次バッチのバッチあたりの加工時間の変化幅が±5%以上、±10%未満
△:前バッチに対する次バッチのバッチあたりの加工時間の変化幅が±10%以上、±15%未満
×:前バッチに対する次バッチのバッチあたりの加工時間の変化幅が±15%以上
〔研磨剤リサイクルシステム2~5及び7~13〕
研磨剤サイクルシステム2~5及び7~13は、研磨剤リサイクルシステム1において、研磨剤スラリー回収工程部2におけるスラリー供給タンク21中の終点の研磨剤濃度、前加工バッチに対する次加工バッチの研磨剤濃度の変化の変動幅、最大濃度及び再生研磨剤スラリー中の分散剤とその量を表Iのように変更して研磨を行った。再生研磨剤スラリー中の分散剤とその量の調整は研磨剤粒子径調整工程部4に添加する分散剤とその量を調整して行った。
研磨剤リサイクルシステム1に対し、分離・濃縮工程部3を、沈降分離法から膜分離法に代えた以外は、同様にして研磨剤スラリーを行った。すなわち、研磨剤スラリー孔径が0.5μm程度のMF膜(マイクローザ:旭化成社製)を用いたマイクローザラボモジュールに変更した以外は、研磨剤リサイクルシステム1と同様に実施した。
研磨剤リサイクルシステム1の評価と同様に研磨剤リサイクルシステム2~13の評価を行った。結果を表Iに示す。
B:マイティ21HP(マレイン酸-アクリル酸共重合体:花王(株)製)
C:ノプコスパース5600(サンノプコ(株)製)
2 研磨剤スラリー回収工程部
3 分離・濃縮工程部
4 研磨剤粒子径調整工程部
5 再生研磨剤スラリー調製工程部
11 洗浄水タンク
12 研磨機
21 スラリー供給タンク
22 回収混合液タンク
31 添加剤タンク
32 分離・濃縮タンク
41 添加剤タンク
42 研磨剤分離液貯蔵タンク
43 メンブランフィルター
44 超音波分散機
45 粒子径測定器
51 再生研磨剤スラリー貯蔵タンク
Claims (13)
- 研磨に用いる研磨剤スラリー中の研磨剤の構成成分と被研磨物の構成成分の濃度を制御しつつ研磨加工を継続し、加工済みの研磨剤スラリーから、被研磨物の構成成分を除去し、前記研磨剤を回収・再生する研磨剤リサイクル処理システムであって、
前記研磨剤が、酸化セリウムを含有し、
前記被研磨物が、ケイ素を含有し、かつ
研磨機を用いて研磨加工する研磨加工工程部と
前記研磨機に供給する前記研磨に用いる研磨剤スラリーを貯蔵するスラリー供給タンクを有する研磨剤スラリー回収工程部とを有し、
前記スラリー供給タンク中の酸化セリウムの濃度が、研磨加工工程開始時の初期濃度未満になるよう制御しながら、前記スラリー供給タンク中に再生研磨剤スラリーを供給することを特徴とする研磨剤リサイクル処理システム。 - 前記スラリー供給タンク中の酸化セリウムの濃度が、研磨加工工程開始時の濃度に対して研磨加工工程終了時の終点濃度が20~90%の範囲内であり、かつ研磨加工工程中の前記酸化セリウムの濃度が常に前記終点濃度以上であり、さらに前加工バッチに対する次加工バッチの前記酸化セリウムの濃度の変化の変動幅を±1.0質量%以内に制御することを特徴とする請求項1に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
- 前記スラリー供給タンク中の酸化セリウムの濃度が、研磨加工工程開始時の濃度に対して研磨加工工程終了時の終点濃度が30~80%の範囲内であり、かつ研磨加工工程中の前記酸化セリウムの濃度が常に前記終点濃度以上であり、さらに前加工バッチに対する次加工バッチの前記酸化セリウムの濃度の変化の変動幅を±1.0質量%以内に制御することを特徴とする請求項1に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
- 前記研磨加工工程部及び前記研磨剤スラリー回収工程部に加えて、分離・濃縮工程部と、再生研磨剤スラリー調製工程部とを有することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
- 前記研磨剤スラリー回収工程部には、研磨加工工程部に供給する前記研磨剤スラリーを貯蔵する前記スラリー供給タンクと、加工済みの研磨剤スラリーと洗浄水との混合液を貯蔵する回収混合液タンクとを備え、
前記分離・濃縮工程部には、前記混合液を透過液と研磨剤の濃縮液とに分離する分離・濃縮タンクを備え、
前記再生研磨剤スラリー調製工程部には、前記被研磨物の構成成分が除去された再生研磨剤を含有する液を貯蔵する再生研磨剤スラリー貯蔵タンクを備え、かつ工程部間に研磨剤スラリーを供給するための循環ラインと、供給量を調整するための制御部を備えることを特徴とする請求項4に記載の研磨剤リサイクル処理システム。 - 前記分離・濃縮工程部で得られた研磨剤の粒子径を調整する研磨剤粒子径調整工程部を有することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
- 前記再生研磨剤スラリーが、マレイン酸-アクリル酸共重合体を0.04~1.5g/Lの範囲内で含有していることを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
- 前記分離・濃縮部において、研磨剤の凝集剤としてアルカリ土類金属塩を用いることを特徴とする請求項4から請求項7までのいずれか一項に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
- 前記アルカリ土類金属塩が、マグネシウム塩であることを特徴とする請求項8に記載の研磨剤リサイクル処理システム。
- 研磨に用いる研磨剤スラリー中の研磨剤の構成成分と被研磨物の構成成分の濃度を制御しつつ研磨加工を継続し、加工済みの研磨剤スラリーから、被研磨物の構成成分を除去し、前記研磨剤を回収・再生する研磨剤回収・再生方法であって、
前記研磨剤が、酸化セリウムを含有し、
前記被研磨物が、ケイ素を含有し、かつ
研磨機に供給する前記研磨に用いる研磨剤スラリーを貯蔵するスラリー供給タンク中の前記酸化セリウムの濃度を、研磨加工工程開始時における当該酸化セリウムの初期濃度未満になるよう制御しながら、研磨加工工程部に再生研磨剤スラリーを供給し、かつ加工済みの研磨剤スラリーを回収する工程を有することを特徴とする研磨剤回収・再生方法。 - 前記スラリー供給タンク中の酸化セリウムの濃度が、研磨加工工程開始時の濃度に対して研磨加工工程終了時の終点濃度が20~90%の範囲内であり、かつ研磨加工工程中の前記酸化セリウムの濃度が常に前記終点濃度以上であり、さらに前加工バッチに対する次加工バッチの前記酸化セリウムの濃度の変化の変動幅を±1.0質量%以内に制御することを特徴とする請求項10に記載の研磨剤回収・再生方法。
