JP7206340B2 - 電力増幅器ダイ、無線周波数モジュール及び無線デバイス - Google Patents
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Description
本開示は一般に、無線周波数（ＲＦ）アプリケーション用の電力増幅器に関する。
関連出願の相互参照
本願は、２０１５年２月１５日出願の「整合ネットワークの排除によりサイズが低減さ
れた電力増幅器」との名称の米国仮出願第６２／１１６，４４８号、２０１５年２月１５
日出願の「整合ネットワークの排除により効率が向上した電力増幅器」との名称の米国仮
出願第６２／１１６，４４９号、２０１５年２月１５日出願の「帯域選択スイッチの排除
により効率が向上した多重帯域電力増幅システム」との名称の米国仮出願第６２／１１６
，４５０号、及び２０１５年２月１５日出願の「小型単一帯域電力増幅器を多重に有する
多重帯域デバイス」との名称の米国仮出願第６２／１１６，４５１号の優先権を主張する
。これらの開示はそれぞれの全体が、ここに明示的に参照として組み入れられる。
本願は、２０１５年２月１５日出願の「整合ネットワークの排除によりサイズが低減さ
れた電力増幅器」との名称の米国仮出願第６２／１１６，４４８号、２０１５年２月１５
日出願の「整合ネットワークの排除により効率が向上した電力増幅器」との名称の米国仮
出願第６２／１１６，４４９号、２０１５年２月１５日出願の「帯域選択スイッチの排除
により効率が向上した多重帯域電力増幅システム」との名称の米国仮出願第６２／１１６
，４５０号、及び２０１５年２月１５日出願の「小型単一帯域電力増幅器を多重に有する
多重帯域デバイス」との名称の米国仮出願第６２／１１６，４５１号の優先権を主張する
。これらの開示はそれぞれの全体が、ここに明示的に参照として組み入れられる。
無線周波数（ＲＦ）アプリケーションにおいて、送信対象のＲＦ信号は送受信器によっ
て発生されるのが典型的である。かかるＲＦ信号はその後、電力増幅器（ＰＡ）によって
増幅され、その増幅されたＲＦ信号は、送信を目的としてアンテナへと引き回すことがで
きる。
て発生されるのが典型的である。かかるＲＦ信号はその後、電力増幅器（ＰＡ）によって
増幅され、その増幅されたＲＦ信号は、送信を目的としてアンテナへと引き回すことがで
きる。
一定数の実装によれば、本開示は、無線周波数（ＲＦ）信号を受信して増幅するべく構
成された電力増幅器（ＰＡ）と、当該ＰＡに結合され、かつ、増幅されたＲＦ信号をコン
ディショニングするべく構成されたフィルタとを含む電力増幅システムに関する。ＰＡは
さらに、フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構成される。
成された電力増幅器（ＰＡ）と、当該ＰＡに結合され、かつ、増幅されたＲＦ信号をコン
ディショニングするべく構成されたフィルタとを含む電力増幅システムに関する。ＰＡは
さらに、フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構成される。
いくつかの実施形態において、ＰＡは、ほぼ４０オームよりも大きいインピーダンスを
有し得る。ＰＡのインピーダンスは、ほぼ５０オームの値を有し得る。
有し得る。ＰＡのインピーダンスは、ほぼ５０オームの値を有し得る。
いくつかの実施形態において、電力増幅システムはさらに、高電圧（ＨＶ）供給をＰＡ
へと与えるべく構成された供給システムを含む。供給システムは、電池電圧Ｖｂａｔｔに
基づいてＨＶ供給を発生させるべく構成されたブーストＤＣ／ＤＣ変換器を含み得る。
へと与えるべく構成された供給システムを含む。供給システムは、電池電圧Ｖｂａｔｔに
基づいてＨＶ供給を発生させるべく構成されたブーストＤＣ／ＤＣ変換器を含み得る。
いくつかの実施形態において、ＰＡはヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を
含み得る。ＨＢＴは例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）デバイスであり得る。ＨＶ供給は
、ＶＣＣとしてのＨＢＴのコレクタに与えることができる。
含み得る。ＨＢＴは例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）デバイスであり得る。ＨＶ供給は
、ＶＣＣとしてのＨＢＴのコレクタに与えることができる。
いくつかの実施形態において、フィルタは、対応送信（Ｔｘ）周波数帯域で動作するべ
く構成されたＴｘフィルタであり得る。Ｔｘフィルタは、Ｔｘ周波数帯域及び対応受信（
Ｒｘ）周波数帯域で動作するべく構成されたデュプレクサの一部であり得る。
く構成されたＴｘフィルタであり得る。Ｔｘフィルタは、Ｔｘ周波数帯域及び対応受信（
Ｒｘ）周波数帯域で動作するべく構成されたデュプレクサの一部であり得る。
いくつかの実施形態において、フィルタは、インピーダンス変換回路が実質的に存在し
ない出力経路を介してＰＡに結合することができる。
ない出力経路を介してＰＡに結合することができる。
いくつかの実施形態において、電力増幅システムはさらに一以上の付加ＰＡを含み、各
ＰＡは、ＨＶ供給により動作して対応ＲＦ信号を増幅するべく構成することができる。電
力増幅システムはさらに、一以上の付加ＰＡのそれぞれに結合されたフィルタであって、
対応する増幅されたＲＦ信号をコンディショニングするべく構成されたフィルタを含む。
一以上の付加ＰＡのそれぞれはさらに、対応フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆
動するべく構成することができる。一以上の付加フィルタのそれぞれは、インピーダンス
変換回路が実質的に存在しない出力経路を介して対応ＰＡに結合することができる。
ＰＡは、ＨＶ供給により動作して対応ＲＦ信号を増幅するべく構成することができる。電
力増幅システムはさらに、一以上の付加ＰＡのそれぞれに結合されたフィルタであって、
対応する増幅されたＲＦ信号をコンディショニングするべく構成されたフィルタを含む。
一以上の付加ＰＡのそれぞれはさらに、対応フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆
動するべく構成することができる。一以上の付加フィルタのそれぞれは、インピーダンス
変換回路が実質的に存在しない出力経路を介して対応ＰＡに結合することができる。
いくつかの実施形態において、ＰＡ及び一以上の付加ＰＡは複数のＭ ＰＡを形成し得
る。いくつかの実施形態において、複数のＭ ＰＡは、単一の半導体ダイに実装すること
ができる。複数のＭ ＰＡは、別個の周波数帯域で動作するべく構成することができる。
システムには、複数のＭ ＰＡとそれらの対応フィルタとの間において実質的に帯域選択
スイッチが存在しないこととし得る。
る。いくつかの実施形態において、複数のＭ ＰＡは、単一の半導体ダイに実装すること
ができる。複数のＭ ＰＡは、別個の周波数帯域で動作するべく構成することができる。
システムには、複数のＭ ＰＡとそれらの対応フィルタとの間において実質的に帯域選択
スイッチが存在しないこととし得る。
いくつかの実施形態において、電力増幅システムは、平均電力追跡（ＡＰＴ）システム
として動作するべく構成することができる。ＡＰＴシステムは、類似帯域の取り扱い能力
を有するがＰＡは低電圧で動作する他の電力増幅器システムよりも低い損失を有し得る。
他の電力増幅器システムは包絡線追跡（ＥＴ）システムであり得る。ＡＰＴシステムは、
ＥＴシステムの全体効率よりも高い全体効率を有し得る。
として動作するべく構成することができる。ＡＰＴシステムは、類似帯域の取り扱い能力
を有するがＰＡは低電圧で動作する他の電力増幅器システムよりも低い損失を有し得る。
他の電力増幅器システムは包絡線追跡（ＥＴ）システムであり得る。ＡＰＴシステムは、
ＥＴシステムの全体効率よりも高い全体効率を有し得る。
いくつかの教示において、本開示は、複数のコンポーネントを受容するべく構成された
パッケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む
無線周波数（ＲＦ）モジュールに関する。電力増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）
を含み、各ＰＡは、無線周波数（ＲＦ）信号を受信して増幅するべく構成される。電力増
幅システムはさらに、各ＰＡに結合されたフィルタを含み、各ＰＡは、当該フィルタのほ
ぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構成される。
パッケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む
無線周波数（ＲＦ）モジュールに関する。電力増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）
を含み、各ＰＡは、無線周波数（ＲＦ）信号を受信して増幅するべく構成される。電力増
幅システムはさらに、各ＰＡに結合されたフィルタを含み、各ＰＡは、当該フィルタのほ
ぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構成される。
いくつかの実施形態において、各ＰＡは、高電圧（ＨＶ）供給モードで動作するべく構
成することができる。各フィルタは、インピーダンス変換回路が実質的に存在しない出力
経路を介して対応ＰＡに結合することができる。
成することができる。各フィルタは、インピーダンス変換回路が実質的に存在しない出力
経路を介して対応ＰＡに結合することができる。
いくつかの実施形態において、ＲＦモジュールには、複数のＰＡとそれらの対応フィル
タとの間において帯域選択スイッチが実質的に存在しないこととし得る。いくつかの実施
形態において、ＲＦモジュールは、例えばフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）であり得
る。
タとの間において帯域選択スイッチが実質的に存在しないこととし得る。いくつかの実施
形態において、ＲＦモジュールは、例えばフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）であり得
る。
いくつかの実装によれば、本開示は、無線周波数（ＲＦ）信号を発生させるべく構成さ
れた送受信器と、当該送受信器と通信するフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）とを含む
無線デバイスに関する。ＦＥＭは、複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッ
ケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む。電
力増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）を含み、各ＰＡは、無線周波数（ＲＦ）信号
を受信して増幅するべく構成される。電力増幅システムはさらに、各ＰＡに結合されたフ
ィルタを含み、各ＰＡは、当該フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構
成される。無線デバイスはさらに、ＦＥＭと通信するアンテナを含み、当該アンテナは増
幅されたＲＦ信号を送信するべく構成される。
れた送受信器と、当該送受信器と通信するフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）とを含む
無線デバイスに関する。ＦＥＭは、複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッ
ケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む。電
力増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）を含み、各ＰＡは、無線周波数（ＲＦ）信号
を受信して増幅するべく構成される。電力増幅システムはさらに、各ＰＡに結合されたフ
ィルタを含み、各ＰＡは、当該フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構
成される。無線デバイスはさらに、ＦＥＭと通信するアンテナを含み、当該アンテナは増
幅されたＲＦ信号を送信するべく構成される。
いくつかの教示において、本開示は、無線周波数（ＲＦ）信号を処理する方法に関する
。方法は、電力増幅器（ＰＡ）を使用してＲＦ信号を増幅することと、増幅されたＲＦ信
号をフィルタへと引き回すこととを含む。方法はさらに、ＰＡを、当該ＰＡがフィルタの
ほぼ特性インピーダンスで駆動するように動作させることを含む。
。方法は、電力増幅器（ＰＡ）を使用してＲＦ信号を増幅することと、増幅されたＲＦ信
号をフィルタへと引き回すこととを含む。方法はさらに、ＰＡを、当該ＰＡがフィルタの
ほぼ特性インピーダンスで駆動するように動作させることを含む。
いくつかの実施形態において、ＰＡは、ほぼ５０オームのインピーダンスを有し得る。
いくつかの実施形態において、ＰＡを動作させることは、当該ＰＡに高電圧（ＨＶ）を供
給することを含み得る。
いくつかの実施形態において、ＰＡを動作させることは、当該ＰＡに高電圧（ＨＶ）を供
給することを含み得る。
一定数の教示によれば、本開示は、無線周波数（ＲＦ）信号を受信して増幅するべく構
成された電力増幅器（ＰＡ）を含む電力増幅システムに関する。電力増幅システムはさら
に、インピーダンス変換回路が実質的に存在しない出力経路を介してＰＡに結合された出
力フィルタを含む。
成された電力増幅器（ＰＡ）を含む電力増幅システムに関する。電力増幅システムはさら
に、インピーダンス変換回路が実質的に存在しない出力経路を介してＰＡに結合された出
力フィルタを含む。
いくつかの実施形態において、ＰＡは、出力フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで
駆動するべく構成される。出力フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構
成されたＰＡは、高電圧（ＨＶ）供給を使用して動作するＰＡによって実現することがで
きる。インピーダンス変換回路が実質的に存在しない出力経路により、ＰＡ及び出力フィ
ルタ間において少なくとも０．５ｄＢだけ損失を低減することができる。
駆動するべく構成される。出力フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構
成されたＰＡは、高電圧（ＨＶ）供給を使用して動作するＰＡによって実現することがで
きる。インピーダンス変換回路が実質的に存在しない出力経路により、ＰＡ及び出力フィ
ルタ間において少なくとも０．５ｄＢだけ損失を低減することができる。
いくつかの実施形態において、ＰＡは、ほぼ４０オームよりも大きいインピーダンスを
有し得る。ＰＡのインピーダンスは、ほぼ５０オームの値を有し得る。ＰＡのインピーダ
ンスにより、当該ＰＡにおける電流ドレインを低減することができる。ＰＡにおいて低減
された電流ドレインにより、当該ＰＡを、低インピーダンスの他のＰＡよりも小さな寸法
にすることができる。
有し得る。ＰＡのインピーダンスは、ほぼ５０オームの値を有し得る。ＰＡのインピーダ
ンスにより、当該ＰＡにおける電流ドレインを低減することができる。ＰＡにおいて低減
された電流ドレインにより、当該ＰＡを、低インピーダンスの他のＰＡよりも小さな寸法
にすることができる。
いくつかの実施形態において、電力増幅システムはさらに、ＰＡに高電圧（ＨＶ）供給
を与えるべく構成された供給システムを含む。供給システムは、電池電圧Ｖｂａｔｔに基
づいてＨＶ供給を発生させるべく構成されたブーストＤＣ／ＤＣ変換器を含み得る。
を与えるべく構成された供給システムを含む。供給システムは、電池電圧Ｖｂａｔｔに基
づいてＨＶ供給を発生させるべく構成されたブーストＤＣ／ＤＣ変換器を含み得る。
いくつかの実施形態において、ＰＡはヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を
含み得る。ＨＢＴはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）デバイスであり得る。ＨＶ供給は、ＶＣＣ
としてのＨＢＴのコレクタに与えることができる。
含み得る。ＨＢＴはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）デバイスであり得る。ＨＶ供給は、ＶＣＣ
としてのＨＢＴのコレクタに与えることができる。
いくつかの実施形態において、出力フィルタは、対応送信（Ｔｘ）周波数帯域で動作す
るべく構成されたＴｘフィルタであり得る。Ｔｘフィルタは、Ｔｘ周波数帯域及び対応受
信（Ｒｘ）周波数帯域で動作するべく構成されたデュプレクサの一部であり得る。
るべく構成されたＴｘフィルタであり得る。Ｔｘフィルタは、Ｔｘ周波数帯域及び対応受
信（Ｒｘ）周波数帯域で動作するべく構成されたデュプレクサの一部であり得る。
いくつかの実施形態において、電力増幅システムはさらに一以上の付加ＰＡを含み、各
ＰＡは、ＨＶ供給を使用して動作して対応ＲＦ信号を増幅するべく構成することができる
。電力増幅システムはさらに、インピーダンス変換回路が実質的に存在しない出力経路を
介して一以上の付加ＰＡのそれぞれに結合された出力フィルタを含み得る。一以上の付加
ＰＡのそれぞれはさらに、対応出力フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべ
く構成される。
ＰＡは、ＨＶ供給を使用して動作して対応ＲＦ信号を増幅するべく構成することができる
。電力増幅システムはさらに、インピーダンス変換回路が実質的に存在しない出力経路を
介して一以上の付加ＰＡのそれぞれに結合された出力フィルタを含み得る。一以上の付加
ＰＡのそれぞれはさらに、対応出力フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべ
く構成される。
いくつかの実施形態において、ＰＡ及び一以上の付加ＰＡは複数のＭ ＰＡを形成し得
る。複数のＭ ＰＡは、単一の半導体ダイに実装することができる。複数のＭ ＰＡは、別
個の周波数帯域で動作するべく構成することができる。
る。複数のＭ ＰＡは、単一の半導体ダイに実装することができる。複数のＭ ＰＡは、別
個の周波数帯域で動作するべく構成することができる。
いくつかの実施形態において、電力増幅システムは、複数のＭ ＰＡとそれらの対応出
力フィルタとの間において帯域選択スイッチが実質的に存在しないこととし得る。帯域選
択スイッチが実質的に存在しない電力増幅システムにより、各ＰＡ及び対応出力フィルタ
間において少なくとも０．３ｄＢだけ損失を低減することができる。
力フィルタとの間において帯域選択スイッチが実質的に存在しないこととし得る。帯域選
択スイッチが実質的に存在しない電力増幅システムにより、各ＰＡ及び対応出力フィルタ
間において少なくとも０．３ｄＢだけ損失を低減することができる。
いくつかの実施形態において、電力増幅システムは、平均電力追跡（ＡＰＴ）システム
として動作するべく構成することができる。ＡＰＴシステムは、類似帯域の取り扱い能力
を有するがＰＡは低電圧で動作する他の電力増幅器システムよりも低い損失を有し得る。
他の電力増幅器システムは包絡線追跡（ＥＴ）システムであり得る。ＡＰＴシステムは、
ＥＴシステムの全体効率よりも高い全体効率を有し得る。
として動作するべく構成することができる。ＡＰＴシステムは、類似帯域の取り扱い能力
を有するがＰＡは低電圧で動作する他の電力増幅器システムよりも低い損失を有し得る。
他の電力増幅器システムは包絡線追跡（ＥＴ）システムであり得る。ＡＰＴシステムは、
ＥＴシステムの全体効率よりも高い全体効率を有し得る。
いくつかの実装によれば、本開示は、複数のコンポーネントを受容するべく構成された
パッケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む
無線周波数（ＲＦ）モジュールに関する。電力増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）
を含み、各ＰＡは、無線周波数（ＲＦ）信号を受信して増幅するべく構成される。電力増
幅システムはさらに、インピーダンス変換回路が実質的に存在しない出力経路を介して各
ＰＡに結合された出力フィルタを含む。
パッケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む
無線周波数（ＲＦ）モジュールに関する。電力増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）
を含み、各ＰＡは、無線周波数（ＲＦ）信号を受信して増幅するべく構成される。電力増
幅システムはさらに、インピーダンス変換回路が実質的に存在しない出力経路を介して各
ＰＡに結合された出力フィルタを含む。
いくつかの実施形態において、各ＰＡは、高電圧（ＨＶ）供給モードで動作するべく構
成することができる。各ＰＡはさらに、対応出力フィルタのほぼ特性負荷インピーダンス
で駆動するべく構成することができる。
成することができる。各ＰＡはさらに、対応出力フィルタのほぼ特性負荷インピーダンス
で駆動するべく構成することができる。
いくつかの実施形態において、ＲＦモジュールには、複数のＰＡとそれらの対応出力フ
ィルタとの間において帯域選択スイッチが実質的に存在しないこととし得る。ＲＦモジュ
ールは、例えばフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）であり得る。
ィルタとの間において帯域選択スイッチが実質的に存在しないこととし得る。ＲＦモジュ
ールは、例えばフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）であり得る。
いくつかの実装において、本開示は、無線周波数（ＲＦ）信号を発生させるべく構成さ
れた送受信器と、当該送受信器と通信するフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）とを含む
無線デバイスに関する。ＦＥＭは、複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッ
ケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む。電
力増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）を含み、各ＰＡは、無線周波数（ＲＦ）信号
