JP2014514879A - 共存フィルタを有する電力増幅器 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図3
Description
第2の電力増幅器は、WLAN通信モデルに特有であるので、下記で詳述するその具体的実施形態は、IEEE802.11規格によって規定された信号電力レベルを生成することができ、線形モードで動作することができる。この線に沿って、種々の回路を、他の電力増幅器に同調させることができる。
共存フィルタ98
補償回路126
入力整合セグメント118
出力整合セグメント120
表1:電力増幅器アーキテクチャ(第2の実施形態)の構成要素値
共存フィルタ98
補償回路126
入力整合セグメント118
出力整合セグメント120
表2:高いVSWRのシミュレーションに対する電力増幅キアーテクチャの構成要素値
本出願は、米国特許仮出願第61/481557号(2011年5月2日出願)「WCDMAハンドセット応用のための、共存フィルタを有するWLAN電力増幅器アーキテクチャ」に関連するものであり、その利益を主張する。前記仮出願は、参照用として、全て、本明細書に組み込まれるものとする。
陳述注記:連邦政府研究/開発支援 /適用せず
12 第1のトランシーとバ
14 第2のトランシーとバ
16 第1フロントエンド回路
18 第1のアンテナ
20 第2のアンテナ
22 第1のアンテナポート
24 第2のアンテナポート
26 第1のモデル送信ポート
28 WCDMA送信信号
30 第1の電力増幅器
32 送信入力ポート
34 GPIOポート
36 WCDMA送信イネーブル信号
38 WCDMA送信イネーブル入力ポート
40 第1の低雑音増幅器
42 WCDMA受信出力ポート
44 WCDMA受信信号
46 第1のモデル受信ポート
48 第2のGPIOポート
50 WCDMA受信イネーブル信号
52 WCDMA受信イネーブル入力ポート
54 デュープレクサ
56 第1のポート
58 第2のポート
60 第3のポート
62 第2のモデルの送信ポート
64 第2のモデルの受信ポート
66 WLAN送信信号
68 送信入力ポート
70 第2の電力増幅器
72 別のGPIOポート
74 WLAN送信イネーブル信号
76 WLAN送信イネーブル入力ポート
78 第2の低雑音増幅器
80 WLAN受信出力ポート
82 WLAN信号
84 WLAN受信イネーブル信号
86 GPIO出力
88 WLAN受信イネーブル入力ポート
90 単一極、2投入RFスイッチ
92 第1のポート
94 第2のポート
96 第3のポート
98、98a 共存フィルタ
99、100、102 プロット
104 一致する領域
106 WCDMA受信バンド
108 プロット
110 電力増幅器アーキテクチャ
112 入力
114 出力
116 トランジスタ
116a 第1の端子
116b 第2の端子
116c 第3の端子
118 入力整合セグメント
120 出力整合セグメント
122 インダクタンス
126 補償回路
128 接合
130 マーカ
132 マーカ
134 不安定周波数領域
136 第1のポート
138 第2のポート
140 並列共振回路
142 回路例
150 第1のプロット
152 第2のプロット
154 第3のプロット
156 第4のプロット
160 第2の回路例
162 理想的な結合器
164 理想的な移相器
166 コレクタ〜エミッタ電圧のプロット
168 コレクタ〜ベース電圧のプロット
170 最大入力電力18dBmのときのプロット
172 入力信号18dBmの場合のプロット
174 入力電力16dBmの場合のプロット
176 1dB利得圧縮の出力電力のプロット
177 小信号利得のプロット
178 第1のプロット
180 第2のプロット
182 第3のプロット
184 第4のプロット
186 第1のプロット
188 第2のプロット
190 第3のプロット
192 第4のプロット
194 第1のプロット
196 第2のプロット
198 第3のプロット
200 第4のプロット
202 第1のプロット
204 第2のプロット
206 第3のプロット
208 第4のプロット
Claims (34)
- 入力ポートと出力ポートとを含み、トランシーバをアンテナに接続するための、動作周波数を有する電力増幅器アーキテクチャであって、
前記入力ポートに接続された入力整合セグメントと、
前記出力ポートに接続された出力整合セグメントと、
阻止周波数の範囲を有する少なくとも1つのフィルタと、
前記入力整合セグメントに接続された第1の端子と、前記出力整合セグメントに接続された第2の端子と、第3の端子を有する少なくとも1つのトランジスタを含む増幅器セグメントであって、前記第3の端子は、この第3の端子に接続され、グラウンドに接続された接合を結ぶ第1の誘導性相互接続に近接して存在する前記フィルタに接続されている、増幅器セグメントと、
