JP7296134B2 - 液晶材料、液晶フィルム及びその製造方法、センサー、並びに、光学素子 - Google Patents

Description

本発明は、液晶材料、液晶フィルム及びその製造方法、センサー、並びに、光学素子に関する。

液晶材料は、液晶ディスプレイの表示材料のみならず、近年ではその光学特性を利用して、フォトニックデバイスへの適応が進められている。液晶材料として、例えば、セルロース誘導体が知られている。

液晶性を備えたセルロース誘導体として、ヒドロキシプロピルセルロースが有する水酸基の水素原子に、カルバメート基（ウレタン結合）を有する置換基が導入されたセルロース誘導体が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

また、溶媒（Ａ）と、該溶媒（Ａ）中で液晶形成可能なセルロース誘導体（Ｂ）と、テトラアルコキシシラン（Ｃ）とを混合して混合液を得る工程（Ｉ）、前記セルロース誘導体（Ｂ）の液晶化物と、前記テトラアルコキシシラン（Ｃ）の縮合物との複合材料を得る工程（II）、酸（Ｅ）の処理により、前記複合材料中の前記液晶化物を除去する工程（III）を有する、シリカ系キラル構造体の製造方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２０１５－４８３６５号公報 特開２０１６－１１３３１５号公報

特許文献１には、セルロース誘導体の側鎖に導入可能な基として、メタクリロイル基が記載されているが、セルロース誘導体のモノマー単位間を架橋するために導入されたものではない。さらに、特許文献１では、架橋後のセルロース誘導体に弾性を付与することも予定していない。

また、上述の特許文献２に記載の液晶化物は、最終的に酸の処理により除去される。そのため、シリカ系キラル構造体は、セルロースが持つ液晶性及び光学特性を利用したものではない。

ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）は、紙、綿、パルプの主成分であるセルロース誘導体であり、また、人体及び環境に対して無害であるため、医薬品、サプリメント等にも使用されている汎用性の高い高分子である。また、セルロースは、天然に最も豊富に存在する原料であるため安価な材料である。
従って、セルロース誘導体を原料として用いた液晶材料等の開発は、安全性の観点及び環境負荷を低減する観点からも有用であり、セルロース誘導体が持つ液晶性、光学特性等を、液晶材料、液晶フィルム、フォトニックデバイス等への利用が更に期待されている。

本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、サーモトロピックコレステリック液晶性及びゴム弾性を示し、かつ、機械的圧力に対する反射光の波長のシフト変化が大きい液晶材料、液晶フィルム及びその製造方法、センサー、並びに、光学素子を提供することを課題とする。

本発明者らは鋭意検討した結果、特定の構造を有するセルロース誘導体を含有する液晶材料は、サーモトロピックコレステリック液晶性を示し、また、側鎖の末端に、特定の炭素数以上のアルキレン基と不飽和二重結合とを有する基及び特定の炭素数以上のアシル基の少なくとも一方を含有するセルロース誘導体が架橋することで、ゴム弾性を発現し当該液晶材料を含む液晶フィルムは、ブラッグ反射の波長で配向を固定化し発色させ得ることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、前記課題を解決するための手段には、以下の実施態様が含まれる。
＜１＞ 下記一般式（１Ａ）で表される分子構造を有するセルロース誘導体を含む、液晶材料。

（一般式（１Ａ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、不飽和二重結合を有する基、又は、疎水性基を表し、Ｒ^１４及びＲ^１５は、それぞれ独立に、アルキレン基を表し、ｈは、１以上１０以下の整数を表し、ｎ１１は、２以上８００以下の整数を表す。但し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３の少なくとも１つは、下記一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基及び炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基の少なくとも一方を表す。）

（一般式（３Ｃ）中、Ｒ^３Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^３８は、炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基、アリール基及び炭素数３～１０のシクロアルキレン基からなる群より選ばれる基又はこれらの少なくとも１つを連結した基を表し、＊＊は、上記一般式（１Ａ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、若しくはＸ^１３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。）
＜２＞ 前記一般式（１Ａ）で表される分子構造が、下記一般式（１Ａ－１）で表される分子構造である、＜１＞に記載の液晶材料。

一般式（１Ａ－１）中、Ｒ^１は、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、又は、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、不飽和二重結合を有する基、又は、疎水性基を表し、ｍ１、ｔ１及びｒ１は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表し、ｎ１３は、２以上８００以下の整数を表す。但し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３の少なくとも１つは、下記一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基及び炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基の少なくとも一方を表す。

一般式（３Ｃ）中、Ｒ^３Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^３８は、炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基、アリール基及び炭素数３～１０のシクロアルキレン基からなる群より選ばれる基又はこれらの少なくとも１つを連結した基を表し、＊＊は、上記一般式（１Ａ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、若しくはＸ^１３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。
＜３＞ 前記不飽和二重結合を有する基が、下記一般式（１Ｃ）で表される基を更に含み、
前記疎水性基が、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基、炭素数３～１８のシクロアルキル基、炭素数６～１８のアリール基、炭素数７～２０のアラルキル基、炭素数２～４の直鎖若しくは分岐のアシル基、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルコキシ基、－ＣＯＯＲ^１Ａで表されるカルボン酸エステル基、又はハロゲン原子であり、前記Ｒ^１Ａが、炭素数１～１２の直鎖若しくは分岐のアルキル基、炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６～１２のアリール基を更に含む、＜１＞又は＜２＞に記載の液晶材料。

一般式（１Ｃ）中、Ｒ^１Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^１８は、単結合、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、炭素数３～１８のシクロアルキレン基、炭素数６～１８のアリーレン基、－Ｏ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数３～１８のシクロアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数６～１８のアレーンから３つの水素原子を除いた基及びアンモニアから３つの水素原子を除いた基からなる群より選ばれる基又はこれらの少なくとも１つを連結した基を表し、ｐ１は、１又は２の整数を表す。但し、Ｘ^１８の価数は、ｐ１＋１である。＊＊は、上記一般式（１Ａ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、若しくはＸ^１３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。
＜４＞ 前記一般式（１Ｃ）において、Ｘ^１８が、単結合、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－であり、ｐ１が１である、＜３＞に記載の液晶材料。
＜５＞ 前記疎水性基が、直鎖若しくは分岐の炭素数２～４のアシル基である、＜３＞又は＜４＞に記載の液晶材料。
＜６＞ 前記不飽和二重結合を有する基のモノマー単位あたりの置換度が、０．０１以上２．０以下である＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の液晶材料。
＜７＞ 前記不飽和二重結合を有する基のモノマー単位あたりの置換度と、前記疎水性基のモノマー単位あたりの置換度との比（前記不飽和二重結合を有する基／前記疎水性基）が、３．０×１０^－３以上２．０以下である、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の液晶材料。
＜８＞ 三次元構造を有し、
下記一般式（２Ａ）で表される分子構造を有するセルロース誘導体を含み、
前記セルロース誘導体が、モノマー単位同士を連結する基を有する基を含む、液晶フィルム。

一般式（２Ａ）中、Ｘ^２１、Ｘ^２２及びＸ^２３は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－（Ｒ^２４－Ｏ）_ｊ－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^２５－を表し、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３は、それぞれ独立に、水素原子、前記モノマー単位同士を連結する基を有する基、又は、疎水性基であり、Ｒ^２４及びＲ^２５は、それぞれ独立に、アルキレン基を表し、ｊは、１以上１０以下の整数を表し、ｎ２１は、２以上８００以下の整数を表す。但し、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３の少なくとも１つは、下記一般式（４Ｃ）で表されるモノマー単位同士を連結する基及び炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基の少なくとも一方を表す。

一般式（４Ｃ）中、Ｒ^４Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^４８は、炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基、アリール基及び炭素数３～１０のシクロアルキレン基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基を表し、＊は、モノマー単位同士が連結されたときの結合位置を表し、＊＊は、上記一般式（２Ａ）中、Ｘ^２１、Ｘ^２２、若しくはＸ^２３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。
＜９＞ 前記疎水性基のモノマー単位あたりの置換度が、１．０以上２．９以下である、＜８＞に記載の液晶フィルム。
＜１０＞ 前記一般式（２Ａ）で表される分子構造が、下記一般式（２Ａ－１）で表される分子構造である、＜８＞又は＜９＞に記載の液晶フィルム。

一般式（２Ａ－１）中、Ｒ^２は、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、又は、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－を表し、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３は、それぞれ独立に、水素原子、前記連結基を有する基、又は、疎水性基を表し、ｍ２、ｔ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表し、ｎ２３は、２以上８００以下の整数を表す。但し、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３の少なくとも１つは、下記一般式（４Ｃ）で表されるモノマー単位同士を連結する基及び炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基の少なくとも一方を表す。

一般式（４Ｃ）中、Ｒ^４Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^４８は、炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基、アリール基及び炭素数３～１０のシクロアルキレン基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基を表し、＊は、モノマー単位同士が連結されたときの結合位置を表し、＊＊は、上記一般式（２Ａ）中、Ｘ^２１、Ｘ^２２、若しくはＸ^２３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。
＜１１＞ 前記モノマー単位同士を連結する基が、下記一般式（２Ｃ）で表される基を含み、
前記疎水性基が、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基、炭素数３～１８のシクロアルキル基、炭素数６～１８のアリール基、炭素数７～２０のアラルキル基、炭素数２～４の直鎖若しくは分岐のアシル基、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルコキシ基、－ＣＯＯＲ^２Ａで表されるカルボン酸エステル基、又はハロゲン原子であり、前記Ｒ^２Ａが、炭素数１～１２の直鎖若しくは分岐のアルキル基、炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６～１２のアリール基を含む、＜８＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の液晶フィルム。

（一般式（２Ｃ）中、Ｒ^２Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^２８は、単結合、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、炭素数３～１８のシクロアルキレン基、炭素数６～１８のアリーレン基、－Ｏ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数３～１８のシクロアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数６～１８のアレーンから３つの水素原子を除いた基及びアンモニアから３つの水素原子を除いた基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基を表し、ｐ２は、１又は２の整数を表す。但し、Ｘ^２８の価数は、ｐ２＋１である。＊は、モノマー単位同士が連結されたときの結合位置を表す。＊＊は、上記一般式（２Ａ）中、Ｘ^２１、Ｘ^２２、若しくはＸ^２３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。）
＜１２＞ 前記一般式（２Ｃ）において、Ｘ^２８が、単結合、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－であり、ｐ２が１である、＜１１＞に記載の液晶フィルム。
＜１３＞ 前記疎水性基が、炭素数２～４の直鎖若しくは分岐のアシル基である、＜１１＞又は＜１２＞に記載の液晶フィルム。
＜１４＞ ＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の液晶材料を基板上に付与する工程と、
基板上に付与された前記液晶材料に、熱を加える工程又は紫外線を照射する工程と、
を有する、液晶フィルムの製造方法。
＜１５＞ ＜８＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の液晶フィルムを備えるセンサー。
＜１６＞ 物体の歪みを検出する歪みセンサーである＜１５＞に記載のセンサー。
＜１７＞ 生体情報を検出するウェアラブルセンサーである＜１６＞に記載のセンサー。
＜１８＞ ＜８＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の液晶フィルムを備える光学素子。

本発明によれば、サーモトロピックコレステリック液晶性及びゴム弾性を示し、かつ、機械的圧力に対する反射光の波長のシフト変化が大きい液晶材料、液晶フィルム及びその製造方法、センサー、並びに、光学素子を提供することができる。

本実施形態において、異なるブラッグ反射の波長で配向が固定化された液晶フィルムを製造する方法の一例を示す概略図である。（Ａ）は、第１の温度で加熱した後の液晶セルであり、（Ｂ）は第２の温度で加熱した後の液晶セルである。 図２は、液晶材料１－１～１－３の角周波数に対する複素粘度、貯蔵弾性率及び損失弾性率を示す図である。 図３は、液晶材料１－１～１－３の角周波数に対する損失正接をプロットした図である。 図４は、実施例２－１で合成したヒドロキシプロピルセルロース誘導体１の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの図である。 図５は、実施例２－１のＦＴ－ＩＲスペクトルを表す図である。 図６は、３０℃で固定化した液晶フィルム２－１に機械的圧力を加えたときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図７は、４０℃で固定化した液晶フィルム２－２に機械的圧力を加えたときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図８は、６０℃で固定化した液晶フィルム２－３に機械的圧力を加えたときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図９は、７０℃で固定化した液晶フィルム２－４に機械的圧力を加えたときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図１０は、液晶フィルム２－１、２－２、２－３及び２－４に機械的圧力を加えたときの膜厚の減少率（圧縮率）に対する、機械的圧力を加える前の波長（λ_０）に対する機械的圧力を加えた後の波長（λ）の比をプロットした図である。 図１１は、実施例３で合成したヒドロキシプロピルセルロース誘導体１の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの図である。 図１２は、実施例３のＦＴ－ＩＲスペクトルである。 図１３は、液晶フィルム３に機械的圧力を加えたときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図１４は、液晶フィルム３に機械的圧力を加えたときの膜厚の減少率（圧縮率）に対する、機械的圧力を加える前の波長（λ_０）に対する機械的圧力を加えた後の波長（λ）の比をプロットした図である。 図１５は、液晶フィルム４－１に機械的圧力を加えたときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図１６は、液晶フィルム４－１及び４－２に機械的圧力を加えたときの膜厚の減少率（圧縮率）に対する、機械的圧力を加える前の波長（λ_０）に対する機械的圧力を加えた後の波長（λ）の比をプロットした図である。 図１７は、液晶フィルム４－２に機械的圧力を加えたときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図１８は、液晶フィルム５－１に機械的圧力を加えたときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図１９は、液晶フィルム５－１及び５－２に機械的圧力を加えたときの膜厚の減少率（圧縮率）に対する、機械的圧力を加える前の波長（λ_０）に対する機械的圧力を加えた後の波長（λ）の比をプロットした図である。 図２０は、液晶フィルム５－２に機械的圧力を加えたときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図２１は、液晶フィルム６－１及び６－２並びに液晶フィルム７の延伸過程における応力－歪み曲線を示す図である。 図２２は、液晶フィルム８の作製時、照射する紫外線の光量を変えた場合の液晶フィルム８の応力－歪み曲線を示す図である。 図２３は、液晶フィルム８の作製時、紫外線の光量（１０．８Ｊ／ｃｍ^２～４８．６Ｊ／ｃｍ^２）を変えたときの弾性特性の変化を示す図である。 図２４は、液晶フィルム８に熱を加えたときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図２５は、ＨＰＣ誘導体８（架橋前）及び液晶フィルム８（架橋後）について、温度とブラッグ反射波長の相関を示す図である。 図２６の上段は、液晶フィルム８に機械的圧力を加えたときの透過スペクトルの変化を表す図であり、図２６の下段は、液晶フィルム８に加えた機械的圧力を解放したときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図２７は、機械的圧力の印加及び解放の１サイクル目及び１００サイクル目において、液晶フィルム８に機械的圧力を加えたとき、及び液晶フィルム８に加えた機械的圧力を解放したときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図２８は、液晶フィルム８について機械的圧力の印加及び解放のサイクルを１００回繰り返したときの反射波長及び液晶フィルム８の変化を示す図である。 図２９は、液晶フィルム８に機械的圧力の印加及び解放を繰り返した際の応力－歪み曲線を示す図である。 図３０は、液晶フィルム８及びクロロプレンゴムに機械的圧力の印加及び解放を繰り返した際の弾性特性の変化を示す図である。 図３１は、液晶フィルム８を凹凸基板に押し付けたときの液晶フィルム８の色の変化を示す図である。 図３２は、液晶フィルム８を凹凸基板に押し付けたときの液晶フィルム８の反射波長の変化を示す図である。 図３３は、液晶フィルム８を１００円硬貨の表面に押し付けたときの液晶フィルム８の色の変化を示す図である。 図３４は、１００円硬貨の凹凸を精密機器により測定した結果を示す図である。 図３５は、液晶フィルム８及び液晶フィルム９に機械的圧力を加えたとき、並びに液晶フィルム８及び液晶フィルム９に加えた機械的圧力を解放したときの透過スペクトルの変化を表す図である。 図３６は、液晶フィルム８及び液晶フィルム９について反射波長と応力と歪みとの関係を示す図である。 図３７は、実施例１０－１で合成した４Ｈの^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの図である。 図３８は、実施例１０－１で作製したＨＰＣ誘導体１０－１の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの図である。 図３９は、液晶フィルム１０－１の延伸過程における応力－歪み曲線を示す図である。 図４０は、液晶フィルム１０－２、１０－３、１０－４の延伸過程における応力－歪み曲線を示す図である。 図４１は、液晶フィルム１０－３の延伸解放過程における透過スペクトルの図である。