を受信して増幅するべく構成される。電力増幅システムはさらに、インピーダンス変換回
路が実質的に存在しない出力経路を介して各ＰＡに結合された出力フィルタを含む。無線
デバイスはさらに、ＦＥＭと通信するアンテナを含み、当該アンテナは増幅されたＲＦ信
号を送信するべく構成される。
れた送受信器と、当該送受信器と通信するフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）とを含む
無線デバイスに関する。ＦＥＭは、複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッ
ケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む。電
力増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）を含み、各ＰＡは、無線周波数（ＲＦ）信号
を受信して増幅するべく構成される。電力増幅システムはさらに、インピーダンス変換回
路が実質的に存在しない出力経路を介して各ＰＡに結合された出力フィルタを含む。無線
デバイスはさらに、ＦＥＭと通信するアンテナを含み、当該アンテナは増幅されたＲＦ信
号を送信するべく構成される。
いくつかの教示において、本開示は、無線周波数（ＲＦ）信号を処理する方法に関する
。方法は、電力増幅器（ＰＡ）を使用してＲＦ信号を増幅することと、増幅されたＲＦ信
号を、実質的にインピーダンス変換なしで出力フィルタへと引き回すこととを含む。方法
はさらに、増幅されたＲＦ信号を、出力フィルタを使用してフィルタリングすることを含
む。
。方法は、電力増幅器（ＰＡ）を使用してＲＦ信号を増幅することと、増幅されたＲＦ信
号を、実質的にインピーダンス変換なしで出力フィルタへと引き回すこととを含む。方法
はさらに、増幅されたＲＦ信号を、出力フィルタを使用してフィルタリングすることを含
む。
いくつかの実施形態において、ＲＦ信号を増幅することは、ＰＡを、実質的にインピー
ダンス変換がない引き回しを許容するべく出力フィルタのほぼ特性インピーダンスで当該
ＰＡが駆動するように動作させることを含む。ＰＡは、ほぼ５０オームのインピーダンス
を有し得る。いくつかの実施形態において、ＰＡを動作させることは、当該ＰＡに高電圧
（ＨＶ）を供給することを含み得る。
ダンス変換がない引き回しを許容するべく出力フィルタのほぼ特性インピーダンスで当該
ＰＡが駆動するように動作させることを含む。ＰＡは、ほぼ５０オームのインピーダンス
を有し得る。いくつかの実施形態において、ＰＡを動作させることは、当該ＰＡに高電圧
（ＨＶ）を供給することを含み得る。
いくつかの教示によれば、本開示は、複数の電力増幅器（ＰＡ）を含む電力増幅システ
ムであって、各ＰＡは、一周波数帯域にある無線周波数（ＲＦ）信号を受信して増幅する
べく構成された電力増幅システムに関する。電力増幅システムはさらに、当該電力増幅シ
ステムには複数のＰＡとそれらの対応出力フィルタとの間において帯域選択スイッチが実
質的に存在しないように、別個の出力経路を介して各ＰＡに結合された出力フィルタを含
み得る。
ムであって、各ＰＡは、一周波数帯域にある無線周波数（ＲＦ）信号を受信して増幅する
べく構成された電力増幅システムに関する。電力増幅システムはさらに、当該電力増幅シ
ステムには複数のＰＡとそれらの対応出力フィルタとの間において帯域選択スイッチが実
質的に存在しないように、別個の出力経路を介して各ＰＡに結合された出力フィルタを含
み得る。
いくつかの実施形態において、各ＰＡはさらに、対応出力フィルタのほぼ特性負荷イン
ピーダンスで駆動するべく構成することができる。対応出力フィルタのほぼ特性負荷イン
ピーダンスで駆動するべく構成された各ＰＡは、高電圧（ＨＶ）供給を使用して動作する
ＰＡによって実現することができる。帯域選択スイッチが実質的に存在しない電力増幅シ
ステムにより、各ＰＡ及び対応出力フィルタ間において少なくとも０．３ｄＢだけ損失を
低減することができる。
ピーダンスで駆動するべく構成することができる。対応出力フィルタのほぼ特性負荷イン
ピーダンスで駆動するべく構成された各ＰＡは、高電圧（ＨＶ）供給を使用して動作する
ＰＡによって実現することができる。帯域選択スイッチが実質的に存在しない電力増幅シ
ステムにより、各ＰＡ及び対応出力フィルタ間において少なくとも０．３ｄＢだけ損失を
低減することができる。
いくつかの実施形態において、各ＰＡは、ほぼ４０オームよりも大きいインピーダンス
を有し得る。各ＰＡのインピーダンスは、ほぼ５０オームの値を有し得る。各ＰＡのイン
ピーダンスにより、当該ＰＡにおける電流ドレインを低減することができる。各ＰＡにお
いて低減された電流ドレインにより、当該ＰＡを、低インピーダンスの他のＰＡよりも小
さな寸法にすることができる。
を有し得る。各ＰＡのインピーダンスは、ほぼ５０オームの値を有し得る。各ＰＡのイン
ピーダンスにより、当該ＰＡにおける電流ドレインを低減することができる。各ＰＡにお
いて低減された電流ドレインにより、当該ＰＡを、低インピーダンスの他のＰＡよりも小
さな寸法にすることができる。
いくつかの実施形態において、電力増幅システムはさらに、高電圧（ＨＶ）供給を各Ｐ
Ａへと与えるべく構成された供給システムを含む。供給システムは、電池電圧Ｖｂａｔｔ
に基づいてＨＶ供給を発生させるべく構成されたブーストＤＣ／ＤＣ変換器を含み得る。
Ａへと与えるべく構成された供給システムを含む。供給システムは、電池電圧Ｖｂａｔｔ
に基づいてＨＶ供給を発生させるべく構成されたブーストＤＣ／ＤＣ変換器を含み得る。
いくつかの実施形態において、各ＰＡはヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）
を含み得る。ＨＢＴはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）デバイスであり得る。ＨＶ供給は、ＶＣ
ＣとしてのＨＢＴのコレクタに与えることができる。
を含み得る。ＨＢＴはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）デバイスであり得る。ＨＶ供給は、ＶＣ
ＣとしてのＨＢＴのコレクタに与えることができる。
いくつかの実施形態において、各出力フィルタは、対応送信（Ｔｘ）周波数帯域で動作
するべく構成されたＴｘフィルタであり得る。Ｔｘフィルタは、Ｔｘ周波数帯域及び対応
受信（Ｒｘ）周波数帯域で動作するべく構成されたデュプレクサの一部であり得る。
するべく構成されたＴｘフィルタであり得る。Ｔｘフィルタは、Ｔｘ周波数帯域及び対応
受信（Ｒｘ）周波数帯域で動作するべく構成されたデュプレクサの一部であり得る。
いくつかの実施形態において、各出力フィルタは、インピーダンス変換回路が実質的に
存在しない出力経路を介して対応ＰＡに結合することができる。インピーダンス変換回路
が実質的に存在しない各出力経路により、対応ＰＡ及び出力フィルタ間において少なくと
も０．５ｄＢだけ損失を低減することができる。
存在しない出力経路を介して対応ＰＡに結合することができる。インピーダンス変換回路
が実質的に存在しない各出力経路により、対応ＰＡ及び出力フィルタ間において少なくと
も０．５ｄＢだけ損失を低減することができる。
いくつかの実施形態において、複数のＰＡは、単一の半導体ダイに実装することができ
る。いくつかの実施形態において、電力増幅システムは、平均電力追跡（ＡＰＴ）システ
ムとして動作するべく構成することができる。ＡＰＴシステムは、類似帯域の取り扱い能
力を有するがＰＡは低電圧で動作する他の電力増幅器システムよりも低い損失を有し得る
。他の電力増幅器システムは包絡線追跡（ＥＴ）システムであり得る。ＡＰＴシステムは
、ＥＴシステムの全体効率よりも高い全体効率を有し得る。
る。いくつかの実施形態において、電力増幅システムは、平均電力追跡（ＡＰＴ）システ
ムとして動作するべく構成することができる。ＡＰＴシステムは、類似帯域の取り扱い能
力を有するがＰＡは低電圧で動作する他の電力増幅器システムよりも低い損失を有し得る
。他の電力増幅器システムは包絡線追跡（ＥＴ）システムであり得る。ＡＰＴシステムは
、ＥＴシステムの全体効率よりも高い全体効率を有し得る。
いくつかの教示において、本開示は、複数のコンポーネントを受容するべく構成された
パッケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む
無線周波数（ＲＦ）モジュールに関する。電力増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）
を含み、各ＰＡは、一周波数帯域にある無線周波数（ＲＦ）信号を受信して増幅するべく
構成される。電力増幅システムはさらに、当該電力増幅システムには複数のＰＡとそれら
の対応出力フィルタとの間において帯域選択スイッチが実質的に存在しないように、別個
の出力経路を介して各ＰＡに結合された出力フィルタを含む。
パッケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む
無線周波数（ＲＦ）モジュールに関する。電力増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）
を含み、各ＰＡは、一周波数帯域にある無線周波数（ＲＦ）信号を受信して増幅するべく
構成される。電力増幅システムはさらに、当該電力増幅システムには複数のＰＡとそれら
の対応出力フィルタとの間において帯域選択スイッチが実質的に存在しないように、別個
の出力経路を介して各ＰＡに結合された出力フィルタを含む。
いくつかの実施形態において、各ＰＡは、高電圧（ＨＶ）供給モードで動作するべく構
成することができる。各ＰＡはさらに、対応出力フィルタのほぼ特性負荷インピーダンス
で駆動するべく構成することができる。
成することができる。各ＰＡはさらに、対応出力フィルタのほぼ特性負荷インピーダンス
で駆動するべく構成することができる。
いくつかの実施形態において、各出力経路は、対応ＰＡ及び出力フィルタ間においてイ
ンピーダンス変換回路が実質的に存在しないこととし得る。いくつかの実施形態において
、ＲＦモジュールは、例えばフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）であり得る。
ンピーダンス変換回路が実質的に存在しないこととし得る。いくつかの実施形態において
、ＲＦモジュールは、例えばフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）であり得る。
一定数の教示によれば、本開示は、無線周波数（ＲＦ）信号を発生させるべく構成され
た送受信器と、当該送受信器と通信するフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）とを含む無
線デバイスに関する。ＦＥＭは、複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッケ
ージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む。電力
増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）を含み、各ＰＡは、一周波数帯域にある無線周
波数（ＲＦ）信号を受信して増幅するべく構成される。電力増幅システムはさらに、当該
電力増幅システムには複数のＰＡとそれらの対応出力フィルタとの間において帯域選択ス
イッチが実質的に存在しないように、別個の出力経路を介して各ＰＡに結合された出力フ
ィルタを含む。無線デバイスはさらに、ＦＥＭと通信するアンテナを含み、当該アンテナ
は増幅されたＲＦ信号を送信するべく構成される。
た送受信器と、当該送受信器と通信するフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）とを含む無
線デバイスに関する。ＦＥＭは、複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッケ
ージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む。電力
増幅システムは複数の電力増幅器（ＰＡ）を含み、各ＰＡは、一周波数帯域にある無線周
波数（ＲＦ）信号を受信して増幅するべく構成される。電力増幅システムはさらに、当該
電力増幅システムには複数のＰＡとそれらの対応出力フィルタとの間において帯域選択ス
イッチが実質的に存在しないように、別個の出力経路を介して各ＰＡに結合された出力フ
ィルタを含む。無線デバイスはさらに、ＦＥＭと通信するアンテナを含み、当該アンテナ
は増幅されたＲＦ信号を送信するべく構成される。
いくつかの教示において、本開示は、無線周波数（ＲＦ）信号を処理する方法に関する
。方法は、複数の電力増幅器（ＰＡ）の選択された一つを使用して、一周波数帯域にある
ＲＦ信号を増幅することを含む。方法はさらに、増幅されたＲＦ信号を、実質的に帯域選
択切り替え動作なしで出力フィルタへと引き回すことを含む。方法はさらに、増幅された
ＲＦ信号を、出力フィルタを使用してフィルタリングすることを含む。
。方法は、複数の電力増幅器（ＰＡ）の選択された一つを使用して、一周波数帯域にある
ＲＦ信号を増幅することを含む。方法はさらに、増幅されたＲＦ信号を、実質的に帯域選
択切り替え動作なしで出力フィルタへと引き回すことを含む。方法はさらに、増幅された
ＲＦ信号を、出力フィルタを使用してフィルタリングすることを含む。
いくつかの実施形態において、ＲＦ信号を増幅することは、選択されたＰＡを、実質的
にインピーダンス変換がない引き回しを許容するべく対応出力フィルタのほぼ特性インピ
ーダンスで当該ＰＡが駆動するように動作させることを含む。ＰＡは、ほぼ５０オームの
インピーダンスを有し得る。
にインピーダンス変換がない引き回しを許容するべく対応出力フィルタのほぼ特性インピ
ーダンスで当該ＰＡが駆動するように動作させることを含む。ＰＡは、ほぼ５０オームの
インピーダンスを有し得る。
いくつかの実施形態において、ＰＡを動作させることは、当該ＰＡに高電圧（ＨＶ）を
供給することを含み得る。
供給することを含み得る。
いくつかの実装において、本開示は、半導体基板と、当該半導体基板に実装された複数
の電力増幅器（ＰＡ）とを含む電力増幅器ダイに関する。各ＰＡは、個々の周波数帯域信
号経路に沿った下流側コンポーネントのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構成
される。各ＰＡは、複数のＰＡに関連付けられた周波数帯域の一を超える周波数帯域で駆
動するべく構成された広帯域ＰＡよりも小さなサイズとされる。
の電力増幅器（ＰＡ）とを含む電力増幅器ダイに関する。各ＰＡは、個々の周波数帯域信
号経路に沿った下流側コンポーネントのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構成
される。各ＰＡは、複数のＰＡに関連付けられた周波数帯域の一を超える周波数帯域で駆
動するべく構成された広帯域ＰＡよりも小さなサイズとされる。
いくつかの実施形態において、下流側コンポーネントは出力フィルタを含み得る。個々
の周波数帯域信号経路は狭帯域信号経路であり得る。対応出力フィルタのほぼ特性負荷イ
ンピーダンスで駆動するべく構成された各ＰＡは、高電圧（ＨＶ）供給を使用して動作す
るＰＡによって実現することができる。各ＰＡは、ほぼ４０オームよりも大きいインピー
ダンスを有し得る。各ＰＡのインピーダンスは、ほぼ５０オームの値を有し得る。ＰＡの
インピーダンスにより、当該ＰＡにおける電流ドレインを低減することができる。各ＰＡ
において低減された電流ドレインにより、当該ＰＡを、低インピーダンスの他のＰＡより
も小さな寸法にすることができる。
の周波数帯域信号経路は狭帯域信号経路であり得る。対応出力フィルタのほぼ特性負荷イ
ンピーダンスで駆動するべく構成された各ＰＡは、高電圧（ＨＶ）供給を使用して動作す
るＰＡによって実現することができる。各ＰＡは、ほぼ４０オームよりも大きいインピー
ダンスを有し得る。各ＰＡのインピーダンスは、ほぼ５０オームの値を有し得る。ＰＡの
インピーダンスにより、当該ＰＡにおける電流ドレインを低減することができる。各ＰＡ
において低減された電流ドレインにより、当該ＰＡを、低インピーダンスの他のＰＡより
も小さな寸法にすることができる。
いくつかの実施形態において、各ＰＡは、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）デバイスのような
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を含み得る。ＨＢＴは、そのコレクタを介
してＨＶ供給をＶＣＣとして受けるべく構成することができる。
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を含み得る。ＨＢＴは、そのコレクタを介
してＨＶ供給をＶＣＣとして受けるべく構成することができる。
いくつかの実施形態において、ＰＡは、平均電力追跡（ＡＰＴ）モードで動作するべく
構成することができる。ＡＰＴモードにより、類似帯域の取り扱い能力を有するがＰＡは
低電圧で動作する他のダイよりも低い損失がもたらされ得る。他のダイは、包絡線追跡（
ＥＴ）モードで動作するべく構成することができる。ＡＰＴモードは、ＥＴに関連付けら
れた全体効率よりも高い全体効率をもたらすことができる。
構成することができる。ＡＰＴモードにより、類似帯域の取り扱い能力を有するがＰＡは
低電圧で動作する他のダイよりも低い損失がもたらされ得る。他のダイは、包絡線追跡（
ＥＴ）モードで動作するべく構成することができる。ＡＰＴモードは、ＥＴに関連付けら
れた全体効率よりも高い全体効率をもたらすことができる。
いくつかの実装によれば、本開示は、複数のコンポーネントを受容するべく構成された
パッケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む
無線周波数（ＲＦ）モジュールに関する。電力増幅システムは、半導体基板上に実装され
た複数の電力増幅器（ＰＡ）を含む。各ＰＡは、個々の周波数帯域信号経路に沿った下流
側コンポーネントのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構成される。各ＰＡは、
複数のＰＡに関連付けられた周波数帯域の一を超える周波数帯域で駆動するべく構成され
た広帯域ＰＡよりも小さなサイズとされる。
パッケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む
無線周波数（ＲＦ）モジュールに関する。電力増幅システムは、半導体基板上に実装され
た複数の電力増幅器（ＰＡ）を含む。各ＰＡは、個々の周波数帯域信号経路に沿った下流
側コンポーネントのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動するべく構成される。各ＰＡは、
複数のＰＡに関連付けられた周波数帯域の一を超える周波数帯域で駆動するべく構成され
た広帯域ＰＡよりも小さなサイズとされる。
いくつかの実施形態において、各ＰＡは、高電圧（ＨＶ）供給モードで動作するべく構
成することができる。いくつかの実施形態において、下流側コンポーネントは出力フィル
タを含み得る。出力フィルタは、電力増幅システムには複数のＰＡとそれらの対応出力フ
ィルタとの間において帯域選択スイッチが実質的に存在しないように、別個の出力経路を
介して対応ＰＡに結合することができる。各出力経路は、対応ＰＡ及び出力フィルタ間に
おいてインピーダンス変換回路が実質的に存在しないこととし得る。ＲＦモジュールは、
例えばフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）であり得る。
成することができる。いくつかの実施形態において、下流側コンポーネントは出力フィル
タを含み得る。出力フィルタは、電力増幅システムには複数のＰＡとそれらの対応出力フ
ィルタとの間において帯域選択スイッチが実質的に存在しないように、別個の出力経路を
介して対応ＰＡに結合することができる。各出力経路は、対応ＰＡ及び出力フィルタ間に
おいてインピーダンス変換回路が実質的に存在しないこととし得る。ＲＦモジュールは、
例えばフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）であり得る。
いくつかの教示において、本開示は、無線周波数（ＲＦ）信号を発生させるべく構成さ
れた送受信器と、当該送受信器と通信するフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）とを含む
無線デバイスに関する。ＦＥＭは、複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッ
ケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む。電
力増幅システムは、半導体基板に実装された複数の電力増幅器（ＰＡ）を含み、各ＰＡは
、個々の周波数帯域信号経路に沿った下流側コンポーネントのほぼ特性負荷インピーダン
スで駆動するべく構成される。各ＰＡは、複数のＰＡに関連付けられた周波数帯域の一を
超える周波数帯域で駆動するべく構成された広帯域ＰＡよりも小さなサイズとされる。無
線デバイスはさらに、ＦＥＭと通信するアンテナを含み、当該アンテナは増幅されたＲＦ
信号を送信するべく構成される。
れた送受信器と、当該送受信器と通信するフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）とを含む
無線デバイスに関する。ＦＥＭは、複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッ
ケージング基板と、当該パッケージング基板に実装された電力増幅システムとを含む。電
力増幅システムは、半導体基板に実装された複数の電力増幅器（ＰＡ）を含み、各ＰＡは
、個々の周波数帯域信号経路に沿った下流側コンポーネントのほぼ特性負荷インピーダン
スで駆動するべく構成される。各ＰＡは、複数のＰＡに関連付けられた周波数帯域の一を
超える周波数帯域で駆動するべく構成された広帯域ＰＡよりも小さなサイズとされる。無
線デバイスはさらに、ＦＥＭと通信するアンテナを含み、当該アンテナは増幅されたＲＦ
信号を送信するべく構成される。
いくつかの実装において、本開示は、無線周波数（ＲＦ）信号を処理する方法に関する
。方法は、複数の電力増幅器（ＰＡ）の選択された一つを使用してＲＦ信号を増幅するこ
とを含み、選択されたＰＡは、個々の周波数帯域信号経路に沿った下流側コンポーネント