- 前記スラリー供給タンク中の酸化セリウムの濃度が、研磨加工工程開始時の濃度に対して研磨加工工程終了時の終点濃度が30~80%の範囲内であり、かつ研磨加工工程中の前記酸化セリウムの濃度が常に前記終点濃度以上であり、さらに前加工バッチに対する次加工バッチの前記酸化セリウムの濃度の変化の変動幅を±1.0質量%以内に制御することを特徴とする請求項10に記載の研磨剤回収・再生方法。
- 前記再生研磨剤スラリーが、マレイン酸-アクリル酸共重合体を0.04~1.5g/Lの範囲内で含有していることを特徴とする請求項10から請求項12までのいずれか一項に記載の研磨剤回収・再生方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018055555 | 2018-03-23 | ||
JP2018055555 | 2018-03-23 | ||
PCT/JP2019/008807 WO2019181498A1 (ja) | 2018-03-23 | 2019-03-06 | 研磨剤リサイクル処理システム及び研磨剤回収・再生方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019181498A1 JPWO2019181498A1 (ja) | 2021-04-08 |
JP7192851B2 true JP7192851B2 (ja) | 2022-12-20 |
Family
ID=67987827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020508163A Active JP7192851B2 (ja) | 2018-03-23 | 2019-03-06 | 研磨剤リサイクル処理システム及び研磨剤回収・再生方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7192851B2 (ja) |
CN (1) | CN112272600B (ja) |
WO (1) | WO2019181498A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022172678A (ja) * | 2021-05-06 | 2022-11-17 | コニカミノルタ株式会社 | 再生研磨剤スラリーの調製方法及び研磨剤スラリー |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004306210A (ja) | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Speedfam Co Ltd | ガラス研磨における排出水中の酸化セリウム系研磨剤と水を再利用するための処理方法とその処理装置 |
JP2011083845A (ja) | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Kemitoron:Kk | 研磨用固液回収分離装置 |
JP2015097997A (ja) | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 旭硝子株式会社 | 遠心分離機、管理システム及びガラス基板の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008020507A1 (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤スラリー廃液からの研磨剤回収方法及び装置 |
KR20100040056A (ko) * | 2008-10-09 | 2010-04-19 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼의 연마장치 |
JP2012178418A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 研磨剤の回収方法および研磨剤の回収装置 |
SG11201404444TA (en) * | 2012-02-17 | 2014-10-30 | Konica Minolta Inc | Abrasive regeneration method |
JP5850192B1 (ja) * | 2015-03-19 | 2016-02-03 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材の回収方法 |
-
2019
- 2019-03-06 CN CN201980020537.5A patent/CN112272600B/zh active Active
- 2019-03-06 JP JP2020508163A patent/JP7192851B2/ja active Active
- 2019-03-06 WO PCT/JP2019/008807 patent/WO2019181498A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004306210A (ja) | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Speedfam Co Ltd | ガラス研磨における排出水中の酸化セリウム系研磨剤と水を再利用するための処理方法とその処理装置 |
JP2011083845A (ja) | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Kemitoron:Kk | 研磨用固液回収分離装置 |
JP2015097997A (ja) | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 旭硝子株式会社 | 遠心分離機、管理システム及びガラス基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112272600A (zh) | 2021-01-26 |
WO2019181498A1 (ja) | 2019-09-26 |
CN112272600B (zh) | 2023-06-02 |
JPWO2019181498A1 (ja) | 2021-04-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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