前記入力セグメントと、前記出力セグメントとに接続され、前記フィルタの不安定性を最小にしている補償器とを備えていることを特徴とする電力増幅器アーキテクチャ。 - 前記フィルタは、前記接合に接続された第1のフィルタキャパシタと、前記第1のフィルタキャパシタと直列に接続され、グラウンドに接続された第1のフィルタインダクタとを含むことを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記第1のフィルタインダクタは、前記第1の誘導性相互接続と平行に延びている第2の誘導性相互接続であり、第1、および第2のボンドワイヤは、互いに磁気的に結合していることを特徴とする、請求項2に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記第1の誘導性相互接続と前記第2の誘導性相互接続との磁気結合係数は、約0.4〜0.5であることを特徴とする、請求項3に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記第1のフィルタキャパシタおよび前記第1のフィルタインダクタは、動作周波数において、小さな抵抗性インピーダンスとリアクタンス性インピーダンスに相当する値を有し、阻止周波数の範囲においては、大きな抵抗性インピーダンス、およびリアクタンス性インピーダンスを有することを特徴とする、請求項2に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 動作周波数における前記抵抗性インピーダンスは、約4オームより低く、阻止周波数の範囲における前記抵抗性インピーダンスは、約15オームより大きいことを特徴とする、請求項5に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記動作周波数における前記リアクタンス性インピーダンスは、約0オームであり、前記阻止周波数の範囲における前記誘導性リアクティブインピーダンスは、約20オームより大きいことを特徴とする、請求項5に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記フィルタは、前記接合に接続された第2のフィルタキャパシタと、前記第2のフィルタキャパシタと直列に接続されグラウンドに接続された第2のフィルタインダクタとを含むことを特徴とする、請求項2に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記第1のフィルタインダクタ、および前記第2のフィルタインダクタは、それぞれ、第2の誘導性相互接続、および第3の誘導性相互接続であり、
前記第1の誘導性相互接続と並行に延び、前記第1、第2、および第3の誘導性相互接続は、互いに磁気的に結合していることを特徴とする、請求項8に記載の電力増幅器アーキテクチャ。 - 前記第1の誘導性相互接続と前記第2の誘導性相互接続との間の第1の磁気結合係数、および前記第1の誘導性相互接前記続と前記第3の誘導性相互接続との間の第2の磁気結合係数は、約0.4〜0.5であり、前記第2の誘導性相互接続と前記第3の誘導性相互接続との間の第3の磁気結合係数は、約0.2〜0.3であることを特徴とする、請求項9に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記フィルタは、前記第3の端子に接続された第2のフィルタキャパシタと、前記第2のフィルタキャパシタと直列に接続され、グラウンドに接続された第2のフィルタインダクタと、前記第3の端子と前記接合との間に接続された第3のフィルタインダクタとを含むことを特徴とする、請求項2に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記第1のフィルタインダクタ、および前記第2のフィルタインダクタは、それぞれ、第2の誘導性相互接続、第3の誘導性相互接続であり、前記第1の誘導性相互接続と並行に延び、前記第1、第2、および第3の誘導性相互接続は、互いに磁気的に結合している
ことを特徴とする、請求項11に記載の電力増幅器アーキテクチャ。 - 前記増幅器セグメントは、多段に接続された複数のトランジスタを含み、2つ以上のトランジスタは、それぞれのフィルタに接続されていることを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記補償器は、
第1の補償器キャパシタおよび補償器インダクタとからなる並列共振回路と、
前記並列共振回路と直列に接続された第2の補償器キャパシタとを含み、
前記並列共振回路は、前記動作周波数に大体等しい共振周波数によって定められている
ことを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器アーキテクチャ。 - 前記補償器は、特定の信号周波数における阻止特性に影響を与えるようになっていることを特徴とする、請求項14に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記第1の誘導性相互接続は、ボンドワイヤであることを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記第1の誘導性相互接続は、オンダイ(on−die)プリントインダクタである
ことを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器アーキテクチャ。 - 前記トランジスタは、バイポーラ型であり、前記第1の端子は、ベース端子であり、前記第2の端子は、コレクタ端子であり、前記第3の端子は、エミッタ端子であることを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記トランジスタは、電界効果型であり、前記第1の端子は、ゲート端子であり、前記第2の端子は、ソース端子であり、前記第3の端子は、ドレイン端子であることを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 少なくとも1つのトランジスタは、金属酸化物半導体電界効果型、バイポーラ接合型、ヘテロ接合バイポーラ型、金属半導体電界効果型、および高電子移動度型から構成されたグループから選定された半導体構造に作製されていることを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- トランシーバをアンテナに接続するための無線周波数(RF)フロントエンドアーキテクチャであって、