のほぼ特性負荷インピーダンスで駆動する。選択されたＰＡは、複数のＰＡに関連付けら
れた周波数帯域の一を超える周波数帯域で駆動するべく構成された広帯域ＰＡよりも小さ
なサイズとされる。方法はさらに、増幅されたＲＦ信号を下流側コンポーネントへと引き
回すことを含む。
。方法は、複数の電力増幅器（ＰＡ）の選択された一つを使用してＲＦ信号を増幅するこ
とを含み、選択されたＰＡは、個々の周波数帯域信号経路に沿った下流側コンポーネント
のほぼ特性負荷インピーダンスで駆動する。選択されたＰＡは、複数のＰＡに関連付けら
れた周波数帯域の一を超える周波数帯域で駆動するべく構成された広帯域ＰＡよりも小さ
なサイズとされる。方法はさらに、増幅されたＲＦ信号を下流側コンポーネントへと引き
回すことを含む。
いくつかの実施形態において、下流側コンポーネントは出力フィルタを含み得る。ＲＦ
信号を増幅することは、選択されたＰＡに高電圧（ＨＶ）を供給することを含み得る。
信号を増幅することは、選択されたＰＡに高電圧（ＨＶ）を供給することを含み得る。
いくつかの教示によれば、本開示は、電力増幅器ダイを作製する方法に関する。方法は
、半導体基板を形成し又は設けることと、複数の個々の周波数帯域信号経路を実装するこ
ととを含む。方法はさらに、半導体基板に複数の電力増幅器（ＰＡ）を形成することを含
み、各ＰＡは、対応個々の周波数帯域信号経路に沿った下流側コンポーネントのほぼ特性
負荷インピーダンスで駆動するべく構成される。各ＰＡは、複数のＰＡに関連付けられた
周波数帯域の一を超える周波数帯域で駆動するべく構成された広帯域ＰＡよりも小さなサ
イズとされる。
、半導体基板を形成し又は設けることと、複数の個々の周波数帯域信号経路を実装するこ
ととを含む。方法はさらに、半導体基板に複数の電力増幅器（ＰＡ）を形成することを含
み、各ＰＡは、対応個々の周波数帯域信号経路に沿った下流側コンポーネントのほぼ特性
負荷インピーダンスで駆動するべく構成される。各ＰＡは、複数のＰＡに関連付けられた
周波数帯域の一を超える周波数帯域で駆動するべく構成された広帯域ＰＡよりも小さなサ
イズとされる。
本開示を要約する目的で本発明の一定の側面、利点及び新規な特徴がここに記載されて
いる。理解すべきことだが、かかる利点のすべてが必ずしも、本発明の任意の特定実施形
態によって達成できるわけではない。すなわち、本発明は、ここに教示される一の利点又
は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成する必要なく、達成
又は最適化する態様で具体化又は実施をすることができる。
いる。理解すべきことだが、かかる利点のすべてが必ずしも、本発明の任意の特定実施形
態によって達成できるわけではない。すなわち、本発明は、ここに教示される一の利点又
は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成する必要なく、達成
又は最適化する態様で具体化又は実施をすることができる。
ここに与えられる見出しは、たとえあったとしても、便宜のみのためであって、必ずし
も請求項に係る発明の範囲又は意味に影響するわけではない。
も請求項に係る発明の範囲又は意味に影響するわけではない。
導入
図１を参照すると、本開示の一以上の特徴は一般に、増幅システム５２を有する無線シ
ステム又はアーキテクチャ５０に関する。いくつかの実施形態において、増幅システム５
２は、一以上のデバイスとして実装することができる。かかるデバイス（複数可）は、無
線システム／アーキテクチャ５０において利用可能である。いくつかの実施形態において
、無線システム／アーキテクチャ５０は例えば、携帯無線デバイスに実装することができ
る。かかる無線デバイスの例がここに記載される。
ステム又はアーキテクチャ５０に関する。いくつかの実施形態において、増幅システム５
２は、一以上のデバイスとして実装することができる。かかるデバイス（複数可）は、無
線システム／アーキテクチャ５０において利用可能である。いくつかの実施形態において
、無線システム／アーキテクチャ５０は例えば、携帯無線デバイスに実装することができ
る。かかる無線デバイスの例がここに記載される。
図２は、図１の増幅システム５２が、一以上の電力増幅器（ＰＡ）を有する無線周波数
（ＲＦ）増幅器アセンブリ５４を含み得ることを示す。図２の例において、３つのＰＡ６
０ａ～６０ｃが、ＲＦ増幅器アセンブリ５４を形成するように描かれる。理解されること
だが、他の数のＰＡ（複数可）も実装することができる。またも理解されることだが、本
開示の一以上の特徴は、他のタイプのＲＦ増幅器を有するＲＦ増幅器アセンブリに実装す
ることもできる。
（ＲＦ）増幅器アセンブリ５４を含み得ることを示す。図２の例において、３つのＰＡ６
０ａ～６０ｃが、ＲＦ増幅器アセンブリ５４を形成するように描かれる。理解されること
だが、他の数のＰＡ（複数可）も実装することができる。またも理解されることだが、本
開示の一以上の特徴は、他のタイプのＲＦ増幅器を有するＲＦ増幅器アセンブリに実装す
ることもできる。
いくつかの実施形態において、ＲＦ増幅器アセンブリ５４は一以上の半導体ダイに実装
することができる。かかるダイは、電力増幅器モジュール（ＰＡＭ）又はフロントエンド
モジュール（ＦＥＭ）のようなパッケージモジュールに含めることができる。かかるパッ
ケージモジュールは典型的に、例えば携帯無線デバイスに関連付けられた回路基板に搭載
されるように構成される。
することができる。かかるダイは、電力増幅器モジュール（ＰＡＭ）又はフロントエンド
モジュール（ＦＥＭ）のようなパッケージモジュールに含めることができる。かかるパッ
ケージモジュールは典型的に、例えば携帯無線デバイスに関連付けられた回路基板に搭載
されるように構成される。
増幅システム５２におけるＰＡ（例えば６０ａ～６０ｃ）は典型的に、バイアスシステ
ム５６によってバイアスがかけられる。さらに、ＰＡのための供給電圧は典型的に、供給
システム５８によって与えることができる。いくつかの実施形態において、バイアスシス
テム５６及び供給システム５８のいずれか又は双方は、ＲＦ増幅器アセンブリ５４を有す
る上記パッケージモジュールに含めることができる。
ム５６によってバイアスがかけられる。さらに、ＰＡのための供給電圧は典型的に、供給
システム５８によって与えることができる。いくつかの実施形態において、バイアスシス
テム５６及び供給システム５８のいずれか又は双方は、ＲＦ増幅器アセンブリ５４を有す
る上記パッケージモジュールに含めることができる。
いくつかの実施形態において、増幅システム５２は整合ネットワーク６２を含み得る。
かかる整合ネットワークは、ＲＦ増幅器アセンブリ５４のための入力整合及び／又は出力
整合機能を与えるべく構成することができる。
かかる整合ネットワークは、ＲＦ増幅器アセンブリ５４のための入力整合及び／又は出力
整合機能を与えるべく構成することができる。
説明目的のため理解されることだが、図２の各ＰＡ（６０）は、一定数の態様で実装す
ることができる。図３Ａ～３Ｅは、かかるＰＡがどのように構成され得るかについての非
制限的な例を示す。図３Ａは、増幅トランジスタ６４を有する代表的なＰＡを示す。ここ
で、入力ＲＦ信号（ＲＦ_ｉｎ）がトランジスタ６４のベースへと与えられ、増幅された
ＲＦ信号（ＲＦ_ｏｕｔ）がトランジスタ６４のコレクタを介して出力される。
ることができる。図３Ａ～３Ｅは、かかるＰＡがどのように構成され得るかについての非
制限的な例を示す。図３Ａは、増幅トランジスタ６４を有する代表的なＰＡを示す。ここ
で、入力ＲＦ信号（ＲＦ_ｉｎ）がトランジスタ６４のベースへと与えられ、増幅された
ＲＦ信号（ＲＦ_ｏｕｔ）がトランジスタ６４のコレクタを介して出力される。
図３Ｂは、複数段に配列された複数の増幅トランジスタ（例えば６４ａ、６４ｂ）を有
する代表的なＰＡを示す。入力ＲＦ信号（ＲＦ_ｉｎ）は、第１トランジスタ６４ａのベ
ースへと与えられるように示され、第１トランジスタ６４ａからの増幅されたＲＦ信号は
、そのコレクタを介して出力されるように示される。第１トランジスタ６４ａからの増幅
されたＲＦ信号は、第２トランジスタ６４ｂのベースへと与えられるように示され、第２
トランジスタ６４ｂからの増幅されたＲＦ信号は、そのコレクタを介して出力され、ひい
てはＰＡの出力ＲＦ信号（ＲＦ_ｏｕｔ）がもたらされるように示される。
する代表的なＰＡを示す。入力ＲＦ信号（ＲＦ_ｉｎ）は、第１トランジスタ６４ａのベ
ースへと与えられるように示され、第１トランジスタ６４ａからの増幅されたＲＦ信号は
、そのコレクタを介して出力されるように示される。第１トランジスタ６４ａからの増幅
されたＲＦ信号は、第２トランジスタ６４ｂのベースへと与えられるように示され、第２
トランジスタ６４ｂからの増幅されたＲＦ信号は、そのコレクタを介して出力され、ひい
てはＰＡの出力ＲＦ信号（ＲＦ_ｏｕｔ）がもたらされるように示される。
いくつかの実施形態において、図３Ｂの上記代表的なＰＡ構成は、図３Ｃに示されるよ
うに２以上の段として描くことができる。第１段６４ａを例えばドライバ段として構成し
、第２段６４ｂを例えば出力段として構成することができる。
うに２以上の段として描くことができる。第１段６４ａを例えばドライバ段として構成し
、第２段６４ｂを例えば出力段として構成することができる。
図３Ｄは、いくつかの実施形態において、ＰＡがドハティＰＡとして構成できることを
示す。かかるドハティＰＡは、増幅された出力ＲＦ信号（ＲＦ_ｏｕｔ）をもたらすべく
、入力ＲＦ信号（ＲＦ_ｉｎ）のキャリア増幅及びピーキング増幅をそれぞれ与えるべく
構成された増幅トランジスタ６４ａ、６４ｂを含み得る。入力ＲＦ信号は、分割器により
キャリア部分及びピーキング部分に分割することができる。増幅されたキャリア信号及び
ピーキング信号は、結合器により出力ＲＦ信号をもたらすべく結合することができる。
示す。かかるドハティＰＡは、増幅された出力ＲＦ信号（ＲＦ_ｏｕｔ）をもたらすべく
、入力ＲＦ信号（ＲＦ_ｉｎ）のキャリア増幅及びピーキング増幅をそれぞれ与えるべく
構成された増幅トランジスタ６４ａ、６４ｂを含み得る。入力ＲＦ信号は、分割器により
キャリア部分及びピーキング部分に分割することができる。増幅されたキャリア信号及び
ピーキング信号は、結合器により出力ＲＦ信号をもたらすべく結合することができる。
図３Ｅは、いくつかの実施形態において、ＰＡがカスコード構成で実装できることを示
す。入力ＲＦ信号（ＲＦ_ｉｎ）は、共通エミッタデバイスとして動作する第１増幅トラ
ンジスタ６４ａのベースに与えられ得る。第１増幅トランジスタ６４ａの出力は、そのコ
レクタを介して与えられ、共通ベースデバイスとして動作する第２増幅トランジスタ６４
ｂのエミッタへと与えられ得る。第２増幅トランジスタ６４ｂの出力は、ＰＡの増幅され
た出力ＲＦ信号（ＲＦ_ｏｕｔ）をもたらすべく、そのコレクタを介して与えられ得る。
す。入力ＲＦ信号（ＲＦ_ｉｎ）は、共通エミッタデバイスとして動作する第１増幅トラ
ンジスタ６４ａのベースに与えられ得る。第１増幅トランジスタ６４ａの出力は、そのコ
レクタを介して与えられ、共通ベースデバイスとして動作する第２増幅トランジスタ６４
ｂのエミッタへと与えられ得る。第２増幅トランジスタ６４ｂの出力は、ＰＡの増幅され
た出力ＲＦ信号（ＲＦ_ｏｕｔ）をもたらすべく、そのコレクタを介して与えられ得る。
図３Ａ～３Ｅの様々な例において、増幅トランジスタは、ヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタ（ＨＢＴ）のようなバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）として記載される。理
解されることだが、本開示の一以上の特徴はまた、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のよ
うな他のタイプのトランジスタにおいて又は当該トランジスタを使用して実装することも
できる。
ジスタ（ＨＢＴ）のようなバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）として記載される。理
解されることだが、本開示の一以上の特徴はまた、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のよ
うな他のタイプのトランジスタにおいて又は当該トランジスタを使用して実装することも
できる。
図４は、いくつかの実施形態において、図２の増幅システム５２が高電圧（ＨＶ）電力
増幅システム１００として実装できることを示す。かかるシステムは、複数のＰＡのいく
つか又はすべて（例えば６０ａ～６０ｃ）がＨＶ増幅動作を含むように構成されたＨＶ電
力増幅器アセンブリ５４を含み得る。ここに記載されるように、かかるＰＡはバイアスシ
ステム５６によってバイアスがかけられる。いくつかの実施形態において、上記ＨＶ増幅
動作は、ＨＶ供給システム５８によって容易とすることができる。いくつかの実施形態に
おいて、ＨＶ電力増幅器アセンブリ５４とバイアスシステム５６及びＨＶ供給システム５
８のいずれか又は双方との間のインタフェイス機能を与えるべく、インタフェイスシステ
ム７２を実装することができる。
増幅システム１００として実装できることを示す。かかるシステムは、複数のＰＡのいく
つか又はすべて（例えば６０ａ～６０ｃ）がＨＶ増幅動作を含むように構成されたＨＶ電
力増幅器アセンブリ５４を含み得る。ここに記載されるように、かかるＰＡはバイアスシ
ステム５６によってバイアスがかけられる。いくつかの実施形態において、上記ＨＶ増幅
動作は、ＨＶ供給システム５８によって容易とすることができる。いくつかの実施形態に
おいて、ＨＶ電力増幅器アセンブリ５４とバイアスシステム５６及びＨＶ供給システム５
８のいずれか又は双方との間のインタフェイス機能を与えるべく、インタフェイスシステ
ム７２を実装することができる。
高電圧ＡＰＴシステムに関連する例
携帯ハンドセットのような多くの無線デバイスは、多重周波数帯域をサポートするべく
構成され、かかるデバイスは典型的に、電力増幅アーキテクチャを要求し及び／又は複雑
にする。しかしながら、電力増幅アーキテクチャの当該複雑性は、サポートされる帯域が
増加するにつれて、送信効率の劣化をもたらし得る。かかる効率劣化は例えば、競争力の
あるサイズ及びコスト目標を維持しながら多重周波数帯域を組み合わせることにより生じ
た損失増加に起因し得る。
構成され、かかるデバイスは典型的に、電力増幅アーキテクチャを要求し及び／又は複雑
にする。しかしながら、電力増幅アーキテクチャの当該複雑性は、サポートされる帯域が
増加するにつれて、送信効率の劣化をもたらし得る。かかる効率劣化は例えば、競争力の
あるサイズ及びコスト目標を維持しながら多重周波数帯域を組み合わせることにより生じ
た損失増加に起因し得る。
いくつかの無線周波数（ＲＦ）アプリケーションにおいて、携帯送信ソリューションは
、バック（Ｂｕｃｋ）スイッチング電力供給と組み合わされた電池電圧（例えば３．８Ｖ
）電力増幅器（ＰＡ）を含み得る。かかる代表的なアプローチにおいて、最大送信電力は
典型的に、例えば、ほぼ１．５ワットのピーク電力レベルをサポートするべくＰＡ内にあ
る１３：１のインピーダンス変換ネットワークを要求し又は利用するのが典型的な３．８
Ｖの電池電圧において達成される。
、バック（Ｂｕｃｋ）スイッチング電力供給と組み合わされた電池電圧（例えば３．８Ｖ
）電力増幅器（ＰＡ）を含み得る。かかる代表的なアプローチにおいて、最大送信電力は
典型的に、例えば、ほぼ１．５ワットのピーク電力レベルをサポートするべくＰＡ内にあ
る１３：１のインピーダンス変換ネットワークを要求し又は利用するのが典型的な３．８
Ｖの電池電圧において達成される。
上記例において、低送信電力レベルでの効率改善は、電池電圧を下回る電圧にあるバッ
ク（Ｂｕｃｋ）電力供給によってサポートすることができる。多重帯域動作は、所望の周
波数帯域に対応する所望のフィルタを選択するＲＦスイッチを使用して達成することがで
きる。注目されるのは、バック電力供給、インピーダンス変換ネットワーク及びＲＦスイ
ッチのいくつか又はすべてが、損失ひいては送信効率の低減に寄与し得ることである。
ク（Ｂｕｃｋ）電力供給によってサポートすることができる。多重帯域動作は、所望の周
波数帯域に対応する所望のフィルタを選択するＲＦスイッチを使用して達成することがで
きる。注目されるのは、バック電力供給、インピーダンス変換ネットワーク及びＲＦスイ
ッチのいくつか又はすべてが、損失ひいては送信効率の低減に寄与し得ることである。
いくつかの無線システムは、システム効率の増加を与えるべくバック供給に実装された
包絡線追跡（ＥＴ）機能を含み得る。しかしながら、包絡線追跡は、バックスイッチング
供給のコストを増加させ、さらには、システムの特性付け及び較正プロセスを有意に複雑
にし得る。
包絡線追跡（ＥＴ）機能を含み得る。しかしながら、包絡線追跡は、バックスイッチング
供給のコストを増加させ、さらには、システムの特性付け及び較正プロセスを有意に複雑
にし得る。
ここに記載されるのは、損失を有意に低減する一方で競争力のあるサイズ及び／又はコ
ストのレベルを維持又は改善することができるシステム、回路、デバイス及び方法の例で
ある。図５は、いくつかの実施形態において、図４のＨＶ電力増幅システム１００が、平
均電力追跡（ＡＰＴ）モードで動作するべく構成できることを示す。図５の例において、
高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００は、一以上ＲＦ信号（ＲＦ_Ｉｎ）を増幅するべく
構成された一以上のＰＡを有する電力増幅器アセンブリ１０４を含み得る。かかる増幅さ
れたＲＦ信号（複数可）は、一以上整合回路を有する整合コンポーネント１０６を介し、
一以上のデュプレクサを有するデュプレクサアセンブリ１０８へと引き回すことができる
。
ストのレベルを維持又は改善することができるシステム、回路、デバイス及び方法の例で
ある。図５は、いくつかの実施形態において、図４のＨＶ電力増幅システム１００が、平
均電力追跡（ＡＰＴ）モードで動作するべく構成できることを示す。図５の例において、
高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００は、一以上ＲＦ信号（ＲＦ_Ｉｎ）を増幅するべく
構成された一以上のＰＡを有する電力増幅器アセンブリ１０４を含み得る。かかる増幅さ
れたＲＦ信号（複数可）は、一以上整合回路を有する整合コンポーネント１０６を介し、
一以上のデュプレクサを有するデュプレクサアセンブリ１０８へと引き回すことができる
。
デュプレクサ（複数可）により、送信（Ｔｘ）動作と受信（Ｒｘ）動作との複信を許容
することができる。かかる複信動作のＴｘ部分は、一以上の増幅されたＲＦ信号（ＲＦ_
Ｏｕｔ）が、アンテナ（図示せず）を介した送信を目的としてデュプレクサアセンブリ１
０８から出力されるように描かれる。図５の例において、Ｒｘ部分は図示しないが、アン
テナから受信された信号は、デュプレクサアセンブリ１０８によって受信して、例えば低
雑音増幅器（ＬＮＡ）へと出力することができる。
することができる。かかる複信動作のＴｘ部分は、一以上の増幅されたＲＦ信号（ＲＦ_
Ｏｕｔ）が、アンテナ（図示せず）を介した送信を目的としてデュプレクサアセンブリ１
０８から出力されるように描かれる。図５の例において、Ｒｘ部分は図示しないが、アン
テナから受信された信号は、デュプレクサアセンブリ１０８によって受信して、例えば低
雑音増幅器（ＬＮＡ）へと出力することができる。
デュプレクサを利用するＴｘ動作及びＲｘ動作の文脈において様々な例がここに記載さ
れ、かかるデュプレクサは、例えば周波数分割複信（ＦＤＤ）機能を容易にすることがで
きる。理解されることだが、いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特
徴を有するＨＶ電力増幅システムはまた、例えば時間分割複信（ＴＤＤ）構成を含む他の
複信構成に実装することもできる。
れ、かかるデュプレクサは、例えば周波数分割複信（ＦＤＤ）機能を容易にすることがで
きる。理解されることだが、いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特
徴を有するＨＶ電力増幅システムはまた、例えば時間分割複信（ＴＤＤ）構成を含む他の
複信構成に実装することもできる。
図５の例において、ＨＶ供給システム１０２は、一以上のＨＶ供給信号を電力増幅器ア
センブリ１０４へと与えるように示される。かかるＨＶ信号（複数可）がどのようにして
対応ＰＡ（複数可）へと与えられるのかについての具体的な例が、ここに詳細に記載され
る。
センブリ１０４へと与えるように示される。かかるＨＶ信号（複数可）がどのようにして
対応ＰＡ（複数可）へと与えられるのかについての具体的な例が、ここに詳細に記載され
る。
いくつかの実施形態において、図５の高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００は、ＡＰＴ
モードで動作するが、包絡線追跡（ＥＴ）の実装によって得られる性能を満たし又は当該
性能を超える一方でコスト及び／又は複雑性を維持又は低減することができるように構成
される。いくつかの実施形態において、かかる高電圧ＡＰＴ電力増幅システムは、例えば
ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）ＰＡのようない
くつかのＰＡの高電圧能力を利用することができる。理解されることだが、本開示の一以
上の特徴は、他のタイプのＰＡを使用して実装することもできる。例えば、ＬＤＭＯＳ多
重カスコード段、シリコンバイポーラデバイス及びＧａＮ／ＨＥＭＴデバイスを有するＣ
ＭＯＳデバイスを利用する増幅システムもまた、高電圧領域における動作から利益を得る
ことができる。
モードで動作するが、包絡線追跡（ＥＴ）の実装によって得られる性能を満たし又は当該
性能を超える一方でコスト及び／又は複雑性を維持又は低減することができるように構成
される。いくつかの実施形態において、かかる高電圧ＡＰＴ電力増幅システムは、例えば
ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）ＰＡのようない
くつかのＰＡの高電圧能力を利用することができる。理解されることだが、本開示の一以
上の特徴は、他のタイプのＰＡを使用して実装することもできる。例えば、ＬＤＭＯＳ多
重カスコード段、シリコンバイポーラデバイス及びＧａＮ／ＨＥＭＴデバイスを有するＣ
ＭＯＳデバイスを利用する増幅システムもまた、高電圧領域における動作から利益を得る
ことができる。
ＰＡの当該ＨＶ動作により、増幅システムから一以上の損失性のコンポーネントを排除
すること及び／又は他の有利な利益（複数可）を実現することができる。例えば、ＰＡ出
