JP2012049909A - 広帯域電力増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1中心周波数有する第1増幅ユニットと、第1増幅ユニットに並列に配置され、第1中心周波数よりも高い第2中心周波数を有する第2増幅ユニットと、第1増幅ユニットの入力と第2増幅ユニットの入力に接続された電力分配器と、第1増幅ユニットの出力と第2増幅ユニットの出力に接続された電力合成器とを備える広帯域増幅器。
【選択図】図1
Description
第1の実施の形態に係る広帯域増幅器1の模式的回路ブロック構成は、図1に示すように、第1中心周波数を有する第1増幅ユニット4と第1増幅ユニット4に並列に配置され、第1中心周波数よりも高い第2中心周波数を有する第2増幅ユニット2と、第1増幅ユニット4の入力と第2増幅ユニット2の入力と接続された電力分配器(PD)6と、第1増幅ユニット4の出力と第2増幅ユニット2の出力と接続された電力合成器(PC)8とを備える。
比較例に係る広帯域増幅器の模式的回路ブロック構成は、図2に示すように、第1中心周波数を有する第1増幅ユニット4aと、第1増幅ユニット4aに直列に配置され、第1中心周波数よりも高い第2中心周波数を有する第2増幅ユニット2aと、第1増幅ユニット4aの出力と第2増幅ユニット2aの入力との間に接続されたアイソレータ71a・72aと、第1増幅ユニット4aの入力に接続された電力分配器(PD)6aと、第2増幅ユニット2aの出力に接続された電力合成器(PC)8aとを備える。
第1の実施の形態に係る広帯域増幅器の第1増幅セル(図3)の入出力特性は、模式的に図5(a)に示すように表され、第2増幅セル(図4)の入出力特性は、模式的に図5(b)に示すように表される。
―ウィルキンソン型電力分配器・電力合成器―
第1の実施の形態に係る広帯域増幅器1において、電力分配器(PD)6・61・62および電力合成器(PC)8・81・82に適用可能なウィルキンソン型電力分配器・電力合成器の回路構成例は、図11に示すように表される。ポート1とポート2およびポート3間には、インピーダンス√2Zo、λ/4波長の伝送線路を形成し、ポート2とポート3間には、インピーダンス2Zoの抵抗を接続している。ここで、Zoは伝送線路の特性インピーダンス、λは動作周波数fに対応した波長を表す。
同様に、第1の実施の形態に係る広帯域増幅器1において、電力分配器(PD)6・61・62および電力合成器(PC)8・81・82に適用可能なブランチラインカプラ型電力分配器・電力合成器の回路構成例は、図12に示すように表される。ポート1とポート2間およびポート3とポート4間には、インピーダンスZo/√2、λ/4波長の伝送線路を形成し、ポート1とポート4間およびポート2とポート4間には、インピーダンスZo、λ/4波長の伝送線路を形成している。
同様に、第1の実施の形態に係る広帯域増幅器1において、電力分配器(PD)6・61・62および電力合成器(PC)8・81・82に適用可能なラットレースカプラ型電力分配器・電力合成器の回路構成例は、図13に示すように表される。ポート1とポート2間は、インピーダンス√2Zo、3λ/4波長の伝送線路を形成し、ポート2とポート3間、ポート3とポート4間、およびポート4とポート1間には、インピーダンス√2Zo、λ/4波長の伝送線路を形成している。
同様に、第1の実施の形態に係る広帯域増幅器1において、電力分配器(PD)6・61・62および電力合成器(PC)8・81・82に適用可能なランゲカプラ型電力分配器・電力合成器の回路構成例は、図14に示すように、例えば、複数のλ/8伝送線路をブリッジで互いに接続した構成を備える。
第2の実施の形態に係る広帯域増幅器1は、図15に示すように、第1中心周波数を有する第1増幅ユニット31と、第1増幅ユニット31に並列に配置され、第1中心周波数よりも高い第2中心周波数を有する第2増幅ユニット32と、第1増幅ユニット31および第2増幅ユニット32に並列に配置され、第1中心周波数よりも高く、第2中心周波数よりも低い第3中心周波数を有する第3増幅ユニット33と、第1増幅ユニット31の入力と、第2増幅ユニット32の入力と、および第3増幅ユニット33の入力に接続された電力分配器(PD)6と、第1増幅ユニット31の出力と、第2増幅ユニット32の出力と、および第3増幅ユニット33の出力に接続された電力合成器(PC)8とを備える。ここで、第1中心周波数は、第1増幅ユニット31において入出力間で、最大電力増幅を得るための周波数に等しく、第2中心周波数は、第2増幅ユニット32において入出力間で、最大電力増幅を得るための周波数に等しく、第3中心周波数は、第3増幅ユニット33において入出力間で、最大電力増幅を得るための周波数に等しい。
第3の実施の形態に係る広帯域増幅器1は、図16に示すように、第1中心周波数を有する第1増幅ユニット31と、第1増幅ユニット31に並列に配置され、第1中心周波数よりも高い第2中心周波数を有する第2増幅ユニット32と、第2増幅ユニット32に並列に配置され、第2中心周波数よりも高い第3中心周波数を有する第3増幅ユニット33と、第3増幅ユニット33に並列に配置され、第3中心周波数よりも高い第4中心周波数を有する第4増幅ユニット34と、第1増幅ユニット31の入力と第2増幅ユニット32の入力に接続された電力分配器(PD)63と、第3増幅ユニット33の入力と第4増幅ユニット34の入力に接続された電力分配器(PD)64と、第1増幅ユニット31の出力と第2増幅ユニット32の出力に接続された電力合成器(PC)83と、第3増幅ユニット33の出力と第4増幅ユニット34の出力に接続された電力合成器(PC)84とを備える。
