JP2024025563A - セルロース誘導体、液晶材料、液晶フィルム及び液晶フィルムの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】新規の偏光特性を有する液晶フィルムを形成可能なセルロース誘導体を提供する。【解決手段】水酸基を含み、前記水酸基の一部が不飽和二重結合を有する基及びアルキル基で置換されたセルロース誘導体。【選択図】なし

Description

本開示は、セルロース誘導体、液晶材料、液晶フィルム及び液晶フィルムの製造方法に関する。

液晶材料は、液晶ディスプレイの表示材料のみならず、近年ではその光学特性を利用して、フォトニックデバイスへの適応が進められている。液晶材料として、例えば、セルロース誘導体が知られている。

液晶性を備えたセルロース誘導体として、ヒドロキシプロピルセルロースが有する水酸基の水素原子に、カルバメート基（ウレタン結合）を有する置換基が導入されたセルロース誘導体が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

膜を形成した場合の圧縮時における波長のシフト変化が大きく、かつ、膜を形成した場合の延伸性に優れるリオトロピック液晶材料として、架橋性セルロース誘導体と、不飽和二重結合を有する基を分子内に有するモノマーと、を含有するリオトロピック液晶材料が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２０１５－４８３６５号公報 国際公開第２０１９／１５１３６０

ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）、エチルセルロース（ＥＣ）等は、紙、綿、パルプの主成分であるセルロース誘導体であり、また、人体及び環境に対して無害であるため、医薬品、サプリメント等にも使用されている汎用性の高い高分子である。また、セルロースは、天然に最も豊富に存在する原料であるため安価な材料である。
従って、セルロース誘導体を原料として用いた液晶材料等の開発は、安全性の観点及び環境負荷を低減する観点からも有用であり、セルロース誘導体が持つ液晶性、光学特性等を、液晶材料、液晶フィルム、フォトニックデバイス等への利用がさらに期待されている。

特許文献２に開示されている液晶材料より形成されたエラストマー膜は、棒状の液晶分子が向きを変えながら積層した分子らせん構造を形成しており、優れたコレステリック液晶配向状態を示す。当該エラストマー膜は、らせんの掌性と同じ向きの円偏光をブラッグ反射する。具体的には、ヒドロキシプロピルセルロース誘導体から構成され、コレステリック液晶配向状態を示すエラストマー膜は、右円偏光をブラッグ反射する。

前述のように、セルロース誘導体が持つ液晶性、光学特性等を、液晶材料、液晶フィルム、フォトニックデバイス等への利用がさらに期待されており、新規の偏光特性等を有する液晶フィルムを形成可能なセルロース誘導体を開発することが望ましい。

本開示は、新規の偏光特性を有する液晶フィルムを形成可能なセルロース誘導体及び液晶材料、この液晶材料を硬化してなる液晶フィルム、並びにこの液晶材料を用いた液晶フィルムの製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するための手段には、以下の実施態様が含まれる。
＜１＞ 水酸基を含み、前記水酸基の一部が不飽和二重結合を有する基及びアルキル基で置換されたセルロース誘導体。
＜２＞ 前記不飽和二重結合を有する基は、（メタ）アクリロイル基を有する基である＜１＞に記載のセルロース誘導体。
＜３＞ 前記アルキル基はエチル基であり、エチルセルロース骨格を含む＜１＞又は＜２＞に記載のセルロース誘導体。
＜４＞ 水酸基の少なくとも一部がアシル基で置換されたセルロース誘導体と、
不飽和二重結合を有する基を含む重合性モノマーと、
を含む、左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する液晶フィルムを形成するための液晶材料。
＜５＞ 前記セルロース誘導体は、ヒドロキシアルキルセルロース骨格を含む＜４＞に記載の液晶材料。
＜６＞ ＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載のセルロース誘導体と、
不飽和二重結合を有する基を含む重合性モノマーと、
を含む液晶材料。
＜７＞ 左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する液晶フィルムを形成するための＜６＞に記載の液晶材料。
＜８＞ ＜４＞～＜７＞のいずれか１つの液晶材料を硬化してなり、左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する液晶フィルム。
＜９＞ ＜４＞～＜７＞のいずれか１つに記載の液晶材料を硬化してなり、リタデーションが２００ｎｍ以上である領域を含む液晶フィルム。
＜１０＞ ＜４＞～＜７＞のいずれか１つに記載の液晶材料を硬化してなり、厚さが２００μｍ以上である液晶フィルム。
＜１１＞ ＜４＞～＜７＞のいずれか１つに記載の液晶材料にせん断力を加えるせん断工程と、
せん断工程後の前記液晶材料を放置して配向させる配向工程と、
配向工程後の前記液晶材料を硬化させる硬化工程と、
を含む液晶フィルムの製造方法。

本開示によれば、新規の偏光特性を有する液晶フィルムを形成可能なセルロース誘導体及び液晶材料、この液晶材料を硬化してなる液晶フィルム、並びにこの液晶材料を用いた液晶フィルムの製造方法が提供される。

図１（ａ）は、液晶材料１を用い、せん断速度０．２ｓ^－１の条件にて液晶フィルム１を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図１（ｂ）は、この場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。 図２（ａ）は、液晶材料１を用い、せん断速度０．５ｓ^－１の条件にて液晶フィルム１を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図２（ｂ）は、この場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。 図３（ａ）は、液晶材料２を用い、せん断速度０．２ｓ^－１の条件にて液晶フィルム２を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図３（ｂ）は、この場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。 図４（ａ）は、液晶材料３を用い、せん断速度０．５ｓ^－１の条件にて液晶フィルム３を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図４（ｂ）は、この場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。 図５（ａ）は、液晶材料２を用い、せん断配向処理後の待機時間が２００秒間の条件にて液晶フィルム４を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図５（ｂ）は、この場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。 図６（ａ）は、液晶材料４を用いて液晶フィルム５を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図６（ｂ）は、この場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。 図７（ａ）は、液晶材料５を用いて液晶フィルム６を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図７（ｂ）は、この場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。 図８（ａ）は、液晶材料６を用いて液晶フィルム７を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図８（ｂ）は、この場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。 図９（ａ）は、液晶材料７を用いて液晶フィルム８（液晶フィルム８の厚さ：５６０μｍ）を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図９（ｂ）は、この場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。 図１０（ａ）は、液晶材料７を用いて液晶フィルム９（液晶フィルム９の厚さ：１７８μｍ）を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図１０（ｂ）は、この場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。 図１１は、液晶フィルム８及び液晶フィルム９について、平面視における中心からの距離と複屈折との関係を示す図である。 図１２は、液晶フィルム８及び液晶フィルム９について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。 図１３（ａ）～図１３（ｆ）は、それぞれ液晶フィルム１２－６～１２－１のｒ＝３ｍｍ又はｒ＝９ｍｍでの右円偏光及び左円偏光のスペクトルの変化を示す図である。 図１４は、液晶フィルム１２－１～１２－６について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。 図１５は、液晶フィルム１２－１～１２－６について、平面視における中心からの距離と複屈折との関係を示す図である。 図１６は、液晶フィルム１２－１～１２－６について、リタデーションと左右円偏光のピーク強度の比との関係を示す図である。 図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、それぞれ液晶フィルム１３－１及び１３－２のｒ＝３ｍｍ又はｒ＝９ｍｍでの右円偏光及び左円偏光のスペクトルの変化を示す図である。 図１８は、液晶フィルム１３－１及び１３－２について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。 図１９は、液晶フィルム１３－１及び１３－２について、平面視における中心からの距離と複屈折との関係を示す図である。 図２０は、液晶フィルム１３－１及び１３－２について、リタデーションと左右円偏光のピーク強度の比との関係を示す図である。 図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、それぞれ液晶フィルム１４－１及び１４－２のｒ＝３ｍｍ又はｒ＝９ｍｍでの右円偏光及び左円偏光のスペクトルの変化を示す図である。 図２２は、液晶フィルム１４－１及び１４－２について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。 図２３は、液晶フィルム１４－１及び１４－２について、平面視における中心からの距離と複屈折との関係を示す図である。 図２４は、液晶フィルム１４－１及び１４－２について、リタデーションと左右円偏光のピーク強度の比との関係を示す図である。 図２５（ａ）及び図２５（ｂ）は、それぞれ液晶フィルム１５のｒ＝０ｍｍ、３ｍｍ、６ｍｍ又は９ｍｍでの左円偏光及び右円偏光のスペクトルの変化を示す図である。 図２６は、液晶フィルム１５のｒ＝０ｍｍ～５ｍｍでの左円偏光のスペクトルの変化を示す図である。 図２７は、液晶フィルム１５について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。 図２８（ａ）及び図２８（ｂ）は、液晶フィルム１６～１８のｒ＝４ｍｍ又はｒ＝９ｍｍでの左円偏光のスペクトルの変化を示す図であり、図２８（ｃ）及び図２８（ｄ）は、液晶フィルム１６～１８のｒ＝４ｍｍ又はｒ＝９ｍｍでの右円偏光のスペクトルの変化を示す図である。 図２９は、液晶フィルム１６～１８について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。 参考例１における円偏光透過スペクトルの測定結果を示す図である。 図３１（ａ）は、液晶材料Ａを用い、せん断配向処理が施された液晶フィルムＡを作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図３１（ｂ）は、この場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。 図３２は、液晶材料Ａを用い、せん断配向処理が施されていない液晶フィルムＢを作製した場合の左円偏光及び右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。

本開示において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。本開示に段階的に記載されている数値範囲において、ある数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示に記載されている数値範囲において、ある数値範囲で記載された上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。

本開示において、「（メタ）アクリル」とは、「アクリル」及び「メタクリル」の少なくとも一方を意味し、「（メタ）アクリレート」は「アクリレート」及び「メタクリレート」の少なくとも一方を意味し、「（メタ）アクリロイル」は「アクリロイル」及び「メタクリロイル」の少なくとも一方を意味する。
本開示において、置換基としては、例えば、直鎖又は分岐鎖の炭素数１～６のアルキル基、炭素数３～６のシクロアルキル基、炭素数６～１２のアリール基、ハロゲン原子が挙げられる。置換基が２以上ある場合には、それぞれの置換基は同一であって異なっていてもよい。

［セルロース誘導体］
本開示のセルロース誘導体は、水酸基を含み、前記水酸基の一部が不飽和二重結合を有する基及びアルキル基で置換されている。本開示のセルロース誘導体を含む液晶材料を用いて液晶フィルムを作製することによって新規の偏光特性を有する液晶フィルムを形成可能である。例えば、上記液晶材料にせん断力を加え、当該液晶材料に含まれるセルロース誘導体を配向させ、次いで液晶材料を硬化させることで左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する液晶フィルムを形成可能である。

本開示のセルロース誘導体は、架橋性のエチルセルロース誘導体等のアルキル基を有する架橋性のセルロース誘導体である。当該セルロース誘導体を含む液晶材料から構成される液晶フィルムは、分子らせん構造を形成したコレステリック液晶配向状態を示しており、白色光を配向面に対して垂直に照射することで左円偏光を選択的に反射する。

一方、上記セルロース誘導体を含む液晶材料にせん断力を加え、当該液晶材料に含まれるセルロース誘導体を配向させ、次いで液晶材料を硬化させることで、分子らせん構造が傾斜した液晶フィルムを得ることができる。分子らせん構造が傾斜している状態で白色光を配向面に対して垂直に照射することで左円偏光及び右円偏光の両方が反射される。これは、白色光を配向面に対して斜入射させたときに左円偏光及び右円偏光の両方が反射されるメカニズムと同様である、と推測される。

さらに、セルロース誘導体を含む液晶材料にせん断力を加えることで、せん断方向に分子が配向して複屈折が増加する傾向にある。複屈折が増加した液晶フィルムでは、入射した右円偏光の一部が左円偏光に変化したり、反射された左円偏光の一部が右円偏光に変化したりしやすくなる。その結果、反射光として反射された左円偏光及び変化した右円偏光の両円偏光が確認できる、と推測される。