以下、本発明の実施形態に係る液晶材料について説明する。
本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、（メタ）アクリロイル基とは、アクリロイル基及びメタクリロイル基の少なくとも一方を意味する。

《液晶材料》
本実施形態の液晶材料は、下記一般式（１Ａ）で表される分子構造を有するセルロース誘導体（以下、「特定セルロース誘導体」ともいう。」）を含む。
本実施形態の液晶材料は、特定セルロース誘導体を含有するので、サーモトロピックコレステリック液晶性を示し、かつ、機械的圧力に対する反射光の波長のシフト変化が大きい。
このメカニズムは明らかではないが、以下のように推測される。

本実施形態の液晶材料では、側鎖の末端に、特定の炭素数以上のアルキレン基と不飽和二重結合とを有する基及び特定の炭素数以上のアシル基の少なくとも一方を含有する特定セルロース誘導体を含むので、サーモトロピックコレステリック液晶性及びゴム弾性を示し、かつ、機械的圧力に対する反射光の波長のシフト変化が大きい。
また、特定セルロース誘導体が、側鎖の末端に、特定の炭素数以上のアルキレン基及び不飽和二重結合を有する基を含有することで、液晶材料の粘弾性を低減することができる。
本実施形態の液晶材料より形成されたエラストマー膜は、特定の炭素数以上のアルキレン基を有する、モノマー単位同士を連結する基を含有する重合性モノマー及び特定の炭素数以上のアシル基の少なくとも一方を含有することにより粘弾性が低減し、かつ、優れたコレステリック液晶配向状態を示すため、架橋反応によって作製した液晶フィルムに対して機械的圧力を加えたときの影響を受けやすい構造を有している。
そのため、エラストマー膜を膜厚方向に圧縮したときの短波長側への波長のシフト変化が大きく、かつ、波長反射率も高い。
以下、本実施形態の液晶材料の各成分について詳細に説明する

＜特定セルロース誘導体＞
特定セルロース誘導体は、下記一般式（１Ａ）で表される分子構造を有する。
一般式（１Ａ）で表される分子構造において、［ ］は、モノマー単位を表す。以下、［ ］を、単に「モノマー単位」とも称する。なお、一般式（１Ａ）以外で表される一般式においても同様である。

一般式（１Ａ）において、Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、不飽和二重結合を有する基、又は、疎水性基を表し、Ｒ^１４及びＲ^１５は、それぞれ独立に、アルキレン基を表し、ｈは、１以上１０以下の整数を表し、ｎ１１は、２以上８００以下の整数を表す。但し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３の少なくとも１つは、下記一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基及び炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基の少なくとも一方を表す。

一般式（１Ａ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３で表されるアルキレン基は、特に制限されない。アルキレン基としては、直鎖又は分岐の炭素数１～１８（好ましくは１～１２）のアルキレン基、環状の炭素数３～１８（好ましくは３～１２）のシクロアルキレン基が挙げられる。直鎖又は分岐のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ－ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基、ｎ－ペンチレン基、イソペンチレン基等が挙げられる。
環状のアルキレン基としては、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等が挙げられる。

一般式（１Ａ）中、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－で表される基におけるアルキレン基（－Ｒ^１４－）としては、上記Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３と同様のアルキレン基が挙げられる。
－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－としては、例えば、エチレンオキシ基、ポリエチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ポリプロピレンオキシ基等が挙げられる。
－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－は、より具体的には、－(－Ｏ－(ＣＨ_２)ｎ－)_ｈ－で表すことができる。ただし、ｎは１以上５以下の整数である。

一般式（１Ａ）中、ｈとしては、架橋によって適度なゴム弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下、さらに好ましくは１以上３以下である。

一般式（１Ａ）中、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－で表される基におけるアルキレン基（－Ｒ^１５－）としては、上記Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３と同様のアルキレン基が挙げられる。
－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－としては、例えば、－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_２Ｈ_４－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_３Ｈ_６－等が挙げられる。

アルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、 及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－は、置換基を有していてもよい。

置換基としては、例えば、直鎖又は分岐鎖の炭素数１～６のアルキル基、炭素数３～６のシクロアルキル基、炭素数６～１２のアリール基、ハロゲン原子が挙げられる。置換基が２以上ある場合には、それぞれの置換基は同一であって異なっていてもよい。

なお、上述のアルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－は、置換基を有していてもよい。

置換基としては、例えば、直鎖又は分岐鎖の炭素数１～６のアルキル基、炭素数３～６のシクロアルキル基、炭素数６～１２のアリール基、ハロゲン原子が挙げられる。置換基が２以上ある場合には、それぞれの置換基は同一であって異なっていてもよい。

一般式（１Ａ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３で表される不飽和二重結合を有する基としては、特に制限されず、例えば、後述する一般式（１Ｃ）又は一般式（３Ｃ）で表される基、ビニル基、アリル基、ビニルオキシ基、イソプロペニル基、１－プロペニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１，３－ブタジエニル基、２－ペンテニル基、ゲラニル基、オレイル基、シクロアルケニル基（例えば、２－シクロペンテン－１－イル基、２－シクロヘキセン－１－イル基）、ビニルベンジル基、シンナミル基等が挙げられる。

一般式（１Ａ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３で表される疎水性基としては、特に制限されず、例えば、炭素数１～１８のアルキル基、炭素数２～２０のアシル基、炭素数６～２４のアリール基、炭素数１～１８のアルコキシ基、カルボン酸エステル基、ハロゲン原子等が挙げられる。

炭素数１～１８のアルキル基は、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基であってもよく、無置換又は置換されていてもよい。置換基としては、前述のアルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－における置換基と同様のものが挙げられる。
炭素数１～１８の無置換のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等が挙げられる。

無置換の炭素数３～１８の環状のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、メチルシクロペンチル基、メチルシクロヘキシル基、メチルシクロヘプチル基等が挙げられる。

炭素数６～２４のアリール基は、無置換であっても置換されていてもよい。
無置換の炭素数６～１８のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。

置換された炭素数６～２４のアリール基としては、炭素数７～２０のアラルキル基が挙げられる。炭素数７～２０のアラルキル基は、無置換であっても、更に置換されていてもよい。置換基としては、前述のアルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－における置換基と同様のものが挙げられる。
無置換の炭素数７～２０のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルエテニル基等が挙げられる。

炭素数２～２０のアシル基は、直鎖又は分岐鎖のアシル基であってもよく、無置換であっても置換されていてもよい。置換基としては、前述のアルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－における置換基と同様のものが挙げられる。
また、炭素数２～４のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基（プロパノイル基）、ブチリル基等が挙げられる。

炭素数１～１８のアルコキシ基は、直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基であってもよく、無置換であっても置換されていてもよい。置換基としては、前述のアルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－における置換基と同様のものが挙げられる。
炭素数１～１８のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられる。

カルボン酸エステル基としては、－ＣＯＯＲ^１Ａで表されるカルボン酸エステル基が挙げられる。
カルボン酸エステル基中のＲ^１Ａとしては、直鎖又は分岐鎖の炭素数１～１２のアルキル基、炭素数３～１２の環状のアルキル基、炭素数６～１２のアリール基が挙げられる。

カルボン酸エステル基としては、無置換であっても置換されていてもよい。
置換基としては、既述のアルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－における置換基と同様のものが挙げられる。

無置換のカルボン酸エステル基としては、具体的には、直鎖若しくは分岐鎖の炭素数２～１２のアルキルエステル基（メチルエステル基、エチルエステル基等）、炭素数４～１２のシクロアルキルエステル基（シクロプロピルエステル基、シクロブチルエステル基等）、炭素数７～１２のアリールエステル基（フェニルエステル基等）が挙げられる。

ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。

液晶性を発現する観点から、疎水性基としては、直鎖若しくは分岐鎖の炭素数１～１８のアルキル基、環状の炭素数３～１８のアルキル基、炭素数６～１８のアリール基、炭素数７～２０のアラルキル基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素数２～２０のアシル基、直鎖若しくは分岐鎖の炭素数１～１８のアルコキシ基、－ＣＯＯＲ^１Ａで表されるカルボン酸エステル基又はハロゲン原子であることが好ましい。

これらの中でも、特定セルロース誘導体の合成のし易さの観点から、疎水性基としては、素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基及び直鎖若しくは分岐鎖の炭素数２～４のアシル基（直鎖及び分岐鎖のいずれも可。以下同様。）の少なくとも一方が好ましい。

一般式（１Ａ）において、ｎ１１としては、架橋によって適度なゴム弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、２以上８００以下であり、好ましくは２以上４００以下、より好ましくは２以上３００以下である。

なお、上述のアルキレン基、－（Ｒ^１８－Ｏ）_ｉ－、及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１９－は、置換基を有していてもよい。置換基としては、前述で例示した置換基と同様のものが挙げられる。

一般式（１Ａ）は、下記一般式（１Ａ－１）で表される分子構造であることが好ましい。

一般式（１Ａ－１）において、Ｒ^１は、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、又は、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、不飽和二重結合を有する基、又は、疎水性基を表し、ｍ１、ｔ１及びｒ１は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表し、ｎ１３は、２以上８００以下の整数を表す。但し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３の少なくとも１つは、一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基及び炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基の少なくとも一方を表す。

一般式（１Ａ－１）において、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、前記一般式（１Ａ）におけるＲ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３と同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（１Ａ－１）において、ｍ１、ｔ１及びｒ１としては、特定セルロース誘導体の合成のし易さの観点から、それぞれ独立に、好ましくは０以上８以下、より好ましくは０以上５以下、さらに好ましくは０以上３以下が好ましい。

一般式（１Ａ－１）において、ｎ１３は、一般式（１Ａ）におけるｎ１１と同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（１Ａ－１）において、ｎ１３としては、架橋によって適度なゴム弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、２以上８００以下であり、好ましくは２以上４００以下、より好ましくは２以上３００以下である。

一般式（１Ａ－１）において、Ｒ^１が－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－で表される場合、分子構造は、下記の一般式（１ａ）で表される。

一般式（１ａ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、及びｎ１３は、一般式（１Ａ－１）におけるＲ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、及びｎ１３と同義である。一般式（１ａ）中、ｍ１１、ｔ１１、ｒ１１は、一般式（１Ａ－１）におけるｍ１、ｔ１及びｒ１と同義である。

一般式（１Ａ－１）中、Ｒ^１が－ＣＨ_２－ＣＨ_２－で表される場合、分子構造は下記の一般式（１ｂ）で表される。

一般式（１ｂ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、及びｎ１３は、一般式（１Ａ－１）におけるＲ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、及びｎ１３と同義である。また、ｍ１２、ｔ１２及びｒ１２は、一般式（１Ａ－１）におけるｍ１、ｔ１及びｒ１と同義である。

特定セルロース誘導体の好ましい態様は、一般式（１ａ）で表される分子構造を有するセルロース誘導体、又は、一般式（１ｂ）で表される分子構造を有するセルロース誘導体である。
具体的には、一般式（１ａ）において、疎水性基（Ｒ^１１、Ｒ^１２又はＲ^１３）が、炭素数２～４のアシル基又は炭素数５～２０のアシル基であって、不飽和二重結合を有する基（Ｒ^１１、Ｒ^１２又はＲ^１３）が、一般式（３Ｃ）で表される基及び（メタ）アクリロイル基であって、ｍ１１、ｔ１１及びｒ１１が、それぞれ独立に、０以上３以下の整数であって、ｎ１３が、２以上３００以下である態様；一般式（１ｂ）において、疎水性基（Ｒ^１１、Ｒ^１２又はＲ^１３）が、炭素数２～４のアシル基又は炭素数５～２０のアシル基であって、不飽和二重結合を有する基（Ｒ^１１、Ｒ^１２又はＲ^１３）が、一般式（３Ｃ）で表される基及び（メタ）アクリロイル基であって、ｍ１２、ｔ１２及びｒ１２が、それぞれ独立に、０以上３以下の整数であって、ｎ１３が、２以上３００以下である態様である。

－不飽和二重結合を有する基－
一般式（１Ａ）及び一般式（１Ａ－１）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３で表される不飽和二重結合を有する基としては、架橋によって優れたゴム弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３の少なくとも１つは、下記一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基を表すことが好ましい。

Ｒ^３Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^３８は、炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基、アリール基及び炭素数３～１０のシクロアルキレン基からなる群より選ばれる基又はこれらの少なくとも１つを連結した基を表し、＊＊は、上記一般式（１Ａ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、若しくはＸ^１３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。

一般式（３Ｃ）中、炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基としては、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基であることが好ましく、炭素数５～２０の直鎖のアルキレン基であることがより好ましく、更に好ましくは、炭素数５～１５の直鎖のアルキレン基であり、特に好ましくは、炭素数５～１０の直鎖のアルキレン基であり、より一層好ましくは、炭素数７～１０の直鎖のアルキレン基である。

一般式（３Ｃ）中、炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基としては、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、炭素数２～１０の直鎖のアルキレンオキシ基であることが好ましく、炭素数２～６の直鎖のアルキレンオキシ基であることがより好ましく、炭素数２～４の直鎖のアルキレンオキシ基であることが更に好ましい。

Ｘ^３８は、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、ウレタン結合及びエステル結合の少なくとも一方を有する２価の連結基であることが好ましく、ウレタン結合を有する２価の連結基であることがより好ましい。
また、Ｘ^３８の直鎖の原子数を調節することにより、液晶フィルムのゴム弾性、強度等を適宜調節することができる。

以下に、一般式（３Ｃ）で表される基の一例を示す。一般式（３Ｃ）で表される基はこれらにより何ら限定されるものではない。なお、下記一般式（３Ｃ－１）～（３Ｃ－４）中、＊＊は、結合位置を表す。

架橋構造を形成しやすく、かつ、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、一般式（３Ｃ）で表される基としては、一般式（３Ｃ－１）、（３Ｃ－２）又は（３Ｃ－３）であることが好ましく、一般式（３Ｃ－１）又は（３Ｃ－２）で表される基であることがより好ましい。

Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３で表される不飽和二重結合を有する基は、それぞれ独立に、架橋によってより優れたゴム弾性を有する液晶フィルムが得られる観点から下記一般式（１Ｃ）を更に含むことが好ましい。

架橋構造を形成しやすく、かつ、ゴム弾性に更に優れる液晶フィルムが得られる観点から、一般式（３Ｃ）で表される基としては、一般式（３Ｃ－５）で表される基であることが更に好ましい。

一般式（３Ｃ－５）中、Ｒ^ａは、炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基（アルキレンオキシ基の酸素原子がカルボニル炭素に結合している）を表し、Ｒ^ｂは、炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基を表す。Ｒ^３Ｃは、水素原子又はメチル基を示し、＊＊は結合部位を示す。
一般式（３Ｃ－５）中、Ｒ^ａにおける炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基としては、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、炭素数２～２０の直鎖のアルキレンオキシ基であることが好ましく、炭素数４～１６の直鎖のアルキレンオキシ基であることがより好ましく、炭素数４～１２の直鎖のアルキレンオキシ基であることが更に好ましく、炭素数４～８の直鎖のアルキレンオキシ基であることがより一層好ましい。
一般式（３Ｃ－５）中、Ｒ^ｂにおける炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基としては、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、炭素数３～２０の直鎖のアルキレン基であることが好ましく、より好ましくは、炭素数５～１５の直鎖のアルキレン基であり、更に好ましくは、炭素数５～１０の直鎖のアルキレン基である。

一般式（１Ｃ）において、Ｒ^１Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^１８は、単結合、又は、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、炭素数３～１８のシクロアルキレン基、炭素数６～１８のアリーレン基、－Ｏ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数３～１８のシクロアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数６～１８のアレーンから３つの水素原子を除いた基及びアンモニアから３つの水素原子を除いた基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基を表し、ｐ１は、１又は２の整数を表す。但し、Ｘ^１８の価数は、ｐ１＋１である。
＊＊は、上記一般式（１Ａ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、若しくはＸ^１３と結合する部分、又は、Ｘ^１１、Ｘ^１２、若しくはＸ^１３が単結合の場合はセルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。