力整合ネットワーク（複数可）を排除することができる。他例において、ＰＡ供給効率を
増加させることができる。さらなる他例において、いくつかのパッシブコンポーネントを
除去することができる。上記に関連する例が、ここに詳細に説明される。
すること及び／又は他の有利な利益（複数可）を実現することができる。例えば、ＰＡ出
力整合ネットワーク（複数可）を排除することができる。他例において、ＰＡ供給効率を
増加させることができる。さらなる他例において、いくつかのパッシブコンポーネントを
除去することができる。上記に関連する例が、ここに詳細に説明される。
ＨＶ動作に関連付けられる上記特徴の一以上により、一以上のダイを小さな寸法で実装
し、ひいては電力増幅システム設計の大きな柔軟性が許容される結果を得ることができる
。例えば、電力増幅システムには、増加された数の比較的小さなＰＡを実装することがで
きるので、帯域スイッチのような損失性のコンポーネントを排除することが許容される。
かかる帯域スイッチの排除について、ここに詳細に記載される。
し、ひいては電力増幅システム設計の大きな柔軟性が許容される結果を得ることができる
。例えば、電力増幅システムには、増加された数の比較的小さなＰＡを実装することがで
きるので、帯域スイッチのような損失性のコンポーネントを排除することが許容される。
かかる帯域スイッチの排除について、ここに詳細に記載される。
いくつかの実施形態において、図５の高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００は、包絡線
追跡の特徴付け及び／又は較正プロセスに関連付けられた複雑性を実質的に排除又は低減
するように構成することができる。
追跡の特徴付け及び／又は較正プロセスに関連付けられた複雑性を実質的に排除又は低減
するように構成することができる。
説明目的のため理解されることだが、高電圧（ＨＶ）は、携帯無線デバイスにおいて利
用される電池電圧よりも高い電圧値を含み得る。例えば、ＨＶは、３．７Ｖ又は４．２Ｖ
よりも大きい。いくつかの状況において、ＨＶは、電池電圧よりも高くかつ携帯無線デバ
イスが効率的に動作可能な電圧値を含み得る。いくつかの状況において、ＨＶは、電池電
圧よりも高くかつ所与タイプのＰＡに関連付けられた破壊電圧よりも低い電圧値を含み得
る。ＧａＡｓＨＢＴの代表的な文脈において、かかる破壊電圧は１５Ｖ～２５Ｖの範囲に
あり得る。したがって、ＧａＡｓＨＢＴのＰＡに対するＨＶは、例えば３．７Ｖ～２５Ｖ
、４．２Ｖ～２０Ｖ、５Ｖ～１５Ｖ、６Ｖ～１４Ｖ、７Ｖ～１３Ｖ、又は８Ｖ～１２Ｖの
範囲にあり得る。
用される電池電圧よりも高い電圧値を含み得る。例えば、ＨＶは、３．７Ｖ又は４．２Ｖ
よりも大きい。いくつかの状況において、ＨＶは、電池電圧よりも高くかつ携帯無線デバ
イスが効率的に動作可能な電圧値を含み得る。いくつかの状況において、ＨＶは、電池電
圧よりも高くかつ所与タイプのＰＡに関連付けられた破壊電圧よりも低い電圧値を含み得
る。ＧａＡｓＨＢＴの代表的な文脈において、かかる破壊電圧は１５Ｖ～２５Ｖの範囲に
あり得る。したがって、ＧａＡｓＨＢＴのＰＡに対するＨＶは、例えば３．７Ｖ～２５Ｖ
、４．２Ｖ～２０Ｖ、５Ｖ～１５Ｖ、６Ｖ～１４Ｖ、７Ｖ～１３Ｖ、又は８Ｖ～１２Ｖの
範囲にあり得る。
図６及び７は、いくつかの損失性のコンポーネントが、どのようにして高電圧ＡＰＴ電
力増幅システム１００において実質的に排除できるかを実証するべく、包絡線追跡（ＥＴ
）電力増幅システム１１０（図６）と高電圧（ＨＶ）平均電力追跡（ＡＰＴ）電力増幅シ
ステム１００（図７）との比較を示す。比較目的のため、各電力増幅システムは、３つの
周波数帯域に対する増幅を与えるべく構成されることが仮定される。しかしながら、理解
されることだが、これよりも多い又は少ない周波数帯域を使用することもできる。
力増幅システム１００において実質的に排除できるかを実証するべく、包絡線追跡（ＥＴ
）電力増幅システム１１０（図６）と高電圧（ＨＶ）平均電力追跡（ＡＰＴ）電力増幅シ
ステム１００（図７）との比較を示す。比較目的のため、各電力増幅システムは、３つの
周波数帯域に対する増幅を与えるべく構成されることが仮定される。しかしながら、理解
されることだが、これよりも多い又は少ない周波数帯域を使用することもできる。
図６の例において、ＥＴ電力増幅システム１１０は、３つの周波数帯域に対する増幅を
与えることができる広帯域増幅経路１３０を有する電力増幅器アセンブリ１１４を含むよ
うに示される。増幅経路１３０は、共通入力ノード１２６を介して入力ＲＦ信号を受信す
ることができる。かかるＲＦ信号は、例えばＤＣブロックキャパシタンス１２８を介して
一以上の増幅段へと引き回すことができる。増幅段は例えば、ドライバ段１３２及び出力
段１３４を含み得る。いくつかの実施形態において、増幅段１３２、１３４は例えば、Ｈ
ＢＴ又はＣＭＯＳ増幅トランジスタを含み得る。
与えることができる広帯域増幅経路１３０を有する電力増幅器アセンブリ１１４を含むよ
うに示される。増幅経路１３０は、共通入力ノード１２６を介して入力ＲＦ信号を受信す
ることができる。かかるＲＦ信号は、例えばＤＣブロックキャパシタンス１２８を介して
一以上の増幅段へと引き回すことができる。増幅段は例えば、ドライバ段１３２及び出力
段１３４を含み得る。いくつかの実施形態において、増幅段１３２、１３４は例えば、Ｈ
ＢＴ又はＣＭＯＳ増幅トランジスタを含み得る。
図６の例において、出力段１３４のコレクタには、チョークインダクタンス１２４を介
して包絡線追跡（ＥＴ）変調器１２２からの供給電圧ＶＣＣが与えられる。ＥＴ変調器１
２２は、ＥＴ変調システム１１２の一部として描かれている。かかるＥＴ変調器が与える
供給電圧ＶＣＣは典型的に、動的な態様で決定され、例えば約１Ｖ～３Ｖの範囲にある値
を有し得る。ＥＴ変調器１２２は、かかる動的ＶＣＣ電圧を、電池電圧Ｖｂａｔｔに基づ
いて発生させるように示される。
して包絡線追跡（ＥＴ）変調器１２２からの供給電圧ＶＣＣが与えられる。ＥＴ変調器１
２２は、ＥＴ変調システム１１２の一部として描かれている。かかるＥＴ変調器が与える
供給電圧ＶＣＣは典型的に、動的な態様で決定され、例えば約１Ｖ～３Ｖの範囲にある値
を有し得る。ＥＴ変調器１２２は、かかる動的ＶＣＣ電圧を、電池電圧Ｖｂａｔｔに基づ
いて発生させるように示される。
増幅経路１３０が上記態様で動作する場合、そのインピーダンスＺは比較的低い（例え
ば約３～５Ω）。それゆえ、インピーダンス変換を、下流側コンポーネントに関連付けら
れたインピーダンスに整合するように行う必要がある。図６の例において、増幅経路１３
０の出力を受ける帯域スイッチ１３８（帯域スイッチシステム１１８の一部として描かれ
る）は典型的に、５０Ω負荷として構成される。したがって、増幅経路１３０によって代
表されるインピーダンス（Ｚ）が約４Ωであると仮定すれば、約１３：１（５０：４）の
インピーダンス変換を実装する必要がある。図６の例において、かかるインピーダンス変
換は、負荷変換システム１１６の一部として描かれる出力整合ネットワーク（ＯＭＮ）１
３６によって実装されるように示される。
ば約３～５Ω）。それゆえ、インピーダンス変換を、下流側コンポーネントに関連付けら
れたインピーダンスに整合するように行う必要がある。図６の例において、増幅経路１３
０の出力を受ける帯域スイッチ１３８（帯域スイッチシステム１１８の一部として描かれ
る）は典型的に、５０Ω負荷として構成される。したがって、増幅経路１３０によって代
表されるインピーダンス（Ｚ）が約４Ωであると仮定すれば、約１３：１（５０：４）の
インピーダンス変換を実装する必要がある。図６の例において、かかるインピーダンス変
換は、負荷変換システム１１６の一部として描かれる出力整合ネットワーク（ＯＭＮ）１
３６によって実装されるように示される。
図６の例において、帯域スイッチ１３８は、増幅経路１３０の出力からの（ＯＭＮ１３
６を介した）単一入力と、３つの代表的な周波数帯域に対応する３つの出力とを有するよ
うに描かれる。３つのデュプレクサ１４２ａ～１４２ｃが、かかる３つの周波数帯域用に
設けられるように示される。
６を介した）単一入力と、３つの代表的な周波数帯域に対応する３つの出力とを有するよ
うに描かれる。３つのデュプレクサ１４２ａ～１４２ｃが、かかる３つの周波数帯域用に
設けられるように示される。
３つのデュプレクサ１４２ａ～１４２ｃのそれぞれが、ＴＸ及びＲＸフィルタ（例えば
帯域通過フィルタ）を含むように示される。各ＴＸフィルタは、対応する増幅済みかつス
イッチ引き回し済みの送信用ＲＦ信号を受信するべく、帯域スイッチ１３８に結合される
ように示される。かかるＲＦ信号は、フィルタリングされ、かつ、アンテナポート（ＡＮ
Ｔ）（１４４ａ、１４４ｂ又は１４４ｃ）へと引き回されるように示される。各ＲＸフィ
ルタは、対応アンテナポート（ＡＮＴ）（１４４ａ、１４４ｂ又は１４４ｃ）からのＲＸ
信号を受信するように示される。かかるＲＸ信号は、フィルタリングされ、かつ、さらな
る処理用のＲＸコンポーネント（例えばＬＮＡ）へと引き回されるように示される。
帯域通過フィルタ）を含むように示される。各ＴＸフィルタは、対応する増幅済みかつス
イッチ引き回し済みの送信用ＲＦ信号を受信するべく、帯域スイッチ１３８に結合される
ように示される。かかるＲＦ信号は、フィルタリングされ、かつ、アンテナポート（ＡＮ
Ｔ）（１４４ａ、１４４ｂ又は１４４ｃ）へと引き回されるように示される。各ＲＸフィ
ルタは、対応アンテナポート（ＡＮＴ）（１４４ａ、１４４ｂ又は１４４ｃ）からのＲＸ
信号を受信するように示される。かかるＲＸ信号は、フィルタリングされ、かつ、さらな
る処理用のＲＸコンポーネント（例えばＬＮＡ）へと引き回されるように示される。
典型的に望まれるのは、所与のデュプレクサと上流側（ＴＸの場合）又は下流側（ＲＸ
の場合）にあるコンポーネントとのインピーダンス整合を与えることである。図６の例に
おいて、帯域スイッチ１３８は、デュプレクサのＴＸフィルタのための当該上流側コンポ
ーネントである。したがって、整合回路１４０ａ～１４０ｃ（例えばπ型ネットワーク１
２０の一部として描かれる）が、帯域スイッチ１３８の出力と対応デュプレクサ１４２ａ
～１４２ｃとの間に実装されるように示される。いくつかの実施形態において、かかる整
合回路１４０ａ～１４０ｃのそれぞれは、例えばπ型整合回路として実装することができ
る。
の場合）にあるコンポーネントとのインピーダンス整合を与えることである。図６の例に
おいて、帯域スイッチ１３８は、デュプレクサのＴＸフィルタのための当該上流側コンポ
ーネントである。したがって、整合回路１４０ａ～１４０ｃ（例えばπ型ネットワーク１
２０の一部として描かれる）が、帯域スイッチ１３８の出力と対応デュプレクサ１４２ａ
～１４２ｃとの間に実装されるように示される。いくつかの実施形態において、かかる整
合回路１４０ａ～１４０ｃのそれぞれは、例えばπ型整合回路として実装することができ
る。
表１は、図６のＥＴ電力増幅システム１１０の様々なコンポーネントに対する挿入損失
及び効率の代表的な値を列挙する。理解されることだが、列挙される様々な値は近似値で
ある。
表１からわかるのは、図６のＥＴ電力増幅システム１１０が、有意な数の損失要因を含
むということである。システム１１０の各コンポーネントがその上限効率で動作すると仮
定すれば、ＥＴ電力増幅システム１１０の総合効率は、ほぼ３１％（０．８３×０．７５
×０．８９×０．９３×０．９３×０．６３）となる。
及び効率の代表的な値を列挙する。理解されることだが、列挙される様々な値は近似値で
ある。
むということである。システム１１０の各コンポーネントがその上限効率で動作すると仮
定すれば、ＥＴ電力増幅システム１１０の総合効率は、ほぼ３１％（０．８３×０．７５
×０．８９×０．９３×０．９３×０．６３）となる。
図７の例において、高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００は、図６の代表的なＥＴ電力
増幅システム１１０と同じ３つの周波数帯域のための増幅を与えるべく構成されるように
描かれる。電力増幅器アセンブリ１０４において、３つの別個の増幅経路が実装される結
果、各増幅経路は、その対応周波数帯域のための増幅を与える。例えば、第１増幅経路は
、ＤＣブロックキャパシタンス１６４ａを介して入力ノード１６２ａからのＲＦ信号を受
信するＰＡ１６８ａを含むように示される。ＰＡ１６８ａからの増幅されたＲＦ信号は、
キャパシタンス１７０ａを介して下流側コンポーネントへと引き回されるように示される
。同様に、第２増幅経路は、ＤＣブロックキャパシタンス１６４ｂを介して入力ノード１
６２ｂからのＲＦ信号を受信するＰＡ１６８ｂを含むように示される。ＰＡ１６８ｂから
の増幅されたＲＦ信号は、キャパシタンス１７０ｂを介して下流側コンポーネントへと引
き回されるように示される。同様に、第３増幅経路は、ＤＣブロックキャパシタンス１６
４ｃを介して入力ノード１６２ｃからのＲＦ信号を受信するＰＡ１６８ｃを含むように示
される。ＰＡ１６８ｃからの増幅されたＲＦ信号は、キャパシタンス１７０ｃを介して下
流側コンポーネントへと引き回されるように示される。
増幅システム１１０と同じ３つの周波数帯域のための増幅を与えるべく構成されるように
描かれる。電力増幅器アセンブリ１０４において、３つの別個の増幅経路が実装される結
果、各増幅経路は、その対応周波数帯域のための増幅を与える。例えば、第１増幅経路は
、ＤＣブロックキャパシタンス１６４ａを介して入力ノード１６２ａからのＲＦ信号を受
信するＰＡ１６８ａを含むように示される。ＰＡ１６８ａからの増幅されたＲＦ信号は、
キャパシタンス１７０ａを介して下流側コンポーネントへと引き回されるように示される
。同様に、第２増幅経路は、ＤＣブロックキャパシタンス１６４ｂを介して入力ノード１
６２ｂからのＲＦ信号を受信するＰＡ１６８ｂを含むように示される。ＰＡ１６８ｂから
の増幅されたＲＦ信号は、キャパシタンス１７０ｂを介して下流側コンポーネントへと引
き回されるように示される。同様に、第３増幅経路は、ＤＣブロックキャパシタンス１６
４ｃを介して入力ノード１６２ｃからのＲＦ信号を受信するＰＡ１６８ｃを含むように示
される。ＰＡ１６８ｃからの増幅されたＲＦ信号は、キャパシタンス１７０ｃを介して下
流側コンポーネントへと引き回されるように示される。
いくつかの実施形態において、ＰＡ１６８ａ～１６８ｃのいくつか又はすべては、例え
ばヘテロ接合バイポーラトランジスタＰＡを含み得る。理解されることだが、本開示の一
以上の特徴は、他のタイプのＰＡについて実装することもできる。例えば、（例えばＨＶ
動作により及び／又は他の動作パラメータ（複数可）を介して）下流側コンポーネントに
整合し又は下流側コンポーネントに近いインピーダンスをもたらすべく動作可能なＰＡを
、ここに記載される利益の一以上をもたらすべく利用することができる。
ばヘテロ接合バイポーラトランジスタＰＡを含み得る。理解されることだが、本開示の一
以上の特徴は、他のタイプのＰＡについて実装することもできる。例えば、（例えばＨＶ
動作により及び／又は他の動作パラメータ（複数可）を介して）下流側コンポーネントに
整合し又は下流側コンポーネントに近いインピーダンスをもたらすべく動作可能なＰＡを
、ここに記載される利益の一以上をもたらすべく利用することができる。
図７の例において、各ＰＡ（１６８ａ、１６８ｂ又は１６８ｃ）は、チョークインダク
タンス（１６６ａ、１６６ｂ又は１６６ｃ）を介してブーストＤＣ／ＤＣ変換器１６０か
らの供給電圧ＶＣＣが与えられるように示される。ブーストＤＣ／ＤＣ変換器１６０は、
ＨＶシステム１０２の一部として描かれる。ブーストＤＣ／ＤＣ変換器１６０は、ここに
記載されるＨＶ範囲又は値を含むような範囲のＶＣＣ電圧値（例えば約１Ｖ～１０Ｖ）を
供給するべく構成することができる。ブーストＤＣ／ＤＣ変換器１６０は、かかる高ＶＣ
Ｃ電圧を電池電圧Ｖｂａｔｔに基づいて発生させるように示される。
タンス（１６６ａ、１６６ｂ又は１６６ｃ）を介してブーストＤＣ／ＤＣ変換器１６０か
らの供給電圧ＶＣＣが与えられるように示される。ブーストＤＣ／ＤＣ変換器１６０は、
ＨＶシステム１０２の一部として描かれる。ブーストＤＣ／ＤＣ変換器１６０は、ここに
記載されるＨＶ範囲又は値を含むような範囲のＶＣＣ電圧値（例えば約１Ｖ～１０Ｖ）を
供給するべく構成することができる。ブーストＤＣ／ＤＣ変換器１６０は、かかる高ＶＣ
Ｃ電圧を電池電圧Ｖｂａｔｔに基づいて発生させるように示される。
ＰＡ１６８ａ～１６８ｃが高ＶＣＣ電圧（例えば約１０Ｖ）による上記態様で動作する
場合、各ＰＡのインピーダンスＺは比較的高い（例えば約４０Ω～５０Ω）。それゆえ、
インピーダンス変換は、下流側コンポーネントに関連付けられたインピーダンスに整合さ
せる必要がない。図７の例において、対応ＰＡ（１６８ａ、１６８ｂ又は１６８ｃ）の出
力を受けるデュプレクサ１７４ａ～１７４ｃ（デュプレクサアセンブリ１０８の一部とし
て描かれる）のそれぞれは典型的に、５０Ω負荷として構成される。したがって、ＰＡ（
１６８ａ、１６８ｂ又は１６８ｃ）によって代表されるインピーダンス（Ｚ）が約５０Ω
であると仮定すれば、インピーダンス変換（図６の負荷変換システム１１６のような）は
不要となる。
場合、各ＰＡのインピーダンスＺは比較的高い（例えば約４０Ω～５０Ω）。それゆえ、
インピーダンス変換は、下流側コンポーネントに関連付けられたインピーダンスに整合さ
せる必要がない。図７の例において、対応ＰＡ（１６８ａ、１６８ｂ又は１６８ｃ）の出
力を受けるデュプレクサ１７４ａ～１７４ｃ（デュプレクサアセンブリ１０８の一部とし
て描かれる）のそれぞれは典型的に、５０Ω負荷として構成される。したがって、ＰＡ（
１６８ａ、１６８ｂ又は１６８ｃ）によって代表されるインピーダンス（Ｚ）が約５０Ω
であると仮定すれば、インピーダンス変換（図６の負荷変換システム１１６のような）は
不要となる。
典型的に望まれるのは、所与のデュプレクサと上流側（ＴＸの場合）又は下流側（ＲＸ
の場合）にあるコンポーネントとのインピーダンス整合を与えることである。図７の例に
おいて、ＰＡ（１６８ａ、１６８ｂ又は１６８ｃ）が、デュプレクサ（１７４ａ、１７４
ｂ又は１７４ｃ）のＴＸフィルタ用の当該上流側コンポーネントとなる。したがって、整
合回路１７２ａ～１７２ｃ（例えばπ型ネットワーク１０６の一部として描かれる）は、
ＰＡ１６８ａ～１６８ｃの対応出力と対応デュプレクサ１７４ａ～１７４ｃとの間に実装
することができる。いくつかの実施形態において、かかる整合回路１７２ａ～１７２ｃの
それぞれは、例えばπ型整合回路として実装することができる。
の場合）にあるコンポーネントとのインピーダンス整合を与えることである。図７の例に
おいて、ＰＡ（１６８ａ、１６８ｂ又は１６８ｃ）が、デュプレクサ（１７４ａ、１７４
ｂ又は１７４ｃ）のＴＸフィルタ用の当該上流側コンポーネントとなる。したがって、整
合回路１７２ａ～１７２ｃ（例えばπ型ネットワーク１０６の一部として描かれる）は、
ＰＡ１６８ａ～１６８ｃの対応出力と対応デュプレクサ１７４ａ～１７４ｃとの間に実装
することができる。いくつかの実施形態において、かかる整合回路１７２ａ～１７２ｃの
それぞれは、例えばπ型整合回路として実装することができる。
図７の例において、ＰＡ１６８ａ～１６８ｃのＨＶ動作により、ＰＡ１６８ａ～１６８
ｃのそれぞれが、対応デュプレクサのインピーダンスに類似するインピーダンスＺを代表
する結果となり得る。かかる構成においてはインピーダンス変換が不要なので、インピー
ダンス変換器（図６の１１６）が不要となる。
ｃのそれぞれが、対応デュプレクサのインピーダンスに類似するインピーダンスＺを代表
する結果となり得る。かかる構成においてはインピーダンス変換が不要なので、インピー
ダンス変換器（図６の１１６）が不要となる。
さらに注目されるのは、高インピーダンスでのＰＡ１６８ａ～１６８ｃの動作が、ＰＡ
１６８ａ～１６８ｃ内のかなり低い電流レベルをもたらし得ることである。かかる低電流
レベルにより、ＰＡ１６８ａ～１６８ｃを、有意に低減されたダイサイズ（複数可）で実
装することができる。
１６８ａ～１６８ｃ内のかなり低い電流レベルをもたらし得ることである。かかる低電流
レベルにより、ＰＡ１６８ａ～１６８ｃを、有意に低減されたダイサイズ（複数可）で実
装することができる。
いくつかの実施形態において、上記特徴（インピーダンス変換器の排除及びＰＡダイサ
イズの低減）のいずれか又は双方が、電力増幅アーキテクチャ設計に付加な柔軟性を与え
得る。例えば、上記により得られる空間及び／又はコストの節約により、各周波数帯域に
対して比較的小さなＰＡ（図７の１６８ａ、１６８ｂ又は１６８ｃ）の実装が可能となる
ので、帯域スイッチシステム（例えば図６の１１８）の必要性がなくなる。したがって、
図６のＥＴ電力増幅システム１１０と比較した場合の図７の高電圧ＡＰＴ電力増幅システ
ム１００に関連付けられたサイズ、コスト及び／又は複雑性を維持し又は低減する一方、
電力増幅システム１００の全体損失を有意に低減することができる。
イズの低減）のいずれか又は双方が、電力増幅アーキテクチャ設計に付加な柔軟性を与え
得る。例えば、上記により得られる空間及び／又はコストの節約により、各周波数帯域に
対して比較的小さなＰＡ（図７の１６８ａ、１６８ｂ又は１６８ｃ）の実装が可能となる
ので、帯域スイッチシステム（例えば図６の１１８）の必要性がなくなる。したがって、
図６のＥＴ電力増幅システム１１０と比較した場合の図７の高電圧ＡＰＴ電力増幅システ
ム１００に関連付けられたサイズ、コスト及び／又は複雑性を維持し又は低減する一方、
電力増幅システム１００の全体損失を有意に低減することができる。
表２は、図７の高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００の様々なコンポーネントに対する
挿入損失及び効率の代表的な値を列挙する。理解されることだが、列挙される様々な値は
近似値である。
挿入損失及び効率の代表的な値を列挙する。理解されることだが、列挙される様々な値は
近似値である。
表２からわかるのは、図７の高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００が、一定数の損失要
因を含むことである。しかしながら、図６及び表１のＥＴ電力増幅システム１１０と比較
した場合、２つの有意な損失要因（負荷変換器（１１６）及び帯域スイッチ（１１８））
が、図７の高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００においては不在である。かかる損失要因
の排除は、図７及び表２の例での送信経路において約１ｄＢ除去するように示される。
因を含むことである。しかしながら、図６及び表１のＥＴ電力増幅システム１１０と比較