以下、本開示のセルロース誘導体（以下、「第１のセルロース誘導体」とも称する）の好ましい形態について説明する。

第１のセルロース誘導体は、水酸基、水酸基の一部が置換された不飽和二重結合を有する基及びアルキル基を含むセルロース誘導体である。セルロース誘導体に含まれる水酸基は、セルロース骨格の構成単位における２位、３位、若しくは６位に結合した水酸基であることが好ましい。

第１のセルロース誘導体に含まれる不飽和二重結合を有する基としては、特に制限されず、例えば、（メタ）アクリロイル基を有する基、ビニル基、アリル基、ビニルオキシ基、イソプロペニル基、１－プロペニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１，３－ブタジエニル基、２－ペンテニル基、ゲラニル基、オレイル基、シクロアルケニル基（例えば、２－シクロペンテン－１－イル基、２－シクロヘキセン－１－イル基）、ビニルベンジル基、シンナミル基等が挙げられる。不飽和二重結合を有する基としては、架橋によって適度な弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、（メタ）アクリロイル基を有する基であることが好ましい。

（メタ）アクリロイル基を有する基は、下記一般式（１Ｃ）及び一般式（２Ｃ）の少なくとも一方で表される基であることが好ましい。

一般式（１Ｃ）中、Ｒ^１Ｃは、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ^１８は、単結合、直鎖若しくは分岐鎖の炭素数１～１８のアルキレン基、炭素数３～１８のシクロアルキレン基、炭素数６～１８のアリーレン基、又は、－Ｏ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、及び－Ｃ（＝Ｏ）－からなる群より選ばれる１つ若しくは２つ以上を連結した連結基を表し、ｐ１は、１又は２の整数を表す。但し、Ｘ^１８の価数は、ｐ１＋１である。
＊＊は、セルロース骨格の構成単位における２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。

Ｘ^１８で表される、直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基、シクロアルキレン基及びアリーレン基は、置換基を有していてもよい。

Ｘ^１８で表される炭素数６～１８のアリーレン基としては、特に制限はなく、例えば、フェニレン基、ナフタレン基等が挙げられる。

Ｘ^１８で表される－Ｏ－、－ＮＨ－、－Ｓ－、及び－Ｃ（＝Ｏ）－からなる群より選ばれる１つ若しくは２つ以上を連結した連結基としては、特に制限はなく、例えば、「－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－」、「－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－（ＣＨ_２）_２－Ｏ－」及び「－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２－Ｏ－）_２」が挙げられる。

架橋反応の観点から、一般式（１Ｃ）中、ｐ１は、１の整数であることが好ましい。

一般式（１Ｃ）中、Ｒ^１Ｃが水素原子又はメチル基であり、Ｘ^１８が単結合であり、ｐ１が１である場合、一般式（１Ｃ）で表される基は、（メタ）アクリロイル基である。

以下に、一般式（１Ｃ）で表される基の一例を示す。一般式（１Ｃ）で表される基はこれらにより何ら限定されるものではない。なお、下記一般式（１Ｃ－１）～（１Ｃ－８）中、＊＊は、セルロース骨格の構成単位における２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。

一般式（１Ｃ－５）で表される基は、一般式（１Ｃ）で表される基中、Ｘ^１８が下記一般式（１Ｃ－７）で表される３価の連結基であり、Ｒ^１Ｃが水素原子であり、ｐ１が２である。
一般式（１Ｃ－７）中、＊＊＊は、上記一般式（１Ｃ－５）における（ＣＯＣＨ＝ＣＨ_２）のＣＯに結合する炭素原子と結合する部分を表す。

一般式（２Ｃ）中、Ｒ^１Ｄは、直鎖又は分岐鎖の炭素数１～１８のアルキレン基を表し、ｐ１及び＊＊は、前記一般式（１Ｃ）におけるｐ１及び＊＊と同義である。

架橋によって適度な弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、Ｒ^１Ｄで表される直鎖若しくは分岐鎖の炭素数１～１８のアルキレン基としては、直鎖若しくは分岐鎖の炭素数３～１８のアルキレン基であることが好ましく、直鎖の炭素数３～１８のアルキレン基であることがより好ましく、直鎖の炭素数６～１２のアルキレン基であることがさらに好ましい。

架橋反応の観点から、一般式（２Ｃ）中、ｐ１は、１の整数であることが好ましい。

以下に、一般式（２Ｃ）で表される基の一例を示す。一般式（２Ｃ）で表される基はこれらにより何ら限定されるものではない。なお、下記一般式（２Ｃ－１）～（２Ｃ－４）中、＊＊は、セルロース骨格の構成単位における２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合する部分を表す。

第１のセルロース誘導体に含まれるアルキル基としては、特に制限されず、例えば、炭素数１～１８のアルキル基が挙げられる。
炭素数１～１８のアルキル基は、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基であってもよく、無置換又は置換されていてもよい。
炭素数１～１８の無置換のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等が挙げられる。
炭素数３～１８の無置換の環状のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、メチルシクロペンチル基、メチルシクロヘキシル基、メチルシクロヘプチル基等が挙げられる。
第１のセルロース誘導体に含まれるアルキル基は、セルロース骨格の構成単位における２位、３位、若しくは６位にある酸素原子と結合するアルキル基であることが好ましい。

アルキル基はエチル基であり、第１のセルロース誘導体はエチルセルロース骨格を含むことが好ましい。

第１のセルロース誘導体は下記一般式（Ａ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

一般式（Ａ）中、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、それぞれ独立に、水酸基、不飽和二重結合を有する基又はアルキル基を表す。第１のセルロース誘導体は上記一般式（Ａ）で表される構成単位を複数含むことが好ましい。複数含まれる上記一般式（Ａ）で表される構成単位は、互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。

第１のセルロース誘導体が上記一般式（Ａ）で表される構成単位を含む場合、構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度は、０．０１～０．３であってもよく、０．０１～０．２であってもよく、０．０１～０．１であってもよい。
構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度は、第１のセルロース誘導体の全構成単位中に含まれる不飽和二重結合を有する基の合計数Ｓ（Ｒ_１、Ｒ_２又はＲ_３で表される不飽和二重結合を有する基の合計数）を第１のセルロース誘導体の構成単位の合計数Ｎで割った値（Ｓ／Ｎ、上限３）である。

第１のセルロース誘導体が上記一般式（Ａ）で表される構成単位を含む場合、構成単位あたりのアルキル基の置換度は、１．５～２．９であってもよく、２．０～２．８であってもよく、２．３～２．７であってもよい。
構成単位あたりのアルキル基の置換度は、第１のセルロース誘導体の全構成単位中に含まれるアルキル基の合計数Ｔ（Ｒ_１、Ｒ_２又はＲ_３で表される不飽和二重結合を有する基の合計数）を第１のセルロース誘導体の構成単位の合計数Ｎで割った値（Ｔ／Ｎ、上限３）である。

構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度及び構成単位あたりのアルキル基の置換度は、^１Ｈ－ＮＭＲにより、各置換基が有する特徴的なプロトンピークの積分値から算出してもよい。

［液晶材料］
（第１実施形態）
本開示の第１実施形態の液晶材料は、前述の第１のセルロース誘導体と、後述の不飽和二重結合を有する基を含む重合性モノマーと、を含む。第１実施形態の液晶材料は、左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する液晶フィルムを形成するために用いられることが好ましい。

第１のセルロース誘導体の含有量としては、液晶材料全質量に対して、３０質量％～７０質量％であってもよく、３５質量％～６５質量％であってもよく、４０質量％～６０質量％であってもよい。

（第２実施形態）
液晶材料は、前述の第１のセルロース誘導体以外のセルロース誘導体を含んでいてもよい。本開示の第２実施形態の液晶材料は、水酸基の少なくとも一部がアシル基で置換されたセルロース誘導体（以下、「第２のセルロース誘導体」とも称する。）と、後述の不飽和二重結合を有する基を含む重合性モノマーと、を含む、左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する液晶フィルムを形成するための液晶材料である。

第２実施形態の液晶材料を用いて液晶フィルムを作製することによって新規の偏光特性を有する液晶フィルムを形成可能である。例えば、上記液晶材料にせん断力を加え、当該液晶材料に含まれるセルロース誘導体を配向させ、次いで液晶材料を硬化させることで左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する液晶フィルムを形成可能である。

第２実施形態の液晶材料に含まれる第２のセルロース誘導体は、アシル基で置換されたヒドロキシプロピルセルロース誘導体等のアシル基を有するセルロース誘導体である。第２のセルロース誘導体を含む液晶材料から構成される液晶フィルムは、分子らせん構造を形成したコレステリック液晶配向状態を示しており、白色光を配向面に対して垂直に照射することで右円偏光を選択的に反射する。

一方、第２のセルロース誘導体を含む液晶材料にせん断力を加え、当該液晶材料に含まれる第２のセルロース誘導体を配向させ、次いで液晶材料を硬化させることで、分子らせん構造が傾斜した液晶フィルムを得ることができる。分子らせん構造が傾斜している状態で白色光を配向面に対して垂直に照射することで左円偏光及び右円偏光の両方が反射される。

さらに、第２のセルロース誘導体を含む液晶材料にせん断力を加えることで、せん断方向に分子が配向して複屈折が増加する傾向にある。複屈折が増加した液晶フィルムでは、入射した左円偏光の一部が右円偏光に変化したり、反射された右円偏光の一部が左円偏光に変化したりしやすくなる。その結果、反射光として反射された右円偏光及び変化した左円偏光の両円偏光が確認できる、と推測される。

以下、第２のセルロース誘導体の好ましい形態について説明する。

＜第２のセルロース誘導体＞
第２のセルロース誘導体は、水酸基の少なくとも一部がアシル基で置換されたセルロース誘導体であり、水酸基の一部が残存していてもよく、すべての水酸基がアシル基で置換されていてもよく、すべての水酸基がアシル基及び不飽和二重結合を有する基で置換されていてもよい。

第２のセルロース誘導体に含まれるアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基（プロパノイル基）、ブチリル基、イソブチリル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。

第２のセルロース誘導体では、水酸基の一部が不飽和二重結合を有する基で置換されていてもよい。当該不飽和二重結合を有する基の好ましい形態は、前述の第１のセルロース誘導体に含まれる不飽和二重結合を有する基の好ましい形態と同様である。

第２のセルロース誘導体は下記一般式（Ｂ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

一般式（Ｂ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、不飽和二重結合を有する基、又は、アシル基を表し、Ｒ^１４及びＲ^１５は、それぞれ独立に、アルキレン基を表し、ｈは、１以上１０以下の整数を表す。

第２のセルロース誘導体は上記一般式（Ｂ）で表される構成単位を複数含むことが好ましい。複数含まれる上記一般式（Ｂ）で表される構成単位は、互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。

一般式（Ｂ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３で表されるアルキレン基は、制限されない。
アルキレン基としては、直鎖又は分岐鎖の炭素数１～１８（好ましくは１～１２）のアルキレン基、環状の炭素数３～１８（好ましくは３～１２）のシクロアルキレン基が挙げられる。直鎖又は分岐鎖のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ－ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基、ｎ－ペンチレン基、イソペンチレン基等が挙げられる。
環状のアルキレン基としては、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等が挙げられる。

一般式（Ｂ）中、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－で表される基におけるアルキレン基（－Ｒ^１４－）としては、上記Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３と同様のアルキレン基が挙げられる。
－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－としては、例えば、エチレンオキシ基、ポリエチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ポリプロピレンオキシ基等が挙げられる。
－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－は、より具体的には、－(－Ｏ－(ＣＨ_２)_ｎ－)_ｈ－で表すことができる。ただし、ｎは１以上５以下の整数である。

一般式（Ｂ）中、ｈとしては、架橋によって適度な弾性を有する液晶フィルムを得る観点から、好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下、さらに好ましくは１以上３以下である。