Ｘ^１８で表される直鎖若しくは分岐の炭素数１～１８のアルキレン基、及び、炭素数３～１８のシクロアルキレン基としては、上記一般式（１Ａ）におけるＸ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３で表されるアルキレン基と同様のものが挙げられる。

Ｘ^１８で表される炭素数６～１８のアリーレン基としては、特に制限はなく、例えば、フェニレン基、ナフタレン基が挙げられる。

Ｘ^１８について、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数３～１８のシクロアルカンから３つの水素原子を除いた基、及び炭素数６～１８のアレーンから３つの水素原子を除いた基としては、Ｘ^１８で表される、直鎖若しくは分岐の炭素数１～１８のアルキレン基、炭素数３～１８のシクロアルキレン基及び炭素数６～１８のアリーレン基からそれぞれ１つの水素原子を除いた基が挙げられる。

Ｘ^１８で表される、直鎖若しくは分岐のアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、直鎖若しくは分岐のアルカン、シクロアルカン及びアレーンは、置換基を有していてもよい。
置換基としては、既述のアルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－における置換基と同様のものが挙げられる。

一般式（１Ｃ）において、Ｘ^１８で表される－Ｏ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、及び－Ｃ（＝Ｏ）－からなる群より選ばれる又はこれらを連結した基としては特に制限はなく、例えば、「－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－」、「－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－」、「－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２－Ｏ－）_２」が挙げられる。

一般式（１Ｃ）において、ｐ１は、１であることが好ましい。

架橋によって適度なゴム弾性を有する液晶フィルムがより得られやすい観点から、Ｘ^１８としては、単結合、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－であることが好ましい。

一般式（１Ｃ）中、Ｒ^１Ｃが水素原子又はメチル基であり、Ｘ^１８が単結合であり、ｐ１が１である基は、（メタ）アクリロイル基である。架橋反応の観点から、一般式（１Ｃ）で表される基としては、（メタ）アクリロイル基であることが好ましく、アクリロイル基であることがより好ましい。

以下に、一般式（１Ｃ）で表される基の一例を示す。一般式（１Ｃ）で表される基はこれらにより何ら限定されるものではない。なお、下記一般式（１Ｃ－１）～（１Ｃ－８）中、＊＊は、結合位置を表す。

一般式（１Ｃ－５）で表される基は、一般式（１Ｃ）で表される基中、Ｘ^１８が下記一般式（１Ｃ－７）で表される３価の連結基であり、Ｒ^１Ｃが水素原子であり、ｐ１が２である。
一般式（１Ｃ－７）中、＊＊＊は、上記一般式（１Ｃ－５）における（ＣＯＣＨ＝ＣＨ_２）のＣＯに結合する炭素原子と結合する部分を表す。

一般式（１Ａ）及び一般式（１Ａ－１）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３で表される不飽和二重結合を有する基が一般式（１Ｃ）で表される基を含む場合、架橋構造を形成しやすく、かつ、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、一般式（１Ｃ）で表される基としては、一般式（１Ｃ－１）、（１Ｃ－３）、（１Ｃ－５）又は（１Ｃ－６）であることが好ましく、一般式（１Ｃ－１）又は（１Ｃ－３）で表される基がより好ましく、一般式（１Ｃ－３）で表される基であることが更に好ましい。

一般式（１Ａ）及び一般式（１Ａ－１）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３で表される不飽和二重結合を有する基としては、架橋構造を形成しやすく、かつ、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、上記一般式（１Ｃ）及び上記一般式（３Ｃ）で表される基の両方を含むことが好ましい。

架橋構造を形成しやすく、かつ、ゴム弾性がより優れる液晶フィルムが得られやすい観点から、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３の少なくとも１つは、好ましくは一般式（３Ｃ－１）、（３Ｃ－２）又は（３Ｃ－３）であり（より好ましくは、一般式（３Ｃ－１）又は（３Ｃ－２）で表される基である。）、他方が、好ましくは一般式（１Ｃ－１）又は（１Ｃ－３）（より好ましくは一般式（１Ｃ－１）である。）である。

一般式（１Ａ）及び一般式（１Ａ－１）において、液晶性、及び、優れたゴム弾性を有し、かつ、反射波長の波長シフトが大きくなる観点から、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、疎水性基、及び、不飽和二重結合を有する基の両方を有することが好ましく、不飽和二重結合を有する基、炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基及び疎水性基の全てを有することがより好ましく、不飽和二重結合を有する基、炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基及び炭素数２～４の直鎖若しくは分岐のアシル基の全てを有することが更に好ましい。
また、同様の観点から、特定セルロース誘導体は、不飽和二重結合を有する基のモノマー単位あたりの置換度（以下、「不飽和二重結合を有する基の置換度」とも称する）が、０．０１以上２．０以下であることが好ましい。

また、特定セルロース誘導体の置換度とは、セルロースのモノマー単位（Ｄ－グルコピラノース（β－グルコース））が有する３つの水酸基のうち、少なくとも一部の水酸基又は水酸基の一部が、置換基により置換されている程度を示す指標であり、具体的には、上記置換基で置換された平均個数（≦３）を意味する。

本実施形態における「不飽和二重結合を有する基の置換度」とは、特定セルロース誘導体が一般式（１Ａ）で表される分子構造を有する場合では、一般式（１Ａ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＲ^１３の位置に導入された「不飽和二重結合を有する基」の平均個数とする。

同様に、疎水性基のモノマー単位あたりの置換度（以下、「疎水性基の置換度」とも称する）とは、特定セルロース誘導体が一般式（１Ａ）で表される分子構造を有する場合では、一般式（１Ａ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＲ^１３の位置に導入された疎水性基の平均個数とする。

なお、本実施形態において、不飽和二重結合を有する基であり、かつ疎水性基にも該当する基の場合、かかる基は「不飽和二重結合を有する基」とみなす。

特定セルロース誘導体の不飽和二重結合を有する基の置換度が０．０１以上２．０以下である場合、サーモトロピックコレステリック液晶性の発現を向上することができ、また、架橋後における特定セルロース誘導体に優れたゴム弾性が付与することができる。
したがって本実施形態の液晶材料によれば、特定セルロース誘導体のモノマー間を架橋することによって、適度なゴム弾性を有し、さらにブラッグ反射の波長で配向が固定化された液晶フィルムを製造し得る。

特定セルロース誘導体が有する不飽和二重結合を有する基の置換度は、特定セルロース誘導体の架橋によって適度なゴム弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、０．０１以上２．０以下が好ましく、より好ましくは０．１以上１．５以下、更に好ましくは０．２以上１．０未満である。

架橋によって適度なゴム弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、特定セルロース誘導体において、不飽和二重結合を有する基の置換度と、疎水性基の置換度との比（不飽和二重結合を有する基／疎水性基）は、好ましくは３．０×１０^－３以上２．０以下、より好ましくは３．０×１０^－２以上１．０以下、更に好ましくは７．０×１０^－２以上０．５以下である。

不飽和二重結合を有する基が一般式（３Ｃ－５）で表される基である場合、特定セルロース誘導体が有する不飽和二重結合を有する基の置換度は、特定セルロース誘導体の架橋によって優れたゴム弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、０．０１以上１．０以下が好ましく、より好ましくは０．０１以上０．５以下、更に好ましくは０．０１以上０．１以下である。

不飽和二重結合を有する基が一般式（３Ｃ－５）で表される基である場合、架橋によって優れたゴム弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、特定セルロース誘導体において、不飽和二重結合を有する基の置換度と、疎水性基の置換度との比（不飽和二重結合を有する基／疎水性基）は、３．０×１０^－３以上０．５以下が好ましく、より好ましくは５．０×１０^－３以上０．１以下であり、更に好ましくは７．０×１０^－３以上０．０５以下である。

不飽和二重結合を有する基の置換度及び疎水性基の置換度は、^１Ｈ－ＮＭＲにより、各置換基が有する特徴的なプロトンピークの積分値から算出される。
具体的には、後述する実施例に示すように、下記の測定条件で、重クロロホルムに溶解させた特定セルロース誘導体溶液の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定し、測定された^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルに基づき、不飽和二重結合を有する基に由来するプロトンピーク；疎水性基に由来するプロトンピーク；セルロース骨格由来のプロトンピーク（例えばβ－グルコースモノマー単位にあるプロトンピーク等）；セルロース骨格がヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）の場合、ＨＰＣ由来のプロトンピーク鎖中のヒドロキシプロピル基が有するメチン基のプロトンピーク；等の積分値に基づき算出することができる。

－測定条件－
装置 ：ＢＲＵＫＥＲ製：ＵＬＴＲＡＳＨＩＥＬＤ４００ＰＬＵＳ（型番）
周波数：４００ＭＨｚ

（重量平均分子量）
特定セルロース誘導体の重量平均分子量は、架橋によって優れたゴム弾性を有する液晶フィルムが得られる観点から、好ましくは２万以上２０万以下、より好ましくは５万以上２０万以下、更に好ましくは１０万以上２０万以下である。
特定セルロース誘導体の重量平均分子量は、ゲルバーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）（ポリスチレン標準）により算出することができ、以下の測定条件で得られた測定結果からポリスチレン標準試料により作成した分子量校正曲線を使用して算出することができる。

－測定条件－
装置 ：東ソー社製：ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ（型番）
溶剤 ：テトラヒドロフラン
カラム ：００２１８１５ ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ－Ｎ（粒子径３μｍ、内径４．６ｍｍ×長さ１５ｃｍ、東ソー社製）
流速 ：０．１５ｍＬ／分
試料濃度：２．０質量％
注入量 ：１０μＬ
検出器 ：示差屈折検出器
温度 ：４０℃

一般式（１Ａ）で表される分子構造の具体例を以下に示す。なお、一般式（１Ａ）で表される分子構造はこれらにより何ら限定されるものではない。

上記式（１－１３）～（１－１６）は、一般式（１Ａ－１）において、Ｒ^１が、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－であり、ｍ１が２であり、ｔ１が２であり、ｒ１が０である場合の例である。
上記例以外の具体例としては、ｍ１、ｔ１、及びｒ１を、それぞれ独立に０以上１０以下に置き換えた分子構造が挙げられる。

また、上記式（１－１３）～（１－１６）は、一般式（１Ａ－１）においてＲ^１が、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－であり、ｍ１が２であり、ｔ１が２であり、ｒ１が０である場合の例である。
上記例以外の具体例としては、ｍ１、ｔ１、及びｒ１を、それぞれ独立に０以上１０以下に置き換えた分子構造が挙げられる。

＜特定セルロース誘導体の含有量＞
特定セルロース誘導体の含有量としては、本実施形態の液晶材料の全質量に対して、８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、９９質量％以上であることがさらに好ましい。

＜その他の成分＞
本実施形態の液晶材料は、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、例えば、重合開始剤、架橋剤、難燃剤、相溶化剤、酸化防止剤、離型剤（剥離剤）、耐光剤、耐候剤、改質剤、帯電防止剤、加水分解防止剤等が挙げられる。
重合開始剤としては、例えば、熱重合開始剤、光重合開始剤等の公知の重合開始剤を用いることができる。
本実施形態の液晶材料が光重合開始剤を含有する場合、光重合開始剤としては、例えば、2-Hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1-one（ＨＭＰＰ）、アセトフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－４’－(２－ヒドロキシエトキシ)－２－メチルプロピオフェノン、２－メチル－４’－(メチルチオ)－２－モルホリノプロピオフェノン、２－ベンジル－２－(ジメチルアミノ)－４’－モルホリノブチロフェノン、フェニルビス(２,４,６－トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシド、ビス（２,６－ジフルオロ－３－（１－ヒドロピロール－１－イル）フェニル）チタノセン等が挙げられる。

（特定セルロース誘導体の合成方法）
特定セルロース誘導体の合成方法の一例として、一般式（１Ａ）で表される分子構造を有するヒドロキシプロピルセルロース誘導体を合成する方法について説明する。
但し、本実施形態の特定セルロース誘導体の合成方法については、これに限定されない。

特定セルロース誘導体の合成方法は、出発物質としてヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）を準備し、このＨＰＣを溶媒に溶解してＨＰＣ溶液を調製する工程と、上記ＨＰＣ溶液に、一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基を持つ化合物（以下、「重合性化合物」とも称する。）及び炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基（以下、「中鎖疎水性基」ともいう。）を有する化合物の少なくとも一方を混合する混合工程と、を有する。
上記混合工程において、ＨＰＣと、重合性化合物を反応させて、ＨＰＣに由来する構成単位に含まれる３つの水酸基の水素原子の少なくとも一部を、一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基又は中鎖疎水性基で置換することができる。
上記工程を有する合成方法により、ＨＰＣの側鎖（末端）に一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基又は中鎖疎水性基が導入されて、特定セルロース誘導体を合成することができ、一般式（１ａ）（一般式（１Ａ）の一例）で表される分子構造を有するＨＰＣ誘導体が得られる。

なお、上記混合工程において、上記中鎖疎水性基以外の疎水性基を有する化合物（以下、単に「疎水性化合物」とも称する。）を更に含み、ＨＰＣ溶液に、重合成化合物及び疎水性化合物を混合することが好ましく、ＨＰＣ溶液と、重合性化合物を混合して、ＨＰＣの側鎖に一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基及び中鎖疎水性基の少なくとも一方を導入した後に、疎水性化合物を混合してＨＰＣの側鎖に疎水性基を更に導入することがより好ましい。

例えば、出発物質としてヒドロキシエチルセルロースを用いれば、一般式（１ｂ）（一般式（１Ａ）の一例）で表される分子構造を有する特定セルロース誘導体が得られる。
特定セルロース誘導体は、例えば、以下の方法で得ることができる。
まず、セルロース骨格の２位、３位、６位に結合する酸素原子と水素原子との間に、公知の方法により、アルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－（Ｒ^１４；アルキレン基、ｈ；１以上１０以下の整数）、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－（Ｒ^１５；アルキレン基）を有する連結基を導入したセルロース誘導体を準備し、これを出発物質とする。
次に、このセルロース誘導体（出発物質）の末端にある水素原子を、上記方法に準じる方法により一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基と、好ましくは疎水性基とで置換する。
これにより、一般式（１Ａ）で表される分子構造を有するセルロース誘導体（特定セルロース誘導体）が得られる。

ＨＰＣを出発物質した場合、ＨＰＣとしては、調製したＨＰＣを用いてもよく、市販のＨＰＣを用いてもよい。
ＨＰＣの市販品としては、例えば、和光純薬工業（株）より販売されているヒドロキシプロピルセルロース等が挙げられる。

溶媒としては、出発物質を溶解できるものであれば特に制限されない。
溶媒としては、例えばアセトン等のケトン、メトキシプロパノール、エトキシエタノール、プロパノール等のアルコール、テトラヒドロフランなどが挙げられる。

重合性化合物としては、一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基を有し、かつ、その不飽和二重結合を有する基を一般式（１Ａ）におけるＲ^１１、Ｒ^１２又はＲ^１３に導入できるものであれば特に制限されない。
このような重合性化合物としては、一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を分子内に有する化合物のハロゲン化物（例えば、塩化１０－ウンデセノイル等）が挙げられる。
また、架橋構造を形成しやすく、かつ、ゴム弾性により優れる液晶フィルムが得られる観点から、重合成化合物は、ハロゲン化（メタ）アクリロイル（例えば、塩化（メタ）アクリロイル、臭化（メタ）アクリロイル等）；イソシアナート（メタ）アクリレート（例えば、昭和電工（株）製のカレンズＭＯＩ（２－イソシアナトエチルメタクリレート）、カレンズＡＯＩ（２－イソシアナトエチルアクリラート）、カレンズＢＥＩ（１,１－ビスアクリロイルオキシメチル(エチルイソシアナート））、カレンズＭＯＩ－ＥＧ等）；を併用することが好ましい。