した場合、２つの有意な損失要因（負荷変換器（１１６）及び帯域スイッチ（１１８））
が、図７の高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００においては不在である。かかる損失要因
の排除は、図７及び表２の例での送信経路において約１ｄＢ除去するように示される。
表２をさらに参照すると、システム１００の各コンポーネントが、その上限効率（表１
の例でのように）で動作すると仮定すれば、高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００の総合
効率は、ほぼ４５％（０．９３×０．８２×０．９３×０．６３）となる。各コンポーネ
ントがその下限効率で動作すると仮定したとしても、高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１０
０の総合効率は、ほぼ４４％（０．９３×０．８０×０．９３×０．６３）となる。わか
ることだが、いずれの場合も、図７の高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００の総合効率は
、図６のＥＴ電力増幅システム１１０の総合効率（ほぼ３１％）よりも有意に高い。
の例でのように）で動作すると仮定すれば、高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００の総合
効率は、ほぼ４５％（０．９３×０．８２×０．９３×０．６３）となる。各コンポーネ
ントがその下限効率で動作すると仮定したとしても、高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１０
０の総合効率は、ほぼ４４％（０．９３×０．８０×０．９３×０．６３）となる。わか
ることだが、いずれの場合も、図７の高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００の総合効率は
、図６のＥＴ電力増幅システム１１０の総合効率（ほぼ３１％）よりも有意に高い。
図６及び７を参照すると、一定数の特徴に注目することができる。注目されるのは、Ｄ
Ｃ／ＤＣブースト変換器（図７の１６０）の使用により、ＰＡシステムにおいて利用され
得る一以上の他の電力変換器を排除できることである。例えば、ＨＶ供給電圧（例えば１
０ＶＤＣ）をもたらすべく動作する場合、１ワット（１０Ｖ）２／（２×５０Ω））のＲ
Ｆ電力を、高調波終端なしで生成することができる。
Ｃ／ＤＣブースト変換器（図７の１６０）の使用により、ＰＡシステムにおいて利用され
得る一以上の他の電力変換器を排除できることである。例えば、ＨＶ供給電圧（例えば１
０ＶＤＣ）をもたらすべく動作する場合、１ワット（１０Ｖ）２／（２×５０Ω））のＲ
Ｆ電力を、高調波終端なしで生成することができる。
さらに注目されるのは、５０Ω負荷として駆動されるＰＡ（例えば図７）により、３Ω
負荷として駆動されるＰＡ（例えば図６）よりもオーム当たりの損失が有意に低くなるこ
とである。例えば、ＰＡが３Ωで駆動されると０．１Ωの等価直列抵抗（ＥＳＲ）は約０
．１４ｄＢの挿入損失を有する一方、５０Ωで駆動されるＰＡに対しては、０．１ΩのＥ
ＳＲは約０．００８ｄＢの挿入損失を有する。したがって、３ΩＰＡが約４．２ｄＢ（０
．１４ｄＢ×３０）の総合挿入損失を有し得る一方、５０ΩＰＡは約４．０ｄＢ（０．０
０８ｄＢ×５００）の総合挿入損失を有し得る。これは、３ΩＰＡの総合挿入損失よりも
かなり小さい。
負荷として駆動されるＰＡ（例えば図６）よりもオーム当たりの損失が有意に低くなるこ
とである。例えば、ＰＡが３Ωで駆動されると０．１Ωの等価直列抵抗（ＥＳＲ）は約０
．１４ｄＢの挿入損失を有する一方、５０Ωで駆動されるＰＡに対しては、０．１ΩのＥ
ＳＲは約０．００８ｄＢの挿入損失を有する。したがって、３ΩＰＡが約４．２ｄＢ（０
．１４ｄＢ×３０）の総合挿入損失を有し得る一方、５０ΩＰＡは約４．０ｄＢ（０．０
０８ｄＢ×５００）の総合挿入損失を有し得る。これは、３ΩＰＡの総合挿入損失よりも
かなり小さい。
さらに注目されるのは、５０ΩＰＡは、３ΩＰＡよりも有意に高い利得を有し得ること
である。例えば、利得はＧＭ×ＲＬＬとして近似することができるが、双方の場合にＧＭ
が類似すれば、５０Ωという高い値は高利得をもたらす。
である。例えば、利得はＧＭ×ＲＬＬとして近似することができるが、双方の場合にＧＭ
が類似すれば、５０Ωという高い値は高利得をもたらす。
図８は、図７の高電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００のさらに具体的な例となり得る高
電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００を示す。図８の例において、電力増幅器アセンブリは
、低帯域（ＬＢ）電力増幅器アセンブリ１９０、中間帯域（ＭＢ）電力増幅器アセンブリ
２００及び高帯域（ＨＢ）電力増幅器アセンブリ２１０を含み得る。かかるアセンブリに
おけるＰＡのいくつか又はすべてが、ここに記載される高電圧で動作可能である。電力増
幅器アセンブリはまた、高電圧では動作しない他のＰＡも含み得る。例えば、２Ｇ電力増
幅器アセンブリ２２０及び電力増幅器アセンブリ２３０、２３２は、低電圧で動作し得る
。
電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００を示す。図８の例において、電力増幅器アセンブリは
、低帯域（ＬＢ）電力増幅器アセンブリ１９０、中間帯域（ＭＢ）電力増幅器アセンブリ
２００及び高帯域（ＨＢ）電力増幅器アセンブリ２１０を含み得る。かかるアセンブリに
おけるＰＡのいくつか又はすべてが、ここに記載される高電圧で動作可能である。電力増
幅器アセンブリはまた、高電圧では動作しない他のＰＡも含み得る。例えば、２Ｇ電力増
幅器アセンブリ２２０及び電力増幅器アセンブリ２３０、２３２は、低電圧で動作し得る
。
図８の例において、上記高電圧（複数可）は、例えばフロントエンド電力管理集積回路
（ＦＥ-ＰＭＩＣ）１６０からＬＢ、ＭＢ及びＨＢ電力増幅器アセンブリ１９０、２００
、２１０へと与えることができる。いくつかの実施形態において、かかるＦＥ-ＰＭＩＣ
は、ここに記載されるＤＣ／ＤＣブースト変換器（例えば図７の１６０）を含み得る。
（ＦＥ-ＰＭＩＣ）１６０からＬＢ、ＭＢ及びＨＢ電力増幅器アセンブリ１９０、２００
、２１０へと与えることができる。いくつかの実施形態において、かかるＦＥ-ＰＭＩＣ
は、ここに記載されるＤＣ／ＤＣブースト変換器（例えば図７の１６０）を含み得る。
ＦＥ-ＰＭＩＣ１６０は、電池電圧Ｖｂａｔｔを受け、ＬＢ、ＭＢ及びＨＢ電力増幅器
アセンブリ１９０、２００、２１０のための供給電圧（ＶＣＣ）として高電圧出力１８２
を発生させる。いくつかの実施形態において、かかる高電圧ＶＣＣは、ほぼ２５０ｍＡの
最大電流で、ほぼ１０Ｖの値を有し得る。理解されることだが、かかる高電圧ＶＣＣ及び
／又は最大電流は他の値も利用することができる。
アセンブリ１９０、２００、２１０のための供給電圧（ＶＣＣ）として高電圧出力１８２
を発生させる。いくつかの実施形態において、かかる高電圧ＶＣＣは、ほぼ２５０ｍＡの
最大電流で、ほぼ１０Ｖの値を有し得る。理解されることだが、かかる高電圧ＶＣＣ及び
／又は最大電流は他の値も利用することができる。
ＦＥ-ＰＭＩＣ１６０はまた、他の出力（複数可）も発生させることもできる。例えば
、出力１８４は、ＬＢ、ＭＢ及びＨＢ電力増幅器アセンブリ１９０、２００、２１０に関
連付けられたＰＡのための並びに２Ｇ電力増幅器アセンブリ２２０のためのバイアス信号
を与えることができる。いくつかの実施形態において、かかるバイアス信号は、ほぼ５０
ｍＡの最大電流で、ほぼ４Ｖの値を有し得る。理解されることだが、かかるバイアス信号
及び／又は最大電流の他の値も利用することができる。
、出力１８４は、ＬＢ、ＭＢ及びＨＢ電力増幅器アセンブリ１９０、２００、２１０に関
連付けられたＰＡのための並びに２Ｇ電力増幅器アセンブリ２２０のためのバイアス信号
を与えることができる。いくつかの実施形態において、かかるバイアス信号は、ほぼ５０
ｍＡの最大電流で、ほぼ４Ｖの値を有し得る。理解されることだが、かかるバイアス信号
及び／又は最大電流の他の値も利用することができる。
図８の例において、ＦＥ-ＰＭＩＣ１６０は、図７を参照してここに記載されるＨＶシ
ステム１０２の一部となり得る。ＦＥ-ＰＭＩＣ１６０は、一以上のインタフェイスノー
ド１８０を含み得る。かかるインタフェイスノードは、例えばＦＥ-ＰＭＩＣ１６０の制
御を容易とするべく利用することができる。
ステム１０２の一部となり得る。ＦＥ-ＰＭＩＣ１６０は、一以上のインタフェイスノー
ド１８０を含み得る。かかるインタフェイスノードは、例えばＦＥ-ＰＭＩＣ１６０の制
御を容易とするべく利用することができる。
図８の例において、２Ｇ電力増幅器アセンブリ２２０のための供給電圧ＶＣＣは（例え
ばライン１８６）、電池電圧Ｖｂａｔｔから実質的に直接与えられる。かかるＶｂａｔｔ
はまた、ＬＢ、ＭＢ及びＨＢ電力増幅器アセンブリ１９０、２００、２１０に関連付けら
れた様々なスイッチのための動作電圧を与えるように示される。いくつかの実施形態にお
いて、かかるＶｂａｔｔは、約２．５Ｖ～４．５Ｖの値を有し得る。理解されることだが
、かかるＶｂａｔｔは他の値も利用することができる。
ばライン１８６）、電池電圧Ｖｂａｔｔから実質的に直接与えられる。かかるＶｂａｔｔ
はまた、ＬＢ、ＭＢ及びＨＢ電力増幅器アセンブリ１９０、２００、２１０に関連付けら
れた様々なスイッチのための動作電圧を与えるように示される。いくつかの実施形態にお
いて、かかるＶｂａｔｔは、約２．５Ｖ～４．５Ｖの値を有し得る。理解されることだが
、かかるＶｂａｔｔは他の値も利用することができる。
図８の例において、電力増幅器アセンブリ２３０、２３２のための供給電圧ＶＣＣは、
ＤＣ／ＤＣスイッチングレギュレータ２３４から与えることができる。
ＤＣ／ＤＣスイッチングレギュレータ２３４から与えることができる。
図８を参照すると、ＬＢ電力増幅器アセンブリ１９０は、８つの代表的な周波数帯域Ｂ
２７、Ｂ２８Ａ、Ｂ２８Ｂ、Ｂ２０、Ｂ８、Ｂ２６、Ｂ１７及びＢ１３に対して別個のＰ
Ａを含むように示される。各ＰＡは、その増幅したＲＦ信号を対応デュプレクサへと与え
るように示される。ここに記載されるように、かかる８つのＰＡは、それらの対応デュプ
レクサへと、当該ＰＡ間の帯域選択スイッチなしで結合することができる。
２７、Ｂ２８Ａ、Ｂ２８Ｂ、Ｂ２０、Ｂ８、Ｂ２６、Ｂ１７及びＢ１３に対して別個のＰ
Ａを含むように示される。各ＰＡは、その増幅したＲＦ信号を対応デュプレクサへと与え
るように示される。ここに記載されるように、かかる８つのＰＡは、それらの対応デュプ
レクサへと、当該ＰＡ間の帯域選択スイッチなしで結合することができる。
ＬＢ電力増幅器アセンブリ１９０はさらに、入力スイッチ１９２及び出力スイッチ１９
６を含み及び／又は入力スイッチ１９２及び出力スイッチ１９６に結合するように示され
る。入力スイッチ１９２は、２つの入力ノード１９４ａ、１９４ｂと、８つのＰＡに対応
する８つの出力ノードとを含むように示される。入力スイッチ１９２において、２つの入
力ノード１９４ａ、１９４ｂは、共通ノードへと切り替え可能に示される。この共通ノー
ドは、８つの出力ノードの一つへと切り替えられる他の共通ノードに結合される。かかる
共通ノード間の結合部は、増幅素子を含み得る。
６を含み及び／又は入力スイッチ１９２及び出力スイッチ１９６に結合するように示され
る。入力スイッチ１９２は、２つの入力ノード１９４ａ、１９４ｂと、８つのＰＡに対応
する８つの出力ノードとを含むように示される。入力スイッチ１９２において、２つの入
力ノード１９４ａ、１９４ｂは、共通ノードへと切り替え可能に示される。この共通ノー
ドは、８つの出力ノードの一つへと切り替えられる他の共通ノードに結合される。かかる
共通ノード間の結合部は、増幅素子を含み得る。
出力スイッチ１９６は、８つのデュプレクサに対応する８つの入力ノードと、２つの出
力ノード１９８ａ、１９８ｂとを含むように示される。出力スイッチ１９６はさらに、２
Ｇ電力増幅器アセンブリ２２０の出力及び電力増幅器アセンブリ２３０の出力を受ける入
力を含み得る。
力ノード１９８ａ、１９８ｂとを含むように示される。出力スイッチ１９６はさらに、２
Ｇ電力増幅器アセンブリ２２０の出力及び電力増幅器アセンブリ２３０の出力を受ける入
力を含み得る。
理解されることだが、ＬＢ電力増幅器アセンブリ１９０は、周波数帯域の異なる組み合
わせを含み得る。
わせを含み得る。
図８を参照すると、ＭＢ電力増幅器アセンブリ２００は、４つの代表的な周波数帯域Ｂ
１、Ｂ２５、Ｂ３及びＢ４のための別個のＰＡを含むように示される。各ＰＡは、その増
幅したＲＦ信号を対応デュプレクサへと与えるように示される。ここに記載されるように
、かかる４つのＰＡは、それらの対応デュプレクサへと、当該ＰＡ間の帯域選択スイッチ
なしで結合することができる。
１、Ｂ２５、Ｂ３及びＢ４のための別個のＰＡを含むように示される。各ＰＡは、その増
幅したＲＦ信号を対応デュプレクサへと与えるように示される。ここに記載されるように
、かかる４つのＰＡは、それらの対応デュプレクサへと、当該ＰＡ間の帯域選択スイッチ
なしで結合することができる。
ＭＢ電力増幅器アセンブリ２００はさらに、入力スイッチ２０２及び出力スイッチ２０
６を含み及び／又は入力スイッチ２０２及び出力スイッチ２０６に結合されるように示さ
れる。入力スイッチ２０２は、入力ノード２０４と、４つのＰＡに対応する４つの出力ノ
ードとを含むように示される。入力スイッチ２０２において、入力ノード２０４は、４つ
の出力ノードの一つへと切り替えられる共通ノードに結合されるように示される。かかる
ノード間の結合部は増幅素子を含み得る。
６を含み及び／又は入力スイッチ２０２及び出力スイッチ２０６に結合されるように示さ
れる。入力スイッチ２０２は、入力ノード２０４と、４つのＰＡに対応する４つの出力ノ
ードとを含むように示される。入力スイッチ２０２において、入力ノード２０４は、４つ
の出力ノードの一つへと切り替えられる共通ノードに結合されるように示される。かかる
ノード間の結合部は増幅素子を含み得る。
出力スイッチ２０６は、４つのデュプレクサに対応する４つの入力ノードと、出力ノー
ド２０８とを含むように示される。出力スイッチ２０６はさらに、２Ｇ電力増幅器アセン
ブリ２２０の出力を受ける入力を含み得る。
ド２０８とを含むように示される。出力スイッチ２０６はさらに、２Ｇ電力増幅器アセン
ブリ２２０の出力を受ける入力を含み得る。
理解されることだが、ＭＢ電力増幅器アセンブリ２００は、周波数帯域の異なる組み合
わせを含み得る。
わせを含み得る。
図８を参照すると、ＨＢ電力増幅器アセンブリ２１０が、２つの代表的な周波数帯域Ｂ
７及びＢ２０に対して別個のＰＡを含むように示される。各ＰＡは、その増幅したＲＦ信
号を対応デュプレクサへと与えるように示される。ここに記載されるように、かかる２つ
のＰＡは、それらの対応デュプレクサへと、当該ＰＡ間の帯域選択スイッチなしで結合す
ることができる。
７及びＢ２０に対して別個のＰＡを含むように示される。各ＰＡは、その増幅したＲＦ信
号を対応デュプレクサへと与えるように示される。ここに記載されるように、かかる２つ
のＰＡは、それらの対応デュプレクサへと、当該ＰＡ間の帯域選択スイッチなしで結合す
ることができる。
ＨＢ電力増幅器アセンブリ２１０はさらに、入力スイッチ２１２及び出力スイッチ２１
６を含み及び／又は入力スイッチ２１２及び出力スイッチ２１６に結合されるように示さ
れる。入力スイッチ２１２は、一の入力ノード２１４と、２つのＰＡに対応する２つの出
力ノードとを含むように示される。入力スイッチ２１２において、入力ノード２１４は、
２つの出力ノードの一方へと切り替えられる共通ノードに結合されるように示される。か
かるノード間の結合部は増幅素子を含み得る。
６を含み及び／又は入力スイッチ２１２及び出力スイッチ２１６に結合されるように示さ
れる。入力スイッチ２１２は、一の入力ノード２１４と、２つのＰＡに対応する２つの出
力ノードとを含むように示される。入力スイッチ２１２において、入力ノード２１４は、
２つの出力ノードの一方へと切り替えられる共通ノードに結合されるように示される。か
かるノード間の結合部は増幅素子を含み得る。
出力スイッチ２１６は、２つのデュプレクサに対応する２つの入力ノードと、一の出力
ノード２１８とを含むように示される。出力スイッチ２１６はさらに、電力増幅器アセン
ブリ２３２の出力を受ける入力を含み得る。
ノード２１８とを含むように示される。出力スイッチ２１６はさらに、電力増幅器アセン
ブリ２３２の出力を受ける入力を含み得る。
理解されることだが、ＨＢ電力増幅器アセンブリ２１０は、周波数帯域の異なる組み合
わせを含み得る。
わせを含み得る。
図８の例において、ＬＢ、ＭＢ及びＨＢ電力増幅器アセンブリ１９０、２００、２１０
のＰＡは、一以上のダイとして実装することができる。例えば、かかるＰＡは、単一のＨ
ＢＴ（例えばＧａＡｓ）ダイに、ＬＢ、ＭＢ及びＨＢ電力増幅器アセンブリ１９０、２０
０、２１０に対応する別個のＨＢＴダイに、又はこれらの何らかの組み合わせで実装する
ことができる。
のＰＡは、一以上のダイとして実装することができる。例えば、かかるＰＡは、単一のＨ
ＢＴ（例えばＧａＡｓ）ダイに、ＬＢ、ＭＢ及びＨＢ電力増幅器アセンブリ１９０、２０
０、２１０に対応する別個のＨＢＴダイに、又はこれらの何らかの組み合わせで実装する
ことができる。
図８の例において、各入力スイッチ１９２、２０２、２１２は、ここに記載される切り
替え機能を与えるべく、かつ、ここに記載されるバイアス機能を容易にするべく構成する
ことができる。いくつかの実施形態において、スイッチ１９２、１９６、２０２、２０６
、２１２、２１６は、例えば単一のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ダイに、
様々な機能群に対応する別個のダイに、又はこれらの何らかの組み合わせで実装すること
ができる。
替え機能を与えるべく、かつ、ここに記載されるバイアス機能を容易にするべく構成する
ことができる。いくつかの実施形態において、スイッチ１９２、１９６、２０２、２０６
、２１２、２１６は、例えば単一のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ダイに、
様々な機能群に対応する別個のダイに、又はこれらの何らかの組み合わせで実装すること
ができる。
図９は、７８％バック（Ｂｕｃｋ）ＥＴ、９７％バックＡＰＴ及び８７％ブースト（ｂ
ｏｏｓｔ）ＡＰＴ構成で動作する電力増幅器に対する代表的な効率プロットを出力電力の
関数として示す。注目されるのは、代表的な構成の３つすべてが、約１５ｄＢｍの出力電
力までは、類似する良好な効率曲線をもたらすことである。かかる出力レベルを超えると
、８７％ブーストＡＰＴ構成が、９７％バックＡＰＴ及び７８％バックＥＴ構成よりも有
意に高い効率値を有することがわかる。かかるブーストＡＰＴ構成は、図７及び８の代表
的な高電圧ＡＰＴ電力増幅システムのいずれか又は双方に実装することができる。
ｏｏｓｔ）ＡＰＴ構成で動作する電力増幅器に対する代表的な効率プロットを出力電力の
関数として示す。注目されるのは、代表的な構成の３つすべてが、約１５ｄＢｍの出力電
力までは、類似する良好な効率曲線をもたらすことである。かかる出力レベルを超えると
、８７％ブーストＡＰＴ構成が、９７％バックＡＰＴ及び７８％バックＥＴ構成よりも有
意に高い効率値を有することがわかる。かかるブーストＡＰＴ構成は、図７及び８の代表
的な高電圧ＡＰＴ電力増幅システムのいずれか又は双方に実装することができる。
図１０は、ここに記載される一以上の特徴を有する電力増幅システム（例えば図８の高
電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００）が、公称ケースに類似するコレクタ効率曲線及び電
力付加効率（ＰＡＥ）曲線を有し得ることを示す。例えば、図８の高電圧ＡＰＴ電力増幅
システムに関連付けられたコレクタ効率プロット（出力電力の関数として）は、対応する
公称コレクタ効率のものと実質的に同じ曲線を有するように示される。同様に、図８の高
電圧ＡＰＴ電力増幅システムのＰＡＥプロット（出力電力の関数として）は、対応する公
称ＰＡＥのものと実質的に同じ曲線を有するように示される。
電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００）が、公称ケースに類似するコレクタ効率曲線及び電
力付加効率（ＰＡＥ）曲線を有し得ることを示す。例えば、図８の高電圧ＡＰＴ電力増幅
システムに関連付けられたコレクタ効率プロット（出力電力の関数として）は、対応する
公称コレクタ効率のものと実質的に同じ曲線を有するように示される。同様に、図８の高
電圧ＡＰＴ電力増幅システムのＰＡＥプロット（出力電力の関数として）は、対応する公
称ＰＡＥのものと実質的に同じ曲線を有するように示される。
図１１は、ここに記載される一以上の特徴を有する電力増幅システム（例えば図８の高
電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００）が、公称ケースに類似する線形性性能（例えば隣接
チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ））を有し得ることを示す。例えば、図８の高電圧ＡＰＴ電力
増幅システムに関連付けられたＡＣＬＲプロット（出力電力の関数として）は、高出力電
力値（例えば２９ｄＢｍより高い）における対応公称ＡＣＬＲのものと実質的に同じ曲線
を有するように示される。
電圧ＡＰＴ電力増幅システム１００）が、公称ケースに類似する線形性性能（例えば隣接
チャネル漏洩比（ＡＣＬＲ））を有し得ることを示す。例えば、図８の高電圧ＡＰＴ電力
増幅システムに関連付けられたＡＣＬＲプロット（出力電力の関数として）は、高出力電
力値（例えば２９ｄＢｍより高い）における対応公称ＡＣＬＲのものと実質的に同じ曲線
を有するように示される。
図１２は、電力増幅器負荷電流の代表的なプロットを、「Ｒ９９」及び「５０ＲＢ Ｌ
ＴＥ」として表示される電力増幅器構成に対する負荷電圧の関数として示す。電力増幅器
構成に対して４０ｍＡという比較的低い電流条件が所望されていると仮定する。例えば、
かかる４０ｍＡという電流は、固定バイアス電流及び自己消費電流を供給電流（図１２の
負荷電流）から差し引いたものに由来する。図１２における５０ＲＢ ＬＴＥの例に対し
、ほぼ１０４ｍＡの負荷電流が、電力増幅器構成のためのかかる低電流（４０ｍＡ）条件
をもたらし得る。かかる１０４ｍＡという負荷電流は、点２５０によって表示されるほぼ