一般式（Ｂ）中、Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３で表される－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－で表される基におけるアルキレン基（－Ｒ^１５－）としては、上記Ｘ^１１、Ｘ^１２及びＸ^１３と同様のアルキレン基が挙げられる。
－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－としては、例えば、－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_２Ｈ_４－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｃ_３Ｈ_６－等が挙げられる。

アルキレン基、－（Ｒ^１４－Ｏ）_ｈ－、 及び、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^１５－は、置換基を有していてもよい。

一般式（Ｂ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３で表される不飽和二重結合を有する基の好ましい形態としては、前述の第１のセルロース誘導体に含まれる不飽和二重結合を有する基の好ましい形態と同様である。

一般式（Ｂ）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３で表されるアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基（プロパノイル基）、ブチリル基、イソブチリル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。

一般式（Ｂ）で表される構成単位は、下記一般式（Ｂ－１）で表される構成単位であることが好ましい。

一般式（Ｂ－１）中、Ｒ^１は、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、又は、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、不飽和二重結合を有する基、又は、アシル基を表し、ｍ１、ｔ１及びｒ１は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表す。

一般式（Ｂ－１）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３は、一般式（Ｂ）におけるＲ^１１、Ｒ^１２及びＲ^１３と同義である。
一般式（Ｂ－１）中、ｍ１、ｔ１及びｒ１としては、セルロース誘導体の合成のし易さの観点から、それぞれ独立に、好ましくは０以上８以下、より好ましくは０以上５以下、さらに好ましくは０以上３以下である。

第２のセルロース誘導体が上記一般式（Ｂ）で表される構成単位を含む場合、構成単位あたりのアシル基の置換度は、２．００～３．００であってもよく、２．３０～２．９８であってもよく、２．５０～２．９５であってもよく、２．６０～２．９５であってもよい。
構成単位あたりのアシル基の置換度は、第２のセルロース誘導体の全構成単位中に含まれるアシル基の合計数Ｓ’（Ｒ^１１、Ｒ^１２又はＲ^１３で表されるアシル基の合計数）を第２のセルロース誘導体の構成単位の合計数Ｎ’で割った値（Ｓ’／Ｎ’、上限３）である。

第２のセルロース誘導体が上記一般式（Ｂ）で表される構成単位を含み、水酸基の一部が不飽和二重結合を有する基で置換されている場合、構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度は、０．０１～０．３であってもよく、０．０１～０．２であってもよく、０．０１～０．１であってもよい。
構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度は、第２のセルロース誘導体の全構成単位中に含まれる不飽和二重結合を有する基の合計数Ｔ’（Ｒ^１１、Ｒ^１２又はＲ^１３で表される不飽和二重結合を有する基の合計数）を第２のセルロース誘導体の構成単位の合計数Ｎ’で割った値（Ｔ’／Ｎ’、上限３）である。

構成単位あたりのアシル基の置換度及び構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度の合計は、特に限定されず、２．００以上であってもよく、２．４０以上であってもよく、水素結合減少による液晶材料の粘度低減、偏光特性等の観点から、２．７０以上であってもよく、２．８０以上であってもよい。

構成単位あたりのアシル基の置換度及び構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度は、^１Ｈ－ＮＭＲにより、各置換基が有する特徴的なプロトンピークの積分値から算出してもよい。

第２のセルロース誘導体は、ヒドロキシアルキルセルロース骨格を含むことが好ましく、ヒドロキシプロピルセルロース骨格を含むことがより好ましく、第２のセルロース誘導体が一般式（Ｂ－１）で表される構成単位を含む場合に、一般式（Ｂ－１）中のＲ^１は、－ＣＨ_２－ＣＨ（ＣＨ_３）－であることがさらに好ましい。

第２のセルロース誘導体の含有量としては、液晶材料全質量に対して、５０質量％～９９質量％であってもよく、６０質量％～９５質量％であってもよく、７０質量％～９０質量％であってもよい。

＜重合性モノマー＞
第１実施形態の液晶材料及び第２の実施形態の液晶材料は、それぞれ独立に、不飽和二重結合を有する基を含む重合性モノマー（以下、「重合性モノマー」とも称する）を含有する。

重合性モノマーは、第１のセルロース誘導体及び第２のセルロース誘導体の少なくとも一方（以下、「特定セルロース誘導体」とも称する。）と相溶性があり、かつ、特定セルロース誘導体と相溶した場合にリオトロピック液晶性を発現することが可能であれば、特に制限はない。

重合性モノマーと特定セルロース誘導体との相溶性を確認する方法としては、例えば、重合性モノマーと特定セルロース誘導体とを、例えば、１:３の割合で混合し、ミックスローター(DLAB Scientific Instrument Inc社製品）によって、１週間ほど撹拌し、目視で沈殿物の可否を確認することで、相溶性を判断することができる。

また、特定セルロース誘導体と重合性モノマーとが相溶した場合に、リオトロピック液晶性の発現を確認する方法としては、例えば、特定セルロース誘導体と重合性モノマーとの混合物について、ブラッグ反射の可否を目視で確認することで、液晶性の発現を確認することができる。

重合性モノマーに含まれる不飽和二重結合を有する基としては、重合反応を起こし得る基であれば特に制限されず、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリール基等が挙げられる。
重合反応性及び特定セルロース誘導体との相溶性の観点から、不飽和二重結合を有する基としては、（メタ）アクリロイル基であることが好ましく、アクリロイル基であることがより好ましい。

重合性モノマーが（メタ）アクリロイル基を含むモノマー（以下、「（メタ）アクリル系モノマー」とも称する。）である場合、（メタ）アクリル系モノマーとしては、１分子中に（メタ）アクリロイル基を１つ含む単官能（メタ）アクリレートであってもよく、１分子中に（メタ）アクリロイル基を２つ以上含む多官能（メタ）アクリレートであってもよい。

単官能（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

アルキル（メタ）アクリレートのアルキル基の炭素数は、液晶性の観点から、１～１８の範囲であることが好ましく、３～１５の範囲であることがより好ましく、３～１２の範囲であることがより好ましい。

上記アルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４－ｔ－シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

多官能（メタ）アクリレートとしては、特に制限はなく、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ブタンジオールジ（メタ）アクリレート（１，３－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート及び１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート（１，４－ビス（アクリロイルオキシ）ブタン））、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート及びトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレートが挙げられる。

単官能（メタ）アクリルモノマーは、（メタ）アクリロイル基以外の官能基をさらに含む（メタ）アクリレートを含んでいてもよい。（メタ）アクリロイル基以外の官能基としては、特に制限はなく、例えば、水酸基、カルボキシ基、アルコキシ基、アミド基、アミノ基及びグリシジル基が挙げられる。

水酸基を含む（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、６－ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレート、１０－ヒドロキシデシル（メタ）アクリレート、１２－ヒドロキシラウリル（メタ）アクリレート及び３－メチル－３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートが挙げられる。
これらの中でも、相溶性及びゴム弾性に優れる観点から、水酸基を含む（メタ）アクリレートとしては、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート及び２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートから選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート及び４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートの少なくとも一方であることがより好ましい。

カルボキシ基を含む（メタ）アクリレートとしては、（メタ）アクリル酸、β－カルボキシエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
これらの中でも、相溶性及びゴム弾性に優れる観点から、カルボキシ基を含む（メタ）アクリレートとしては、（メタ）アクリル酸であることが好ましい。

アルコキシ基を含む（メタ）アクリレートとしては、例えば、メトキシエチル（メタ）アクリレート、２－（エトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート及びメトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレートが挙げられる。

グリシジル基を含む（メタ）アクリレートとしては、アクリル酸グリシジル等が挙げられる。

特定セルロース誘導体との相溶性及び液晶性が得られる観点から、重合性モノマーとしては、アクリロイル基を有するモノマーであることが好ましい。

重合性モノマーは、アルキル（メタ）アクリレート、水酸基を含む（メタ）アクリレート及びカルボキシ基を含む（メタ）アクリレートの少なくとも１つを含んでいてもよい。液晶フィルムにおける両円偏光の反射特性向上の観点から、重合性モノマーは、水酸基を含む（メタ）アクリレート及びカルボキシ基を含む（メタ）アクリレートの少なくとも１つ（以下、「特定の（メタ）アクリレート化合物」とも称する。）を含むことが好ましい。例えば、特定セルロース誘導体がヒドロキシプロピルセルロース誘導体等のアルキルセルロース誘導体を含む場合、特定の（メタ）アクリレート化合物を用いることで液晶フィルムにおける左円偏光の反射特性が向上する傾向にある。特定セルロース誘導体がエチルセルロース誘導体等のアルキルセルロース誘導体を含む場合、特定の（メタ）アクリレート化合物を用いることで液晶フィルムにおける右円偏光の反射特性が向上する傾向にある。
特定の（メタ）アクリレート化合物を用いることで両円偏光の反射特性が向上する理由としては、特定の（メタ）アクリレート化合物に含まれる水酸基又はカルボキシ基により形成される水素結合が反射特性に影響を及ぼすためと推測される。なお、本開示は、上記推測に限定されない。

特定セルロース誘導体における構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度及び構成単位あたりのアシル基の置換度の合計が大きい場合、例えば、２．９５以上、２．９８以上又は３．００以上の場合、本開示の液晶材料は、水酸基を含む（メタ）アクリレート及びカルボキシ基を含む（メタ）アクリレートの少なくとも１つ（特定の（メタ）アクリレート化合物）を含むことが好ましい。これにより、特定セルロース誘導体における水酸基の割合が少ない場合に、特定の（メタ）アクリレート化合物に含まれる水酸基又はカルボキシ基により形成される水素結合が反射特性に影響を及ぼし、液晶フィルムにおける両円偏光の反射特性が向上する傾向にある。

不飽和二重結合を有する基を２つ以上含む重合性モノマーとしては、例えば、前述の多官能（メタ）アクリレートが挙げられ、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレートが好ましい。

カルボキシ基を分子内に有する重合性モノマーとしては、例えば、前述のカルボキシ基を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、アクリル酸が好ましい。

液晶性の観点から、重合性モノマーの含有量としては、液晶材料全質量に対して、１質量％～６０質量％であってもよく、２質量％～５０質量％であってもよく、３質量％～４０質量％であってもよい。
重合性モノマーの含有量は、特定セルロース誘導体の種類（例えば、アルキルセルロース誘導体、ヒドロキシアルキルセルロース誘導体）、特定セルロース誘導体に導入された不飽和二重結合を有する基又はアシル基の量、種類等（例えば、構成単位あたりの不飽和二重結合を有する基の置換度、構成単位あたりのアシル基の置換度、アシル基の炭素数）、使用される重合性モノマーの種類などによって適宜変更してもよい。

＜その他の成分＞
本開示の液晶材料は、本開示の効果が得られる範囲内において、特定セルロース誘導体及び重合性モノマー以外の成分（以下、「その他の成分」とも称する。）を含んでいてもよい。
その他の成分としては、例えば、重合開始剤、架橋剤、難燃剤、相溶化剤、酸化防止剤、離型剤（剥離剤）、耐光剤、耐候剤、改質剤、帯電防止剤、加水分解防止剤等が挙げられる。
重合開始剤としては、公知の重合開始剤（例えば熱重合開始剤、光重合開始剤）を用いることができる。

本開示の液晶材料が熱重合開始剤、光重合開始剤等の重合開始剤を含む場合、重合開始剤（好ましくは光重合開始剤）の含有量は、液晶材料全質量に対して、０．１質量％～５質量％であってもよく、０．２質量％～３質量％であってもよく、０．３質量％～２質量％であってもよい。

［液晶フィルム］
本開示の液晶フィルムは、前述の本開示の液晶材料を硬化してなり、左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する。本開示の液晶フィルムは、上記液晶材料にせん断力を加え、当該液晶材料に含まれるセルロース誘導体を配向させ、次いで液晶材料を硬化させることで得られた液晶フィルムであってもよい。