疎水性化合物としては、既述の疎水性基を有し、かつ、その疎水性基を一般式（１Ａ）におけるＲ^１１、Ｒ^１２若しくはＲ^１３に導入できるものであれば特に制限されない。
中でも、疎水性化合物としては、ハロゲン化アシル（例えば、塩化アシル（塩化アセチル、塩化プロピオニル、塩化ブチリル、塩化ペンタノイル、塩化デカノイル等）、臭化アシル（臭化アセチル、臭化プロピオニル、臭化ブチリル、臭化ペンタノイル、臭化デカノイル、等）；であることが好ましく、塩化アシルであることがより好ましく、液晶性の観点から、直鎖若しくは分岐の炭素数２～４の塩化アシルであることが更に好ましく、塩化アセチル、塩化プロピオニル又は塩化ブチリルであることが特に好ましい。
なお、具体的なセルロース誘導体の合成方法の一例については、後述する実施例の項にて説明する。

《液晶フィルム》
本実施形態の液晶フィルムは、三次元構造を有し、一般式（２Ａ）で表される分子構造を有するセルロース誘導体（以下、「三次元構造を有するセルロース誘導体」とも称する）を含み、三次元構造を有するセルロース誘導体三次元構造を有する、モノマー単位同士を連結する連結基を有する基を含む。
三次元構造を有するセルロース誘導体は、上記一般式（１Ａ）で表される分子構造を有するセルロース誘導体に由来するモノマー単位同士を架橋することにより得られる。

一般式（１Ａ）で表される分子構造は、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３の少なくとも１つが、下記一般式（４Ｃ）で表されるモノマー単位同士を連結する基及び炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基の少なくとも一方で表された、特定セルロース誘導体である。
したがって、本実施形態における三次元構造を有する特定セルロース誘導体は、不飽和二重結合が開裂することで生じた連結基によって、モノマー単位同士が適度に連結（架橋）されて得られたもの、すなわち、特定セルロース誘導体のポリマーが架橋されて得られたものである。

本実施形態では、上記三次元構造が、液晶フィルムのゴム弾性の発現に寄与していると考えられる。三次元構造を有する特定セルロース誘導体は、精製性が向上する。この精製性の向上は、液晶フィルムのコレステリック液晶性の発現、及び、ゴム弾性の発現に寄与すると考えられる。
したがって本実施形態の液晶フィルムは、ゴム弾性を有し、さらにブラッグ反射の波長で配向が固定化される。さらに、機械的圧力によって、その圧力に対応する波長の反射光が得られる。

ここで、三次元構造の形成（架橋構造）の有無は、架橋前後の液晶フィルムを溶媒に溶解することで確認することができる
具体的には、架橋後の液晶フィルムは三次元構造が形成されているため、溶媒（例えばアセトン）に溶解しないが、三次元構造が形成されていない架橋前の液晶フィルム（つまり液晶材料）は溶媒に溶解する。このように溶媒に対する溶解性の有無を比較することにより、三次元構造の形成を確認することができる。
また、本実施形態の液晶フィルムは、架橋剤を用いなくても三次元構造が形成されるため、比較的簡易な方法で製造することができる。なお、架橋剤を用いてモノマー単位同士を架橋させてもよい。
また、本実施形態の液晶フィルムは、モノマー単位同士が架橋されている構造（三次元構造）を有するが、これはモノマー単位内での架橋を排除するものではない。

＜三次元構造を有するセルロース誘導体＞
三次元構造を有するセルロース誘導体は、下記一般式（２Ａ）で表される分子構造を有する。

一般式（２Ａ）中、Ｘ^２１、Ｘ^２２及びＸ^２３は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－（Ｒ^２４－Ｏ）_ｊ－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^２５－を表し、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３は、それぞれ独立に、水素原子、前記連結基を有する基、又は、疎水性基であり、Ｒ^２４及びＲ^２５は、それぞれ独立に、アルキレン基を表し、ｊは、１以上１０以下の整数を表し、ｎ２１は、２以上８００以下の整数を表す。但し、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３の少なくとも１つは、下記一般式（４Ｃ）で表されるモノマー単位同士を連結する基及び炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基の少なくとも一方を表す。

一般式（２Ａ）において、Ｘ^２１、Ｘ^２２及びＸ^２３で表されるアルキレン基としては、上記一般式（１Ａ）におけるＸ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３で表されるアルキレン基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（２Ａ）中、Ｘ^２１、Ｘ^２２及びＸ^２３で表される－（Ｒ^２４－Ｏ）_ｊ－、及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^２５－としては、前記一般式（１Ａ）における－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－と同義であり、好ましい範囲も同様である。
なお、－（Ｒ^２４－Ｏ）_ｊ－は、アルキレンオキシ基（アルキレンエーテル基）又はポリアルキレンオキシ基（ポリアルキレンエーテル基）を示す。

一般式（２Ａ）において、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３で表される疎水性基としては、前述の一般式（１Ａ）におけるＲ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３で表される疎水性基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

セルロース誘導体の合成のし易さの観点から、疎水性基としては、炭素数２～４のアシル基（直鎖、分岐のいずれも可。以下同様。）を含むことが好ましい。

一般式（２Ａ）において、ｎ２１としては、適度なゴム弾性を有する観点から、２以上８００以下であり、好ましくは２以上４００以下、より好ましくは２以上３００以下である。

一般式（２Ａ）において、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３で表される、モノマー単位同士を連結する基（以下、単に「モノマー単位同士を連結する基」とも称する）は、下記一般式（４Ｃ）で表されるモノマー単位同士を連結する基であり、一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基が、開裂することで生じる連結基である。

一般式（４Ｃ）中、Ｒ^４Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^４８は、炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基、アリール基及び炭素数３～１０のシクロアルキレン基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基を表し、＊は、モノマー単位同士が連結されたときの結合位置を表し、＊＊は、上記一般式（２Ａ）中、Ｘ^２１、Ｘ^２２、若しくはＸ^２３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。

一般式（４Ｃ）中、Ｘ^４８で表される炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基及び炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基は、一般式（１Ａ）におけるＸ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３で表される炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基及び炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

ゴム弾性により優れる観点から、Ｘ^４８は、炭素数３～２０の直鎖のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、及び炭素数２～２０の直鎖のアルキレンオキシ基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基であることが好ましく、炭素数５～１５の直鎖のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、及び炭素数４～１６の直鎖のアルキレンオキシ基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基であることがより好ましく、炭素数５～１０の直鎖のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、及び炭素数４～１２の直鎖のアルキレンオキシ基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基であることが更に好ましく、炭素数５～７の直鎖のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、及び炭素数４～８の直鎖のアルキレンオキシ基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基であることが特に好ましく、炭素数５～７の直鎖のアルキレン基、又は炭素数５～７の直鎖のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、及び炭素数４～８の直鎖のアルキレンオキシ基が連結した基であることがより一層好ましい。

以下に、一般式（４Ｃ）で表される基の一例を示す。一般式（４Ｃ）で表される基はこれらにより何ら限定されるものではない。なお、＊及び＊＊は、結合位置を表す。

ゴム弾性により優れる観点から、一般式（４Ｃ）において、Ｒ^４Ｃは、水素原子であり、Ｘ^４８は、炭素数３～２０の直鎖のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、及び炭素数２～２０の直鎖のアルキレンオキシ基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基であることが好ましく、炭素数５～１５の直鎖のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、及び炭素数４～１６の直鎖のアルキレンオキシ基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基であることがより好ましく、炭素数５～１０の直鎖のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、及び炭素数４～１２の直鎖のアルキレンオキシ基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基であることが更に好ましく、炭素数５～７の直鎖のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、及び炭素数４～８の直鎖のアルキレンオキシ基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基であることが特に好ましく、炭素数５～７の直鎖のアルキレン基、又は炭素数５～７の直鎖のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、及び炭素数４～８の直鎖のアルキレンオキシ基が連結した基であることがより一層好ましい。

適度なゴム弾性を有する観点から、モノマー単位同士を連結する基としては、下記一般式（２Ｃ）で表される基を更に含むことが好ましい。

一般式（２Ｃ）中、Ｒ^２Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^２８は、単結合、又は、直鎖若しくは分岐の炭素数１～１８のアルキレン基、炭素数３～１８のシクロアルキレン基、炭素数６～１８のアリーレン基、－Ｏ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数３～１８のシクロアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数６～１８のアレーンから３つの水素原子を除いた基及びアンモニアから３つの水素原子を除いた基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基を表し、ｐ２は、１又は２の整数を表す。
＊は、モノマー単位同士が連結されたときの結合位置を表す。＊＊は、上記一般式（２Ａ）中、Ｘ^２１、Ｘ^２２、若しくはＸ^２３と結合する部分、又は、Ｘ^２１、Ｘ^２２、若しくはＸ^２３が単結合の場合はセルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。

一般式（２Ｃ）中、Ｘ^２８で表される炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、及び、炭素数３～１８のシクロアルキレン基としては、一般式（１Ａ）におけるＸ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３で表されるアルキレン基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

一般式（２Ｃ）中、Ｘ^２８で表される炭素数６～１８のアリーレン基としては、特に制限はなく、例えば、フェニレン基、ナフタレン基が挙げられる。

Ｘ^２８について、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数３～１８のシクロアルカンから３つの水素原子を除いた基、及び炭素数６～１８のアレーンから３つの水素原子を除いた基としては、Ｘ^２８で表される、直鎖若しくは分岐の炭素数１～１８のアルキレン基、炭素数３～１８のシクロアルキレン基及び炭素数６～１８のアリーレン基からそれぞれ１つの水素原子を除いた基が挙げられる。

一般式（２Ｃ）中、Ｘ^２８で表される－Ｏ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、及び－Ｃ（＝Ｏ）－からなる群より選ばれる１つ若しくは２つ以上を連結した連結基としては、特に制限はなく、例えば、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２－Ｏ－）_２が挙げられる。

一般式（２Ｃ）中、Ｘ^２８としては、単結合、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－が好ましい。

一般式（２Ｃ）で表される基において、Ｒ^２Ｃが水素原子又はメチル基であり、Ｘ^１８が単結合であり、ｐ２が１である基は、（メタ）アクリロイル基が開裂することで生じる連結基である。

一般式（２Ｃ）において、ｐ２は、１であることが好ましい。

一般式（２Ａ）で表される分子構造を有するセルロース誘導体の好ましい態様は、一般式（２Ａ）において、疎水性基（Ｒ^２１、Ｒ^２２又はＲ^２３）が、炭素数２～４のアシル基又は炭素数５～２０のアシル基であって、連結基を有する基（Ｒ^２１、Ｒ^２２又はＲ^２３）が、一般式（２Ｃ）基で表される基（好ましくは一般式（２Ｃ）中、Ｘ^２８が、単結合、若しくは、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－である基、）及び（４Ｃ）で表される基（好ましくは、一般式（４Ｃ）中、Ｒ^４Ｃは、水素原子であり、Ｘ^４８が炭素数５～７の直鎖のアルキレン基である）であって、ｎ２１が、２以上３００以下である態様である。

一般式（２Ｃ）で表される基の好ましい態様としては、適度なゴム弾性を有する観点から、下記一般式（２Ｃ－１）～一般式（２Ｃ－６）が挙げられる。
以下に、一般式（２Ｃ）で表される基の一例を示す。一般式（２Ｃ）で表される基はこれらにより何ら限定されるものではない。なお、＊及び＊＊は、結合位置を表す。

一般式（２Ｃ－５）で表される連結基は、一般式（２Ｃ）で表される連結基において、Ｘ^２８が下記一般式（２Ｃ－７）で表される３価の連結基であり、Ｒ^２Ｃが水素原子であり、ｐ２が２である基に該当する。

上記一般式（２Ｃ）で表される連結基を有する基の中でも、適度なゴム弾性を有する観点から、一般式（２Ｃ－１）、（２Ｃ－３）、（２Ｃ－５）又は（２Ｃ－６）で表される基が好ましく、一般式（２Ｃ－１）又は一般式（２Ｃ－３）で表される基がより好ましい。

以下に、一般式（２Ａ）で表される分子構造の具体例を示す。
なお、一般式（２Ａ）で表される分子構造はこれらにより何ら限定されるものではない。式中、＊は結合位置を表す。

上記式（２－１３）～（２－１６）は、一般式（１Ａ－１）において、Ｒ^１が、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－であり、ｍ１が２であり、ｔ１が２であり、ｒ１が０である場合の例である。
上記例以外の具体例としては、ｍ１、ｔ１、及びｒ１を、それぞれ独立に０以上１０以下に置き換えた分子構造が挙げられる。

＜疎水性基の置換度＞
本実施形態の液晶フィルムにおいて、疎水性基のモノマー単位あたりの置換度（疎水性基の置換度）は、特定セルロース誘導体中の上記連結基を有する基の比率を調整し、液晶フィルムに適度なゴム弾性を付与する観点から、好ましくは１．０以上２．９以下であり、より好ましくは２．０以上２．９以下であり、さらに好ましくは２．５以上２．９以下である。
本実施形態の液晶フィルムにおける疎水性基の置換度は、上述の液晶材料における疎水性基の置換度と同様の方法により測定することができる。

（重量平均分子量）
本実施形態において、三次元構造を有する特定セルロース誘導体の重量平均分子量は、特に制限されない。

＜三次元構造を有する特定セルロース誘導体の含有量＞
三次元構造を有する特定セルロース誘導体の含有量としては、本実施形態の液晶フィルムの全質量に対して、８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、９９質量％以上であることが更に好ましい。

＜その他の成分＞
本実施形態の液晶フィルムは、本実施形態の効果を奏しない範囲内において、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、例えば、重合開始剤、架橋剤、難燃剤、相溶化剤、酸化防止剤、離型剤（剥離剤）、耐光剤、耐候剤、改質剤、帯電防止剤、加水分解防止剤等が挙げられる。重合開始剤としては、公知の重合開始剤（例えば熱重合開始剤、光重合開始剤）を用いることができる。
光重合開始剤としては、既述の液晶材料における光重合開始剤と同義であり、好ましい例も同様である。

《液晶フィルムの製造方法》
本実施形態の液晶フィルムの製造方法は、基板上に、上記実施形態の液晶材料を付与する工程（以下、「液晶材料付与工程」とも称する）と、基板上に付与された液晶材料に、熱を加える工程（以下、「熱付与工程」とも称する）又は紫外線を照射する工程（以下、「紫外線照射工程」とも称する）と、を有する。
本実施形態の液晶フィルムの製造方法では、上記工程を経ることにより、ゴム弾性を有し、ブラッグ反射が特定の波長で固定化された液晶フィルムを得ることができる。さらに、機械的圧力を加えることによって、その圧力に対応する波長の反射光が得られる液晶フィルムを製造することができる。

（液晶材料付与工程）
液晶材料付与工程は、基板上に、上記実施形態の液晶材料を付与する工程である。
基板としては特に制限されず、目的に応じて通常用いられるものから適宜選択することができる。基板としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板（例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板、ポリカーボネート（ＰＣ）基板、ポリイミド（ＰＩ）基板等）、アルミ基板やステンレス基板等の金属基板、シリコン基板等の半導体基板等を用いることができる。
基板の厚さ、形状は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することが好ましい。
基板上への液晶材料の付与方法としては、例えば、スピンコート法、ディップ法、スプレー法等の塗布法；インクジェット法；スクリーン印刷法；減圧注入法等の注入法；等が挙げられる。
液晶材料の形態は、固形状（例えば粉末）であっても液状であってもよい。
液晶材料が固形状である場合は、使用する際に溶媒と混合して液状にすればよく、液晶材料が基板上に付与できる程度の液状を有する場合は、そのまま用いてもよいし、溶媒と混合して使用しやすい粘度に調整したものを用いてもよい。
なお、基板に付与される上記液晶材料は、その他の成分を含んでもよい。その他の成分としては、既述のその他の成分（例えば重合開始剤、剥離剤）と同様のものが挙げられる。
溶媒としては特に制限されず、例えば、既述の特定セルロース誘導体の合成方法の項で例示した溶媒を用いることができる。

（熱付与工程）
熱付与工程は、基板上に付与された液晶材料に、熱を加え、液晶材料を硬化させる工程である。上記熱付与工程により、架橋前の特定セルロース誘導体が有していた不飽和二重結合が開裂してモノマー単位同士が連結基を介して連結（架橋）され、結果、ゴム弾性が発現される。またブラッグ反射の波長で配向が固定化される。
熱付与方法としては特に制限されず、例えば公知の加熱装置（オーブン、赤外線ヒーター、ホットプレート）を用いて熱を加える方法が挙げられる。
液晶材料に熱を付与する際の温度は、適度なゴム弾性を有する観点、及び、ブラッグ反射の波長で配向を固定化する観点から、好ましくは２５℃以上１３０℃以下、より好ましくは２５℃以上１２０℃以下、さらに好ましくは２５℃以上１１０℃以下である。なお、液晶材料に熱を付与する際の温度は、液晶材料が上記範囲になるように制御される。
なお、熱付与工程では、熱付与条件（温度、加熱時間等）を制御することにより、ブラッグ反射の波長で配向が固定化されやすくなる。