９．５Ｖの負荷電圧（ＶＣＣ）に対応する。したがって、ここに記載される高電圧電力増
幅器動作構成が、電力増幅器のための比較的低い電流条件をもたらし得ることがわかる。
ＴＥ」として表示される電力増幅器構成に対する負荷電圧の関数として示す。電力増幅器
構成に対して４０ｍＡという比較的低い電流条件が所望されていると仮定する。例えば、
かかる４０ｍＡという電流は、固定バイアス電流及び自己消費電流を供給電流（図１２の
負荷電流）から差し引いたものに由来する。図１２における５０ＲＢ ＬＴＥの例に対し
、ほぼ１０４ｍＡの負荷電流が、電力増幅器構成のためのかかる低電流（４０ｍＡ）条件
をもたらし得る。かかる１０４ｍＡという負荷電流は、点２５０によって表示されるほぼ
９．５Ｖの負荷電圧（ＶＣＣ）に対応する。したがって、ここに記載される高電圧電力増
幅器動作構成が、電力増幅器のための比較的低い電流条件をもたらし得ることがわかる。
有利な特徴の例
図１３～１６は、ここに記載される一以上の特徴を有する高電圧ＡＰＴ電力増幅システ
ムにおいて得ることができる有利な利益の例を示す。ここに記載されるように、図１３は
、いくつかの実施形態において、電力増幅システム１００が、無線周波数（ＲＦ）信号（
ＲＦ_ｉｎ）を入力ノード２６０において受信するべく構成された電力増幅器（ＰＡ）を
含み得ることを示す。かかるＰＡには、Ｖｃｃという供給電圧が与えられ、かかる供給電
圧は、ここに記載される高電圧（ＨＶ）値を含み得る。増幅されたＲＦ信号はＲＦ_ｏｕ
ｔとして出力され、増幅されたＲＦ信号をコンディショニングするべく構成されたフィル
タへと引き回され、及び、フィルタリングされた信号を出力ノード２６２にもたらし得る
。ＰＡは、フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動されるように（例えばＨＶモー
ドで）動作し得る。フィルタの当該特性負荷インピーダンスは例えば、ほぼ５０オームで
あり得る。
ムにおいて得ることができる有利な利益の例を示す。ここに記載されるように、図１３は
、いくつかの実施形態において、電力増幅システム１００が、無線周波数（ＲＦ）信号（
ＲＦ_ｉｎ）を入力ノード２６０において受信するべく構成された電力増幅器（ＰＡ）を
含み得ることを示す。かかるＰＡには、Ｖｃｃという供給電圧が与えられ、かかる供給電
圧は、ここに記載される高電圧（ＨＶ）値を含み得る。増幅されたＲＦ信号はＲＦ_ｏｕ
ｔとして出力され、増幅されたＲＦ信号をコンディショニングするべく構成されたフィル
タへと引き回され、及び、フィルタリングされた信号を出力ノード２６２にもたらし得る
。ＰＡは、フィルタのほぼ特性負荷インピーダンスで駆動されるように（例えばＨＶモー
ドで）動作し得る。フィルタの当該特性負荷インピーダンスは例えば、ほぼ５０オームで
あり得る。
いくつかの実施形態において、上記構成は、一以上の有利な特徴をもたらすべく平均電
力追跡（ＡＰＴ）ＰＡシステムに実装することができる。例えば、複雑でない供給構成、
低減された損失、及び改善された効率を実現することができる。他例において、上記ＰＡ
、上記電力増幅システム１００を有するダイ、及び／又は上記電力増幅システム１００を
有するモジュールは、サイズが低減されたデバイスとして実装することができる。いくつ
かの実施形態において、かかるサイズが低減されたデバイスは、少なくとも部分的には、
電力増幅システムにおけるＰＡの出力整合ネットワーク（ＯＭＮ）のいくつか又はすべて
を排除することによって実現することができる。
力追跡（ＡＰＴ）ＰＡシステムに実装することができる。例えば、複雑でない供給構成、
低減された損失、及び改善された効率を実現することができる。他例において、上記ＰＡ
、上記電力増幅システム１００を有するダイ、及び／又は上記電力増幅システム１００を
有するモジュールは、サイズが低減されたデバイスとして実装することができる。いくつ
かの実施形態において、かかるサイズが低減されたデバイスは、少なくとも部分的には、
電力増幅システムにおけるＰＡの出力整合ネットワーク（ＯＭＮ）のいくつか又はすべて
を排除することによって実現することができる。
図１４は、ＰＡに関連付けられた出力整合ネットワーク（ＯＭＮ）（ここではインピー
ダンス変換回路とも称する）が当該ＰＡ及びフィルタ間で実質的に排除された電力増幅シ
ステム１００の一例を示す。図１４の例において、ＰＡ、その供給電圧Ｖｃｃ及びフィル
タは、図１４の例に類似するように構成及び動作可能である。かかるＰＡ構成は、ここに
記載されるＨＶ動作モードを含み得る。
ダンス変換回路とも称する）が当該ＰＡ及びフィルタ間で実質的に排除された電力増幅シ
ステム１００の一例を示す。図１４の例において、ＰＡ、その供給電圧Ｖｃｃ及びフィル
タは、図１４の例に類似するように構成及び動作可能である。かかるＰＡ構成は、ここに
記載されるＨＶ動作モードを含み得る。
図１４の例において、電力増幅システム１００のいくつか又はすべてを、ＰＡダイ又は
ＰＡモジュールのようなデバイス２７０に実装することができる。上記ＯＭＮの排除によ
り、デバイス２７０に関連付けられた寸法（例えばｄ１×ｄ２）を低減することができる
。さらに、損失低減及び効率改善のような他の有利な特徴も、ＯＭＮの排除によって実現
することができる。
ＰＡモジュールのようなデバイス２７０に実装することができる。上記ＯＭＮの排除によ
り、デバイス２７０に関連付けられた寸法（例えばｄ１×ｄ２）を低減することができる
。さらに、損失低減及び効率改善のような他の有利な特徴も、ＯＭＮの排除によって実現
することができる。
図１５は、複数の帯域用のＲＦ信号を処理するべく構成された電力増幅システム１００
の一例を示す。かかる帯域は例えば、帯域Ａ及び帯域Ｂであり得る。理解されることだが
、電力増幅システム１００に対しては他の数の帯域を実装することもできる。
の一例を示す。かかる帯域は例えば、帯域Ａ及び帯域Ｂであり得る。理解されることだが
、電力増幅システム１００に対しては他の数の帯域を実装することもできる。
図１５の例において、各帯域は、別個の増幅経路に関連付けられるように示される。各
増幅経路において、そのＰＡ、供給電圧Ｖｃｃ及びフィルタは、図１４の例に類似するよ
うに構成及び動作可能である。かかるＰＡ構成は、ここに記載されるＨＶ動作モードを含
み得る。
増幅経路において、そのＰＡ、供給電圧Ｖｃｃ及びフィルタは、図１４の例に類似するよ
うに構成及び動作可能である。かかるＰＡ構成は、ここに記載されるＨＶ動作モードを含
み得る。
図１５の例において、自身の専用増幅経路を有する各帯域により、帯域選択スイッチを
排除することができる。したがって、電力増幅システム１００のいくつか又はすべてを有
するデバイス２７０（ＰＡダイ又はＰＡモジュールのような）は、低減された寸法（例え
ばｄ３×ｄ４）を有し得る。さらに、損失低減及び効率改善のような他の有利な特徴も、
帯域選択スイッチの排除によって実現することができる。
排除することができる。したがって、電力増幅システム１００のいくつか又はすべてを有
するデバイス２７０（ＰＡダイ又はＰＡモジュールのような）は、低減された寸法（例え
ばｄ３×ｄ４）を有し得る。さらに、損失低減及び効率改善のような他の有利な特徴も、
帯域選択スイッチの排除によって実現することができる。
図１６は、複数の帯域用のＲＦ信号を処理するべく図１５の例に類似するように構成さ
れた電力増幅システム１００の一例を示す。図１６の例において、複数の増幅経路のいく
つか又はすべてのそれぞれには、図１４の例に類似するように、出力整合ネットワーク（
ＯＭＮ）（ここではインピーダンス変換回路とも称する）が実質的に存在しないこととし
得る。したがって、電力増幅システム１００のいくつか又はすべてを有するデバイス２７
０（ＰＡダイ又はＰＡモジュールのような）は、低減された寸法（例えばｄ５×ｄ６）を
有し得る。さらに、損失低減及び効率改善のような他の有利な特徴も、帯域選択スイッチ
及びＯＭＮのいくつか又はすべての排除によって実現することができる。
れた電力増幅システム１００の一例を示す。図１６の例において、複数の増幅経路のいく
つか又はすべてのそれぞれには、図１４の例に類似するように、出力整合ネットワーク（
ＯＭＮ）（ここではインピーダンス変換回路とも称する）が実質的に存在しないこととし
得る。したがって、電力増幅システム１００のいくつか又はすべてを有するデバイス２７
０（ＰＡダイ又はＰＡモジュールのような）は、低減された寸法（例えばｄ５×ｄ６）を
有し得る。さらに、損失低減及び効率改善のような他の有利な特徴も、帯域選択スイッチ
及びＯＭＮのいくつか又はすべての排除によって実現することができる。
図１５及び１６の例において、その対応電力増幅システム１００が実装されるデバイス
２７０は例えば、半導体基板を有する電力増幅器ダイであり得る。複数のＰＡは、図示の
ように半導体基板に並列に実装することができる。各ＰＡは、個々の狭周波数帯域信号経
路を駆動するべく構成することができる。このようにして、各ＰＡは、複数のＰＡに関連
付けられた一を超える周波数帯域で駆動可能な広帯域ＰＡよりも小さなサイズにすること
ができる。ここに記載されるように、かかる小型化された単一帯域ＰＡは、一定数の望ま
しい特徴をもたらし得る。
２７０は例えば、半導体基板を有する電力増幅器ダイであり得る。複数のＰＡは、図示の
ように半導体基板に並列に実装することができる。各ＰＡは、個々の狭周波数帯域信号経
路を駆動するべく構成することができる。このようにして、各ＰＡは、複数のＰＡに関連
付けられた一を超える周波数帯域で駆動可能な広帯域ＰＡよりも小さなサイズにすること
ができる。ここに記載されるように、かかる小型化された単一帯域ＰＡは、一定数の望ま
しい特徴をもたらし得る。
製品の例
図１７は、いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特徴を有する高電
圧ＡＰＴ電力増幅システムのいくつか又はすべてを、一のモジュールに実装することがで
きる。かかるモジュールは例えば、フロントエンドモジュール（ＦＥＭ）であり得る。図
１７の例において、モジュール３００はパッケージング基板３０２を含み得る。かかるパ
ッケージング基板には一定数のコンポーネントが搭載され得る。例えば、ＦＥ-ＰＭＩＣ
コンポーネント１０２、電力増幅器アセンブリ１０４、整合コンポーネント１０６及びデ
ュプレクサアセンブリ１０８を、パッケージング基板３０２上に搭載し及び／若しくは実
装し並びに／又はパッケージング基板３０２の中に搭載し及び／若しくは実装することが
できる。一定数のＳＭＴデバイス３０４及びアンテナスイッチモジュール（ＡＳＭ）３０
６のような他のコンポーネントもパッケージング基板３０２に搭載することができる。様
々なコンポーネントのすべてがパッケージング基板３０２上にレイアウトされるように描
かれるが、いくつかのコンポーネント（複数可）は、他のコンポーネント（複数可）の上
又は下に実装できることが理解される。
圧ＡＰＴ電力増幅システムのいくつか又はすべてを、一のモジュールに実装することがで
きる。かかるモジュールは例えば、フロントエンドモジュール（ＦＥＭ）であり得る。図
１７の例において、モジュール３００はパッケージング基板３０２を含み得る。かかるパ
ッケージング基板には一定数のコンポーネントが搭載され得る。例えば、ＦＥ-ＰＭＩＣ
コンポーネント１０２、電力増幅器アセンブリ１０４、整合コンポーネント１０６及びデ
ュプレクサアセンブリ１０８を、パッケージング基板３０２上に搭載し及び／若しくは実
装し並びに／又はパッケージング基板３０２の中に搭載し及び／若しくは実装することが
できる。一定数のＳＭＴデバイス３０４及びアンテナスイッチモジュール（ＡＳＭ）３０
６のような他のコンポーネントもパッケージング基板３０２に搭載することができる。様
々なコンポーネントのすべてがパッケージング基板３０２上にレイアウトされるように描
かれるが、いくつかのコンポーネント（複数可）は、他のコンポーネント（複数可）の上
又は下に実装できることが理解される。
いくつかの実装において、ここに記載される一以上の特徴を有する電力増幅システムは
、無線デバイスのようなＲＦデバイスに含まれ得る。かかる電力増幅システムは、一以上
の回路として、一以上のダイとして、一以上のパッケージモジュールとして、又はこれら
の任意の組み合わせで無線デバイスに実装することができる。いくつかの実施形態におい
て、かかる無線デバイスは、例えば、セルラーフォン、スマートフォン、電話機能あり又
はなしのハンドヘルド無線デバイス、無線タブレット等を含み得る。
、無線デバイスのようなＲＦデバイスに含まれ得る。かかる電力増幅システムは、一以上
の回路として、一以上のダイとして、一以上のパッケージモジュールとして、又はこれら
の任意の組み合わせで無線デバイスに実装することができる。いくつかの実施形態におい
て、かかる無線デバイスは、例えば、セルラーフォン、スマートフォン、電話機能あり又
はなしのハンドヘルド無線デバイス、無線タブレット等を含み得る。
図１８は、ここに記載される一以上の有利な特徴を有する代表的な無線デバイス４００
を描く。ここに記載される一以上の特徴を有するモジュールの文脈において、かかるモジ
ュールは一般に、破線の囲み３００によって描くこと、及び、例えばフロントエンドモジ
ュール（ＦＥＭ）として実装することができる。
を描く。ここに記載される一以上の特徴を有するモジュールの文脈において、かかるモジ
ュールは一般に、破線の囲み３００によって描くこと、及び、例えばフロントエンドモジ
ュール（ＦＥＭ）として実装することができる。
図１８を参照すると、電力増幅器（ＰＡ）４２０は、増幅及び送信対象のＲＦ信号を発
生させるべく及び受信した信号を処理するべく構成及び動作が可能な送受信器４１０から
、対応ＲＦ信号を受信することができる。送受信器４１０は、ユーザに適したデータ及び
／又は音声信号と送受信器４１０に適したＲＦ信号との間の変換を与えるべく構成された
ベース帯域サブシステム４０８と相互作用をするように示される。送受信器４１０はまた
、無線デバイス４００の動作のために電力を管理するべく構成された電力管理コンポーネ
ント４０６と通信することもできる。かかる電力管理はまた、ベース帯域サブシステム４
０８及びモジュール３００の動作も制御することもできる。
生させるべく及び受信した信号を処理するべく構成及び動作が可能な送受信器４１０から
、対応ＲＦ信号を受信することができる。送受信器４１０は、ユーザに適したデータ及び
／又は音声信号と送受信器４１０に適したＲＦ信号との間の変換を与えるべく構成された
ベース帯域サブシステム４０８と相互作用をするように示される。送受信器４１０はまた
、無線デバイス４００の動作のために電力を管理するべく構成された電力管理コンポーネ
ント４０６と通信することもできる。かかる電力管理はまた、ベース帯域サブシステム４
０８及びモジュール３００の動作も制御することもできる。
ベース帯域サブシステム４０８は、ユーザに与えられ及びユーザから受けた音声及び／
又はデータの様々な入力及び出力を容易にするべく、ユーザインタフェイス４０２に接続
されるように示される。ベース帯域サブシステム４０８はまた、無線デバイスの動作を容
易にし及び／又はユーザのための情報記憶を与えるデータ及び／又は命令を記憶するべく
構成されたメモリ４０４に接続することもできる。
又はデータの様々な入力及び出力を容易にするべく、ユーザインタフェイス４０２に接続
されるように示される。ベース帯域サブシステム４０８はまた、無線デバイスの動作を容
易にし及び／又はユーザのための情報記憶を与えるデータ及び／又は命令を記憶するべく
構成されたメモリ４０４に接続することもできる。
代表的な無線デバイス４００において、ＰＡ４２０の出力は、（対応整合回路４２２を
介して）対応デュプレクサ４２４に整合され及び引き回されるように示される。いくつか
の実施形態において、整合回路４２２は、図７を参照して記載される代表的な整合回路１
７２ａ～１７２ｃに類似する。図７を参照してここに記載されるように、ＰＡ４２０がＨ
Ｖ供給によるＨＶモードで動作する場合、ＰＡ４２０の出力は、その対応デュプレクサ４
２４へと、インピーダンス変換（例えば図６の負荷変換器１１６）なしで引き回すことが
できる。かかる増幅されかつフィルタリングされた信号は、送信を目的としてアンテナス
イッチ４１４を介してアンテナ４１６へと引き回すことができる。いくつかの実施形態に
おいて、デュプレクサ４２４により、共通アンテナ（例えば４１６）を使用して送受信動
作を同時に行うことができる。図１８において、受信された信号は、デュプレクサ４２４
を介して、例えば一以上の低雑音増幅器（ＬＮＡ）を含み得る「Ｒｘ」経路へと引き回さ
れるように示される。
介して）対応デュプレクサ４２４に整合され及び引き回されるように示される。いくつか
の実施形態において、整合回路４２２は、図７を参照して記載される代表的な整合回路１
７２ａ～１７２ｃに類似する。図７を参照してここに記載されるように、ＰＡ４２０がＨ
Ｖ供給によるＨＶモードで動作する場合、ＰＡ４２０の出力は、その対応デュプレクサ４
２４へと、インピーダンス変換（例えば図６の負荷変換器１１６）なしで引き回すことが
できる。かかる増幅されかつフィルタリングされた信号は、送信を目的としてアンテナス
イッチ４１４を介してアンテナ４１６へと引き回すことができる。いくつかの実施形態に
おいて、デュプレクサ４２４により、共通アンテナ（例えば４１６）を使用して送受信動
作を同時に行うことができる。図１８において、受信された信号は、デュプレクサ４２４
を介して、例えば一以上の低雑音増幅器（ＬＮＡ）を含み得る「Ｒｘ」経路へと引き回さ
れるように示される。
図１８の例において、ＰＡ４２０に対する上記ＨＶ供給は、ＨＶコンポーネント１０２
によって与えることができる。かかるＨＶコンポーネントは例えば、ここに記載されるブ
ーストＤＣ／ＤＣ変換器を含み得る。
によって与えることができる。かかるＨＶコンポーネントは例えば、ここに記載されるブ
ーストＤＣ／ＤＣ変換器を含み得る。
一定数の他の無線デバイス構成も、ここに記載される一以上の特徴を利用することがで
きる。例えば、無線デバイスは、多重帯域デバイスである必要はない。他例において、無
線デバイスは、ダイバーシティアンテナのような付加アンテナ、並びに、Ｗｉ-Ｆｉ（登
録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）及びＧＰＳのような付加的な接続機能を含み
得る。
きる。例えば、無線デバイスは、多重帯域デバイスである必要はない。他例において、無
線デバイスは、ダイバーシティアンテナのような付加アンテナ、並びに、Ｗｉ-Ｆｉ（登
録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）及びＧＰＳのような付加的な接続機能を含み
得る。
ここに記載されるように、本開示の一以上の特徴は、図１８の無線デバイスを含むシス
テムのようなシステムに実装される場合に一定数の利点を与え得る。例えば、出力損失の
排除又は低減によって、有意な電流ドレイン低減を達成することができる。他例において
、電力増幅システム及び／又は無線デバイスに対して低い材料費を実現することができる
。さらなる他例において、例えば対応周波数帯域に対する別個のＰＡによって、各サポー
ト対象周波数帯域の独立した最適化又は所望の構成を達成することができる。さらなる他
例において、最大の又は増加した出力電力の最適化又は所望の構成を、例えばブースト供
給電圧システムによって達成することができる。さらなる他例において、一定数の異なる
電池技術を利用することができる。最大の又は増加した電力は、必ずしも電池電圧に限ら
れるわけではないからである。
テムのようなシステムに実装される場合に一定数の利点を与え得る。例えば、出力損失の
排除又は低減によって、有意な電流ドレイン低減を達成することができる。他例において
、電力増幅システム及び／又は無線デバイスに対して低い材料費を実現することができる
。さらなる他例において、例えば対応周波数帯域に対する別個のＰＡによって、各サポー
ト対象周波数帯域の独立した最適化又は所望の構成を達成することができる。さらなる他
例において、最大の又は増加した出力電力の最適化又は所望の構成を、例えばブースト供
給電圧システムによって達成することができる。さらなる他例において、一定数の異なる
電池技術を利用することができる。最大の又は増加した電力は、必ずしも電池電圧に限ら
れるわけではないからである。
本開示の一以上の特徴には、ここに記載される様々なセルラー周波数帯域を実装するこ
とができる。かかる帯域の例が表３に列挙される。理解されることだが、当該帯域の少な
くともいくつかは、サブ帯域に分割することができる。またも理解されることだが、本開
示の一以上の特徴は、表３の例のような指示を有しない周波数範囲も実装することができ
る。
とができる。かかる帯域の例が表３に列挙される。理解されることだが、当該帯域の少な
くともいくつかは、サブ帯域に分割することができる。またも理解されることだが、本開
示の一以上の特徴は、表３の例のような指示を有しない周波数範囲も実装することができ
る。
ここの記載において、様々な形態のインピーダンスが言及される。例えば、ＰＡは、フ
ィルタのような下流側コンポーネントの負荷インピーダンスで駆動するとして言及される
場合がある。他例において、ＰＡは、インピーダンス値を有するとして言及される場合が
ある。説明目的のため理解されることだが、かかるインピーダンス関連のＰＡの言及は、
互換可能に使用することができる。さらに、ＰＡのインピーダンスは、ＰＡの出力側に見
られるように、出力インピーダンスを含み得る。したがって、下流側コンポーネントの負
荷インピーダンスで駆動するべく構成される当該ＰＡは、下流側コンポーネントの負荷イ
ンピーダンスとほぼ同じ出力インピーダンスを有するＰＡを有し得る。
ィルタのような下流側コンポーネントの負荷インピーダンスで駆動するとして言及される
場合がある。他例において、ＰＡは、インピーダンス値を有するとして言及される場合が
ある。説明目的のため理解されることだが、かかるインピーダンス関連のＰＡの言及は、
互換可能に使用することができる。さらに、ＰＡのインピーダンスは、ＰＡの出力側に見
られるように、出力インピーダンスを含み得る。したがって、下流側コンポーネントの負
荷インピーダンスで駆動するべく構成される当該ＰＡは、下流側コンポーネントの負荷イ
ンピーダンスとほぼ同じ出力インピーダンスを有するＰＡを有し得る。
本明細書及び特許請求の範囲全体にわたり、文脈上そうでないことが明らかでない限り
、「含む」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「～
を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される用