本開示の液晶フィルムは、良好な偏光特性を有する観点から、前述の本開示の液晶材料を硬化してなり、リタデーションが２００ｎｍ以上である領域を含む液晶フィルムであってもよい。セルロース誘導体がヒドロキシアルキルセルロース骨格（好ましくは、ヒドロキシプロピルセルロース骨格）を含む場合、左円偏光の反射光の割合が高くなり、良好な両偏光反射特性が得られやすい観点から、リタデーションが３００ｎｍ以上である領域を含む液晶フィルムが好ましい。
本開示において、リタデーションの値はセナルモン法によって測定される値である。
本開示において、測定領域によってリタデーションの値が相違していてもよい。例えば、印加されるせん断力が大きい領域ではリタデーションの値が２００ｎｍ以上であり、印加されるせん断力が小さい領域ではリタデーションの値が２００ｎｍ未満であってもよい。

液晶フィルムは、リタデーションが３００ｎｍ～１０００ｎｍである領域を含んでいてもよく、リタデーションが４００ｎｍ～６００ｎｍである領域を含んでいてもよい。

本開示の液晶フィルムは、良好な偏光特性を有する観点から、前述の本開示の液晶材料を硬化してなり、厚さが２００μｍ以上である液晶フィルムであってもよい。液晶フィルムの厚さは、３００μｍ～１０００μｍであってもよく、４００μｍ～８００μｍであってもよい。セルロース誘導体がヒドロキシアルキルセルロース骨格（好ましくは、ヒドロキシプロピルセルロース骨格）を含む場合、リタデーションの値が増加することで左円偏光の反射光の割合が高くなり、良好な両偏光反射特性が得られやすい観点から、液晶フィルムの厚さは、３００μｍ以上であることが好ましく、３００μｍ～６００μｍ以上であることがより好ましい。
なお、液晶フィルムの厚さは、前述の数値範囲に限定されない。液晶フィルムの製造条件を変更、例えば、せん断工程時のせん断速度を調整する、配向工程での配向時間を調整する等の手法により、リタデーションの値を増加させることができる。そのため、液晶フィルムの厚さが薄い場合であっても、良好な両偏光反射特性を有する液晶フィルムを得ることができる。

＜液晶フィルムの製造方法＞
本開示の液晶フィルムの製造方法は、前述の本開示の液晶材料にせん断力を加えるせん断工程と、せん断工程後の前記液晶材料を放置して配向させる配向工程と、配向工程後の前記液晶材料を硬化させる硬化工程と、を含む。

本開示の液晶フィルムの製造方法では、上記の各工程を経ることにより、左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する液晶フィルムを製造することができる。

（せん断工程）
せん断工程は、前述の本開示の液晶材料にせん断力を加える工程である。
前述の本開示の液晶材料にせん断力を加えることで、液晶材料に含まれる、分子らせん構造を形成したコレステリック液晶配向状態を示すセルロース誘導体がせん断方向に配向する。このとき、分子らせん構造がせん断方向に傾斜する。さらに、せん断方向に分子が配向して複屈折が増加する。

液晶材料にせん断力を加える方法は、分子らせん構造をせん断方向に傾斜することができれば特に限定されない。例えば、レオメーター等を用いて一定方向のせん断ひずみを液晶材料に印加してもよい。レオメーターを用いる場合は、液晶材料を下部治具に付与し、パラレルプレート、コーンプレート等の上部治具と下部治具とで液晶材料を挟み、一定方向のせん断ひずみを液晶材料に印加すればよい。

せん断工程を行う際の温度は、特に限定されず、室温（２５℃程度）であってもよく、加熱しながらせん断工程及び後述の各工程を行ってもよい。

液晶材料にせん断力を加える際のせん断速度は、特に限定されず、セルロース誘導体の種類（例えば、セルロース誘導体における水酸基の置換度合い）、重合性モノマーの種類（例えば、水酸基、カルボキシ基の有無）等によって適宜調整してもよい。

（配向工程）
配向工程は、せん断工程後の液晶材料を放置して配向させる工程である。
これにより、せん断処理により乱れたコレステリック液晶を再配向させることができ、鮮やかな反射色が得られる。

せん断工程後の液晶材料を放置する時間（待機時間）は、特に限定されず、せん断ひずみの大きさ、セルロース誘導体の種類（例えば、セルロース誘導体における水酸基の置換度合い）、重合性モノマーの種類（例えば、水酸基、カルボキシ基の有無）等によって適宜調整してもよい。また、待機時間を長くすることで分子らせん構造の傾斜が回復する傾向にある。そのため、待機時間を調整することで、分子らせん構造の傾斜も調整可能であり、液晶フィルムの反射波長も調整可能となる。

待機時間は、例えば、１０秒間～５時間であってもよく、１００秒間～１時間であってもよく、２００秒間～３０分間であってもよい。

（硬化工程）
硬化工程は、配向工程後の液晶材料を硬化させる工程である。
配向工程後の液晶材料を硬化させることで、特定のセルロース誘導体、重合性モノマー等が架橋反応し、分子らせん構造が傾斜し、かつ複屈折が増加した状態で架橋構造が形成される。これにより、傾斜した分子らせん構造が固定化され、複屈折が増加した液晶フィルムが得られる。

硬化方法としては、液晶材料に対して熱処理して硬化する方法、液晶材料に対して紫外線等の光を照射して硬化する方法が挙げられる。熱処理して硬化する場合、液晶材料は、熱重合開始剤を含むことが好ましく、光を照射して硬化する場合、液晶材料は光重合開始剤を含むことが好ましい。

熱処理方法は特に制限されず、例えば、公知の加熱装置を用いた熱処理方法であってもよい。
加熱装置としては、特に制限はなく、例えば、オーブン、赤外線ヒーター及びホットプレートが挙げられる。

熱処理の温度としては、好ましくは２５℃以上１３０℃以下、より好ましくは２５℃以上１２０℃以下、さらに好ましくは２５℃以上１１０℃以下である。
熱処理の温度は、液晶材料が上記範囲になるように制御される。

熱処理工程は、温度、加熱時間等の熱処理条件を制御することにより、ブラッグ反射の波長で配向を固定化することができる。

液晶材料に紫外線等の光を照射する際の温度（以下、「ＵＶ照射温度」とも称する。）は、好ましくは０℃以上１００℃以下、より好ましくは５℃以上５０℃以下、さらに好ましくは１０℃以上４０℃以下である。
ＵＶ照射温度は、液晶材料が上記範囲になるように制御される。

また、紫外線等の光の照射強度は、好ましくは１ｍＷ／ｃｍ^２以上２００ｍＷ／ｃｍ^２以下、より好ましくは５ｍＷ／ｃｍ^２以上１５０ｍＷ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは１０ｍＷ／ｃｍ^２以上１００ｍＷ／ｃｍ^２以下である。

紫外線等の光の照射時間は、５秒～４０分であることが好ましく、２分～２０分であることがより好ましい。

液晶フィルムにおける左円偏光又は右円偏光の有無は、肉眼で区別できない。そのため、左円偏光による反射色又は右円偏光による反射色で、文字、図形等をパターニングすることで、偽造防止技術への応用等が期待できる。

以下に本発明を実施例により説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の説明において、特に断りのない限り「％」はすべて質量基準である。

（実施例１）
[ＨＰＣ誘導体１の合成]
下記スキームに従って、ＨＰＣ誘導体１を合成した。
窒素を充填した２００ｍＬのナスフラスコに３０ｍＬの脱水アセトンを加え、次いで６．００ｇ（１５．２ｍｍｏｌ）のヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（Ｍｗ＝４．５×１０^４、 ＰＤＩ＝１．９）を秤量し、脱水アセトンに撹拌しながら溶解し、ＨＰＣ溶液を得た。

ＨＰＣ溶液をアルミホイルで遮光し、室温下でカレンズＡＯＩ（２－イソシアナトエチルアクリレート、昭和電工（株）製、登録商標）１．２９ｇ（水酸基に対して０．２当量）を加え、室温下、遮光中で２４時間反応させた後、プロピオニルクロリド６．３３ｇ（水酸基に対して１．５当量）を加え、さらに２２時間反応させた。
反応終了後、反応溶液を超純水に滴下し、生成物を析出させた。この生成物を超純水で洗浄し乾燥させ、次いで少量のアセトンに生成物を溶解させた後、超純水に滴下して再析出させた。この再溶解及び再析出の洗浄操作を行った後、１Ｌのアセトンを用いて透析を２回行った。次いで、この生成物を超純水に滴下して析出させた後、減圧乾燥を行うことでＨＰＣ誘導体１（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＰｒＥ」とも称する。）が得られた。

（^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定）
上記で合成したＨＰＣ誘導体１の^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルを測定した。
本実施例に係るＨＰＣ誘導体１に由来するピーク（具体的には、ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＰｒＥ由来のピーク）として、５．８ｐｐｍ、６．１ｐｐｍ及び６．４ｐｐｍ付近のピークは、それぞれアクリロイル基の二重結合につくプロトンのピークであり、４．７ｐｐｍ～５．２ｐｐｍ付近のピークは、末端のヒドロキシプロピル基のメチン基である。２．７ｐｐｍ～４．５ｐｐｍ付近のピークは、β－グルコースモノマーユニットにあるプロトン、側鎖のヒドロキシプロピル基が有するメチン基のプロトン（ＨＰＣ骨格由来するプロトンピーク）である。

２．３ｐｐｍ付近のピークは、カルボキシル基に隣接するプロピオニル基のメチレン基のプロトンである。１．０ｐｐｍ～１．３ｐｐｍ付近のピークは、ヒドロキシプロピル基の末端のメチル基、プロピオニル基のメチル基のプロトンピークであると帰属した。

すなわち、４．７ｐｐｍ～５．２ｐｐｍのピークは、末端のヒドロキシプロピル基がカルバメート化又はエステル化した場合のメチン基のプロトンと、β－グルコースモノマーユニットの２位又は３位がカルバメート化若しくはエステル化した場合のメチン基のプロトンの可能性がある。

以上の結果から、ＨＰＣ誘導体１は、ＨＰＣの側鎖である水酸基の水素原子が、ＣＨ_２＝ＣＨ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ_２）_２－ＮＨＣ（＝Ｏ）－（アクリロイルエチルカルバメート基）、及び、プロピオニル基で置換された「ＨＰＣアクリロイルエチルカルバメート/プロピオニル混合エステル」であった。

帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイルエチルカルバメート基）への置換度及びアシル基（すなわち、プロピオニル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体１は、アクリロイルエチルカルバメート基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．２３であり、プロピオニル基（アシル基）への置換度は２．６２（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＰｒＥ（ＡｃＣ：ＰｒＥ＝０．２３:２．６２））であった。

＜液晶材料１の作製＞
上記のようにして得たＨＰＣ誘導体１、ブチルアクリレート（ＢＡ）（東京化成工業（株）製、Ａ０１４２、ガラス転移温度（Ｔｇ）；－４０℃）及び光重合開始剤である２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン（ＨＭＰＰ）を用いて液晶材料１を作製した。具体的には、ＨＰＣ誘導体１、ＢＡ及びＨＭＰＰを質量比で８７．９：１１．５：０．６となるようによく混合した後、わずかな時間真空脱泡して液晶材料１を作製した。