第4の実施の形態に係る広帯域増幅器1に適用するN方向電力分配器90のブロック構成は、図17(a)に示すように表され、N方向電力合成器92のブロック構成は、図17(b)に示すように表される。
第1〜第4の実施の形態に係る広帯域増幅器1において、各整合回路を構成するキャパシタには、電極を櫛の歯状のインターディジタル構造に配置したインターディジタル型キャパシタ、或いは絶縁層を介して電極を積層構造に配置したMIM(Metal/Insulator/Metal)キャパシタなどを適用することができる。このようなMIMキャパシタの構成は、例えば、図19に示すように、基板110と、基板110上に配置された金属パターン134と、基板110および金属パターン134上に配置された絶縁層132と、絶縁層132上に配置された金属コンタクト層114と、金属コンタクト層114上に配置された金属層116とを備える。MIMキャパシタンス構造は、金属パターン134/絶縁層132/金属コンタクト層114/金属層116から形成されている。
第1〜第4の実施の形態に係る広帯域増幅器1に適用可能なFET140の模式的平面パターン構成は、図20に示すように、基板110と、基板110の第1表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極124、ソースフィンガー電極120およびドレインフィンガー電極122と、基板110の第1表面に配置され,ゲートフィンガー電極124、ソースフィンガー電極120およびドレインフィンガー電極122ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成した複数のゲート端子電極G1,G2,…,G4、複数のソース端子電極S1,S2,…,S5およびドレイン端子電極Dと、ソース端子電極S1,S2,…,S5の下部に配置されたVIAホールSC1,SC2,…,SC5と、基板110の第1表面と反対側の第2表面に配置され、ソース端子電極S1,S2,…,S5に対してVIAホールSC1,SC2,…,SC5を介して接続された接地電極(図示省略)とを備える。
第1〜第4の実施の形態に係る広帯域増幅器に適用可能な別のFET150の模式的平面パターン構成は、図21示すように、基板上に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極124、ソースフィンガー電極120およびドレインフィンガー電極123と、基板上に配置され、ゲートフィンガー電極124、ソースフィンガー電極120ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極Gおよびソース端子電極Sと、基板上に配置され、ドレインフィンガー電極123の複数のフィンガーをそれぞれオーバーレイコンタクトにより接続したドレイン端子電極Dとを備える。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
2、3、4、31〜3n…増幅ユニット
6、6a、61、61a、62、63、64、611〜61n…電力分配器(PD)
8、8a、81、81a、82、83、84、811〜81n…電力合成器(PC)
16i、17i、18i、19i、20i、21i…入力整合回路
16o、17o、18o、19o、20o、21o…出力整合回路
71a、72a…アイソレータ
90…N方向電力分配器(PD)
92…N方向電力合成器(PC)
110…基板
114…金属コンタクト層
116…金属層
120…ソースフィンガー電極
122、123…ドレインフィンガー電極
124…ゲートフィンガー電極
132…絶縁層
134…金属パターン
140、150…半導体装置(FET)
Pi…入力端子
Po…出力端子
Pin…入力電力
Pout…出力電力
G,G1、G2、G3、G4…ゲート端子電極
S,S1、S2、S3、S4、S5…ソース端子電極
D…ドレイン端子電極
SC、SC1、SC2、SC3、SC4、SC5…VIAホール
Claims (15)
- 第1中心周波数を有する第1増幅ユニットと、
前記第1増幅ユニットに並列に配置され、前記第1中心周波数よりも高い第2中心周波数を有する第2増幅ユニットと、
第1増幅ユニットの入力と第2増幅ユニットの入力に接続された第1電力分配器と、
第1増幅ユニットの出力と第2増幅ユニットの出力に接続された第1電力合成器と
を備えることを特徴とする広帯域増幅器。 - 前記第1増幅ユニットは、並列接続された2つの第2増幅セルと、前記第2増幅セルの入力に直列接続された1つの第1増幅セルとを備え、
前記第1増幅セルは、第1トランジスタと、前記第1トランジスタの入力側に接続された第1入力整合回路と、前記第1トランジスタの出力側に接続された第1出力整合回路とを備え、
前記第2増幅ユニットは、並列接続された2つの第4増幅セルと、前記第4増幅セルの入力に直列接続された1つの第3増幅セルとを備え、
前記第3増幅セルは、第2トランジスタと、前記第2トランジスタの入力側に接続された第2入力整合回路と、前記第2トランジスタの出力側に接続された第2出力整合回路とを備え、