語「結合」は、直接接続されるか又は一以上の中間要素を介して接続されるかいずれかと
なり得る２以上の要素を言及する。加えて、用語「ここ」、「上」、「下」及び同様の趣
旨の用語は、本願において使用される場合、本願全体を言及し、本願の任意の特定部分を
言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数の上述の詳細な説明における
用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。２以上の項目のリストを参照する用語「又
は」及び「若しくは」について、当該用語は以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち
、当該リストの任意の項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の
組み合わせである。
、「含む」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「～
を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される用
語「結合」は、直接接続されるか又は一以上の中間要素を介して接続されるかいずれかと
なり得る２以上の要素を言及する。加えて、用語「ここ」、「上」、「下」及び同様の趣
旨の用語は、本願において使用される場合、本願全体を言及し、本願の任意の特定部分を
言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数の上述の詳細な説明における
用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。２以上の項目のリストを参照する用語「又
は」及び「若しくは」について、当該用語は以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち
、当該リストの任意の項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の
組み合わせである。
本発明の実施形態の上記詳細な説明は、排他的であることすなわち本発明を上記開示の
正確な形態に制限することを意図しない。本発明の及びその例の特定の実施形態が例示を
目的として上述されたが、当業者が認識するように、本発明の範囲において様々な均等の
修正も可能である。例えば、プロセス又はブロックが所与の順序で提示されるが、代替実
施形態は、異なる順序でステップを有するルーチンを行うこと又はブロックを有するシス
テムを用いることができ、いくつかのプロセス又はブロックは削除、移動、追加、細分化
、結合、及び／又は修正することができる。これらのプロセス又はブロックはそれぞれが
、様々な異なる態様で実装することができる。また、プロセス又はブロックが直列的に行
われるように示されることがあるが、これらのプロセス又はブロックは、その代わりに、
並列して行い又は異なる時に行うこともできる。
正確な形態に制限することを意図しない。本発明の及びその例の特定の実施形態が例示を
目的として上述されたが、当業者が認識するように、本発明の範囲において様々な均等の
修正も可能である。例えば、プロセス又はブロックが所与の順序で提示されるが、代替実
施形態は、異なる順序でステップを有するルーチンを行うこと又はブロックを有するシス
テムを用いることができ、いくつかのプロセス又はブロックは削除、移動、追加、細分化
、結合、及び／又は修正することができる。これらのプロセス又はブロックはそれぞれが
、様々な異なる態様で実装することができる。また、プロセス又はブロックが直列的に行
われるように示されることがあるが、これらのプロセス又はブロックは、その代わりに、
並列して行い又は異なる時に行うこともできる。
ここに与えられた本発明の教示は、必ずしも上述のシステムに限られることがなく、他
のシステムにも適用することができる。上述の様々な実施形態要素及び行為は、さらなる
実施形態を与えるべく組み合わせることができる。
のシステムにも適用することができる。上述の様々な実施形態要素及び行為は、さらなる
実施形態を与えるべく組み合わせることができる。
本発明のいくつかの実施形態が記載されたが、これらの実施形態は、例のみとして提示
されており、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際、ここに記載の新規な方法
及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここに記載の方法
及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要旨から逸脱するこ
となくなし得る。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨に収ま
るかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
されており、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際、ここに記載の新規な方法
及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここに記載の方法
及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要旨から逸脱するこ
となくなし得る。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨に収ま
るかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
Claims (15)
- 電力増幅器ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板に実装される複数の狭帯域電力増幅器と、
それぞれが各狭帯域電力増幅器の出力ノードに結合されるように前記半導体基板に実装される複数の出力フィルタと、
それぞれが各出力フィルタの出力ノードに結合される複数の入力ノードを含む出力スイッチと
を含み、
各狭帯域電力増幅器は、平均電力追跡モードにおいて所定電圧を使用して動作し、
各狭帯域電力増幅器及び各出力フィルタは、複数の周波数帯域の各個別周波数帯域に関連付けられ、
各狭帯域電力増幅器は、前記複数の狭帯域電力増幅器にそれぞれ関連付けられる前記複数の周波数帯域のうちの一を超える周波数帯域で動作する広帯域電力増幅器よりも小さな寸法にされる、電力増幅器ダイ。 - 各狭帯域電力増幅器は、前記複数の出力フィルタのうち当該各狭帯域電力増幅器に対応する出力フィルタの特性負荷インピーダンスで駆動する、請求項１の電力増幅器ダイ。
- 各狭帯域電力増幅器は４０Ωよりも大きなインピーダンスを有する、請求項２の電力増幅器ダイ。
- 各狭帯域電力増幅器のインピーダンスは５０Ωの値を有する、請求項３の電力増幅器ダイ。
- 各狭帯域電力増幅器のインピーダンスは、前記狭帯域電力増幅器において電流ドレインを低減させる、請求項３の電力増幅器ダイ。
- 各狭帯域電力増幅器における前記電流ドレインの低減により、前記狭帯域電力増幅器を、前記狭帯域電力増幅器と比べて低いインピーダンスの電力増幅器よりも小さな寸法にすることができる、請求項５の電力増幅器ダイ。
- 各狭帯域電力増幅器は、ガリウムヒ素デバイスであるヘテロ接合バイポーラトランジスタとして実装される、請求項２の電力増幅器ダイ。
- 前記平均電力追跡モードにおいて動作するときの前記複数の狭帯域電力増幅器による損失は、前記電力増幅器ダイと類似する帯域の取り扱い能力を有するが電力増幅器は前記所定電圧よりも低い電圧で動作する電力増幅器ダイにおける損失よりも低い、請求項１の電力増幅器ダイ。
- 電力増幅器が前記所定電圧よりも低い電圧で動作する電力増幅器ダイは包絡線追跡モードにおいて動作する、請求項８の電力増幅器ダイ。
- 前記平均電力追跡モードにおいて動作するときの前記複数の狭帯域電力増幅器の全体効率は、前記包絡線追跡モードにおいて動作するときの前記複数の狭帯域電力増幅器の全体効率よりも高い、請求項９の電力増幅器ダイ。
- 無線周波数モジュールであって、
複数のコンポーネントを受容するパッケージング基板と、
前記パッケージング基板に実装される電力増幅システムと
を含み、
前記電力増幅システムは、半導体基板に実装される複数の狭帯域電力増幅器と、それぞれが各狭帯域電力増幅器の出力ノードに結合されるように前記半導体基板に実装される複数の出力フィルタと、それぞれが各出力フィルタの出力ノードに結合される複数の入力ノードを含む出力スイッチとを含み、
各狭帯域電力増幅器は、平均電力追跡モードにおいて所定電圧を使用して動作し、
各狭帯域電力増幅器及び各出力フィルタは、複数の周波数帯域の各個別周波数帯域に関連付けられ、
各狭帯域電力増幅器は、前記複数の狭帯域電力増幅器にそれぞれ関連付けられる前記複数の周波数帯域のうちの一を超える周波数帯域で動作する広帯域電力増幅器よりも小さな寸法にされる、無線周波数モジュール。 - 各出力フィルタが、当該各出力フィルタに対応する狭帯域電力増幅器に、帯域選択スイッチが存在しない経路を介して結合される、請求項１１の無線周波数モジュール。
- 各出力フィルタが、当該各出力フィルタに対応する狭帯域電力増幅器に、インピーダンス変換回路が存在しない経路を介して結合される、請求項１１の無線周波数モジュール。
- 前記無線周波数モジュールはフロントエンドモジュールである、請求項１１の無線周波数モジュール。
- 無線デバイスであって、
信号を生成する送受信器と、
前記送受信器と通信するフロントエンドモジュールと、
前記フロントエンドモジュールと通信するアンテナと
を含み、
前記フロントエンドモジュールは、複数の狭帯域電力増幅器を含む電力増幅システムを有し、
前記電力増幅システムはさらに、それぞれが各狭帯域電力増幅器の出力ノードに結合される複数の出力フィルタと、それぞれが各出力フィルタの出力ノードに結合される複数の入力ノードを含む出力スイッチとを含み、
各狭帯域電力増幅器は、平均電力追跡モードにおいて所定電圧を使用して動作し、
各狭帯域電力増幅器及び各出力フィルタは、複数の周波数帯域の各個別周波数帯域に関連付けられ、
各狭帯域電力増幅器は、前記複数の狭帯域電力増幅器にそれぞれ関連付けられる前記複数の周波数帯域のうちの一を超える周波数帯域で動作する広帯域電力増幅器よりも小さな寸法にされ、
前記アンテナは、前記送受信器が生成した信号が前記電力増幅システムによって増幅された増幅済み信号を送信する、無線デバイス。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2023000178A JP7395778B2 (ja) | 2015-02-15 | 2023-01-04 | 整合ネットワークの排除により効率が向上した電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (9)
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| US201562116448P | 2015-02-15 | 2015-02-15 | |
| US201562116451P | 2015-02-15 | 2015-02-15 | |
| US201562116450P | 2015-02-15 | 2015-02-15 | |
| US62/116,449 | 2015-02-15 | ||
| US62/116,451 | 2015-02-15 | ||
| US62/116,450 | 2015-02-15 | ||
| US62/116,448 | 2015-02-15 | ||
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| JP2015190649A Pending JP2016149746A (ja) | 2015-02-15 | 2015-09-29 | 小型単一帯域電力増幅器を多重に有する多重帯域デバイス |
| JP2015190601A Pending JP2016149744A (ja) | 2015-02-15 | 2015-09-29 | 整合ネットワークの排除により効率が向上した電力増幅器 |
| JP2015190639A Pending JP2016149745A (ja) | 2015-02-15 | 2015-09-29 | 帯域選択スイッチの排除により効率が向上した多重帯域電力増幅システム |
| JP2017202482A Pending JP2018042264A (ja) | 2015-02-15 | 2017-10-19 | 整合ネットワークの排除により効率が向上した電力増幅器 |
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| CN214069915U (zh) | 2018-06-20 | 2021-08-27 | 株式会社村田制作所 | 高频模块和通信装置 |
| US11563410B1 (en) * | 2018-12-28 | 2023-01-24 | Rockwell Collins, Inc. | Systems and methods for multi-band power amplifiers |
| US11165393B2 (en) | 2019-03-25 | 2021-11-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Envelope tracking for Doherty power amplifiers |
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| JP2021158425A (ja) * | 2020-03-25 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
| JP2021158554A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| JP2021158556A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| WO2022034817A1 (ja) * | 2020-08-13 | 2022-02-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| US11601144B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-03-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Broadband architectures for radio frequency front-ends |
| US11671122B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-06-06 | Skyworks Solutions, Inc. | Filter reuse in radio frequency front-ends |
| US11621680B2 (en) | 2020-11-09 | 2023-04-04 | City University Of Hong Kong | Power amplifier |
| KR20230020832A (ko) * | 2021-08-04 | 2023-02-13 | 삼성전자주식회사 | Rf 신호를 송신하는 전자 장치 및 그 동작 방법 |
| WO2023068530A1 (ko) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | 삼성전자 주식회사 | 전력 증폭기의 출력을 제어하는 전자 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004289428A (ja) | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Ube Ind Ltd | マルチバンド用電力増幅器モジュール |
| JP2012109972A (ja) | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Audio-Technica Us Inc | 高密度無線システム |
| JP2014517661A (ja) | 2011-06-23 | 2014-07-17 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 低電圧で電力効率のよいエンベロープトラッカ |
| WO2014160191A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Quantance, Inc. | Power supply |
Family Cites Families (91)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5873201A (ja) | 1981-10-27 | 1983-05-02 | Toshiba Corp | 低域通過フイルタ |
| US5774017A (en) * | 1996-06-03 | 1998-06-30 | Anadigics, Inc. | Multiple-band amplifier |
| US5966048A (en) | 1997-11-25 | 1999-10-12 | Hughes Electronics Corporation | Low IMD amplification method and apparatus |
| US5973568A (en) | 1998-06-01 | 1999-10-26 | Motorola Inc. | Power amplifier output module for dual-mode digital systems |
| US6529715B1 (en) | 1999-02-26 | 2003-03-04 | Lucent Technologies Inc. | Amplifier architecture for multi-carrier wide-band communications |
| TW200518345A (en) | 2003-08-08 | 2005-06-01 | Renesas Tech Corp | Semiconductor device |
| JP2005143089A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Sharp Corp | バランス型増幅回路および高周波通信装置 |
| KR100667303B1 (ko) * | 2005-02-01 | 2007-01-12 | 삼성전자주식회사 | Ｕｗｂ용 ｌｎａ |
| JP2006237711A (ja) | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Renesas Technology Corp | マルチバンド低雑音増幅器、マルチバンド低雑音増幅器モジュール、無線用半導体集積回路およびマルチバンドｒｆモジュール |
| JP2006287337A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Corp | 無線送信機 |
| JP2007019585A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sharp Corp | 高周波電力増幅器および無線通信装置 |
| KR101283202B1 (ko) | 2006-05-08 | 2013-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 프론트앤드모듈의 잡음신호 제거장치 |
| EP2017966A4 (en) | 2006-05-08 | 2015-01-14 | Hitachi Metals Ltd | HIGH FREQUENCY SWITCHING, HIGH FREQUENCY RANGE AND COMMUNICATION DEVICE |
| FR2904897B1 (fr) * | 2006-08-10 | 2008-09-26 | Alcatel Sa | Dispositif d'amplification large bande |
| US7911044B2 (en) | 2006-12-29 | 2011-03-22 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | RF module package for releasing stress |
| US20080279262A1 (en) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Broadcom Corporation | On chip transmit/receive selection |
| FI20075322A0 (fi) | 2007-05-07 | 2007-05-07 | Nokia Corp | Teholähteitä RF-tehovahvistimelle |
| JP2009017249A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Hitachi Ltd | 増幅回路 |
| US7925227B2 (en) | 2007-09-19 | 2011-04-12 | Micro Mobio Corporation | Multi-band amplifier module with harmonic suppression |
| US8718582B2 (en) | 2008-02-08 | 2014-05-06 | Qualcomm Incorporated | Multi-mode power amplifiers |
| US8255009B2 (en) * | 2008-04-25 | 2012-08-28 | Apple Inc. | Radio frequency communications circuitry with power supply voltage and gain control |
| JP5131540B2 (ja) | 2008-05-20 | 2013-01-30 | 株式会社村田製作所 | Ｒｆ電力増幅器およびｒｆ電力増幅装置 |