＜液晶フィルム１の作製＞
レオメーター内で上記のようにして作製した液晶材料１にせん断配向処理を施し、次いでせん断配向処理後の液晶材料１を一定時間待機させた後に光を照射して液晶フィルム１を作製した。詳細には、上部治具として直径２５ｍｍのパラレルプレート、及び下部治具としてペルチェ素子を備えるガラスプレートを有し、下部治具側から紫外線を照射可能なレオメーターを準備した。上部治具及び下部治具には離型シートが貼り付けられている。２５℃に調整したガラスプレート上に液晶材料１を付与し、パラレルプレート及びガラスプレートで液晶材料１を挟んだ。このとき、パラレルプレートとガラスプレートとの間のギャップｄは５００μｍとした。パラレルプレート及びガラスプレートで挟んだ液晶材料１に対してせん断速度０．２ｓ^－１又は０．５ｓ^－１の条件にてせん断配向処理を３００秒間施した。せん断速度は平面視における中心からの距離に比例して増大し、本実験では、中心からの距離がもっとも離れた位置（すなわち、中心からの距離ｒ：１２．５ｍｍ）でのせん断速度を上記の値に調整した。乱れた液晶構造を再配向させて鮮やかな反射色を示す液晶フィルムを得るため、せん断配向処理後の液晶材料１を２００秒間待機させた。待機後の液晶材料１にＬＥＤ光源を用いて波長３６５ｎｍ、強度８０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を６分間照射した。以上により、液晶材料１を硬化させて液晶フィルム１を得た。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
実施例１で得た液晶フィルム１（液晶フィルム１の厚さ：約５００μｍ）を用いて、円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定では、白色光源、直線偏光子、１／４波長板、アクロマティック集光レンズ、分光器を備える光学測定系を用い、１／４波長板とアクロマティック集光レンズとの間に液晶フィルム１を有するガラスプレートを配置し、白色光源から光を液晶フィルム１に照射し、分光器にて透過光を受光した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図１及び図２に示す。図１（ａ）は、せん断速度０．２ｓ^－１の条件にて液晶フィルム１を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図１（ｂ）は、せん断速度０．２ｓ^－１の条件にて液晶フィルム１を作製した場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。図２（ａ）は、せん断速度０．５ｓ^－１の条件にて液晶フィルム１を作製した場合の左円偏光の透過スペクトルの変化を示す図であり、図２（ｂ）は、せん断速度０．５ｓ^－１の条件にて液晶フィルム１を作製した場合の右円偏光の透過スペクトルの変化を示す図である。図１、２中のｒは、平面視における液晶フィルムの中心からの距離を意味する（図３以降も同様）。

図１及び図２に示すように、液晶フィルム１では、右円偏光及び左円偏光を反射することが確認できた。せん断速度０．２ｓ^－１の条件及びせん断速度０．５ｓ^－１の条件での液晶フィルム１の反射波長は、右円偏光又は左円偏光、液晶フィルムの測定位置によって変動し、５７０ｎｍ～６３０ｎｍの範囲内であった。なお、せん断配向処理を行っていない状態の液晶フィルム１の反射波長は、６４２ｎｍであった。

（実施例２）
＜液晶材料２の作製＞
上記のようにして得たＨＰＣ誘導体１、４－ヒドロキシブチルアクリレート（東京化成工業(株）製、製品コード；Ａ１３９０、４ＨＢＡ、ガラス転移温度（Ｔｇ）；－３２℃）及びＨＭＰＰを用いて液晶材料２及び３を作製した。具体的には、ＨＰＣ誘導体１、４ＨＢＡ及びＨＭＰＰを質量比で９０．８：８．５：０．７となるようによく混合した後、わずかな時間真空脱泡して液晶材料２を作製した。さらに、ＨＰＣ誘導体１、４ＨＢＡ及びＨＭＰＰを質量比で９１．０：８．４：０．６となるようによく混合した後、わずかな時間真空脱泡して液晶材料３を作製した。

＜液晶フィルム２～４の作製＞
液晶材料１の替わりに液晶材料２を用い、せん断速度０．２ｓ^－１の条件にてせん断配向処理を施し、せん断配向処理後の液晶材料２を３００秒間待機させた以外は、液晶フィルム１の作製と同様にして液晶フィルム２を作製した。
液晶材料１の替わりに液晶材料３を用い、せん断速度０．５ｓ^－１の条件にてせん断配向処理を施し、せん断配向処理後の液晶材料２を３００秒間待機させた以外は、液晶フィルム１の作製と同様にして液晶フィルム３を作製した。
液晶材料２を用い、せん断配向処理後の液晶材料２を２００秒間待機させた以外は、液晶フィルム２の作製と同様にして液晶フィルム４を作製した。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
実施例２で得た液晶フィルム２（液晶フィルム２の厚さ：約５００μｍ）、液晶フィルム３（液晶フィルム３の厚さ：約５００μｍ）及び液晶フィルム４（液晶フィルム４の厚さ：約５００μｍ）をそれぞれ用いて、液晶フィルム１と同様にして円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図３～図５に示す。

図３～図５に示すように、液晶フィルム２～液晶フィルム４では、右円偏光及び左円偏光を反射することが確認できた。液晶フィルム３では、ｒ＝０ｍｍ及び３ｍｍ付近にて緑色の反射光を確認でき、せん断が小さいｒが５ｍｍ以下の領域にて右円偏光及び左円偏光を良好に示すことが確認できた。液晶フィルム２と液晶フィルム４とを比較すると、配向時間を長くすることで、右円偏光及び左円偏光の反射光がより明確になることが確認できた。液晶フィルム２～液晶フィルム４の反射波長は、右円偏光又は左円偏光、液晶フィルムの測定位置によって変動し、５００ｎｍ～５６０ｎｍの範囲内であった。なお、せん断配向処理を行っていない状態では、液晶フィルム２の反射波長は、５７２ｎｍであり、液晶フィルム３の反射波長は、５８６ｎｍであり、液晶フィルム４の反射波長は、５７２ｎｍであった。

（実施例３）
[ＨＰＣ誘導体２の合成]
下記スキームに従って、ＨＰＣ誘導体２を合成した。
窒素を充填した２００ｍＬのナスフラスコに３０ｍＬの脱水アセトンを加え、次いで６．００ｇ（１５．２ｍｍｏｌ）のヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（Ｍｗ＝４．５×１０^４、 ＰＤＩ＝１．９）を秤量し、脱水アセトンに撹拌しながら溶解し、ＨＰＣ溶液を得た。

ＨＰＣ溶液をアルミホイルで遮光し、室温下でカレンズＡＯＩ（２－イソシアナトエチルアクリレート、昭和電工（株）製、登録商標）０．９７ｇ（水酸基に対して０．１５当量）を加え、室温下、遮光中で２４時間反応させた後、ブチリルクロリド１４．６ｇ（水酸基に対して３．０当量）を加え、さらに２２時間反応させた。
反応終了後、実施例１のＨＰＣ誘導体１を得る際の操作と同様の操作を行うことでＨＰＣ誘導体２（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＢｕＥ」とも称する。）が得られた。

^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定を行い、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイル基）への置換度及びアシル基（すなわち、ブチリル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体２は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．０５であり、ブチリル基（アシル基）への置換度は２．８３（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＢｕＥ（ＡｃＣ：ＢｕＥ＝０．０５:２．８３））であった。

＜液晶材料４の作製＞
上記のようにして得たＨＰＣ誘導体２、４－ヒドロキシブチルアクリレート（４ＨＢＡ）及びＨＭＰＰを用いて液晶材料４を作製した。具体的には、ＨＰＣ誘導体２、４ＨＢＡ及びＨＭＰＰを質量比で９０．５：８．６：０．９となるようによく混合した後、わずかな時間真空脱泡して液晶材料４を作製した。

＜液晶フィルム５の作製＞
液晶材料１の替わりに液晶材料４を用い、せん断速度１．０ｓ^－１の条件にてせん断配向処理を施し、せん断配向処理後の液晶材料４を６０秒間待機させた以外は、液晶フィルム１の作製と同様にして液晶フィルム５を作製した。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
実施例３で得た液晶フィルム５（液晶フィルム５の厚さ：約５００μｍ）を用いて、液晶フィルム１と同様にして円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図６に示す。

図６に示すように、液晶フィルム５では、右円偏光及び左円偏光を反射することが確認できた。液晶フィルム５の反射波長は、右円偏光又は左円偏光、液晶フィルムの測定位置によって変動し、５５０ｎｍ～６００ｎｍの範囲内であった。なお、せん断配向処理を行っていない状態の液晶フィルム５の反射波長は、６２７ｎｍであった。

（実施例４）
[ＨＰＣ誘導体３の合成]
カレンズＡＯＩの使用量を０．６４ｇ（水酸基に対して０．１当量）及びブチリルクロリドの使用量を１５．０ｇ（水酸基に対して３当量）に変更した以外はＨＰＣ誘導体２の合成と同様にしてＨＰＣ誘導体３（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＢｕＥ」とも称する。）を合成した。

^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定を行い、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイル基）への置換度及びアシル基（すなわち、ブチリル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体３は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．０４であり、ブチリル基（アシル基）への置換度は２．９７（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＢｕＥ（ＡｃＣ：ＢｕＥ＝０．０４：２．９７））であった。不飽和二重結合を有する基及びアシル基の合計が３．００を超えていることは、ＨＰＣにおけるほぼ全ての水酸基が不飽和二重結合を有する基又はアシル基に置換されていることを意味する。

（実施例５）
[ＨＰＣ誘導体４の合成]
カレンズＡＯＩの使用量を０．９７ｇ（水酸基に対して０．１５当量）及びブチリルクロリドの使用量を１５．０ｇ（水酸基に対して３当量）に変更した以外はＨＰＣ誘導体２の合成と同様にしてＨＰＣ誘導体４（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＢｕＥ」とも称する。）を合成した。

^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定を行い、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイル基）への置換度及びアシル基（すなわち、ブチリル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体３は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．０９であり、ブチリル基（アシル基）への置換度は２．９２（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＢｕＥ（ＡｃＣ：ＢｕＥ＝０．０９:２．９２））であった。

＜液晶材料５、６の作製＞
上記のようにして得たＨＰＣ誘導体３、４－ヒドロキシブチルアクリレート（４ＨＢＡ）及びＨＭＰＰを用いて液晶材料５を作製した。具体的には、ＨＰＣ誘導体３、４ＨＢＡ及びＨＭＰＰを質量比で８９．３：１０．４：０．２となるようによく混合した後、わずかな時間真空脱泡して液晶材料５を作製した。
さらに、上記のようにして得たＨＰＣ誘導体４、アクリル酸及びＨＭＰＰをよく混合した後、わずかな時間真空脱泡して液晶材料６を作製した。

＜液晶フィルム６、７の作製＞
液晶材料１の替わりに液晶材料５及び液晶材料６を用い、せん断速度１．０ｓ^－１の条件にてせん断配向処理を施し、せん断配向処理後の液晶材料５及び液晶材料６を６０秒間待機させた以外は、液晶フィルム１の作製と同様にして液晶フィルム６及び液晶フィルム７を作製した。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
実施例４で得た液晶フィルム６（液晶フィルム６の厚さ：約５００μｍ）及び実施例５で得た液晶フィルム７（液晶フィルム６の厚さ：約５００μｍ）を用いて、液晶フィルム１と同様にして円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図７及び図８に示す。

図７及び図８に示すように、液晶フィルム６及び液晶フィルム７では、右円偏光及び左円偏光を反射することが確認できた。液晶フィルム７の反射波長は、右円偏光及び左円偏光ともに、約５７０ｎｍであった。なお、せん断配向処理を行っていない状態の液晶フィルム７の反射波長は、５９７ｎｍであった。

（実施例６）
[ＨＰＣ誘導体５の合成]
下記スキームに従って、ＨＰＣ誘導体５を合成した。
窒素を充填した２００ｍＬのナスフラスコに３０ｍＬの脱水アセトンを加え、次いで６．００ｇ（１５．２ｍｍｏｌ）のヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）（Ｍｗ＝４．５×１０^４、 ＰＤＩ＝１．９）を秤量し、脱水アセトンに撹拌しながら溶解し、ＨＰＣ溶液を得た。

ＨＰＣ溶液をアルミホイルで遮光し、室温下でカレンズＡＯＩ（２－イソシアナトエチルアクリレート、昭和電工（株）製、登録商標）１．２９ｇ（水酸基に対して０．２当量）を加え、室温下、遮光中で２４時間反応させた後、アセチルクロリド４．６６ｇ（水酸基に対して１．３当量）を加え、さらに２２時間反応させた。
反応終了後、実施例１のＨＰＣ誘導体１を得る際の操作と同様の操作を行うことでＨＰＣ誘導体５（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＥｔＥ」とも称する。）が得られた。