前記第1入力整合回路は、前記第1中心周波数において、前記第1トランジスタの入力インピーダンスを変換し、前記第1出力整合回路は、前記第1中心周波数において、前記第1トランジスタの出力インピーダンスを変換すると共に、前記第2入力整合回路は、前記第2中心周波数において、前記第2トランジスタの入力インピーダンスを変換し、前記第2出力整合回路は、前記第2中心周波数において、前記第2トランジスタの出力インピーダンスを変換することを特徴とする請求項1に記載の広帯域増幅器。 - 前記第1電力分配器は、ウィルキンソン型電力分配成器、ブランチカプラ型電力分配器、ラットレースカプラ型電力分配器、ランゲカプラ型電力分配器のいずれかであり、前記第1電力合成器は、ウィルキンソン型電力合成器、ブランチカプラ型電力合成器、ラットレースカプラ型電力合成器、ランゲカプラ型電力合成器のいずれかであることを特徴とする請求項2に記載の広帯域増幅器。
- 前記第2増幅ユニットに並列に配置され、前記第1中心周波数よりも高く、前記第2中心周波数よりも低い第3中心周波数を有する第3増幅ユニット
をさらに備え、前記第3増幅ユニットの入力は、前記第1電力分配器に接続され、前記第3増幅ユニットの出力は、前記第1電力合成器に接続されたことを特徴とする請求項1に記載の広帯域増幅器。 - 前記第1増幅ユニットは、並列接続された2つの第2増幅セルと、前記第2増幅セルの入力に直列接続された1つの第1増幅セルとを備え、
前記第1増幅セルは、第1トランジスタと、前記第1トランジスタの入力側に接続された第1入力整合回路と、前記第1トランジスタの出力側に接続された第1出力整合回路とを備え、
前記第2増幅ユニットは、並列接続された2つの第4増幅セルと、前記第4増幅セルの入力に直列接続された1つの第3増幅セルとを備え、
前記第3増幅セルは、第2トランジスタと、前記第2トランジスタの入力側に接続された第2入力整合回路と、前記第2トランジスタの出力側に接続された第2出力整合回路とを備え、
前記第3増幅ユニットは、並列接続された2つの第6増幅セルと、前記第6増幅セルの入力に直列接続された1つの第5増幅セルとを備え、
前記第5増幅セルは、第3トランジスタと、前記第3トランジスタの入力側に接続された第3入力整合回路と、前記第3トランジスタの出力側に接続された第3出力整合回路とを備え、
前記第1入力整合回路は、前記第1中心周波数において、前記第1トランジスタの入力インピーダンスを変換し、前記第1出力整合回路は、前記第1中心周波数において、前記第1トランジスタの出力インピーダンスを変換し、前記第2入力整合回路は、前記第2中心周波数において、前記第2トランジスタの入力インピーダンスを変換し、前記第2出力整合回路は、前記第2中心周波数において、前記第2トランジスタの出力インピーダンスを変換し、前記第3入力整合回路は、前記第3中心周波数において、前記第3トランジスタの入力インピーダンスを変換し、前記第3出力整合回路は、前記第3中心周波数において、前記第3トランジスタの出力インピーダンスを変換することを特徴とする請求項4に記載の広帯域増幅器。 - 前記第1電力分配器は、ウィルキンソン型電力分配器、ブランチカプラ型電力分配器、ラットレースカプラ型電力分配器、ランゲカプラ型電力分配器のいずれかであり、前記第1電力合成器は、ウィルキンソン型電力合成器、ブランチカプラ型電力合成器、ラットレースカプラ型電力合成器、ランゲカプラ型電力合成器のいずれかであることを特徴とする請求項4に記載の広帯域増幅器。
- 前記第2増幅ユニットに並列に配置され、前記第2中心周波数よりも高い第3中心周波数を有する第3増幅ユニットと、
第3増幅ユニットに並列に配置され、前記第3中心周波数よりも高い第4中心周波数を有する第4増幅ユニットと、
前記第3増幅ユニットの入力と前記第4増幅ユニットの入力に接続された第2電力分配器と、
前記第3増幅ユニットの出力と前記第4増幅ユニットの出力に接続された第2電力合成器と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の広帯域増幅器。 - 前記第1電力分配器の入力と前記第2電力分配器の入力に接続された第3電力分配器と、
前記第1電力合成器の出力と前記第2電力合成器の出力に接続された第3電力合成器と
を備えることを特徴とする請求項7に記載の広帯域増幅器。 - 前記第1増幅ユニットは、並列接続された2つの第2増幅セルと、前記第2増幅セルの入力に直列接続された1つの第1増幅セルとを備え、
前記第1増幅セルは、第1トランジスタと、前記第1トランジスタの入力側に接続された第1入力整合回路と、前記第1トランジスタの出力側に接続された第1出力整合回路とを備え、
前記第2増幅ユニットは、並列接続された2つの第4増幅セルと、前記第4増幅セルの入力に直列接続された1つの第3増幅セルとを備え、
前記第3増幅セルは、第2トランジスタと、前記第2トランジスタの入力側に接続された第2入力整合回路と、前記第2トランジスタの出力側に接続された第2出力整合回路とを備え、
前記第3増幅ユニットは、並列接続された2つの第6増幅セルと、前記第6増幅セルの入力に直列接続された1つの第5増幅セルとを備え、
前記第5増幅セルは、第3トランジスタと、前記第3トランジスタの入力側に接続された第3入力整合回路と、前記第3トランジスタの出力側に接続された第3出力整合回路とを備え、
前記第4増幅ユニットは、並列接続された2つの第8増幅セルと、前記第8増幅セルの入力に直列接続された1つの第7増幅セルとを備え、