（紫外線照射工程）
紫外線照射工程は、基板上に付与された液晶材料に、紫外線を照射し、液晶材料を硬化させる工程である。上記紫外線照射工程により、架橋前の特定セルロース誘導体が有していた不飽和二重結合が開裂してモノマー単位同士が連結基を介して連結（架橋）され、結果、ゴム弾性が発現される。またブラッグ反射の波長で配向が固定化される。
液晶材料に紫外線を照射する際の温度（以下、「ＵＶ照射温度」とも称する）は、好ましくは２５℃以上１３０℃以下、より好ましくは２５℃以上１２０℃以下、さらに好ましくは２５℃以上１１０℃以下である。なお、液晶材料に紫外線を照射する際の温度は、液晶材料が上記範囲になるように制御される。

また、紫外線の照射強度（ＵＶ照度）（以下、「ＵＶ照射強度」とも称する）は、好ましくは１ｍＷ／ｃｍ^２以上２０ｍＷ／ｃｍ^２以下、より好ましくは５ｍＷ／ｃｍ^２以上２０ｍＷ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは１０ｍＷ／ｃｍ^２以上２０ｍＷ／ｃｍ^２以下である。
紫外線照射工程では、ＵＶ照射温度とＵＶ照射強度とを組み合わせて制御することによって、異なるブラッグ反射で配向が固定化された液晶フィルムが得られる。
また、紫外線の照射時間は、好ましくは５分～１０時間であり、より好ましくは１０分～５時間であり、さらに好ましくは２０分～２時間である。

より詳細には、ＵＶ照射温度を上記範囲に制御することによって、特定セルロース誘導体のサーモトロピックコレステリック液晶性が発現され、目的とする色に調整しやすくなり、所望の色が得られやすくなる。そして、ＵＶ照射温度を上記範囲に制御した上で、さらにＵＶ照射強度を上記範囲に制御することによって、ＵＶ照射温度によって得られた色が固定化される。
したがって、上記紫外線照射工程では、ＵＶ照射温度及びＵＶ照射強度（好ましくはＵＶ照射時間）を共に制御することによって、目的とする箇所に目的とする色を呈する多色からなる液晶フィルムが得られる。
なお、このような多色からなる液晶フィルム（つまり異なるブラッグ反射での配向が固定化されたフィルム）は、例えばフォトマスクを用いることで容易に得ることができる。詳細は後述する。

（配向膜形成工程）
本実施形態の液晶フィルムの製造方法は、基板上に配向膜を形成する工程（配向膜形成工程）を有してもよい。
本実施形態の液晶フィルムの製造方法は、上記液晶材料付与工程の前に配向膜形成工程を有してもよい。配向膜を形成することにより、熱付与工程又は紫外線照射工程において、ブラッグ反射の波長での配向の固定化が容易に行える。なお、配向膜にラビング処理を施すことが好ましい。
以上の工程を経て、本実施形態の液晶フィルムが得られる。

液晶フィルムの厚さは特に制限されないが、好ましくは５０μｍ以上２０００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以上１５００μｍ以下、さらに好ましくは２００μｍ以上１０００μｍ以下である。
なお、液晶フィルムは、基板から剥離して用いてもよいし、基板上に形成したまま用いてもよい。

ここで、異なるブラッグ反射の波長で配向が固定化された液晶フィルムの製造方法の一例について図１（Ａ）、図１（Ｂ）を参照しながら説明する。ここでは、Ｔ字形状に加工されたフォトマスク（ネガティブフォトレジスト使用）を用いて液晶フィルムを製造する方法について説明する。
図１（Ａ）に示すように、第１の基板１２上に配向膜（不図示）を形成し、配向膜にラビング処理を施す。同様にして、第２の基板１４上に配向膜（不図示）を形成し、必要に応じて配向膜にラビング処理を施す。次に、配向膜が形成された第１の基板１２及び第２の基板１４の間に、スペーサー（不図示）を介して、液晶材料１８を注入する。これにより、液晶セル１０を得る。液晶セル１０は、配向膜付き第１の基板１２及び配向膜付き第２の基板１４と、これらの基板の間にスペーサー（不図示）を介して設けられた液晶材料１８とで構成される。

次に、液晶セル１０の上方にＴ字形状に切り抜かれたフォトマスク１６を配置し、配向膜が形成された第１の基板１２の側から、液晶セル１０（液晶材料）の温度が第１の温度（図１（Ａ）中、Ｘ℃：例えば１０５℃）となるように液晶セル１０を加熱する。その後、液晶セル１０に対し、紫外線をフォトマスク１６の開口部（Ｔ字形状）を通過させて所定の照射強度で所定時間照射する（第１のＵＶ照射）。これにより、第１の温度で第１のＵＶ照射が行われた液晶材料の部分の配向が第１のブラッグ反射で固定化される。
次に、フォトマスク１６を外し、液晶セル１０を、第１の温度（Ｘ℃）よりも低い第２の温度（図１（Ｂ）中、Ｙ℃：例えば９５℃）まで冷却し、第２の温度を維持する。その後、第２の温度を保ったまま紫外線を液晶セル１０全体に所定の照射強度で所定時間照射する（第２のＵＶ照射）。これにより、第２の温度で第２のＵＶ照射が行われた液晶材料の部分の配向が第２のブラッグ反射で固定化される。

以上の工程を経て、異なるブラッグ反射で配向が固定化された液晶フィルム２０、及び、液晶フィルム２０を備える液晶セル１０Ａが得られる。液晶セル１０Ａは、配向膜付き第１の基板１２及び配向膜付き第２の基板１４と、これらの基板の間にスペーサー（不図示）を介して設けられた上記液晶フィルム２０とで構成される。
なお、紫外線を照射する際の液晶セル（液晶材料）の温度は、第１の温度（図１（Ａ）中、Ｘ℃）を第２の温度（図１（Ｂ）中、Ｙ℃）よりも高くすることが好ましい。これにより、異なるブラッグ反射で配向を固定化しやすくなる。なお、第１の温度を第２の温度より低くしてもよい（Ｘ℃＜Ｙ℃）。また、配向膜は形成しなくてもよい。

[液晶フィルムの用途]
本実施形態の液晶フィルムは、例えば、偏光フィルム、位相差フィルム、バックライト、反射防止フィルム、光拡散フィルム、輝度向上フィルム、防眩フィルム等の光学フィルム；物体の歪み、伸縮、振動、衝撃等に起因する変形を、反射の波長（好ましくは反射色）によって検出するセンサー（圧力センサー、歪みセンサー、伸縮センサー、振動センサー、衝撃センサー等）；脈波、呼吸、心弾動等の生体情報を、反射の波長（好ましくは反射色）によって検出するウェアラブルセンサー；上記光学フィルムを利用した光学素子；前記以外の光学素子；液晶表示素子；等に搭載して利用することができる。
本実施形態の液晶フィルムは、ゴム弾性を有し、機械的圧力を加えることによって、機械的圧力に対応する波長の反射光を得ることができるので、反射の波長（好ましくは反射色）によって機械的圧力を検出できるセンサー、又は、機械的圧力を加えることによって反射光が得られる光学素子に搭載して利用することが好ましい。

＜センサー＞
本実施形態のセンサーは、上記実施形態の液晶フィルムを備える。
センサーとしては、例えば、上記で例示した各種センサーが挙げられる。

＜歪みセンサー＞
本実施形態のセンサーは、物体の歪みを検出する歪みセンサーであることが好ましい。
本実施形態の歪みセンサーは、上記実施形態の液晶フィルムを備えるため、物体の歪みに起因する変形を、反射の波長（好ましくは反射色）によって検出することができる。
例えば本実施形態の歪みセンサーを、歪みが生じやすい物体（例えば、橋梁、建物等の構造物）の箇所に予め設置しておくことによって、物体の歪みの程度を検出することができる。また、その歪み（変形）に起因する機械的圧力を可視的に、すなわち反射の波長（好ましくは反射色）によって検出することができる。

＜ウェアラブルセンサー＞
本実施形態のセンサーは、生体情報を検出するウェアラブルセンサーであることが好ましい。ウェアラブルセンサーとは、身につけて使用できる比較的小型のセンサーのことである。
本実施形態のウェアラブルセンサーは、上記実施形態の液晶フィルムを備えるため、生体情報を、反射の波長（好ましくは反射色）によって検出することができる。
例えば本実施形態の歪みセンサーを、生体情報を取得したい箇所に直接（例えば肌に）貼り付ける若しくは装着する、又は、衣類、下着、靴下、手袋、ネクタイ、ハンカチ、マフラー、時計、メガネ、靴、スリッパ、帽子等に貼り付ける若しくは装着することによって、生体情報（脈波、呼吸、心弾動、体動（筋肉の動き等）など）を可視的に、すなわち反射の波長（好ましくは反射色）によって取得することができる。

＜光学素子＞
本実施形態の光学素子は、上記実施形態の液晶フィルムを備える。
本実施形態の光学素子を、例えば人為的に機械的圧力を加える、又は、自然に機械的圧力がかかる箇所に予め設置することにより、その応力に対応する異なる反射光が得られる。このような光学素子の用途としては、玩具、非常用光源、インテリア（置物、棚等）、建築部材（床、壁、階段等）、食器、容器等が挙げられる。

本発明の液晶材料及び液晶フィルムは、液晶表示素子の表示材料に使用し得るだけでなく、フォトニックデバイス（液晶性を利用した各種センサー（歪みセンサー、ウェアラブルセンサー等）、光学素子等）にも利用することができる。このため、液晶表示素子の表示材料及びフォトニックデバイスに用いられる部品の製造、並びに、これらの販売に貢献するものである。

以下に本発明を実施例により説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り「％」はすべて質量基準である。「ｗｔ％」は質量％を意味する。

（実施例１－１）
＜液晶材料１－１作製＞
下記のスキームに準じて、ＨＰＣ誘導体１－１（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＰｒＥ）を合成した。

後述の実施例２－１において、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量:５．０×１０^４）を用い、最初に添加する試薬を、塩化１０－ウンデセノイル（東京化成工業（株）製、製品番号；Ｕ０００８）２．４ｍＬ(１１ｍｍｏｌ)と、塩化プロピオニル（東京化成工業（株）製）１３ｍＬ(１５０ｍｍｏｌ)に変更したこと以外は、実施例２－１と同様にしてＨＰＣ誘導体１－１を合成した。得られたＨＰＣ誘導体１－１を液晶材料１－１とした。

液晶材料１－１について、それぞれ^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定し（図示せず）、帰属したピークをもとに、不飽和二重結合を有する基への置換度及び疎水性基への置換度を算出した。
液晶材料１－１は、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）が、ウンデセノイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度が１．３３であり、プロピオニル基（疎水性基）への置換度が１．６２（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＰｒＥ（ＵｎｄＥ：ＰｒＥ＝１．３３:１．６２）であった。

（比較例１－２）
＜液晶材料１－２の作製＞
下記のスキームに準じて、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量:５．０×１０^４）を用い、ＨＰＣ誘導体１－２（ＨＰＣ－ＡｃＥ／ＰｒＥ）を合成した。

後述の実施例２－１において、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量:５．０×１０^４）を用い、最初に添加する試薬を塩化アクリロイル２．４ｍＬ(１１ｍｍｏｌ)と、塩化プロピオニル（東京化成工業（株）製）１３ｍＬ(１５０ｍｍｏｌ)とに変更したこと以外は、実施例２－１と同様にしてＨＰＣ誘導体１－２を合成した。得られたＨＰＣ誘導体１－２を液晶材料１－２とした。

液晶材料１－２について、それぞれ^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定し（図示せず）、帰属したピークをもとに、不飽和二重結合を有する基への置換度及び疎水性基への置換度を算出した。
液晶材料１－２は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．５５であり、プロピオニル基（疎水性基）への置換度は２．２４（ＨＰＣ－ＡｃＥ／ＰｒＥ（ＡｃＥ：ＰｒＥ＝０．５５:２．２４））であった。

（比較例１－３）
＜液晶材料１－３の作製＞
下記のスキームに準じて、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量:５．０×１０^４）を用い、ＨＰＣ誘導体１－３（ＨＰＣ－ＰｒＥ）を合成した。

後述の実施例２－１において、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量:５．０×１０^４））を用い、最初に添加する試薬を塩化プロピオニル１３ｍＬ(１５０ｍｍｏｌ)に変更した以外は、実施例２－１と同様にして、ＨＰＣ誘導体１－３（以下、「ＨＰＣ－ＰｒＥ」とも称する。）を合成した。これを液晶材料１－３とした。

液晶材料１－３について、^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定し（図示せず）、帰属したピークをもとに、疎水性基への置換度を算出した。
液晶材料１－３は、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）が、プロピオニル基（疎水性基）への置換度が２．９８（ＨＰＣ－ＰｒＥ（ＰｒＥ＝２．９８））であった。

[評価]
－液晶材料の粘弾性－
上記で作製した液晶材料１－１～１－３の２５℃における粘度を、レオメーター（製品名；ＭＣＲ１０２、（株）アントンパール・ジャパン製、使用治具：パラレルプレート直径８ｍｍ、温度コントローラー：ペルチェ温調ステージ）を用いて測定し、角周波数に対する複素粘度、貯蔵弾性率及び損失弾性率を求めた。結果を図２に示す。また、図３に液晶材料１－１～１－３の角周波数に対する損失正接をプロットした結果を示す。
損失正接の値が大きいほど、液晶材料が流動性を有していること、すなわち粘弾性を低減していることを示す。

図３に示すとおり、角周波数の小さい領域においては、実施例である液晶材料１－１（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ/ＰｒＥ）の損失正接が最も小さかった。これは、角周波数の小さい領域において、液晶材料１－１（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ/ＰｒＥ）の粘度の低さから、ＨＰＣポリマーネットワークが配向し、コレステリック液晶の分子らせん構造を自己組織的に形成し、その結果として、流動性が低下したと推察される。
一方で、角周波数の大きい領域においては、実施例である液晶材料１－１（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ/ＰｒＥ）の損失正接が最も大きかった。
ＨＰＣ誘導体にせん断等の外力を加えた場合、実施例である液晶材料１－１（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ/ＰｒＥ）は最も高い流動性を示していた。
ＨＰＣ側鎖に置換している不飽和二重結合を有する基がウンデセノイル基である液晶材料１－１は、比較例である液晶材料１－２及び１－３と比べて、高い流動性を示すため、ハンドリングが容易で、かつ、容易に配向処理できることが分かる。

（実施例２－１）
＜液晶材料２－１の作製＞
下記のスキームに準じて、ＨＰＣ誘導体２－１を合成した。

減圧下、室温（２５℃）で２４時間以上乾燥した中分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース６．０～１０．０、製品番号；０８６－０７９４５、重量平均分子量:１．５×１０^５）６．２ｇ(１６ｍｍｏｌ)を、窒素充填させたフラスコ内で、超脱水アセトン３０ｍＬに溶解させたのち、アルミホイルで遮光した状態で、室温（２５℃）条件下で、末端に不飽和２重結合を有し長鎖炭化水素基の酸塩化物である塩化１０－ウンデセノイル（東京化成工業（株）製、製品番号；Ｕ０００８））２．５ｍＬ(１２ｍｍｏｌ)、及び、塩化アクリロイル（（東京化成工業（株）製、Ａ０１４７））０．５７ｍＬ(７．０ｍｍｏｌ)を加え２４時間撹拌した。
次に、塩化プロピオニル１３ｍＬ(１５０ｍｍｏｌ)を加え２４時間撹拌した後、反応溶液を超純水に滴下させた。特級アセトンに再溶解させて、超純水への滴下による洗浄操作を３回以上繰り返した後、１日以上減圧乾燥することにより生成物であるＨＰＣ誘導体２－１を（以下、「ＨＰＣ－ＵｎｄＥ/ＡｃＥ/ＰｒＥ」とも称する。）得た。これを液晶材料２－１とした。収量は、６．０ｇであった。
また、既述の方法により、ＨＰＣ－ＵｎｄＥ/ＡｃＥ/ＰｒＥの重量平均分子量を測定した結果、重量平均分子量は、１.５×１０^５であった。