^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定を行い、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイル基）への置換度及びアシル基（すなわち、アセチル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体５は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．０２であり、アセチル基（アシル基）への置換度は２．９２（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＥｔＥ（ＡｃＣ：ＥｔＥ＝０．０２:２．９０））であった。

＜液晶材料７の作製＞
上記のようにして得たＨＰＣ誘導体５、ブチルアクリレート（ＢＡ）及びＨＭＰＰを用いて液晶材料７を作製した。具体的には、ＨＰＣ誘導体５、ＢＡ及びＨＭＰＰを質量比で７２．７：２６．４：０．８となるようによく混合した後、わずかな時間真空脱泡して液晶材料７を作製した。

＜液晶フィルム８の作製＞
液晶材料１の替わりに液晶材料７を用い、せん断速度０．５ｓ^－１の条件にてせん断配向処理を施し、せん断配向処理後の液晶材料７を２００秒間待機させた以外は、液晶フィルム１の作製と同様にして液晶フィルム８を作製した。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
実施例６で得た液晶フィルム８（液晶フィルム８の厚さ：５６０μｍ）を用いて、液晶フィルム１と同様にして円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図９に示す。

図９に示すように、液晶フィルム８では、右円偏光及び左円偏光を反射することが確認できた。図２及び図６と比較すると、ＨＰＣ誘導体１（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＰｒＥ）を用いて作製した液晶フィルム１、及びＨＰＣ誘導体２（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＢｕＥ）を用いて作製した液晶フィルム５よりも、ＨＰＣ誘導体５（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＥｔＥ）を用いて作製した液晶フィルム８の方が反射特性が良好であった。

＜液晶フィルム９の作製＞
液晶フィルムの厚さが右円偏光及び左円偏光の反射特性に与える影響を確認するため、反射特性が良好であった液晶材料７を用いて液晶フィルム８と厚さの異なる液晶フィルム９を作製した。具体的には、パラレルプレートとガラスプレートとの間のギャップｄを５００μｍから１５０μｍに変更した以外は液晶フィルム８と同様にして液晶フィルム９を作製した。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
液晶フィルム９（液晶フィルム９の厚さ：１７８μｍ）を用いて、液晶フィルム１と同様にして円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図１０に示す。

図１０に示すように、液晶フィルム９では、右円偏光の反射は明確に確認できたが、左円偏光の反射はほとんど確認できなかった。図９及び図１０の結果から、液晶フィルムの厚さを変更することで右円偏光及び左円偏光の反射特性が変化することが確認できた。

液晶フィルムの厚さが薄いときに左円偏光の反射が確認しにくくなった理由としては、リタデーションの減少が推測される。図１１は、液晶フィルム８及び液晶フィルム９について、平面視における中心からの距離と複屈折との関係を示す図である。図１２は、液晶フィルム８及び液晶フィルム９について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。１／４波長板と直線偏光子を用いるセナルモン法によって液晶フィルム８及び液晶フィルム９のリタデーションを測定し、測定したリタデーションの値を液晶フィルム８及び液晶フィルム９の厚さで割ることによって液晶フィルム８及び液晶フィルム９の複屈折を求めた。

図１１に示すように、液晶フィルム８及び液晶フィルム９の複屈折は大きな差が見られず、両方とも中心からの距離が大きくなるにつれて値が大きくなる傾向にあった。パラレルプレートを用いてせん断配向処理を行ったため、中心からの距離が大きくなるにつれてせん断速度も増大しており、その結果、複屈折も増加していることが確認できた。図１２に示すように、液晶フィルム８及び液晶フィルム９のリタデーションは大きな差が見られ、液晶フィルム８の方が液晶フィルム９よりもリタデーションが大きくなる傾向にあった。

複屈折の結果から、せん断配向処理による液晶の配向度は液晶フィルム８及び液晶フィルム９で大きくは変わらないことが推測される。一方、リタデーションの結果から、厚さの減少によって反射された右円偏光の一部が左円偏光に変化する能力が減少することで左円偏光の反射が確認しにくくなることが推測される。

（実施例７）
[ＨＰＣ誘導体６の合成]
カレンズＡＯＩの使用量を１．２９ｇ（水酸基に対して０．２当量）及びアセチルクロリドの使用量を４．６５ｇ（水酸基に対して１．３当量）に変更した以外はＨＰＣ誘導体５の合成と同様にしてＨＰＣ誘導体６（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＥｔＥ」とも称する。）を合成した。

^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定を行い、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイル基）への置換度及びアシル基（すなわち、アセチル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体６は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．０３であり、アセチル基（アシル基）への置換度は２．８７（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＥｔＥ（ＡｃＣ：ＥｔＥ＝０．０３:２．８７））であった。

＜液晶材料８の作製＞
上記のようにして得たＨＰＣ誘導体６、ブチルアクリレート（ＢＡ）及びＨＭＰＰを用いて液晶材料８を作製した。具体的には、ＨＰＣ誘導体６、ＢＡ及びＨＭＰＰを質量比で７７．９：２１．４：０．５となるようによく混合した後、わずかな時間真空脱泡して液晶材料８を作製した。

＜液晶フィルム１０の作製＞
液晶材料１の替わりに液晶材料８を用い、せん断速度０．５ｓ^－１の条件にてせん断配向処理を施し、フォトマスクを用いることでせん断配向処理後の液晶材料８の待機時間を場所によって変更した以外は液晶フィルム１の作製と同様にして液晶フィルム１０を作製した。ガラスプレートと、下部治具側の離型シートとの間にフォトマスクを配置することで液晶材料８の中心付近にのみ紫外線が照射されるようにした。待機時間については、せん断配向処理後の待機時間を３０秒とし、３０秒経過後にＬＥＤ光源を用いて波長３６５ｎｍ、強度１０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を液晶材料８の中心付近に３０秒間照射した。紫外線照射後にフォトマスクを取り外し、次いで待機時間を３時間とし、３時間経過後にＬＥＤ光源を用いて波長３６５ｎｍ、強度８０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を液晶材料８の全体に６分間照射した。

（実施例８）
[ＨＰＣ誘導体７の合成]
カレンズＡＯＩの使用量を１．２９ｇ（水酸基に対して０．２当量）及びプロピオニルクロリドの使用量を５．９８ｇ（水酸基に対して１．５当量）に変更した以外はＨＰＣ誘導体１の合成と同様にしてＨＰＣ誘導体７（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＰｒＥ」とも称する。）を合成した。

^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定を行い、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイル基）への置換度及びアシル基（すなわち、プロピオニル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体３は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．１６であり、プロピオニル基（アシル基）への置換度は２．７５（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＰｒＥ（ＡｃＣ：ＰｒＥ＝０．１６:２．７５））であった。

＜液晶材料９の作製＞
上記のようにして得たＨＰＣ誘導体７、ブチルアクリレート（ＢＡ）及びＨＭＰＰを用いて液晶材料９を作製した。具体的には、ＨＰＣ誘導体７、ＢＡ及びＨＭＰＰを質量比で８７．５：１１．７：０．９となるようによく混合した後、わずかな時間真空脱泡して液晶材料９を作製した。

＜液晶フィルム１１の作製＞
液晶材料８の替わりに液晶材料９を用い、せん断速度８．０ｓ^－１の条件にてせん断配向処理を施し、せん断配向処理後の液晶材料９の待機時間を変更した以外は液晶フィルム１０の作製と同様にして液晶フィルム１１を作製した。ガラスプレートと、下部治具側の離型シートとの間にフォトマスクを配置することで液晶材料９の中心付近にのみ紫外線が照射されるようにした。待機時間については、せん断配向処理後の待機時間を３０秒とし、３０秒経過後にＬＥＤ光源を用いて波長３６５ｎｍ、強度１０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を液晶材料９の中心付近に３０秒間照射した。紫外線照射後にフォトマスクを取り外し、次いで待機時間を１０分間とし、１０分間経過後にＬＥＤ光源を用いて波長３６５ｎｍ、強度８０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を液晶材料９の全体に６分間照射した。

作製した液晶フィルム１０及び液晶フィルム１１に白色光を照射し、左円偏光の反射光を確認した。液晶フィルム１０の反射波長は、右円偏光及び左円偏光ともに、約５００ｎｍであり、測定箇所によって大きな差はなかった。液晶フィルム１１の反射波長は、右円偏光及び左円偏光ともに、待機時間が３０秒である中心付近では５２５ｎｍ、待機時間が１０分である外側では６３０ｎｍであった。なお、せん断配向処理を行っていない状態にて、液晶フィルム１０の反射波長は、５０２ｎｍであり、液晶フィルム１１の反射波長は、６２６ｎｍであった。液晶フィルム１０の中心付近及び液晶フィルム１１の中心付近については中心付近以外の部分よりも波長の短い反射光がそれぞれ確認された。液晶のらせん軸がより傾斜していることで短波長シフトが確認されるため、らせん軸の傾斜は待機時間の経過によって回復することが推測される。一方、液晶フィルム１０及び液晶フィルム１１のそれぞれについて、中心付近及び中心付近以外の部分にて左円偏光の反射光が確認された。左円偏光の反射は複屈折増加に起因しており、複屈折の増加は待機時間が経過しても維持されやすいことが推測される。

（実施例９）
[ＨＰＣ誘導体８の合成]
カレンズＡＯＩの使用量を３．８７ｇ（水酸基に対して０．６当量）及びアセチルクロリドの使用量を１４．３ｇ（水酸基に対して４．０当量）に変更した以外はＨＰＣ誘導体５の合成と同様にしてＨＰＣ誘導体８（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＥｔＥ」とも称する。）を合成した。

^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定を行い、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイル基）への置換度及びアシル基（すなわち、アセチル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体８は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．１４であり、アセチル基（アシル基）への置換度は２．７１（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＥｔＥ（ＡｃＣ：ＥｔＥ＝０．１４:２．７１））であった。

＜液晶材料１０の作製＞
上記のようにして得たＨＰＣ誘導体８、ブチルアクリレート（ＢＡ）及びＨＭＰＰを用いてＨＰＣ誘導体の濃度が７７質量％である液晶材料１０を作製した。

＜液晶フィルム１２の作製＞
実施例１と同様に、レオメーター内で上記のようにして作製した液晶材料１０にせん断配向処理を施し、次いでせん断配向処理後の液晶材料１０を一定時間待機させた後に光を照射して液晶フィルム１２を作製した。液晶フィルム１２の作製条件としては、パラレルプレートとガラスプレートとの間のギャップｄを１００μｍ～８００μｍとし、せん断速度を０．５ｓ^－１、せん断処理時間を３００秒とし、待機時間を２００秒とし、紫外線照射条件を波長３６５ｎｍ、強度８０ｍＷ／ｃｍ^２、照射時間６分とした。以上により、液晶材料１０を硬化させて液晶フィルム１２を得た。ギャップｄと、得られた液晶フィルム１２の厚さとの関係を表１に示す。厚さの異なる液晶フィルム１２は、それぞれ液晶フィルム１２－１～１２－６とした。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
実施例９で得た液晶フィルム１２－１～１２－６を用いて、実施例１と同様にして円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図１３に示す。図１３（ａ）～図１３（ｆ）は、それぞれ液晶フィルム１２－６～１２－１のｒ＝３ｍｍ又はｒ＝９ｍｍでの右円偏光及び左円偏光のスペクトルの変化を示す図である。

液晶フィルム１２－１～１２－６の円偏光透過スペクトルを測定したところ、反射波長はおよそ４００ｎｍであり、液晶フィルムの厚さの減少にしたがってピーク強度は低下し、ピーク強度の低下は左円偏光において顕著であった。

次に、実施例６と同様にして液晶フィルム１２－１～１２－６のリタデーションを測定し、測定したリタデーションの値を液晶フィルム１２－１～１２－６の厚さで割ることによって液晶フィルム１２－１～１２－６の複屈折を求めた。図１４は、液晶フィルム１２－１～１２－６について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。図１５は、液晶フィルム１２－１～１２－６について、平面視における中心からの距離と複屈折との関係を示す図である。