前記第7増幅セルは、第4トランジスタと、前記第4トランジスタの入力側に接続された第4入力整合回路と、前記第4トランジスタの出力側に接続された第4出力整合回路とを備え、
前記第1入力整合回路は、前記第1中心周波数において、前記第1トランジスタの入力インピーダンスを変換し、前記第1出力整合回路は、前記第1中心周波数において、前記第1トランジスタの出力インピーダンスを変換し、前記第2入力整合回路は、前記第2中心周波数において、前記第2トランジスタの入力インピーダンスを変換し、前記第2出力整合回路は、前記第2中心周波数において、前記第2トランジスタの出力インピーダンスを変換し、前記第3入力整合回路は、前記第3中心周波数において、前記第3トランジスタの入力インピーダンスを変換し、前記第3出力整合回路は、前記第3中心周波数において、前記第3トランジスタの出力インピーダンスを変換し、前記第4入力整合回路は、前記第4中心周波数において、前記第4トランジスタの入力インピーダンスを変換し、前記第4出力整合回路は、前記第4中心周波数において、前記第4トランジスタの出力インピーダンスを変換することを特徴とする請求項7に記載の広帯域増幅器。 - 前記第1電力分配器と、前記第2電力分配器と、前記第3電力分配器は、ウィルキンソン型電力分配器、ブランチカプラ型電力分配器、ラットレースカプラ型電力分配器、ランゲカプラ型電力分配器のいずれかであり、前記第1電力合成器と、前記第2電力合成器と、前記第3電力合成器は、ウィルキンソン型電力合成器、ブランチカプラ型電力合成器、ラットレースカプラ型電力合成器、ランゲカプラ型電力合成器のいずれかであることを特徴とする請求項8に記載の広帯域増幅器。
- 複数の増幅ユニットと、
前記複数の増幅ユニットの入力に接続されたN方向電力分配器と、
前記複数の増幅ユニットの出力に接続されたN方向電力合成器と
を備え、前記複数の増幅ユニットは、それぞれ互いに異なる中心周波数を有することを特徴とする広帯域増幅器。 - 前記第1のトランジスタは、
基板と
前記基板の第1表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、
前記基板の第1表面に配置され,前記ゲートフィンガー電極、前記ソースフィンガー電極および前記ドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成した複数のゲート端子電極、複数のソース端子電極およびドレイン端子電極と、
前記ソース端子電極の下部に配置されたVIAホールと、
前記基板の第1表面と反対側の第2表面に配置され、前記ソース端子電極に対して前記VIAホールを介して接続された接地電極と
を備えることを特徴とする請求項2、5および9の内、いずれか1項に記載の広帯域増幅器。 - 前記第1のトランジスタは、
基板と、
前記基板上に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、
前記基板上に配置され、前記ゲートフィンガー電極、前記ソースフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極およびソース端子電極と、
前記基板上に配置され、前記ドレインフィンガー電極の複数のフィンガーをそれぞれオーバーレイコンタクトにより接続したドレイン端子電極と
を備えることを特徴とする請求項2、5および9の内、いずれか1項に記載の広帯域増幅器。 - 前記基板は、SiC基板、GaAs基板、GaN基板、SiC基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、Si基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、SiC基板上にGaN/AlGaNからなるヘテロ接合エピタキシャル層を形成した基板、サファイア基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、サファイア基板若しくはダイヤモンド基板、および半絶縁性基板のいずれかであることを特徴とする請求項12または13に記載の広帯域増幅器。
- 前記第1入力整合回路および前記第1出力整合回路は、MIMキャパシタを備えることを特徴とする請求項2、5および9の内、いずれか1項に記載の広帯域増幅器。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106105029A (zh) * | 2014-03-14 | 2016-11-09 | 高通股份有限公司 | 单输入多输出功率放大器 |
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Families Citing this family (8)
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---|---|---|---|---|
JP5853477B2 (ja) * | 2011-08-04 | 2016-02-09 | 三菱電機株式会社 | 電力増幅器 |
US8989683B2 (en) * | 2012-03-27 | 2015-03-24 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Ultra-wideband high power amplifier architecture |