前記トランシーバの出力線に接続可能な送信入力ポートと、
前記トランシーバの入力線に接続可能な受信出力ポートと、
前記送信入力ポートに接続され、入力整合セグメントと、出力整合セグメントと、増幅器セグメントを含み、前記出力整合セグメントに接続され、動作周波数を有する、電力増幅器と、
前記増幅器セグメントのエミッタ側に接続され、阻止周波数の範囲を有するフィルタと、
前記電力増幅器の前記出力整合セグメントと前記入力整合セグメントとに接続され、前記エミッタ側のフィルタの不安定効果を最小にしている補償器と、
前記受信出力ポートに接続された低雑音増幅器と、
前記アンテナに接続された第1のポートと、前記低雑音増幅器に接続された第2のポートと、前記電力増幅器に接続された第3のポートとを有するスイッチとを備え、
前記低雑音増幅器と前記第2のポートとは、前記スイッチによって、前記アンテナに選択的に接続可能であることを特徴とするRFフロントエンドアーキテクチャ - 前記フィルタは、
動作周波数において、小さい抵抗性インピーダンスおよび小さいリアクタンス性インピーダンスと、阻止周波数の範囲において、大きい抵抗性インピーダンスおよび大きいリアクタンス性インピーダンスとの値に対応する値を有する構成要素を含むことを特徴とする、請求項21に記載のRFフロントエンドアーキテクチャ。 - 前記動作周波数において、前記抵抗性インピーダンスは、約4オームより小さく、阻止周波数の前記範囲においては、前記抵抗性インピーダンスは、約15オームより大きい
ことを特徴とする、請求項21に記載のRFフロントエンドアーキテクチャ。 - 前記動作周波数における前記リアクタンス性インピーダンスは、約0オームであり、阻止周波数の前記範囲においては、約前記誘導性リアクティブインピーダンスは、約20オームより大きいことを特徴とする、請求項21に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記補償器は、前記動作周波数に大体等しい共振周波数によって定義される並列共振回路を含むことを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 前記補償器は、特定の信号周波数のところで、阻止特性に影響することを特徴とする、請求項1に記載の電力増幅器アーキテクチャ。
- 第1の周波数バンドで動作する第1のトランシーバを第1のアンテナに接続し、第2の周波数バンドで動作する第2のトランシーバを第2のアンテナに接続するための無線周波数(RF)フロントエンド回路であって、
前記第1のトランシーバからの送信線に接続可能な第1の電力増幅器と、
前記第1のトランシーバからの受信線に接続可能な第1の低雑音増幅器と、
前記第2のトランシーバからの送信線に接続可能な第2の電力増幅器と、
前記第2のトランシーバからの受信線に接続可能な第2の低雑音増幅器と、
前記第2のトランシーバからの送信線と前記第2の電力増幅器を含む前記第2のアンテナとの間の相互接続によって定義される送信チェーンの中の共存フィルタとを備え、
前記共存フィルタは、受信を行う前記第1の周波数バンドと周波数が重複する前記第2の周波数バンドの送信信号の一部を阻止するRFフロントエンド回路において、
前記第1の電力増幅器、および前記第1の低雑音増幅器は、前記第1のアンテナに接続可能であり、前記第2の電力増幅器、および前記第2の低雑音増幅器は、前記第2のアンテナに選択的に接続可能であり、前記共存フィルタは、前記第2の電力増幅器、および前記第2の低雑音増幅器と共に、ダイの上(Qon−die)に製作されていることを特徴とするRFフンロトエンドエンド回路。 - 前記第1の電力増幅器の出力に接続された第1のポートと、前記第1の低雑音増幅器の入力に接続された第2のポートと、前記第1のアンテナに接続された第3のポートとを有するデュープレクサを備え、前記デュープレクサは、前記第1の電力増幅器と前記第1の低雑音増幅器とを、前記第1のアンテナに接続していることを特徴とする、請求項27に記載のRFフロントエンド回路。
- 前記第2の電力増幅器の出力に接続された第1のポートと、前記第2の低雑音増幅器の入力に接続された第2のポートと、前記第2のアンテナに接続可能な第3のポートとを有するスイッチを備え、前記スイッチは、前記第2の電力増幅器と、前記第2の低雑音増幅器とを、前記第2のアンテナに、選択的に接続していることを特徴とする、請求項27に記載のRFフロントエンド回路。
- 前記第1の周波数バンドは、広帯域符号分割多元接続(WCDMA)移動通信モデルに対応していることを特徴とする、請求項27に記載のRFフロントエンド回路。
- 前記第1の周波数バンドの範囲は、約2.11〜2.17GHzにわたり、前記第1の電力増幅器および第1の低雑音増幅器は、前記範囲に同調されていることを特徴とする、請求項27に記載のRFフロントエンド回路。
- 前記第2の周波数バンドは、無線ローカルエリアネットワーク(WLAN)データネットワークモデルに対応していることを特徴とする、請求項27に記載のRFフロントエンド回路。