液晶フィルム１２－１～１２－６のリタデーションの値と、左右円偏光のピーク強度との関係を検討するため、左右円偏光のピーク強度の比をリタデーションの値（ｒ＝１～１０でのリタデーションの値）に対してプロットした。プロットの結果を図１６に示す。左右円偏光のピーク強度の比は、（Ｉ_Ｌ－Ｉ_Ｒ）／（Ｉ_Ｌ＋Ｉ_Ｒ）で表され、Ｉ_Ｌは左円偏光透過スペクトルのピーク強度であり、Ｉ_Ｒは右円偏光透過スペクトルのピーク強度であり、ベースラインの透過率からピークトップの透過率を引いた値である。ここでは、波長６８０ｎｍでの透過率をベースラインの透過率として用いた。

図１６に示すように、リタデーションの値が２００ｎｍから増加するにつれて左円偏光の反射光の割合が徐々に増加した。リタデーションの値が３００ｎｍ付近からは、リタデーションの値が増加してもピーク強度の比はほとんど変わらず、左円偏光及び右円偏光の反射光の強度はほぼ同程度であった。この結果から、青色（例えば、４００ｎｍ）の左右両円偏光を同程度の強度で反射する液晶フィルムを作製するには、リタデーションの値が３００ｎｍ以上とすることが望ましい、と推測される。

（実施例１０）
[ＨＰＣ誘導体９の合成]
カレンズＡＯＩの使用量を２．５８ｇ（水酸基に対して０．４当量）及びアセチルクロリドの使用量を４．６６ｇ（水酸基に対して１．３当量）に変更した以外はＨＰＣ誘導体５の合成と同様にしてＨＰＣ誘導体９（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＥｔＥ」とも称する。）を合成した。

^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定を行い、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイル基）への置換度及びアシル基（すなわち、アセチル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体９は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．０２であり、アセチル基（アシル基）への置換度は２．８５（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＥｔＥ（ＡｃＣ：ＥｔＥ＝０．０２:２．８５））であった。

＜液晶材料１１の作製＞
上記のようにして得たＨＰＣ誘導体９、ブチルアクリレート（ＢＡ）及びＨＭＰＰを用いてＨＰＣ誘導体の濃度が７５質量％である液晶材料１１を作製した。

＜液晶フィルム１３の作製＞
実施例１と同様に、レオメーター内で上記のようにして作製した液晶材料１１にせん断配向処理を施し、次いでせん断配向処理後の液晶材料１１を一定時間待機させた後に光を照射して液晶フィルム１３を作製した。液晶フィルム１３の作製条件としては、パラレルプレートとガラスプレートとの間のギャップｄを３００μｍ又は８００μｍとし、せん断速度を０．５ｓ^－１、せん断処理時間を３００秒とし、待機時間を２００秒とし、紫外線照射条件を波長３６５ｎｍ、強度８０ｍＷ／ｃｍ^２、照射時間６分とした。以上により、液晶材料１１を硬化させて液晶フィルム１３を得た。ギャップｄを３００μｍとした場合を液晶フィルム１３－１とし、ギャップｄを８００μｍとした場合を液晶フィルム１３－２とした。液晶フィルム１３－１の厚さは３３９μｍであり、液晶フィルム１３－２の厚さは８２１μｍであった。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
実施例１０で得た液晶フィルム１３－１及び１３－２を用いて、実施例１と同様にして円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図１７に示す。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、それぞれ液晶フィルム１３－１及び１３－２のｒ＝３ｍｍ又はｒ＝９ｍｍでの右円偏光及び左円偏光のスペクトルの変化を示す図である。

液晶フィルム１３－１及び１３－２の円偏光透過スペクトルを測定したところ、反射波長はおよそ５４０ｎｍであり、液晶フィルムの厚さが薄くなるとピーク強度は低下した。

次に、実施例６と同様にして液晶フィルム１３－１及び１３－２のリタデーションを測定し、測定したリタデーションの値を液晶フィルム１３－１及び１３－２の厚さで割ることによって液晶フィルム１３－１及び１３－２の複屈折を求めた。図１８は、液晶フィルム１３－１及び１３－２について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。図１９は、液晶フィルム１３－１及び１３－２について、平面視における中心からの距離と複屈折との関係を示す図である。

液晶フィルム１３－１及び１３－２のリタデーションの値と、左右円偏光のピーク強度との関係を検討するため、左右円偏光のピーク強度の比をリタデーションの値（ｒ＝１～１０でのリタデーションの値）に対してプロットした。プロットの結果を図２０に示す。図１６と同様に、左右円偏光のピーク強度の比は、（Ｉ_Ｌ－Ｉ_Ｒ）／（Ｉ_Ｌ＋Ｉ_Ｒ）で表される。ここでは、波長６８０ｎｍでの透過率をベースラインの透過率として用いた。

図２０に示すように、リタデーションの値が増加するにつれて左円偏光の反射光の割合が徐々に増加した。リタデーションの値が３００ｎｍ付近からは、リタデーションの値が増加してもピーク強度の比はほとんど変わらず、左円偏光及び右円偏光の反射光の強度はほぼ同程度であった。この結果から、緑色（例えば、５４０ｎｍ）の左右両円偏光を同程度の強度で反射する液晶フィルムを作製するには、リタデーションの値が３００ｎｍ以上とすることが望ましい、と推測される。

（実施例１１）
＜液晶材料１２の作製＞
実施例１０と同様にして得たＨＰＣ誘導体９、ブチルアクリレート（ＢＡ）及びＨＭＰＰを用いてＨＰＣ誘導体の濃度が７３質量％である液晶材料１２を作製した。

＜液晶フィルム１４の作製＞
実施例１と同様に、レオメーター内で上記のようにして作製した液晶材料１２にせん断配向処理を施し、次いでせん断配向処理後の液晶材料１２を一定時間待機させた後に光を照射して液晶フィルム１４を作製した。液晶フィルム１４の作製条件としては、実施例１０と同様である。ギャップｄを３００μｍとした場合を液晶フィルム１４－１とし、ギャップｄを８００μｍとした場合を液晶フィルム１４－２とした。液晶フィルム１４－１の厚さは３４５μｍであり、液晶フィルム１４－２の厚さは８０３μｍであった。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
実施例１１で得た液晶フィルム１４－１及び１４－２を用いて、実施例１と同様にして円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図２１に示す。図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、それぞれ液晶フィルム１４－１及び１４－２のｒ＝３ｍｍ又はｒ＝９ｍｍでの右円偏光及び左円偏光のスペクトルの変化を示す図である。

液晶フィルム１４－１及び１４－２の円偏光透過スペクトルを測定したところ、反射波長はおよそ６１０ｎｍであり、液晶フィルムの厚さが薄くなるとピーク強度は低下した。

次に、実施例６と同様にして液晶フィルム１４－１及び１４－２のリタデーションを測定し、測定したリタデーションの値を液晶フィルム１４－１及び１４－２の厚さで割ることによって液晶フィルム１４－１及び１４－２の複屈折を求めた。図２２は、液晶フィルム１４－１及び１４－２について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。図２３は、液晶フィルム１４－１及び１４－２について、平面視における中心からの距離と複屈折との関係を示す図である。

液晶フィルム１４－１及び１４－２のリタデーションの値と、左右円偏光のピーク強度との関係を検討するため、左右円偏光のピーク強度の比をリタデーションの値（ｒ＝１～１０でのリタデーションの値）に対してプロットした。プロットの結果を図２４に示す。図１６と同様に、左右円偏光のピーク強度の比は、（Ｉ_Ｌ－Ｉ_Ｒ）／（Ｉ_Ｌ＋Ｉ_Ｒ）で表される。ここでは、波長７２０ｎｍでの透過率をベースラインの透過率として用いた。

図２４に示すように、リタデーションの値が増加するにつれて左円偏光の反射光の割合が徐々に増加した。リタデーションの値が３００ｎｍ付近からは、リタデーションの値が増加してもピーク強度の比はほとんど変わらず、左円偏光及び右円偏光の反射光の強度はほぼ同程度であった。この結果から、赤色（例えば、６１０ｎｍ）の左右両円偏光を同程度の強度で反射する液晶フィルムを作製するには、リタデーションの値が３００ｎｍ以上とすることが望ましい、と推測される。

（実施例１２）
[ＨＰＣ誘導体１０の合成]
ＨＰＣ溶液をアルミホイルで遮光し、室温下でカレンズＡＯＩ（２－イソシアナトエチルアクリレート、昭和電工（株）製、登録商標）１．２９ｇ（水酸基に対して０．２当量）を加え、室温下、遮光中で２４時間反応させた後、アセチルクロリド４．６６ｇ（水酸基に対して１．３当量）を加え、さらに２２時間反応させた。
反応終了後、実施例１のＨＰＣ誘導体１を得る際の操作と同様の操作を行うことでＨＰＣ誘導体１０（以下、「ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＥｔＥ」とも称する。）が得られた。

^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定を行い、帰属したピークをもとに、ＨＰＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイル基）への置換度及びアシル基（すなわち、アセチル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体１０は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．０３であり、アセチル基（アシル基）への置換度は２．８７（ＨＰＣ－ＡｃＣ/ＥｔＥ（ＡｃＣ：ＥｔＥ＝０．０３:２．８７））であった。

＜液晶材料１３の作製＞
上記のようにして得たＨＰＣ誘導体１０、ブチルアクリレート（ＢＡ）及びＨＭＰＰを用いてＨＰＣ誘導体の濃度が７８．２質量％である液晶材料１３を作製した。

＜液晶フィルム１５の作製＞
実施例１と同様に、レオメーター内で上記のようにして作製した液晶材料１３にせん断配向処理を施し、次いでせん断配向処理後の液晶材料１３を一定時間待機させた後に光を照射して液晶フィルム１５を作製した。液晶フィルム１５の作製条件としては、パラレルプレートとガラスプレートとの間のギャップｄを５００μｍとし、せん断速度を５ｓ^－１、せん断処理時間を３００秒とし、待機時間を２００秒とし、紫外線照射条件を波長３６５ｎｍ、強度８０ｍＷ／ｃｍ^２、照射時間６分とした。以上により、液晶材料１３を硬化させて液晶フィルム１５を得た。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
実施例１２で得た液晶フィルム１５を用いて、実施例１と同様にして円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図２５及び図２６に示す。図２５（ａ）及び図２５（ｂ）は、それぞれ液晶フィルム１５のｒ＝０ｍｍ、３ｍｍ、６ｍｍ又は９ｍｍでの左円偏光及び右円偏光のスペクトルの変化を示す図である。図２６は、液晶フィルム１５のｒ＝０ｍｍ～５ｍｍでの左円偏光のスペクトルの変化を示す図である。

液晶フィルム１５の円偏光透過スペクトルを測定したところ、反射波長はおよそ４５０ｎｍ～４８０ｎｍであった。図２５の（ｂ）に示すように、サンプル全体（ｒ＝０～９ｍｍの領域）にて右円偏光の反射ピークが確認された。一方、図２５の（ａ）及び図２６に示すように、サンプルの中心付近（ｒ＝０～３ｍｍの領域）にて左円偏光の反射ピークが確認され、特に、ｒ≦２ｍｍの領域にて右円偏光の反射ピークと同程度の強度の左円偏光の反射ピークが確認された。液晶フィルム１５を作製する際のせん断速度５ｓ^－１は、外周部分（ｒ＝１２．５ｍｍ）のせん断速度の値であるため、ｒ≦２ｍｍの領域でのせん断速度は０．８ｓ^－１以下と算出される。

実施例６と同様にして液晶フィルム１５のリタデーションを測定した。図２７は、液晶フィルム１５について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。図２７に示すように、ｒ≦１の領域では、ｒの値が増加するにつれてリタデーションの値も増加し、ｒ＞１の領域では、ｒの値が増加するにつれてリタデーションの値が減少し、ｒ≧６の領域にてリタデーションの値がほぼ一定となった。