（^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定）
上記で合成した液晶材料２－１の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定した。
本発明に係るＨＰＣ誘導体２－１に由来するピーク（具体的にはＨＰＣ－ＵｎｄＥ/ＡｃＥ/ＰｒＥ由来）のピークとして、５ｐｐｍ付近のピークは、それぞれビニル基（図４の（ａ））の二重結合につくプロトンのピークであり、５．２ｐｐｍ付近のピークは、末端のヒドロキシプロピル基のメチン基及びウンデセノイル基末端のプロトンのピークである。１．０ｐｐｍ～２．５ｐｐｍ付近のピークは、ウンデセノイル基及びプロピオニル基のメチレン基（図４の（ｂ）及び（ｃ））、β－グルコースモノマーユニットにあるプロトン、側鎖のヒドロキシプロピル基が有するメチン基のプロトンである。

液晶材料２－１は、一般式（１Ａ）において、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立に、アクリロイル基、ウンデセノイル基又はプロピオニル基であり、Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３は、それぞれ独立に、単結合又は（－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－Ｏ－）_ｈ（但し、ｈは、０以上１０以下の整数である）であり、ｎ１１が７０である分子構造を有する。

（不飽和二重結合を有する基の置換度及び疎水性基を有する基の置換度）
帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、ウンデセノイル基又はアクリロイル基）への置換度及び疎水性基（すなわち、プロピオニル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体２－１は、ウンデセノイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．６１であり、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．１３あり、プロピオニル基（疎水性基）への置換度は２．２２（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ/ＡｃＥ/ＰｒＥ（ＵｎｄＥ：ＡｃＥ：ＰｒＥ＝０．６１：０．１３：２．２２））であった。

＜液晶フィルム２－１の作製＞
液晶配向膜として２．０ｗｔ％のポリビニルアルコール(ＰＶＡ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、Ｍ_Ｗ：１．３×１０^４～２．３×１０^４、加水分解度（ｈｙｄｒｏｌｙｚｅｄ)：８７％～８９％）水溶液を調製した。スピンコーター(Ａｃｔｉｖｅ社製:ＡＣＴ－２２０Ｄ ＩＩ)を用いて、市販のスライドガラス（基板）に上記ＰＶＡ水溶液を８００ｒｐｍで１０秒間、続けて１８００ｒｐｍで２０秒間スピン塗布し、ＰＶＡ塗布基板を得た。
その後、キュプラで巻いた棒を用いてＰＶＡ塗布基板を１軸方向に５０回擦り、ラビング処理を施した。
さらに、剥離操作に備えて、剥離剤を５００ｒｐｍで１０秒間スピン塗布し、約８０℃のホットステージ上で３分程度熱処理した。これにより、ラビング処理及び剥離処理が施されたＰＶＡガラス基板（以下、「ラビング・剥離処理ＰＶＡガラス基板」とも称する。）を得た。
なお、ラビング・剥離処理ＰＶＡガラス基板は計２枚作製した。

室温（２５℃）で、２枚のラビング・剥離処理ＰＶＡガラス基板の間に約６８０μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）スペーサーとともに液晶材料１を挟んだ。
さらに、ずり配向処理を施し、４時間以上静置させた後、液晶セル２－１をホットステージ（メトラートレード社製）上で特定の温度まで加熱し、２０分程度放置した。

上記で作製した液晶セル２－１に、水銀キセノンランプを光源とし、光学フィルター(ＵＶ－３５／ＵＶ－Ｄ３６Ａ)を介して３６５ｎｍ付近（９．５ｍＷ）の紫外線を、３０℃で、２時間以上照射した。その後、液晶セルの隙間にピンセットを差し込み、ゆっくりと引き上げて膜を剥離し、液晶フィルム２－１を得た。

－液晶材料及び液晶フィルムの光学特性－
＜ＦＴ－ＩＲスペクトルの測定＞
実施例２で得た液晶材料２－１（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ/ＡｃＥ/ＰｒＥ）を用いて、ＦＴ－ＩＲ（赤外全反射吸収測定法：ＡＴＲ法）により、ＦＴ－ＩＲスペクトルを測定した。結果を図５に示す。図５は実施例２－１のＦＴ－ＩＲスペクトルである。
図５に示すように、１７３０ｃｍ^－１付近にＣ＝Ｏ伸縮振動のピークが強く表れた。また、３３００ｃｍ^－１～３６００ｃｍ^－１付近のＯＨ伸縮振動のピークが減少した。したがって、実施例２の液晶材料２－１（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ/ＡｃＥ/ＰｒＥ）は、アクリロイル基、プロピオニル基及びウンデセノイル基への置換度が十分であることが確認された。

[評価]
－圧縮時における波長のシフト変化－
上記で作製した液晶フィルム２－１（エラストマー膜）の反射スペクトルを以下の条件で測定した。作製した液晶フィルム２－１の膜厚をノギスを用いて測った後、自作の圧縮チューニングセルを用いて３０μｍずつ液晶フィルム２－１を厚み方向へ圧縮した。小型ファイバマルチチャンネル分光器（Ｏｃｅａｎ Ｏｐｔｉｃｓ社製、型番；ＵＳＢ－４０００）を用いて、３０μｍ毎に透過スペクトルを測定することで、圧縮時における波長のシフト変化を測定した。その結果を図６に示す。
なお、液晶フィルム２－１の膜厚は７１０μｍであった。

－圧力応答性－
液晶フィルム２－１に機械的圧力を加えたときの圧縮率（すなわち、膜厚減少率）に対する、機械的圧力による圧縮前の波長（λ_０）に対する圧縮後の波長（λ）の比（以下、「規格化したブラッグ反射波長」とも称する。）及び、後述の液晶フィルム２－２～２－４の規格化したブラッグ反射波長をそれぞれプロットして、回帰直線を求めた（図１０）。 回帰直線より得られたそれぞれの傾きの値を表１に示す。
回帰直線の傾きが１に近いほど圧力応答性に優れ、機械的圧力に対する反射光の波長のシフト変化が大きいことが分かる。

（実施例２－２）
実施例２－１において、液晶セルの紫外線照射時の温度を４０℃に変更した以外は、実施例２－１と同様の方法で液晶材料２－２及び液晶フィルム２－２を作製し、同様の評価を行った。結果を図７に示す。
なお、液晶フィルム２－２の膜厚は６４０μｍであった。

（実施例２－３）
実施例２－１おいて、液晶セルの紫外線照射時の温度を６０℃に変更した以外は、実施例２－１と同様の方法で液晶材料２－３及び液晶フィルム２－３を作製し、同様の評価を行った。結果を図８に示す。
なお、液晶フィルム２－３の膜厚は７００μｍであった。

（実施例２－４）
実施例２－１おいて、液晶セルの紫外線照射時の温度を７０℃に変更した以外は、実施例２－１と同様の方法で液晶材料２－４及び液晶フィルム２－４を作製し、同様の評価を行った。結果を図９に示す。
なお、液晶フィルム２－４の膜厚は６７０μｍであった。

（実施例３）
＜液晶材料３の作製＞
下記のスキームに準じて、ＨＰＣ誘導体３を合成した。

実施例２－１において、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量；５．０×１０^４）４．５ｇ(１０ｍｍｏｌ)を用い、超脱水アセトンの量を２２ｍＬ、最初に加えた試薬をカレンズＡＯＩ（２－アクリロイルオキシエチルイソシアナート）２．１ｍＬ(１７ｍｍｏｌ)、２４時間撹拌後に加えた試薬として、不飽和２重結合を持たない長鎖炭化水素基の酸塩化物である塩化デカノイル３．４ｍＬ(１７ｍｍｏｌ)及び塩化ブチリル９．４ｍＬ(８３ｍｍｏｌ)に変更した以外は、実施例２－１と同様にして、ＨＰＣ誘導体３（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＣ／ＤｅｃＥ／ＢｕＥ」とも称する。）を得た。これを液晶材料３とした。
なお収量は３．０ｇであった。

（^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定）
上記で合成したＨＰＣ誘導体３の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定した。
本発明に係るＨＰＣ誘導体３に由来するピーク（具体的にはＨＰＣ－ＡｃＣ/ＤｅｃＥ/ＢｕＥ由来のピーク）として、５．８ｐｐｍ、６．１ｐｐｍ及び６．４ｐｐｍ付近のピークは、それぞれアクリロイル基の二重結合につくプロトンのピークであり、４．７ｐｐｍ～５．２ｐｐｍ付近のピークは、末端のヒドロキシプロピル基のメチン基のプロトンのピークである（図１１の（ａ））。２．７ｐｐｍ～４．５ｐｐｍ付近のピークは、β－グルコースモノマーユニットにあるプロトンのピーク、アクリロイル基とカルバメート結合との間のエチレン基のプロトンのピークである。２．３ｐｐｍ付近のピークは、デカノイル基及びブチリル基におけるエステル結合に隣接するメチレン基の有するプロトンのピークである（図１１の（ｂ））。０．９ｐｐｍ～１．４ｐｐｍ付近のピークは、デカノイル基のメチル基及び末端側の６つメチレン基の有するプロトンのピーク、並びに、ブチリル基のメチル基の有するプロトンのピークである（図１１の（ｃ））。

ＨＰＣ誘導体３は、一般式（１Ａ）において、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立に、アクリロイル基、デカノイル基又はブチリル基であり、Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３は、それぞれ独立に、単結合又は（－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－Ｏ－）_ｈ（但し、ｈは、０以上１０以下の整数である）であり、ｎ１１が７０である分子構造を有するＨＰＣ誘導体３である。

帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイル基）への置換度及び疎水性基（すなわち、デカノイル基及びブチリル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体３は、デカノイル基（疎水性基）への置換度は０．５３であり、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．１４あり、ブチリル基（疎水性基）への置換度は２．３３（ＨＰＣ－ＡｃＣ／ＤｅｃＥ／ＢｕＥ（ＡｃＣ：ＤｅｃＥ：ＢｕＥ＝０．１４：０．５３：２．３３））であった。

また調製した液晶材料３を用いて、実施例２－１において液晶セルの紫外線照射時の温度を２５℃に変更した以外は、実施例２－１と同様の方法でと同様にして液晶セル３及び液晶フィルム３を作製し、同様の評価を行った。得られた結果を図１２、１３及び１４に示す。なお、液晶フィルム３の膜厚は６８０μｍであった。
図１２は実施例３のＦＴ－ＩＲスペクトルである。

上記で作製した液晶フィルム３の規格化したブラッグ反射波長をプロットし、回帰直線を求めた（図１４）。回帰直線よりえられた傾きの値を表１に示す。

上記で作製した各液晶フィルム２－１、２－２、２－３、２－４及び液晶フィルム３について、液晶フィルムを固定化したときの温度（℃）、膜厚（μｍ）及び回帰直線の傾きを表１に示す。

表１に示すように、液晶材料２－１～２－４より作製された液晶フィルムは、サーモトロピックコレステリック液晶性を示し、かつ、機械的圧力に対する反射光の波長のシフト変化が大きいことがわかる。
４０℃で固定化した液晶フィルム２－２は、特に優れた圧力応答性を示した。
ＨＰＣ側鎖に導入した不飽和二重結合を有していない炭素数５以上のデカノイル基を有する液晶フィルム３では、紫外線照射によってアクリロイル基の架橋反応が進み、さらには、圧縮応答性を示すことわかる。

（実施例４－１）
＜液晶材料４－１の作製＞
実施例２－１において、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量:５．０×１０^４）を用いて、添加する試薬を塩化１０－ウンデセノイル（東京化成工業（株）製、製品番号；Ｕ０００８）２．０ｍＬ（９．６ｍｍｏｌ）及び塩化ブチリル（東京化成工業（株）製）１４．６ｍＬ（１４０ｍｍｏｌ）に変更したこと以外は、実施例２－１と同様にして、ＨＰＣ誘導体４－１（以下、「ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥ」とも称する。）を得た。なお、ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥの収量は、３．０ｇであった。

ＨＰＣ誘導体４－１は、一般式（１Ａ）において、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立に、ウンデセノイル基又はブチリル基であり、Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３は、それぞれ独立に、単結合又は（－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－Ｏ－）_ｈ（但し、ｈは、０以上１０以下の整数である）であり、ｎ１１が７０である分子構造を有するＨＰＣ誘導体４－１である。

ＨＰＣ誘導体４－１の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定し（図示せず）、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、ウンデセノイル基）への置換度及び疎水性基（すなわち、ブチリル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体４－１は、ウンデセノイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．３６であり、ブチリル基（疎水性基）への置換度は２．６２（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥ（ＵｎｄＥ：ＢｕＥ＝０．３６:２．６２））であった。

ＨＰＣ誘導体４－１に、液晶材料の全質量に対して、１質量％になるように光重合開始剤として2-Hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1-one（ＨＭＰＰ）（東京化成工業(株)製、製品番号；Ｈ０９９１）を加え撹拌した。これを液晶材料４－１とした。
ついで、市販のスライドガラス（基板）の上に２ｗｔ％のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を８００ｒｐｍで１０秒間スピン塗布した後、液晶フィルム２－１の作製と同様にラビング処理を施し、ラビング・剥離処理ＰＶＡガラス基板を作製した。
その基板の上に、更に剥離剤を８００ｒｐｍで１０秒間スピン塗布した２枚のガラス基板の間に、液晶フィルム２－１の作製と同様に、上記で調製したＨＭＰＰを含む液晶材料４－１を挟み込み、液晶セル４－１を作製した。
液晶セル４－１に紫外線を照射した後、液晶エラストマー膜をガラス基板から剥離し液晶フィルム４－１を得た。
なお、液晶フィル４－１の膜厚は約５００μｍであった。

得られた液晶フィルム４－１について、実施例２－１と同様にして評価を行った。得られた結果を図１５及び図１６に示す。

（実施例４－２）
＜液晶材料４－２の作製＞
実施例２－１において、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量:５．０×１０^４）を用いて、添加する試薬を塩化１０－ウンデセノイル（東京化成工業（株）製、製品番号；Ｕ０００８）３．０ｍＬ（１５ｍｍｏｌ）及び塩化ブチリル（東京化成工業（株）製）１４．１ｍＬ（１３５ｍｍｏｌ）に変更したこと以外は、実施例２－１と同様にして、ＨＰＣ誘導体４－２（以下、「ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥ」とも称する。）を得た。
なお、ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥの収量は２．５ｇであった。

ＨＰＣ誘導体４－２の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定し（図示せず）、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、ウンデセノイル基）への置換度及び疎水性基（すなわち、ブチリル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体４－２は、ウンデセノイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．４３であり、ブチリル基（疎水性基）への置換度は２．５４（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥ（ＵｎｄＥ：ＢｕＥ＝０．４３：２．５４））であった。

ＨＰＣ誘導体４－２に、光重合開始剤としてＨＭＰＰを液晶材料の全質量に対して、１質量％になるように加え撹拌した。これを液晶材料４－２とした。

実施例４－１において、ＨＰＣ誘導体４－１の代わりに液晶材料４－２を用いた以外は、実施例４－１と同様にして、液晶セル４－２及び液晶フィルム４－２を作製し、実施例２－１と同様にして評価を行った。得られた結果を図１６及び図１７に示す。
なお、液晶フィルム４－２の膜厚は約５００μｍであった。

（実施例５－１）
＜液晶材料５－１の作製＞
実施例２－１において、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量:５．０×１０^４）を用いて、添加する試薬を塩化１０－ウンデセノイル（東京化成工業（株）製、製品番号；Ｕ０００８）３．０ｍＬ（１５ｍｍｏｌ）及び塩化プロピオニル（東京化成工業（株）製）１１．８ｍＬ（１３５ｍｍｏｌ）に変更したこと以外は、実施例２－１と同様にして、ＨＰＣ誘導体５－１（以下、「ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＰｒＥ」とも称する。）を得た。
なお、ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＰｒＥの収量は３．０ｇであった。

ＨＰＣ誘導体５－１の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定し（図示せず）、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、ウンデセノイル基）への置換度及び疎水性基（すなわち、プロピオニル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体５－１は、ウンデセノイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．４３であり、プロピオニル基（疎水性基）への置換度は２．５５（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＰｒＥ（ＵｎｄＥ：ＰｒＥ＝０．４３：２．５５））であった。