| US7764120B2 (en) * | 2008-08-19 | 2010-07-27 | Cree, Inc. | Integrated circuit with parallel sets of transistor amplifiers having different turn on power levels |
| US20100105340A1 (en) * | 2008-10-29 | 2010-04-29 | Qualcomm Incorporated | Interface for wireless communication devices |
| US8030995B2 (en) * | 2008-12-25 | 2011-10-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Power circuit used for an amplifier |
| JP5152059B2 (ja) | 2009-03-19 | 2013-02-27 | 富士通株式会社 | 電力増幅装置及び電力増幅方法 |
| US9143172B2 (en) * | 2009-06-03 | 2015-09-22 | Qualcomm Incorporated | Tunable matching circuits for power amplifiers |
| US20110117862A1 (en) | 2009-11-16 | 2011-05-19 | Oluf Bagger | Multiband RF Device |
| JP2011176965A (ja) | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Nec Corp | マルチフェーズｄｃ／ｄｃコンバータ及びその制御方法 |
| US8942651B2 (en) * | 2010-04-20 | 2015-01-27 | Rf Micro Devices, Inc. | Cascaded converged power amplifier |
| US8183917B2 (en) | 2010-06-04 | 2012-05-22 | Quantance, Inc. | RF power amplifier circuit with mismatch tolerance |
| JP2012049909A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Toshiba Corp | 広帯域電力増幅器 |
| JP5864898B2 (ja) | 2010-09-03 | 2016-02-17 | 株式会社日立国際電気 | 電力増幅装置 |
| US8509718B2 (en) | 2010-10-13 | 2013-08-13 | Rf Micro Devices, Inc. | Broadband receive only tuner combined with receive switch |
| US8461931B1 (en) | 2010-11-01 | 2013-06-11 | Anadigics, Inc. | Wideband RF power amplifier for multi-mode multi-band applications |
| KR20120055128A (ko) | 2010-11-23 | 2012-05-31 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 운반용 박스 건조 장치 |
| US8797103B2 (en) | 2010-12-07 | 2014-08-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for capacitive load reduction |
| US8598950B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-12-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for capacitive load reduction |
| WO2012098863A1 (ja) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | パナソニック株式会社 | 高周波電力増幅器 |
| US9391650B2 (en) | 2011-02-11 | 2016-07-12 | Qualcomm Incorporated | Front-end RF filters with embedded impedance transformation |
| US8791759B2 (en) | 2011-03-22 | 2014-07-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Bipolar stacked transistor architecture |
| JP2014514879A (ja) * | 2011-05-02 | 2014-06-19 | アールエフアクシス インコーポレイテッド | 共存フィルタを有する電力増幅器 |
| CN103650337B (zh) | 2011-05-13 | 2016-09-21 | 天工方案公司 | 用于偏置功率放大器的装置和方法 |
| WO2012157645A1 (ja) | 2011-05-18 | 2012-11-22 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅器およびその動作方法 |
| US8476979B1 (en) * | 2011-07-07 | 2013-07-02 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | High-efficiency power module |
| WO2013009640A2 (en) | 2011-07-08 | 2013-01-17 | Skyworks Solutions, Inc. | Signal path termination |
| US8761698B2 (en) * | 2011-07-27 | 2014-06-24 | Intel Mobile Communications GmbH | Transmit circuit, method for adjusting a bias of a power amplifier and method for adapting the provision of a bias information |
| US9679869B2 (en) | 2011-09-02 | 2017-06-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Transmission line for high performance radio frequency applications |
| US9041464B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-05-26 | Qualcomm Incorporated | Circuitry for reducing power consumption |
| US9294041B2 (en) * | 2011-10-26 | 2016-03-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Average frequency control of switcher for envelope tracking |
| US9159743B2 (en) | 2011-11-09 | 2015-10-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio-frequency switches having silicon-on-insulator field-effect transistors with reduced linear region resistance |
| US9280163B2 (en) * | 2011-12-01 | 2016-03-08 | Rf Micro Devices, Inc. | Average power tracking controller |
| WO2013119587A1 (en) | 2012-02-09 | 2013-08-15 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for envelope tracking |
| US9020449B2 (en) | 2012-03-15 | 2015-04-28 | Newlans, Inc. | Software-defined radio with broadband amplifiers and antenna matching |
| CN104410373B (zh) | 2012-06-14 | 2016-03-09 | 西凯渥资讯处理科技公司 | 包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块 |
| US9761700B2 (en) * | 2012-06-28 | 2017-09-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Bipolar transistor on high-resistivity substrate |
| US8773200B2 (en) | 2012-07-08 | 2014-07-08 | R2 Semiconductor, Inc. | Decoupling circuits for filtering a voltage supply of multiple power amplifiers |
| JP2014060622A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Sharp Corp | 送信信号増幅回路、移動体通信端末および送信信号増幅回路の制御方法 |
| CN104160550B (zh) * | 2012-09-23 | 2019-01-11 | Dsp集团有限公司 | 用于rf功率放大器的线性行阵列集成功率合成器 |
| US9450552B2 (en) | 2012-10-09 | 2016-09-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Power amplifier having an integrated microcontroller |
| US9219445B2 (en) | 2012-12-28 | 2015-12-22 | Peregrine Semiconductor Corporation | Optimization methods for amplifier with variable supply power |
| US8948707B2 (en) * | 2013-01-07 | 2015-02-03 | Google Technology Holdings LLC | Duplex filter arrangements for use with tunable narrow band antennas having forward and backward compatibility |
| US9294056B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-03-22 | Peregrine Semiconductor Corporation | Scalable periphery tunable matching power amplifier |
| US9263991B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-02-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Power management/power amplifier operation under dynamic battery drops |
| KR20150138237A (ko) | 2013-03-13 | 2015-12-09 | 가부시키가이샤 에스텐가가쿠겐큐쇼 | 물 또는 해수와의 마찰 저항이 작은 방오 도막 |
| US9444417B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-09-13 | Qorvo Us, Inc. | Weakly coupled RF network based power amplifier architecture |
| JP2014187432A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Sharp Corp | 通信信号増幅回路および通信信号増幅回路の制御方法 |
| US9246447B2 (en) | 2013-03-29 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Multipath power amplifier device with low power path isolation |
| CN105122453B (zh) | 2013-04-01 | 2018-08-10 | 豪雅冠得股份有限公司 | 近红外线吸收玻璃及其制造方法 |
| US10301547B2 (en) | 2013-04-01 | 2019-05-28 | Adeka Corporation | Flame retardant composition, flame retardant fiber treated with flame retardant composition, and method for increasing amount of flame retardant component adhered onto fibers using said composition |
| US9410057B2 (en) | 2013-04-02 | 2016-08-09 | Basf Se | Coated carbon fiber reinforced plastic parts |
| US9479118B2 (en) * | 2013-04-16 | 2016-10-25 | Rf Micro Devices, Inc. | Dual instantaneous envelope tracking |
| US20140341318A1 (en) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Broadcom Corporation | Average power tracking in a transmitter |
| US9837962B2 (en) | 2013-06-06 | 2017-12-05 | Qualcomm Incorporated | Envelope tracker with variable boosted supply voltage |
| KR101467231B1 (ko) | 2014-02-19 | 2014-12-01 | 성균관대학교산학협력단 | 포락선 추적 모드 또는 평균 전력 추적 모드로 동작하는 멀티 모드 바이어스 변조기 및 이를 이용한 포락선 추적 전력 증폭 장치 |
| US20150270813A1 (en) | 2014-03-20 | 2015-09-24 | Qualcomm Incorporated | Dynamically adjustable power amplifier load tuner |
| JP6278778B2 (ja) | 2014-03-27 | 2018-02-14 | トッパン・フォームズ株式会社 | 保冷具 |
| JP6376507B2 (ja) | 2014-03-27 | 2018-08-22 | Toto株式会社 | 空調装置 |
| JP6240542B2 (ja) | 2014-03-28 | 2017-11-29 | 株式会社Ｌｉｘｉｌ | 真空断熱材の再生方法 |
| JP6383554B2 (ja) | 2014-03-28 | 2018-08-29 | フタバ産業株式会社 | 燃料改質装置 |
| JP5642307B1 (ja) | 2014-03-31 | 2014-12-17 | 株式会社トーメック | 単独運転可能高調波抑制装置 |
| US10333474B2 (en) * | 2014-05-19 | 2019-06-25 | Skyworks Solutions, Inc. | RF transceiver front end module with improved linearity |
| KR20150137448A (ko) | 2014-05-29 | 2015-12-09 | 주식회사 엔피코어 | 데이터 센터를 위한 데이터 관리 방법 및 장치 |
| US9503025B2 (en) * | 2014-07-11 | 2016-11-22 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier with termination circuit and resonant circuit |
| US9572052B2 (en) * | 2014-08-08 | 2017-02-14 | Skyworks Solutions, Inc. | Front end architecture for intermittent emissions and/or coexistence specifications |
| US9425742B2 (en) | 2014-12-10 | 2016-08-23 | Intel Corporation | Method and apparatus for correcting inconvenient power amplifier load characteristics in an envelope tracking based system |
| JP2016149743A (ja) | 2015-02-15 | 2016-08-18 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 整合ネットワークの排除によりサイズが低減された電力増幅器 |
| US9893684B2 (en) | 2015-02-15 | 2018-02-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio-frequency power amplifiers driven by boost converter |
| US9973155B2 (en) * | 2015-07-09 | 2018-05-15 | Tdk Corporation | Apparatus and methods for tunable power amplifiers |
| JP2019083476A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
| US11916522B2 (en) * | 2020-05-20 | 2024-02-27 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Broadband diplexed or multiplexed power amplifier |
-
2015
- 2015-09-28 JP JP2015189648A patent/JP2016149743A/ja active Pending
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2016
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-
2017
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-
2018
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-
2019
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-
2020
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-
2021
- 2021-08-31 JP JP2021141145A patent/JP7206340B2/ja active Active
-
2023
- 2023-01-04 JP JP2023000178A patent/JP7395778B2/ja active Active
- 2023-02-07 US US18/106,877 patent/US20230327607A1/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004289428A (ja) | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Ube Ind Ltd | マルチバンド用電力増幅器モジュール |
| JP2012109972A (ja) | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Audio-Technica Us Inc | 高密度無線システム |
| JP2014517661A (ja) | 2011-06-23 | 2014-07-17 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 低電圧で電力効率のよいエンベロープトラッカ |
| WO2014160191A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-10-02 | Quantance, Inc. | Power supply |
| JP2016516354A (ja) | 2013-03-14 | 2016-06-02 | クアンタンス， インコーポレイテッド | 電源 |
Also Published As
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