図２５～図２７の結果から、ｒの増加、すなわち、せん断速度の増加による左円偏光の反射ピークの消失は、リタデーションの値の減少に起因すると推測される。リタデーションの値が３００ｎｍ以上であれば、左右両円偏光を同程度の強度で反射する液晶フィルムが製造しやすくなることが推測される。ｒ＝０ｍｍで、リタデーションの値がほぼ０の場合であっても、左円偏光の反射強度が大きい理由としては、ｒ＝０ｍｍの位置のみが、せん断速度０ｓ^－１となり、周囲のせん断によってｒ＝０ｍｍの位置における液晶分子の配向が乱れていることに起因すると推測される。

（実施例１３）
前述のようにして合成したＨＰＣ誘導体１０を用いて、好ましい配向時間を検討した。

＜液晶材料１３及び１４の作製＞
上記のようにして得たＨＰＣ誘導体１０、ブチルアクリレート（ＢＡ）及びＨＭＰＰを用いてＨＰＣ誘導体の濃度が７８．２質量％である液晶材料１３（実施例１２の液晶材料１３と同様）を作製した。
さらに、上記のようにして得たＨＰＣ誘導体１０、ブチルアクリレート（ＢＡ）及びＨＭＰＰを用いてＨＰＣ誘導体の濃度が７７．８質量％である液晶材料１４を作製した。

＜液晶フィルム１６～１８の作製＞
実施例１と同様に、レオメーター内で上記のようにして作製した液晶材料１３にせん断配向処理を施し、次いでせん断配向処理後の液晶材料１３を一定時間待機させた後に光を照射して液晶フィルム１６を作製した。液晶フィルム１６の作製条件としては、パラレルプレートとガラスプレートとの間のギャップｄを５００μｍとし、せん断速度を０．５ｓ^－１、せん断処理時間を３００秒とし、待機時間を１０秒とし、紫外線照射条件を波長３６５ｎｍ、強度８０ｍＷ／ｃｍ^２、照射時間６分とした。以上により、液晶材料１３を硬化させて液晶フィルム１６を得た。
さらに、液晶材料１４にせん断配向処理を施し、次いでせん断配向処理後の液晶材料１４を一定時間待機させた後に光を照射して液晶フィルム１７及び１８を作製した。液晶フィルム１７及び１８の作製条件としては、液晶材料１４を用い、かつ待機時間を１００秒又は１２００秒にした以外は液晶フィルム１６の作製条件と同様である。なお、待機時間１００秒として液晶フィルム１７を作製し、待機時間１２００秒として液晶フィルム１８を作製した。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
実施例１３で得た液晶フィルム１６～１８を用いて、実施例１と同様にして円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図２８に示す。図２８（ａ）及び図２８（ｂ）は、液晶フィルム１６～１８のｒ＝４ｍｍ又はｒ＝９ｍｍでの左円偏光のスペクトルの変化を示す図である。図２８（ｃ）及び図２８（ｄ）は、液晶フィルム１６～１８のｒ＝４ｍｍ又はｒ＝９ｍｍでの右円偏光のスペクトルの変化を示す図である。

図２８に示すように、配向時間の増加に伴って円偏光透過スペクトルのピークは鋭くなる傾向にあった。また、反射波長は配向時間によらずほとんど等しく、配向時間が１２００秒と長い場合も液晶フィルム１６～１８による反射強度は維持されていた。配向時間が１００秒の場合と１２００秒の場合でピークの幅は大きく変わらないため、配向時間は２００秒程度で十分であると推測される。

実施例６と同様にして液晶フィルム１６～１８のリタデーションを測定した。図２９は、液晶フィルム１６～１８について、平面視における中心からの距離とリタデーションとの関係を示す図である。図２９に示すように、配向時間が長くなった場合であっても、リタデーションの値が維持される傾向にあった。

（参考例１）
実施例１にて作製した液晶材料１にせん断配向処理を施さずに光を照射して液晶フィルム１９を作製した。詳細には、離型シートを貼付したスライドガラス（２．５ｃｍ×２．５ｃｍ）に、厚さ０．５ｍｍのＰＴＦＥ製スペーサーとともに液晶材料１を挟み込み、次いで３０分ほど静置して配向させた後にＬＥＤ光源を用いて波長３６５ｎｍ、強度８０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を６分間照射して液晶フィルム１９を作製した。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
参考例１で得た液晶フィルム１９（液晶フィルム１９の厚さ：約５００μｍ）を用いて、円偏光透過スペクトルを測定した。参考例１における円偏光透過スペクトルの測定結果を図３０に示す。図３０に示すように、せん断配向処理が施されていない液晶フィルム１９では、右円偏光の反射は明確に確認できたが、左円偏光の反射は確認できなかった。一方、図１及び図２に示すように、液晶材料１を用い、かつせん断配向処理が施された液晶フィルム１では、右円偏光及び左円偏光の反射を確認できていた。以上により、せん断配向処理による偏光特性の変化を確認できた。

（実施例１４）
[ＥＣ誘導体１の合成]
下記スキームに従って、ＥＣ誘導体１を合成した。
窒素を充填した１００ｍＬのナスフラスコに１３．３ｍＬの脱水テトラヒドロフランを加え、次いで２．０ｇ（モノマー単位の物質量：８．９ｍｍｏｌ）のエチルセルロース（ＥＣ）を秤量し、脱水テトラヒドロフランに撹拌しながら溶解し、ＥＣ溶液を得た。

ＥＣ溶液をアルミホイルで遮光し、室温下でカレンズＡＯＩ（２－イソシアナトエチルアクリレート、昭和電工（株）製、登録商標）３．６ｇ（２６ｍｍｏｌ）を加え、室温下、遮光中で２４時間反応させた。
反応終了後、ＨＰＣ誘導体１と同様にして精製処理を行うことで、ＥＣ誘導体１（以下、「ＥＣ－ＡｃＣ」とも称する。）が得られた。

^１Ｈ－ＮＭＲスペクトルの測定を行い、帰属したピークをもとに、ＥＣ側鎖（水酸基中の水素原子）において、不飽和二重結合を有する基（すなわち、アクリロイル基）への置換度及びアシル基（すなわち、エチル基）への置換度を算出した。
ＨＰＣ誘導体３は、アクリロイル基（不飽和二重結合を有する基）への置換度は０．０５であり、エチル基（アシル基）への置換度は２．５０であった。

＜液晶材料Ａの作製＞
上記のようにして得たＥＣ誘導体１、アクリル酸（ＡＡ）及びＨＭＰＰを用いて液晶材料Ａを作製した。具体的には、ＥＣ誘導体１、ＡＡ及びＨＭＰＰを質量比で４９．７：４９．５：０．８となるようによく混合した後、わずかな時間真空脱泡して液晶材料Ａを作製した。

＜液晶フィルムＡの作製＞
レオメーター内で上記のようにして作製した液晶材料Ａにせん断配向処理を施し、次いでせん断配向処理後の液晶材料Ａを一定時間待機させた後に光を照射して液晶フィルムＡを作製した。詳細には、上部治具として直径２５ｍｍのパラレルプレート、及び下部治具としてペルチェ素子を備えるガラスプレートを有し、下部治具側から紫外線を照射可能なレオメーターを準備した。上部治具及び下部治具には離型シートが貼り付けられている。２５℃に調整したガラスプレート上に液晶材料Ａを付与し、パラレルプレート及びガラスプレートで液晶材料Ａを挟んだ。このとき、パラレルプレートとガラスプレートとの間のギャップｄは５００μｍとした。パラレルプレート及びガラスプレートで挟んだ液晶材料Ａに対してせん断速度０．２ｓ^－１の条件にてせん断配向処理を３００秒間施した。せん断速度は平面視における中心からの距離に比例して増大し、本実験では、中心からの距離がもっとも離れた位置（すなわち、中心からの距離ｒ：１２．５ｍｍ）でのせん断速度を上記の値に調整した。せん断配向処理後の液晶材料Ａを６００秒間待機させた。待機後の液晶材料ＡにＬＥＤ光源を用いて波長３６５ｎｍ、強度８０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を６分間照射した。以上により、液晶材料Ａを硬化させて液晶フィルムＡを得た。

＜液晶フィルムＢの作製＞
前述の液晶フィルムＡの作製にて、せん断配向処理及びその後の待機を行わずに液晶材料Ａを硬化させて液晶フィルムＢを得た。詳細には、離型シートを貼付したスライドガラス（２．５ｃｍ×２．５ｃｍ）に、厚さ０．５ｍｍのＰＴＦＥ製スペーサーとともに液晶材料Ａを挟み込み、次いで３０分ほど静置して配向させた後にＬＥＤ光源を用いて波長３６５ｎｍ、強度８０ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を６分間照射して液晶フィルムＢを作製した。

＜円偏光透過スペクトルの測定＞
液晶フィルムＡ（液晶フィルムＡの厚さ：約５００μｍ）及び液晶フィルムＢ（液晶フィルムＡの厚さ：約５００μｍ）を用いて、液晶フィルム１と同様にして円偏光透過スペクトルを測定した。円偏光透過スペクトルの測定結果を図３１及び図３２に示す。

図３１に示すように、せん断配向処理が施された液晶フィルムＡでは、右円偏光及び左円偏光を反射することが確認できた。一方、図３２に示すように、せん断配向処理が施されていない液晶フィルムＢでは、左円偏光は確認できたが、右円偏光は確認できなかった。
液晶フィルムＢの反射波長は、４８９ｎｍであった。

通常、ＥＣ誘導体１のアクリル酸溶液を用いて液晶フィルムを作製した場合、図３２に示すように、左円偏光のみを反射する液晶フィルムが得られる。一方、ＥＣ誘導体１のアクリル酸溶液を用い、かつせん断配向処理を施して液晶フィルムを作製した場合、図３１に示すように、左円偏光及び右円偏光の両方を反射する液晶フィルムを得ることができる。

以上の結果から、ＨＰＣ誘導体又はＥＣ誘導体を用い、せん断配向処理を施して液晶フィルムを作製することで左円偏光及び右円偏光の両方を反射する液晶フィルムが得られることが示された。ＨＰＣ誘導体又はＥＣ誘導体以外のセルロース誘導体を用いた場合であっても、せん断配向処理を施して液晶フィルムを作製することで左円偏光及び右円偏光の両方を反射する液晶フィルムが得られることが推測される。

Claims (11)

1. 水酸基を含み、前記水酸基の一部が不飽和二重結合を有する基及びアルキル基で置換されたセルロース誘導体。
2. 前記不飽和二重結合を有する基は、（メタ）アクリロイル基を有する基である請求項１に記載のセルロース誘導体。
3. 前記アルキル基はエチル基であり、エチルセルロース骨格を含む請求項１に記載のセルロース誘導体。
4. 水酸基の少なくとも一部がアシル基で置換されたセルロース誘導体と、
   不飽和二重結合を有する基を含む重合性モノマーと、
   を含む、左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する液晶フィルムを形成するための液晶材料。
5. 前記セルロース誘導体は、ヒドロキシアルキルセルロース骨格を含む請求項４に記載の液晶材料。
6. 請求項１に記載のセルロース誘導体と、
   不飽和二重結合を有する基を含む重合性モノマーと、
   を含む液晶材料。
7. 左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する液晶フィルムを形成するための請求項６に記載の液晶材料。
8. 請求項４又は請求項７の液晶材料を硬化してなり、左円偏光及び右円偏光の両偏光反射特性を有する液晶フィルム。
9. 請求項４～請求項７のいずれか１項に記載の液晶材料を硬化してなり、リタデーションが２００ｎｍ以上である領域を含む液晶フィルム。
10. 請求項４～請求項７のいずれか１項に記載の液晶材料を硬化してなり、厚さが２００μｍ以上である液晶フィルム。
11. 請求項４～請求項７のいずれか１項に記載の液晶材料にせん断力を加えるせん断工程と、
    せん断工程後の前記液晶材料を放置して配向させる配向工程と、
    配向工程後の前記液晶材料を硬化させる硬化工程と、
    を含む液晶フィルムの製造方法。