- 前記第2の周波数バンドの範囲は、約2.4〜2.5GHzにわたり、前記第2の電力増幅器および第2の低雑音増幅器は、前記範囲に同調されていることを特徴とする、請求項27に記載のRFフロントエンド回路。
- 前記第1の電力増幅器と、前記第2の電力増幅器と、前記第1の低雑音増幅器と、前記第2の低雑音増幅器と、前記共存フィルタとは、金属酸化物半導体電界効果型、バイポーラ接合型、ヘテロ接合バイポーラ型、金属半導体電界効果型、および高電子移動度型からなるグループから選択された半導体構造として作製されていることを特徴とする、請求項27に記載のRFフロントエンド回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161481557P | 2011-05-02 | 2011-05-02 | |
US61/481,557 | 2011-05-02 | ||
PCT/US2012/036187 WO2012151322A1 (en) | 2011-05-02 | 2012-05-02 | Power amplifier with co-existence filter |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017160862A Division JP6484305B2 (ja) | 2011-05-02 | 2017-08-24 | 共存フィルタを有する電力増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014514879A true JP2014514879A (ja) | 2014-06-19 |
Family
ID=47089868
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014509416A Pending JP2014514879A (ja) | 2011-05-02 | 2012-05-02 | 共存フィルタを有する電力増幅器 |
JP2017160862A Active JP6484305B2 (ja) | 2011-05-02 | 2017-08-24 | 共存フィルタを有する電力増幅器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017160862A Active JP6484305B2 (ja) | 2011-05-02 | 2017-08-24 | 共存フィルタを有する電力増幅器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9093967B2 (ja) |
EP (1) | EP2710732A4 (ja) |
JP (2) | JP2014514879A (ja) |
CN (1) | CN103797713B (ja) |
WO (1) | WO2012151322A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
US9621203B2 (en) | 2012-12-03 | 2017-04-11 | Dockon Ag | Medium communication system using log detector amplifier |
US9048943B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-06-02 | Dockon Ag | Low-power, noise insensitive communication channel using logarithmic detector amplifier (LDA) demodulator |
US9236892B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-12 | Dockon Ag | Combination of steering antennas, CPL antenna(s), and one or more receive logarithmic detector amplifiers for SISO and MIMO applications |
KR102226415B1 (ko) | 2013-03-15 | 2021-03-11 | 도콘 아게 | 주파수 복조 능력이 내재된 주파수 선택적 대수 증폭기 |
US9263787B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-02-16 | Dockon Ag | Power combiner and fixed/adjustable CPL antennas |
CN103178794B (zh) * | 2013-04-03 | 2015-12-02 | 成都雷电微力科技有限公司 | 单芯片功率放大器 |
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US9093967B2 (en) | 2015-07-28 |
US20120280754A1 (en) | 2012-11-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A521 | Request for written amendment filed |
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