DE102013209686B3 (de) * | 2013-05-24 | 2014-10-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verstärker |
US9379680B1 (en) * | 2013-11-05 | 2016-06-28 | The Boeing Company | Systems, methods, and apparatus for a power amplifier module |
JP2016149743A (ja) * | 2015-02-15 | 2016-08-18 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 整合ネットワークの排除によりサイズが低減された電力増幅器 |
US10153306B2 (en) * | 2016-02-29 | 2018-12-11 | Skyworks Solutions, Inc. | Transistor layout with low aspect ratio |
CN110198174B (zh) * | 2019-05-29 | 2022-03-25 | 京信网络系统股份有限公司 | 射频前端发射电路、射频前端电路、收发机和基站设备 |
CN117394808B (zh) * | 2023-12-06 | 2024-03-26 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种功率放大器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252658A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 広帯域低歪増幅器 |
JPH1065466A (ja) * | 1996-06-03 | 1998-03-06 | Anadeijitsukusu Inc | 複数バンド増幅器 |
JP2008109227A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7924097B2 (en) * | 2004-11-23 | 2011-04-12 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Solid-state ultra-wideband microwave power amplifier employing modular non-uniform distributed amplifier elements |
KR100667303B1 (ko) * | 2005-02-01 | 2007-01-12 | 삼성전자주식회사 | Uwb용 lna |
US7477108B2 (en) * | 2006-07-14 | 2009-01-13 | Micro Mobio, Inc. | Thermally distributed integrated power amplifier module |
JP5106041B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2012-12-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
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2011
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- 2011-04-20 EP EP11250486A patent/EP2426817A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252658A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 広帯域低歪増幅器 |
JPH1065466A (ja) * | 1996-06-03 | 1998-03-06 | Anadeijitsukusu Inc | 複数バンド増幅器 |
JP2008109227A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106105029A (zh) * | 2014-03-14 | 2016-11-09 | 高通股份有限公司 | 单输入多输出功率放大器 |
JP2017513319A (ja) * | 2014-03-14 | 2017-05-25 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 単入力多出力電力増幅器 |
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GB2619152A (en) * | 2022-04-01 | 2023-11-29 | Aselsan Elektronik Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi | A planar combiner system for solid state power amplifiers |
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