ＨＰＣ誘導体５－１に、光重合開始剤としてＨＭＰＰを液晶材料の全質量に対して、１質量％になるように加え撹拌した。これを液晶材料５－１とした。

実施例４－１において、ＨＰＣ誘導体４－１の代わりにＨＰＣ誘導体５－１を用いた以外は、実施例４－１と同様にして、液晶セル５－１及び液晶フィルム５－１を作製し、実施例２－１と同様にして評価を行った。得られた結果を図１８及び図１９に示す。
なお、液晶フィルム５－１の膜厚は約５００μｍであった。

（実施例５－２）
＜液晶材料５－２の作製＞
実施例２－１において、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量:５．０×１０^４）を用いて、最初に添加する試薬を塩化１０－ウンデセノイル（東京化成工業（株）製、製品番号；Ｕ０００８）６．０ｍＬ（３０ｍｍｏｌ）及び塩化プロピオニル（東京化成工業（株）製）１０．６ｍＬ（１２０ｍｍｏｌ）に変更したこと以外は、実施例２－１と同様にして、ＨＰＣ誘導体５－２（以下、「ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＰｒＥ」とも称する。）を得た。なお、ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＰｒＥの収量は２．５ｇであった。

ＨＰＣ誘導体５－２の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定し（図示せず）、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、ウンデセノイル基）への置換度及び疎水性基（すなわち、プロピオニル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体５－２は、ウンデセノイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．９４であり、プロピオニル基（疎水性基）への置換度は２．０５（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＰｒＥ（ＵｎｄＥ：ＰｒＥ＝０．９４：２．０５））であった。

ＨＰＣ誘導体５－２に、光重合開始剤としてＨＭＰＰを液晶材料の全質量に対して、１質量％になるように加え撹拌した。これを液晶材料５－２とした。

実施例４－１において、ＨＰＣ誘導体４－１の代わりにＨＰＣ誘導体５－２を用いた以外は、実施例４－１と同様にして、液晶セル５－２及び液晶フィルム５－２を作製し、実施例２－１と同様にして評価を行った。得られた結果を図１９及び図２０に示す。
なお、液晶フィルム５－２の膜厚は約５００μｍであった。

（実施例６）
＜液晶材料６－１及び６－２の作製＞
実施例４－１と同様にして、添加する試薬を塩化１０－ウンデセノイル（東京化成工業（株）製、製品番号；Ｕ０００８）１．５ｍＬ（７．３ｍｍｏｌ）及び塩化ブチリル（東京化成工業（株）製）１４．６ｍＬ（１４０ｍｍｏｌ）に変更したこと以外は実施例４－１と同様にして、ＨＰＣ誘導体６－１（以下、「ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥ」とも称する。）を合成した。なお、ＨＰＣ誘導体６－１の収量は３．０ｇであった。
また、実施例４－１と同様にして、ＨＰＣ誘導体６－２（以下、「ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥ」とも称する。）を合成した。なお、ＨＰＣ誘導体６－２の収量は３．０ｇであった。
ＨＰＣ誘導体６－１及び６－２の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定し（図示せず）、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、ウンデセノイル基）への置換度及び疎水性基（すなわち、ブチリル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体６－１は、ウンデセノイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．２７であり、ブチリル基（疎水性基）への置換度は２．６７（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥ（ＵｎｄＥ：ＢｕＥ＝０．２７：２．６７））であった。これを液晶材料６－１とした。

ＨＰＣ誘導体６－２は、ウンデセノイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．３６であり、ブチリル基（疎水性基）への置換度は２．６４（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥ（ＵｎｄＥ：ＢｕＥ＝０．３６：２．６４））であった。これを液晶材料６－２とした。

実施例４－１において、ＨＰＣ誘導体４－１の代わりにＨＰＣ誘導体６－１又は６－２を用いた以外は、実施例４－１と同様にして、液晶セル６－１及び６－２並びに液晶フィルム６－１及び６－２を作製した。

（比較例７）
＜液晶材料７の作製＞
比較例１－２において、添加する試薬を塩化ブチリル１５．６ｍＬ（東京化成工業（株）製）（１５０ｍｍｏｌ）に変更した以外は比較例１－２と同様にして、ＨＰＣ誘導体７（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＥ／ＢｕＥ」とも称する。）を合成した。これを液晶材料７とした。
液晶材料７について、それぞれ^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定し（図示せず）、帰属したピークをもとに、不飽和二重結合を有する基への置換度及び疎水性基への置換度を算出した。
液晶材料７は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．５５であり、ブチリル基（疎水性基）への置換度は２．３６（ＨＰＣ－ＡｃＥ／ＢｕＥ（ＡｃＥ：ＢｕＥ＝０．５５:２．３６））であった。

実施例４－１において、ＨＰＣ誘導体４－１の代わりにＨＰＣ誘導体７を用いた以外は、実施例４－１と同様にして、液晶セル７及び液晶フィルム７を作製した。

[評価]
－膜の延伸性－
上記で調製した液晶フィルム６－１及び６－２並びに液晶フィルム７を、引張試験機（製品名；オートグラフＡＧＳ－Ｘ、（株）島津製作所製）を用いて、ロードセル荷重５００Ｎ、チャック間距離１０ｍｍ、引張速度は１０ｍｍ／分の条件で延伸度を測定した。
なお、延伸度が大きいほど、ゴム弾性に優れることを意味する。結果を表２及び図２１に示す。

図２１に示すとおり、液晶フィルム７と、液晶フィルム６－１及び６－２と、を比較すると、液晶フィルム６－１及び６－２は、最大点応力（引張強さ）が小さくても、最大延伸度（％）が高く、膜の延伸性、すなわち、ゴム弾性に優れることが分かる。
さらに、液晶フィルム６－１及び６－２の側鎖における不飽和二重結合を有する基（ウンデセノイル基）の置換度を増加させた場合、より小さな力で延伸させることができ、最大歪みも大きくなることが分かる。
表２に示すとおり、特定セルロース誘導体の側鎖に導入する不飽和二重結合（例えば、ウンデセノイル基）の増量に伴って、本発明の液晶フィルムは、ゴム弾性が向上すことが分かる。

以上より、本発明の液晶材料及び液晶フィルムは、液晶表示素子の表示材料に使用し得るだけでなく、液晶性を利用した歪みセンサー、ウェアラブルセンサー等の各種センサー、光学素子などのフォトニックデバイスにも利用することができる。このため、液晶表示素子の表示材料及びフォトニックデバイスに用いられる部品の製造、並びに、これらの販売に貢献するものである。

（実施例８）
＜液晶材料８の作製＞
下記のスキームに準じて、ＨＰＣ誘導体８（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥ）を合成した。

前述の実施例２－１において、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量；５．０×１０^４）の質量を８ｇ（１７．８ｍｍｏｌ）、超脱水アセトンの量を３５ｍＬ、最初に加えた試薬を塩化１０－ウンデセノイル２．６ｍＬ（１０．６ｍｍｏｌ）、後に加えた試薬を塩化プロピオニルに代えて塩化ブチリル１７．６ｍＬ（１４９ｍｍｏｌ）とした以外は実施例２－１と同様にしてＨＰＣ誘導体８（以下「ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥ」とも称する。）を得た。収量は５．０ｇであった。
ＨＰＣ誘導体８はウンデセノイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．４０であり、ブチリル基（疎水性基）への置換度は２．５５（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＢｕＥ（ＵｎｄＥ：ＢｕＥ＝０．４０：２．５５））であった。

ＨＰＣ誘導体８に、液晶材料の全質量に対して、２質量％になるように光重合開始剤としてＨＭＰＰを加え撹拌した。これを液晶材料８とした。

実施例４－１において、ＨＰＣ誘導体４－１の代わりにＨＰＣ誘導体８を用いた以外は実施例４－１と同様にして、液晶セル８及び液晶フィルム８を作製した。
なお、液晶フィルム８の厚みは４６０ｍであった。

液晶フィルム８の作製時、照射する紫外線の光量を変えた場合の液晶フィルム８の応力－歪み曲線を図２２に示し、紫外線の光量（１０．８Ｊ／ｃｍ^２～４８．６Ｊ／ｃｍ^２）を変えたときの弾性特性の変化を図２３に示す。図２３に示すように、紫外線の光量が１０．８Ｊ／ｃｍ^２～２７．０Ｊ／ｃｍ^２のときは光量の増大に伴って液晶フィルム８の弾性率及び最大応力が増大しており、これは光架橋反応の進行によって分子らせん構造を固定する架橋点が増加してことに起因すると推測される。一方、紫外線の光量が２７．０Ｊ／ｃｍ^２～４８．６Ｊ／ｃｍ^２のときは紫外線の光量に依らずにほぼ一定の弾性特性を示した。これは、光架橋反応が十分に進行しきっていることを示唆している。以下では、光架橋反応が十分に進行していると推測される３２．４Ｊ／ｃｍ^２の光量を照射して作製した液晶フィルム８について物性を評価した。

液晶フィルム８を加熱しながら測定した透過スペクトルを図２４に示した。同様の評価をＨＰＣ誘導体８で行い、温度とブラッグ反射波長の相関をまとめると図２５のようになった。図２５より、架橋前であるＨＰＣ誘導体８は加熱によってその反射波長が長波長シフトしているだけでなく、７０℃までしかブラッグ反射を発現できていないことが分かった。一方、架橋後である液晶フィルム８は加熱に伴う波長の長波長シフトの幅が小さいだけでなく、１７５℃までブラッグ反射を発現できた。このような、液晶フィルム８の熱に対する安定性はＨＰＣ誘導体８のＵｎｄ基末端で生じた架橋点が分子らせん構造の伸縮を抑制していることに起因すると推測される。

図２６の上段は液晶フィルム８を歪み０．３相当圧縮する過程における透過スペクトルの変化を示し、図２６の下段は圧縮を解放する過程における透過スペクトルを示す。図２６に示すように、液晶フィルム８のブラッグ反射は圧縮解放後、１０ｎｍ程度短波長側で発現したもののほぼ可逆的な挙動を示した。

また、液晶フィルム８に加える歪みを０．２として圧縮と解放のサイクルを１００回繰り返した際、透過スペクトルの変化を図２７に示し、反射波長及び液晶フィルム８の変化を図２８に示す。図２７及び図２８に示すように、液晶フィルム８の光学特性は、１００回の繰り返し圧縮に対して可逆的な挙動を示しており、繰り返し圧縮耐性に優れていることが分かった。

また、圧縮試験から液晶フィルム８の弾性特性の繰り返し圧縮耐性を評価した。液晶フィルム８を速度０．５ｍｍ／ｍｉｎ、歪み０．２で繰り返し圧縮解放した際の応力－歪み曲線を図２９に示す。さらに、図２９から算出した液晶フィルム８の繰り返し圧縮に伴う弾性特性の変化を図３０に示す。また、市販のクロロプレンゴムに対して液晶フィルム８と同様の試験を行った結果を図３０に示す。図３０より、液晶フィルム８は、クロロプレンゴムと同様に繰り返し圧縮によって弾性率が大きく変化しなかった。このことから、液晶フィルム８は少なくとも歪みが０．２の場合は、市販のクロロプレンゴムと同等の弾性特性を示すことが分かった。

図３１に示したように、液晶フィルム８を凹凸基板に押し付けると突起部のみ選択的に緑色に変色した。この際の反射波長の変化を図３２に示す。図３２から分かるように、液晶フィルム８を凹凸基板に押し付けると窪みの部分は反射波長が約６２０ｎｍ、突起部は約５１０ｎｍであった。図３３に示すように液晶フィルム８を１００円硬貨に押し付けた場合、液晶フィルム８の変色によって１００円硬貨の表面のような微細な凹凸も検知することができた。この１００円硬貨の凹凸を精密機器（（株）キーエンス、ＶＲ－５０００）により測定した結果（図３４）、液晶フィルム８は最小で幅９３μｍ、高さ１９０μｍの凹凸を検知できることが分かった。

（実施例９）
＜液晶材料９の作製＞
下記のスキームに準じて、ＨＰＣ誘導体９（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＤｅｃＥ／ＢｕＥ）を合成した。

前述の実施例２－１において、低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量；５．０×１０^４）の質量を８ｇ（１７.８ｍｍｏｌ）、超脱水アセトンの量を３５ｍＬ、塩化１０－ウンデセノイルの量を１．３ｍＬ（５．３ｍｍｏｌ）、及び、塩化アクリロイルに代えて塩化デカノイル１．２ｍＬ（５．３ｍｍｏｌ）、後に加えた試薬を塩化プロピオニルに代えて塩化ブチリル１７．６ｍｌ（１４９ｍｍｏｌ）とした以外は実施例２－１と同様にしてＨＰＣ誘導体９（以下「ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＤｅｃＥ／ＢｕＥ」とも称する。）を得た。収量は５．０ｇであった。
ＨＰＣ誘導体９はウンデセノイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．２２であり、デカノイル基（アシル基）への置換度は０．２０であり、ブチリル基への置換度は２．５５（ＨＰＣ－ＵｎｄＥ／ＤｅｃＥ／ＢｕＥ（ＵｎｄＥ：ＤｅｃＥ：ＢｕＥ＝０．２２：０．２０：２．５５））であった。

ＨＰＣ誘導体９に、液晶材料の全質量に対して、２質量％になるように光重合開始剤としてＨＭＰＰを加え撹拌した。これを液晶材料９とした。

液晶材料９から作製した液晶セル９に対して３２．４Ｊ／ｃｍ^２の光量の紫外線を照射して液晶フィルム９を作製した。
なお、液晶フィルム９の膜厚は４７０μｍであった。

液晶フィルム８と液晶フィルム９に対して速度０．５ｍｍ／ｍｉｎ、歪み０．３として圧縮試験を行った結果を図３５に示す。また、液晶フィルム８と液晶フィルム９に対して圧縮しながら反射波長を測定した結果と図３５とを組み合わせて、図３６に示す反射波長と応力と歪みとの関係を求めた。図３６に示すように、液晶フィルム８は４．５ＭＰａ程度の圧力で反射波長が約６２０ｎｍから４８０ｎｍまで短波長シフトした。一方液晶フィルム９は２．５ＭＰａ程度の圧力で同様の反射波長の短波長シフトを実現した。このように、液晶フィルム９は液晶フィルム８に対してより小さい圧力を検知して変色することができた。これは、液晶ＨＰＣ誘導体９はＨＰＣ誘導体８よりもＵｎｄＥの導入量が少ないため、結果として分子らせん構造を固定する架橋点が少なくなったことに起因すると推測される。

（実施例１０－１）
＜液晶材料１０－１の作製＞
下記のスキームに準じて、ＨＰＣ誘導体１０－１（ＨＰＣ－４ＨＣ／ＰｒＥ）を合成した。

アルミホイルで遮光し、窒素充填させたフラスコ内にヘキサメチレンジイソシアナート（東京化成工業（株）製、製品番号；Ｈ０３２４）５．５ｍＬ（３４ｍｍｏｌ）及び４－ヒドロキシブチルアクリレート（東京化成工業（株）製、製品名；アクリル酸４－ヒドロキシブチル、製品番号；Ａ１３９０）２．２ｍＬ（１５．９ｍｍｏｌ）を加え、２４時間撹拌した。生成物３００ｍｇをクロロホルム３．０ｍＬに溶解させたのち、ＨＰＬＣ（製品名；リサイクル分取ＨＰＬＣ装置、（株）日本分析工業）で４－（（（６－イソシアナートヘキシル）カルバモイル）オキシル）ブチルアクリレート（４Ｈ）を分離して、エバポレーションによってクロロホルムを留去した。
減圧下、室温（２５℃）で２４時間以上乾燥した低分子量ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（和光純薬工業（株）製、製品名；ヒドロキシプロピルセルロース２．０～２．９、製品番号；０８２－０７９２５、重量平均分子量：５．０×１０^４）６．０ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）を窒素充填させたフラスコ内で、超脱水アセトン１１０ｍＬに溶解させたのち、アルミホイルで遮光した状態で、加熱（４５℃）条件下で、末端に不飽和二重結合と、分子鎖中に１つのカルバメート結合を有する４Ｈ ３６０ｍｇ（１．２ｍｍｏｌ）を溶解させた超脱水アセトン１０．０ｍＬを加え２０時間撹拌した。
次に、室温（２５℃）条件下で、塩化プロピオニル（ＰｒＣｌ）１５ｍＬ（１７２ｍｍｏｌ）を加え２４時間撹拌したのち、反応溶液を超純水に滴下させた。特級アセトンに再溶解させて、超純水への滴下による洗浄操作を３回繰り返した後、１日以上減圧乾燥することにより生成物であるＨＰＣ誘導体１０－１（以下、「ＨＰＣ－４ＨＣ／ＰｒＥ」とも称する。）を得た。収量は、４．０ｇであった。

（^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定）
上記で合成した４Ｈ及びＨＰＣ誘導体１０－１の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定した。
図３７において、４Ｈに由来するピークとして、５．８ｐｐｍ、６．１ｐｐｍ及び６．４ｐｐｍ付近のピークは、それぞれ末端のアクリロイル基の二重結合につくプロトンのピークであり、４．８ｐｐｍ付近のピークはカルバメート結合におけるアミノ基のプロトンのピークである。４．２ｐｐｍ及び３．２ｐｐｍ付近のピークは、４Ｈにおける４－ヒドロキシブチルアクリレートに由来した４つのメチレン基のプロトンのピークであり、１．２ｐｐｍから１．８ｐｐｍ付近のピークは、４Ｈにおけるヘキサメチレンジイソシアナートに由来した６つのメチレン基のプロトンのピークである。
図３８において、ＨＰＣ誘導体１０－１に由来するピーク（具体的にはＨＰＣ－４ＨＣ／ＰｒＥ由来）のピークとして、５．８ｐｐｍ、６．１ｐｐｍ及び６．４ｐｐｍ付近のピークは、それぞれ末端のアクリロイル基の二重結合につくプロトンのピークであり、５．０ｐｐｍ付近のピークは末端のヒドロキシプロピオニル基のメチン基のプロトンのピークである。１．０ｐｐｍから２．５ｐｐｍ付近のピークは、ＨＰＣ側鎖のヒドロキシプロピル基のメチル基、不飽和結合を有する基の有するメチレン基のうち酸素原子、窒素原子に隣接しないメチレン基、プロピオニル基のメチル基、メチレン基のプロトンである。２．７ｐｐｍから４．６ｐｐｍ付近のピークはＨＰＣ誘導体１０－１が有するその他のプロトンのピークである。
帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち４ＨＣ基）への置換度及び疎水性基（すなわち、プロピオニル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体１０－１は、４ＨＣ基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．０８０であり、プロピオニル基（疎水性基）への置換度は２．６０（ＨＰＣ－４ＨＣ／ＰｒＥ（４ＨＣ／ＰｒＥ＝０．０８０：２．６０））であった。また、光重合開始剤を加えずに、これを液晶材料Ｚ－１とした。

（実施例１０－２～１０－４）
＜液晶材料１０－２～１０－４の作製＞
上記の合成方法において、添加する４Ｈの量を変化させることで、４ＨＣ基への置換度の異なるＨＰＣ－４ＨＣ／ＰｒＥを合成した。これをＨＰＣ誘導体１０－２、１０－３、１０－４とした。
ＨＰＣ誘導体１０－２、１０－３、１０－４の４ＨＣ基への置換度及びプロピオニル基への置換度を算出したところ、ＨＰＣ誘導体１０－２は、（ＨＰＣ－４ＨＣ／ＰｒＥ（４ＨＣ／ＰｒＥ＝０．０４６：２．６９））、ＨＰＣ誘導体１０－３は、（ＨＰＣ－４ＨＣ／ＰｒＥ（４ＨＣ／ＰｒＥ＝０．０２３：２．６８））、ＨＰＣ誘導体１０－４は、（ＨＰＣ－４ＨＣ／ＰｒＥ（４ＨＣ／ＰｒＥ＝０．０１７：２．６６））となった。

ＨＰＣ誘導体１０－２、１０－３、１０－４に、液晶材料の全質量に対して、１質量％になるように光重合開始剤としてＨＭＰＰを加え撹拌した。これらを液晶材料１０－２、１０－３、１０－４とした。

調製した液晶材料１０－１を用いて、室温（２５℃）で紫外線（波長：３６５ｎｍ、強度１０．０ｍＷ／ｃｍ^２）照射を３０分間照射することで液晶フィルム１０－１を作製した。また、液晶材料１０－２、１０－３、１０－４を用いて、紫外線の照射時間が１時間である点を除き、液晶材料１０－１と同様な操作を行うことで、液晶フィルム１０－２、１０－３、１０－４を作製した。なお、液晶フィルム１０－１、１０－２、１０－３、１０－４の膜厚はそれぞれ５００μｍ、５６０μｍ、４５０μｍ、４７０μｍであった。

液晶フィルム１０－１は、幅が１２ｍｍ、長さが３０ｍｍで、平行部の幅が５ｍｍ、長さが１０ｍｍのダンベル試験片、液晶フィルム１０－２、１０－３、１０－４はＪＩＳ７号ダンベル試験片について、小型卓上試験機（製品名；ＥＺ－ＬＸ、（株）島津製作所製）を用いて、引張速度を１０ｍｍ／ｍｉｎとし、引張試験を行った。

図３９には、液晶フィルム１０－１の延伸過程における応力－歪み曲線を示す。また、結果詳細を表３に示す。

図３９及び表３に示すように、液晶フィルム１０－１は１００％以上の延伸が可能であることが分かった。これは、不飽和結合を有する側鎖の長鎖長化によって、延伸に伴い側鎖が伸張するため、フィルムが柔軟に変形しやすくなったことに起因する。また、１００％以上の延伸に伴い、反射波長が短波長シフトしていることも確認できた。これは、延伸方向の歪みの増大に伴い、鉛直方向の厚みは減少するため、らせんピッチが収縮することに起因すると推測される。

図４０には、液晶フィルム１０－２、１０－３、１０－４の延伸過程における応力－歪み曲線を示す。また、結果詳細を表４に示す。

塑性的であった液晶フィルム１０－１と比較して、光重合開始剤の添加によって、光架橋反応が十分に進行し、ゴム弾性が向上した。さらに、４ＨＣ基（不飽和二重結合を有する基）の導入量が多いほど、弾性率及び最大応力は増大し、破断歪みは減少することが分かった。これらは、実施例６及び比較例７と比較して、破断歪み（最大歪み）が大きいことから、４ＨＣ基の導入によって引張特性が向上したことが分かった。

図４１には、液晶フィルム１０－３の延伸解放過程における透過スペクトル変化を示した。延伸に伴いブラッグ反射波長は短波長シフトし、解放すると初期波長に戻ることが分かった。これは、液晶フィルムのゴム弾性の向上に伴い、少なくとも歪み０．２の範囲内において可逆的な伸縮が可能であることを意味している。

２０１８年３月２８日に出願された日本国特許出願２０１８－６３２５９の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

１０，１０Ａ 液晶セル、１２ 第１の基板、１４ 第２の基板、１６ フォトマスク、１８ 液晶材料、２０ 液晶フィルム

Claims (14)

1. 下記一般式（１Ａ）で表される分子構造を有するセルロース誘導体を含み、
   前記一般式（１Ａ）で表される分子構造が、下記一般式（１Ａ－１）で表される分子構造である、液晶材料。
   

   

   
   （一般式（１Ａ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３は、全てが単結合ではなく、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、不飽和二重結合を有する基、又は、疎水性基を表し、Ｒ^１４及びＲ^１５は、それぞれ独立に、アルキレン基を表し、ｈは、１以上１０以下の整数を表し、ｎ１１は、２以上８００以下の整数を表す。但し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３の少なくとも１つは、下記一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基を表すか、又は、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３の少なくとも１つは下記一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基を表し、かつ、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３の少なくとも１つは炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基を表す。Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３の少なくとも１つは、前記疎水性基である直鎖若しくは分岐鎖の炭素数２～４のアシル基を表す。）
   

   

   
   （一般式（３Ｃ）中、Ｒ^３Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^３８は、炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基、アリール基及び炭素数３～１０のシクロアルキレン基からなる群より選ばれる基又はこれらの少なくとも１つを連結した基を表し、＊＊は、上記一般式（１Ａ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、若しくはＸ^１３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。）
   

   

   
   （一般式（１Ａ－１）中、Ｒ ^１ は、－ＣＨ _２ －ＣＨ（ＣＨ _３ ）－を表し、Ｒ ^１１ 、Ｒ ^１２ 及びＲ ^１３ は、それぞれ独立に、水素原子、不飽和二重結合を有する基、又は、疎水性基を表し、ｍ１、ｔ１及びｒ１は、全てが０ではなく、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表し、ｎ１３は、２以上８００以下の整数を表す。但し、Ｒ ^１１ 、Ｒ ^１２ 及びＲ ^１３ の少なくとも１つは、前記一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基を表すか、又は、Ｒ ^１１ 、Ｒ ^１２ 及びＲ ^１３ の少なくとも１つは前記一般式（３Ｃ）で表される不飽和二重結合を有する基を表し、かつ、Ｒ ^１１ 、Ｒ ^１２ 及びＲ ^１３ の少なくとも１つは炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基を表す。Ｒ ^１１ 、Ｒ ^１２ 及びＲ ^１３ の少なくとも１つは、前記疎水性基である直鎖若しくは分岐鎖の炭素数２～４のアシル基を表す。）
2. 前記不飽和二重結合を有する基が、下記一般式（１Ｃ）で表される基を更に含み、
   Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３の少なくとも一つが、直鎖若しくは分岐鎖の炭素数２～４のアシル基以外の疎水性基を表す場合、前記直鎖若しくは分岐鎖の炭素数２～４のアシル基以外の疎水性基が、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基、炭素数３～１８のシクロアルキル基、炭素数６～１８のアリール基、炭素数７～２０のアラルキル基、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルコキシ基、－ＣＯＯＲ^１Ａで表されるカルボン酸エステル基、又はハロゲン原子であり、前記Ｒ^１Ａが、炭素数１～１２の直鎖若しくは分岐のアルキル基、炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６～１２のアリール基を更に含む、請求項１に記載の液晶材料。
   

   

   
   （一般式（１Ｃ）中、Ｒ^１Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^１８は、単結合、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、炭素数３～１８のシクロアルキレン基、炭素数６～１８のアリーレン基、－Ｏ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数３～１８のシクロアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数６～１８のアレーンから３つの水素原子を除いた基及びアンモニアから３つの水素原子を除いた基からなる群より選ばれる基又はこれらの少なくとも１つを連結した基を表し、ｐ１は、１又は２の整数を表す。但し、Ｘ^１８の価数は、ｐ１＋１である。＊＊は、上記一般式（１Ａ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２、若しくはＸ^１３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。）
3. 前記一般式（１Ｃ）において、Ｘ^１８が、単結合、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－であり、ｐ１が１である、請求項２に記載の液晶材料。
4. 前記不飽和二重結合を有する基のモノマー単位あたりの置換度が、０．０１以上２．０以下である請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の液晶材料。
5. 前記不飽和二重結合を有する基のモノマー単位あたりの置換度と、前記疎水性基のモノマー単位あたりの置換度との比（前記不飽和二重結合を有する基／前記疎水性基）が、３．０×１０^－３以上２．０以下である、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の液晶材料。
6. 三次元構造を有し、
   下記一般式（２Ａ）で表される分子構造を有するセルロース誘導体を含み、
   前記セルロース誘導体が、モノマー単位同士を連結する基を有する基を含み、
   前記一般式（２Ａ）で表される分子構造が、下記一般式（２Ａ－１）で表される分子構造である、液晶フィルム。
   

   

   
   （一般式（２Ａ）中、Ｘ^２１、Ｘ^２２及びＸ^２３は、全てが単結合ではなく、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－（Ｒ^２４－Ｏ）_ｊ－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^２５－を表し、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３は、それぞれ独立に、水素原子、前記モノマー単位同士を連結する基を有する基、又は、疎水性基であり、Ｒ^２４及びＲ^２５は、それぞれ独立に、アルキレン基を表し、ｊは、１以上１０以下の整数を表し、ｎ２１は、２以上８００以下の整数を表す。但し、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３の少なくとも１つは、下記一般式（４Ｃ）で表されるモノマー単位同士を連結する基及び炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基の少なくとも一方を表す。Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３の少なくとも１つは、前記疎水性基である直鎖若しくは分岐鎖の炭素数２～４のアシル基を表す。）
   

   

   
   （一般式（４Ｃ）中、Ｒ^４Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^４８は、炭素数３～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、カルボニル基、炭素数２～２０の直鎖若しくは分岐のアルキレンオキシ基、アリール基及び炭素数３～１０のシクロアルキレン基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基を表し、＊は、モノマー単位同士が連結されたときの結合位置を表し、＊＊は、上記一般式（２Ａ）中、Ｘ^２１、Ｘ^２２、若しくはＸ^２３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。）
   

   

   
   （一般式（２Ａ－１）中、Ｒ ^２ は、－ＣＨ _２ －ＣＨ（ＣＨ _３ ）－を表し、Ｒ ^２１ 、Ｒ ^２２ 及びＲ ^２３ は、それぞれ独立に、水素原子、前記連結基を有する基、又は、疎水性基を表し、ｍ２、ｔ２及びｒ２は、全てが０ではなく、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表し、ｎ２３は、２以上８００以下の整数を表す。但し、Ｒ ^２１ 、Ｒ ^２２ 及びＲ ^２３ の少なくとも１つは、前記一般式（４Ｃ）で表されるモノマー単位同士を連結する基及び炭素数５～２０の直鎖若しくは分岐のアシル基の少なくとも一方を表す。Ｒ ^２１ 、Ｒ ^２２ 及びＲ ^２３ の少なくとも１つは、前記疎水性基である直鎖若しくは分岐鎖の炭素数２～４のアシル基を表す。）
7. 前記疎水性基のモノマー単位あたりの置換度が、１．０以上２．９以下である、請求項６記載の液晶フィルム。
8. 前記モノマー単位同士を連結する基が、下記一般式（２Ｃ）で表される基を含み、
   Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３の少なくとも一つが、直鎖若しくは分岐鎖の炭素数２～４のアシル基以外の疎水性基を表す場合、前記直鎖若しくは分岐鎖の炭素数２～４のアシル基以外の疎水性基が、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基、炭素数３～１８のシクロアルキル基、炭素数６～１８のアリール基、炭素数７～２０のアラルキル基、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルコキシ基、－ＣＯＯＲ^２Ａで表されるカルボン酸エステル基、又はハロゲン原子であり、前記Ｒ^２Ａが、炭素数１～１２の直鎖若しくは分岐のアルキル基、炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６～１２のアリール基を含む、請求項６又は請求項７に記載の液晶フィルム。
   

   

   
   （一般式（２Ｃ）中、Ｒ^２Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^２８は、単結合、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルキレン基、炭素数３～１８のシクロアルキレン基、炭素数６～１８のアリーレン基、－Ｏ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、炭素数１～１８の直鎖若しくは分岐のアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数３～１８のシクロアルカンから３つの水素原子を除いた基、炭素数６～１８のアレーンから３つの水素原子を除いた基及びアンモニアから３つの水素原子を除いた基からなる群より選ばれる基又はこれらを連結した基を表し、ｐ２は、１又は２の整数を表す。但し、Ｘ^２８の価数は、ｐ２＋１である。＊は、モノマー単位同士が連結されたときの結合位置を表す。＊＊は、上記一般式（２Ａ）中、Ｘ^２１、Ｘ^２２、若しくはＸ^２３と結合する部分、又は、セルロース骨格の２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。）
9. 前記一般式（２Ｃ）において、Ｘ^２８が、単結合、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－であり、ｐ２が１である、請求項８に記載の液晶フィルム。
10. 請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の液晶材料を基板上に付与する工程と、
    基板上に付与された前記液晶材料に、熱を加える工程又は紫外線を照射する工程と、
    を有する、液晶フィルムの製造方法。
11. 請求項６～請求項９のいずれか１項に記載の液晶フィルムを備えるセンサー。
12. 物体の歪みを検出する歪みセンサーである請求項１１に記載のセンサー。
13. 生体情報を検出するウェアラブルセンサーである請求項１２に記載のセンサー。
14. 請求項６～請求項９のいずれか１項に記載の液晶フィルムを備える光学素子。

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